JPS63204528A - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 12
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 7
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M phenolate Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 26
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000013522 chelant Substances 0.000 abstract description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical class OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940093858 ethyl acetoacetate Drugs 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- -1 acetal compounds Chemical class 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAELJLASMRLRNM-UHFFFAOYSA-L C(C)CC(CC(=O)[O-])=O.C(C)CC(CC(=O)[O-])=O.C(CCC)O[Ti+2]OCCCC Chemical compound C(C)CC(CC(=O)[O-])=O.C(C)CC(CC(=O)[O-])=O.C(CCC)O[Ti+2]OCCCC MAELJLASMRLRNM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RCZPHVPIOWNERS-UHFFFAOYSA-N CCCO[Ti] Chemical compound CCCO[Ti] RCZPHVPIOWNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N [(2R,3S,4S,5R,6R)-5-acetyloxy-3,4,6-trihydroxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound CC(=O)OC[C@@H]1[C@H]([C@@H]([C@H]([C@@H](O1)O)OC(=O)C)O)O SMEGJBVQLJJKKX-HOTMZDKISA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940081735 acetylcellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- YNCDEEFMDXHURQ-UHFFFAOYSA-N aluminum;ethyl 3-oxobutanoate Chemical compound [Al].CCOC(=O)CC(C)=O YNCDEEFMDXHURQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- WPCPXPTZTOMGRF-UHFFFAOYSA-K di(butanoyloxy)alumanyl butanoate Chemical compound [Al+3].CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O WPCPXPTZTOMGRF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N valeric aldehyde Natural products CCCCC=O HGBOYTHUEUWSSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光情報記録媒体の改良に関する。
[従来の技術と問題点]
周知の如く、光ディスクは、基板上に設けた薄膜記録層
に形成された光学的に検出可能な小さな(約1μm)の
1ピツトを螺旋状又は円形のトラック形態にして高密度
情報を記録することが出来る。この様なディスクに情報
を書込むには、レーザ感応層の表面に収束したレーザを
走査し、このレーザ光線が照射された表面のみにピット
を形成し、このピットを螺旋状又は円形トラック等の形
態に形成する。ここで、前記感応層は、レーザエネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成出来る。
に形成された光学的に検出可能な小さな(約1μm)の
1ピツトを螺旋状又は円形のトラック形態にして高密度
情報を記録することが出来る。この様なディスクに情報
を書込むには、レーザ感応層の表面に収束したレーザを
走査し、このレーザ光線が照射された表面のみにピット
を形成し、このピットを螺旋状又は円形トラック等の形
態に形成する。ここで、前記感応層は、レーザエネルギ
ーを吸収して光学的に検出可能なピットを形成出来る。
例えばヒートモード記録方式では、レーザエネルギーを
吸収した記録層の照射部分が局所的に加熱され融解蒸発
あるいは凝集等の物理的変化を起こし、非照射部分との
間に例えば反照対、吸収率等の光学的差異を生じさせて
読取検出可能となる。
吸収した記録層の照射部分が局所的に加熱され融解蒸発
あるいは凝集等の物理的変化を起こし、非照射部分との
間に例えば反照対、吸収率等の光学的差異を生じさせて
読取検出可能となる。
ところで、こうした光記録媒体としてこれまでアルミニ
ウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、テルル系薄
膜やカルコゲナイド等非晶質ガラス膜などの無機物質が
提案されている。これらは蒸着法、スパッタ法などによ
り薄膜が得られ、近赤外域でも光吸収を有する為、半導
体レーザが使用出来るという長所がある。しかし、その
反面、反射率が大きく記録ビームのエネルギー効率が低
くなり記録に大出力レーザ光源を要したり、膜の熱伝導
率、比熱が大きいことにより感度的に不利である等の欠
点がある。また、テルル、ビスマス。
ウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、テルル系薄
膜やカルコゲナイド等非晶質ガラス膜などの無機物質が
提案されている。これらは蒸着法、スパッタ法などによ
り薄膜が得られ、近赤外域でも光吸収を有する為、半導
体レーザが使用出来るという長所がある。しかし、その
反面、反射率が大きく記録ビームのエネルギー効率が低
くなり記録に大出力レーザ光源を要したり、膜の熱伝導
率、比熱が大きいことにより感度的に不利である等の欠
点がある。また、テルル、ビスマス。
セレンなどの薄膜では毒性を有するという欠点がある。
このようなことから、近年吸収性の選択が出来、吸収率
が大きい、熱伝導率が小さい、生産性が良く毒性が低い
などの理由から有機色素薄膜を記録材料に用いた光学メ
モリ媒体の研究提案がなされて来ている。ここで、代表
的色素としてはシアニン系色素(特開昭58−1127
90) 、アントラキノン系色素(特開昭52−224
448)、ナフキノン系色素(特開昭58−22479
3)及びフタロシアニン系色素(特開昭6O−4839
6)等があり、これらを学独又は自己酸化性樹脂等との
併用からなる化合物をスピンナー塗布、ディップ法、プ
ラブマ法又は真空蒸着法等により基板上に薄膜形成して
光記録媒体が得られる。
が大きい、熱伝導率が小さい、生産性が良く毒性が低い
などの理由から有機色素薄膜を記録材料に用いた光学メ
モリ媒体の研究提案がなされて来ている。ここで、代表
的色素としてはシアニン系色素(特開昭58−1127
90) 、アントラキノン系色素(特開昭52−224
448)、ナフキノン系色素(特開昭58−22479
3)及びフタロシアニン系色素(特開昭6O−4839
6)等があり、これらを学独又は自己酸化性樹脂等との
併用からなる化合物をスピンナー塗布、ディップ法、プ
ラブマ法又は真空蒸着法等により基板上に薄膜形成して
光記録媒体が得られる。
ここで、上記色素薄膜系は上記長所を有し、特にシアニ
ン色素は構造的に近赤外に吸収波長をもたせることが可
能であり、しかも溶剤溶解性が高く塗布による成膜が可
能なこと融点が低い、熱伝導性が戚い等記録感度的にを
利である等の長所を有することから多くの検討がなされ
ている。これらの塗布成膜法はスピンナー塗布が最も簡
便で均一塗膜が得られ、生産性にも優れていることから
一般的に用いられている。ここに用いる溶剤は酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、トルエン、キシレ
ン等の芳香族系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、
ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系
溶剤、ジクロロメタン。
ン色素は構造的に近赤外に吸収波長をもたせることが可
能であり、しかも溶剤溶解性が高く塗布による成膜が可
能なこと融点が低い、熱伝導性が戚い等記録感度的にを
利である等の長所を有することから多くの検討がなされ
ている。これらの塗布成膜法はスピンナー塗布が最も簡
便で均一塗膜が得られ、生産性にも優れていることから
一般的に用いられている。ここに用いる溶剤は酢酸エチ
ル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、トルエン、キシレ
ン等の芳香族系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、
ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系
溶剤、ジクロロメタン。
ジクロロエタン、クロロホルム等のノ10ゲン炭化水素
系溶剤、テトラヒドロフラン等のフラン系溶剤、メチル
アルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ルなどのアルコール系溶剤、メチルセロソルブ、エチル
セロソルブ等のセロソルブ系溶剤等が挙げられる。これ
らの溶剤を単独又は混合し、色素を溶解して使用する。
系溶剤、テトラヒドロフラン等のフラン系溶剤、メチル
アルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコー
ルなどのアルコール系溶剤、メチルセロソルブ、エチル
セロソルブ等のセロソルブ系溶剤等が挙げられる。これ
らの溶剤を単独又は混合し、色素を溶解して使用する。
一方、上記方法により有機色素薄膜を形成する基板には
、記録波長に対し光学的に透明でかつ光学的に記録再生
に影響を及ぼされない材質即ちガラスやポリエステル、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂
等の合成樹脂成形基板やフィルムまたは金属等が挙げら
れる。
、記録波長に対し光学的に透明でかつ光学的に記録再生
に影響を及ぼされない材質即ちガラスやポリエステル、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂
等の合成樹脂成形基板やフィルムまたは金属等が挙げら
れる。
また、基板面」二には信号を忠実に追跡し、記録再生す
る為の光学的段差を有する幅約1μm深さ約0.1μm
の案内溝(ガイドトラ・ツク)が一般に形成されるが、
4−2基板材中熱可塑性樹脂では射出成形法、熱硬化樹
脂、ガラス等では、注型成形や2P法を用いて呼称され
る光硬化性樹脂を用いた表面トラック層転写成形等を用
いて形成される。なかでもアクリル、ポリカーボネート
、ポリオレフィン等を用いた射出成形基板が生産性にも
光学特性上も優れることから口広基板として一般に供さ
れる。しかし、これら熱可塑性樹脂は上記色素塗布溶剤
に対し、一部アルコール系を除き溶解又は侵されやすく
、塗布過程で基板表面の平沿性がそこなわ損なわれたり
ソバイドトラック段差が溶解喪失したり、一部色素と基
板樹脂成分が相溶混在し信号再生に必要な色素膜/基板
界面の反射率が減少して、トラッキング不能となったり
、記録再生特性が低下したりする。2P法等注型転写に
よって得られる架橋性表面トラック層は溶剤耐性は射出
成形基板に比較して高いが、」二記の如く生産性に乏し
い欠点がある。
る為の光学的段差を有する幅約1μm深さ約0.1μm
の案内溝(ガイドトラ・ツク)が一般に形成されるが、
4−2基板材中熱可塑性樹脂では射出成形法、熱硬化樹
脂、ガラス等では、注型成形や2P法を用いて呼称され
る光硬化性樹脂を用いた表面トラック層転写成形等を用
いて形成される。なかでもアクリル、ポリカーボネート
、ポリオレフィン等を用いた射出成形基板が生産性にも
光学特性上も優れることから口広基板として一般に供さ
れる。しかし、これら熱可塑性樹脂は上記色素塗布溶剤
に対し、一部アルコール系を除き溶解又は侵されやすく
、塗布過程で基板表面の平沿性がそこなわ損なわれたり
ソバイドトラック段差が溶解喪失したり、一部色素と基
板樹脂成分が相溶混在し信号再生に必要な色素膜/基板
界面の反射率が減少して、トラッキング不能となったり
、記録再生特性が低下したりする。2P法等注型転写に
よって得られる架橋性表面トラック層は溶剤耐性は射出
成形基板に比較して高いが、」二記の如く生産性に乏し
い欠点がある。
従って、これらの不都合を解決する為に基板表面に耐溶
剤性の下地層を設け、この下地層を介して色素溶液を塗
布して記録層を形成する方法かとられている。ここで、
前記下地層は深さ0. 1μmの案内溝を埋めない程度
の超薄膜であることが要求されその厚さが10〜30n
o+(0,01〜0.03μm)で、かつ所定の溶剤に
侵されない耐溶剤性が必要である。ところで、従来、下
地層の材質としては、紫外線を始めとする放射線硬化型
樹脂の塗布硬化膜や5i02等の無機質着膜が提案、使
用されていた。しかし、色素同様溶液塗布による成膜が
可能な放射線硬化型樹脂の多くはラジカル重合を重合機
構とする為、超薄膜の場合、放射線エネルギーのラジカ
ル発生効率が低く、また発生ラジカルが空気中の酸素阻
害を受ける等放射線照射時間を十分にとらないと不完全
硬化を起したり、逆に長時間の照射により基板の放射エ
ネルギー吸収・発熱で熱変形を生じたりする不都合があ
った。また薄石やスパッタによる無機質薄膜の形成はバ
ッチ方式となり、本来有機色素の宵する塗布成膜可能で
生産性に優れる長所を殺す結果となるとともに、溶剤分
子の浸透を完全に抑制する高密度の連続膜が得られにく
いという欠点があった。
剤性の下地層を設け、この下地層を介して色素溶液を塗
布して記録層を形成する方法かとられている。ここで、
前記下地層は深さ0. 1μmの案内溝を埋めない程度
の超薄膜であることが要求されその厚さが10〜30n
o+(0,01〜0.03μm)で、かつ所定の溶剤に
侵されない耐溶剤性が必要である。ところで、従来、下
地層の材質としては、紫外線を始めとする放射線硬化型
樹脂の塗布硬化膜や5i02等の無機質着膜が提案、使
用されていた。しかし、色素同様溶液塗布による成膜が
可能な放射線硬化型樹脂の多くはラジカル重合を重合機
構とする為、超薄膜の場合、放射線エネルギーのラジカ
ル発生効率が低く、また発生ラジカルが空気中の酸素阻
害を受ける等放射線照射時間を十分にとらないと不完全
硬化を起したり、逆に長時間の照射により基板の放射エ
ネルギー吸収・発熱で熱変形を生じたりする不都合があ
った。また薄石やスパッタによる無機質薄膜の形成はバ
ッチ方式となり、本来有機色素の宵する塗布成膜可能で
生産性に優れる長所を殺す結果となるとともに、溶剤分
子の浸透を完全に抑制する高密度の連続膜が得られにく
いという欠点があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、より薄くか
つより耐溶剤性に優れるとともに、生産性の良好な下地
層を有しかつ記録再生特性に優れた光情報記録媒体を提
供することを目的とする。
つより耐溶剤性に優れるとともに、生産性の良好な下地
層を有しかつ記録再生特性に優れた光情報記録媒体を提
供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段と作用]本発明は、有機
色素を主なる組成物とする光記録層を透明基板上に塗布
積層して構成される光情報記録媒体において、前記透明
基板と光記録層との間に、水酸基またはカルボキシル基
を含有するモノマー成分を10〜70モル%含む高分子
組成物とAノ、Ti、Zr、In、Zn、Mg。
色素を主なる組成物とする光記録層を透明基板上に塗布
積層して構成される光情報記録媒体において、前記透明
基板と光記録層との間に、水酸基またはカルボキシル基
を含有するモノマー成分を10〜70モル%含む高分子
組成物とAノ、Ti、Zr、In、Zn、Mg。
Ni、Cuのいずれか金属からなるアルコキシド。
フェノキシドまたはキレート化物の混合物とからなる下
地層を設けることを要旨とする。即ち、本発明は、親水
性を示す水酸基、カルボキシル基を含有することにより
基板不可侵の溶剤である水ないしはアルコール系溶剤に
可溶かつ成膜可能な上記高分子化合物の水酸基またはカ
ルボキシル基に対して脱アルコール縮合または水素結合
の形成により高分子架橋剤として作用する金属アルコキ
シド、フェノキシドまたはキレート化物を混合物として
基板上に塗布成膜し、上記有機色素塗布溶剤に対して極
めて不溶不ロ■侵性の超薄下地層を形成させんとするも
のである。
地層を設けることを要旨とする。即ち、本発明は、親水
性を示す水酸基、カルボキシル基を含有することにより
基板不可侵の溶剤である水ないしはアルコール系溶剤に
可溶かつ成膜可能な上記高分子化合物の水酸基またはカ
ルボキシル基に対して脱アルコール縮合または水素結合
の形成により高分子架橋剤として作用する金属アルコキ
シド、フェノキシドまたはキレート化物を混合物として
基板上に塗布成膜し、上記有機色素塗布溶剤に対して極
めて不溶不ロ■侵性の超薄下地層を形成させんとするも
のである。
本発明において、水酸基またはカルボキシル基を含有す
るモノマー成分としては、ビニルアルコール、アクリル
酸、メタクリル酸、ヒドロキシエチルアクリレートま、
たはメタクリレート、 (ポリ)エチレングリコールア
クリレートまたはメタクリレート等のアクリル酸または
メタクリル酸エステル、フマル酸、マレイン酸等が挙げ
られる。
るモノマー成分としては、ビニルアルコール、アクリル
酸、メタクリル酸、ヒドロキシエチルアクリレートま、
たはメタクリレート、 (ポリ)エチレングリコールア
クリレートまたはメタクリレート等のアクリル酸または
メタクリル酸エステル、フマル酸、マレイン酸等が挙げ
られる。
上記高分子組成物としては、上記モノマーの共m合物及
びニトロセルロース、エチルセルロース。
びニトロセルロース、エチルセルロース。
アセチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等の
セルロース誘導体や、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール等のポリビニルアルコール、アセタール化
物、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニルコポリマー
の部分加水分解等が挙げられる。
セルロース誘導体や、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルホルマール等のポリビニルアルコール、アセタール化
物、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニルコポリマー
の部分加水分解等が挙げられる。
本発明において、高分子組成物中の水酸基またはカルボ
キシル基を有するモノマ一単位は10〜70モル%、好
ましくは20〜50モル%の範囲で含まれる。ここで、
70モル%以上のモノマ一単位を含む場合、これら高分
子組成物は基板を侵さない水系又はアルコール系溶剤等
の容易に溶解、塗布可能で、良好な成膜性を示す。しか
し、これらを下地層として形成したとき、下地層の親水
性が高いため、構成された記録媒体を長期高温度下で保
存したような場合、雰囲気中の水分を吸湿含水しやすく
、積層される有機色素記録膜の密着性を低下させたり、
少なからず水溶性を有する色素膜の溶解・凝集を促して
反射率の低減、記録保存性の劣化等の悪影響を及ぼす。
キシル基を有するモノマ一単位は10〜70モル%、好
ましくは20〜50モル%の範囲で含まれる。ここで、
70モル%以上のモノマ一単位を含む場合、これら高分
子組成物は基板を侵さない水系又はアルコール系溶剤等
の容易に溶解、塗布可能で、良好な成膜性を示す。しか
し、これらを下地層として形成したとき、下地層の親水
性が高いため、構成された記録媒体を長期高温度下で保
存したような場合、雰囲気中の水分を吸湿含水しやすく
、積層される有機色素記録膜の密着性を低下させたり、
少なからず水溶性を有する色素膜の溶解・凝集を促して
反射率の低減、記録保存性の劣化等の悪影響を及ぼす。
又、10モル%以下の場合は、高分子組成物の水又はア
ルコール溶解性が極めて低下し良好な成膜性が得られな
かったり、金属アルコキシド、フェノキシドまたはキレ
ート化物による架橋が十分に形成されず所定の色素塗布
溶剤に対する耐溶剤性を得るに足る架橋密度が得られる
。
ルコール溶解性が極めて低下し良好な成膜性が得られな
かったり、金属アルコキシド、フェノキシドまたはキレ
ート化物による架橋が十分に形成されず所定の色素塗布
溶剤に対する耐溶剤性を得るに足る架橋密度が得られる
。
次に架橋1ift剤としての金属アルコキシド、フェノ
キシド、またはキレート化物について説明する。
キシド、またはキレート化物について説明する。
中心金属としてはAノ、Ti、Si、Zr。
In、Mg、Ni、Cuが挙げられる。これらは、いず
れも従来法により容易にアルコキシド、フェノキシドま
たはキレート化することが出来る。これらの化合物は空
気中の水分や高分子中の活性水素原子を何する基、特に
水酸基やカルボキシル基と反応し、脱アルコール化して
縮合化や架橋形成を行なう。特に金属アルコキシドは激
しい加水分解性を示し、置換アルキル基の炭素数が大き
くなるに従い反応速度は遅くなり、 tert−>s
ec″″〉n−の順に変化する。また、フェノキシドは
一般にアルコキシドより反応速度は遅く、史にアセト酢
酸エチル、アセチルアセトン、マロン酸ジエチル等のジ
ケトン、ケトエステル等によりキレート化合物を形成す
ることでその反応性を制御出来る。
れも従来法により容易にアルコキシド、フェノキシドま
たはキレート化することが出来る。これらの化合物は空
気中の水分や高分子中の活性水素原子を何する基、特に
水酸基やカルボキシル基と反応し、脱アルコール化して
縮合化や架橋形成を行なう。特に金属アルコキシドは激
しい加水分解性を示し、置換アルキル基の炭素数が大き
くなるに従い反応速度は遅くなり、 tert−>s
ec″″〉n−の順に変化する。また、フェノキシドは
一般にアルコキシドより反応速度は遅く、史にアセト酢
酸エチル、アセチルアセトン、マロン酸ジエチル等のジ
ケトン、ケトエステル等によりキレート化合物を形成す
ることでその反応性を制御出来る。
上記高分子化合物の架橋剤としては上述のいずれの金属
のアルコキシド、フェノキシド、キレート化物も適する
が、特に好適なものとしては、(イ)アルコキシドフェ
ノキシド類;Ti。
のアルコキシド、フェノキシド、キレート化物も適する
が、特に好適なものとしては、(イ)アルコキシドフェ
ノキシド類;Ti。
A、j7.S t、Z r、Mgのアルキル基、炭素数
n−3〜6のノルマルまたはイソ(またはtert−)
アルコキシドまたはそのポリマーが挙げられる。
n−3〜6のノルマルまたはイソ(またはtert−)
アルコキシドまたはそのポリマーが挙げられる。
(ロ)キレート化物;ジ−ミープロポキシチタンビス(
アセチルアセトネート)又はSi、Zrの同キレート、
ジ−n−ブトキシチタンビス(エチルアセトアセテート
)又はSi、Zrの同キレート、ジ−ミープロポキシア
ルミニウムエチルアセトアセテート又はInの同キレー
ト、アルミニウムトリス(エチルアセテート)又はIn
の同キレート、アルミニウムトリス(アセチルアセトネ
ート)又はInの同キレート、アルミニウムモノアセチ
ルアセトネートビス(エチルアセトアセテート)又はI
nの同キレート等が挙げられる。
アセチルアセトネート)又はSi、Zrの同キレート、
ジ−n−ブトキシチタンビス(エチルアセトアセテート
)又はSi、Zrの同キレート、ジ−ミープロポキシア
ルミニウムエチルアセトアセテート又はInの同キレー
ト、アルミニウムトリス(エチルアセテート)又はIn
の同キレート、アルミニウムトリス(アセチルアセトネ
ート)又はInの同キレート、アルミニウムモノアセチ
ルアセトネートビス(エチルアセトアセテート)又はI
nの同キレート等が挙げられる。
上記高分子化合物及び金属アルコキシド、フェノキシド
またはキレート化物を塗布すめたるの溶剤としては、水
またはメチルアルコール、エチルアルコール、n(又は
i)プロピルアルコール。
またはキレート化物を塗布すめたるの溶剤としては、水
またはメチルアルコール、エチルアルコール、n(又は
i)プロピルアルコール。
n(又はi)ブチルアルコール等のアルコール系溶剤ま
たは水とその混合溶剤が好ましい。所定の下地層膜厚を
得るために適当な濃度で調節された上記化合物溶液を前
記透明樹脂基体上に塗布、乾燥することにより容易に本
発明の下地層を得ることが出来る。塗布法として最も好
ましいのはスピンナコート法で、均一な薄膜が得られる
。また成膜を完全とするためピンホールの除去や帯電防
止のためにレベリング剤、界面活性剤、帯電防止剤等を
微量混合しても良い。下地層塗膜は常温においても架橋
反応は進行するが、より架橋性を上げ作業性を向上させ
るために加熱処理を施しても良い。また脱アルコール化
反応を促進させるために減圧乾燥も有効である。ただし
加熱を施す場合基板の熱変形等の発生も考慮し、熱変形
温度以下例えばアクリル基板では約60℃、ポリカーボ
ネート基板では80〜90℃を限度とする。
たは水とその混合溶剤が好ましい。所定の下地層膜厚を
得るために適当な濃度で調節された上記化合物溶液を前
記透明樹脂基体上に塗布、乾燥することにより容易に本
発明の下地層を得ることが出来る。塗布法として最も好
ましいのはスピンナコート法で、均一な薄膜が得られる
。また成膜を完全とするためピンホールの除去や帯電防
止のためにレベリング剤、界面活性剤、帯電防止剤等を
微量混合しても良い。下地層塗膜は常温においても架橋
反応は進行するが、より架橋性を上げ作業性を向上させ
るために加熱処理を施しても良い。また脱アルコール化
反応を促進させるために減圧乾燥も有効である。ただし
加熱を施す場合基板の熱変形等の発生も考慮し、熱変形
温度以下例えばアクリル基板では約60℃、ポリカーボ
ネート基板では80〜90℃を限度とする。
上記高分子化合物を架橋するに十分なアルコキシド、フ
ェノキシドまたはキレート化物の量は高分子化合物に対
し5〜50wt%好ましくは10〜30wt%である。
ェノキシドまたはキレート化物の量は高分子化合物に対
し5〜50wt%好ましくは10〜30wt%である。
高分子化合物・架橋剤のいずれもIll独はもちろん複
数も適宜組合せても良い。
数も適宜組合せても良い。
また、下地層塗設に際し、予め基板表面をオゾン処理、
ブラグマ処理、電子線処理その他の物理。
ブラグマ処理、電子線処理その他の物理。
化学的処理することにより基板表面を洗浄かつ水酸基、
カルボキシル基等の活性基導入を図ろうと基板−下地層
間の密着性を向上し、より堅固な皮膜が形成出来る。
カルボキシル基等の活性基導入を図ろうと基板−下地層
間の密着性を向上し、より堅固な皮膜が形成出来る。
以上説明の如く下地層形成した基板上に所定の方法にて
色素を単独またはバインダーや添加剤を加えて塗布乾燥
することにより、品い記録特性を有する光情報記録媒体
が得られる。
色素を単独またはバインダーや添加剤を加えて塗布乾燥
することにより、品い記録特性を有する光情報記録媒体
が得られる。
[実施例]
以上、本発明の実施例について説明する。
(実施例1)
まず、ポリビニルアルコールにブチルアルデヒドを反応
させて得たポリビニルブチラール(漬水化学■製、エス
レックBL−3/残存水酸基3211o1%)とチタン
テトラn−ブトキシドを重量比100/30でエチルア
ルコール/イソプロピルアルコール重量比1/1の混合
溶剤に溶解し、0.3wL%溶液とした。これをスピン
ナーコータにより厚さ1.2mmのアクリル射出成形デ
ィスク基板上に塗布し、60℃で24時間加熱処理して
厚さ20nmの下地層を形成した。さらに下記構造式(
1)に示すシアニン色素 (+43i品名NK−201
4、日本感光色素研究所■のメチルエチルケトン2%溶
液をスピンナーコータで塗布、乾燥し、上記下地層上に
厚さ65r+n+の光記録層を形成して記録媒体を得た
。
させて得たポリビニルブチラール(漬水化学■製、エス
レックBL−3/残存水酸基3211o1%)とチタン
テトラn−ブトキシドを重量比100/30でエチルア
ルコール/イソプロピルアルコール重量比1/1の混合
溶剤に溶解し、0.3wL%溶液とした。これをスピン
ナーコータにより厚さ1.2mmのアクリル射出成形デ
ィスク基板上に塗布し、60℃で24時間加熱処理して
厚さ20nmの下地層を形成した。さらに下記構造式(
1)に示すシアニン色素 (+43i品名NK−201
4、日本感光色素研究所■のメチルエチルケトン2%溶
液をスピンナーコータで塗布、乾燥し、上記下地層上に
厚さ65r+n+の光記録層を形成して記録媒体を得た
。
(実施例2)
エチレン−酢酸ビニル共重合体(エチレン含有率31m
o1%)を加水分解し、ビニルアルコール単位45a+
o1%を含む樹脂組成物を得た。これとジルコンテトラ
イソプロポキシドを重量比100/45でエチルアルコ
ール/イソプロピルアルコール重量比4/1の混合溶剤
に溶解し0.35νt%溶液としたのち、実施例1同様
のディスク基板上に塗布し、同条件で加熱処理して厚さ
20nmの下地層を形成した。これに実施例1同様の光
記録層を塗設して光情報記録媒体を得た。
o1%)を加水分解し、ビニルアルコール単位45a+
o1%を含む樹脂組成物を得た。これとジルコンテトラ
イソプロポキシドを重量比100/45でエチルアルコ
ール/イソプロピルアルコール重量比4/1の混合溶剤
に溶解し0.35νt%溶液としたのち、実施例1同様
のディスク基板上に塗布し、同条件で加熱処理して厚さ
20nmの下地層を形成した。これに実施例1同様の光
記録層を塗設して光情報記録媒体を得た。
(実施例3)
エチルセルロース(lid換度2.5)とジイソプロポ
キンアルミニウムエチルアセトアセテートを市は比10
0/25でエチルアルコール/イソプロピルアルコール
’T’、磁比4/1の混合溶剤に溶解し、0.3vL%
溶岐としたのを実施例1同様の基板」二に塗布し、同条
件で加熱処理して厚さ20n11の下地層を形成した。
キンアルミニウムエチルアセトアセテートを市は比10
0/25でエチルアルコール/イソプロピルアルコール
’T’、磁比4/1の混合溶剤に溶解し、0.3vL%
溶岐としたのを実施例1同様の基板」二に塗布し、同条
件で加熱処理して厚さ20n11の下地層を形成した。
これに実施例1同様の光2録層を塗設して光情報記録媒
体を得た。
体を得た。
(実施例4)
アクリル酸及びエチルメタクリレートをモル比50 :
50で共重合させて分子量約3000の共重合体を得
た。これをアルミニウムトリス(アセチルアセトネ−1
・)と重量比100/15でエチルアルコール/イソプ
ロピルアルコールm Q比4/1の混合溶剤に溶解し0
.3vt%溶液としたのち、ポリカーボネート射出成形
ディスク基板上に塗布し、同条件で加熱処理して厚さ2
OnIlの下地層を形成した。これに色素(1)に対し
アクリル樹脂(平均分子量30000)をバインダー成
分として20wt%添加し、メチルエチルケトンに溶解
させて3wt%とし実施例1と同様に下地層上に厚さ7
0nmの記録層を塗設して、光情報記録媒体を青た。
50で共重合させて分子量約3000の共重合体を得
た。これをアルミニウムトリス(アセチルアセトネ−1
・)と重量比100/15でエチルアルコール/イソプ
ロピルアルコールm Q比4/1の混合溶剤に溶解し0
.3vt%溶液としたのち、ポリカーボネート射出成形
ディスク基板上に塗布し、同条件で加熱処理して厚さ2
OnIlの下地層を形成した。これに色素(1)に対し
アクリル樹脂(平均分子量30000)をバインダー成
分として20wt%添加し、メチルエチルケトンに溶解
させて3wt%とし実施例1と同様に下地層上に厚さ7
0nmの記録層を塗設して、光情報記録媒体を青た。
(比較例1)
実施例1と同じアクリルディスク基板上に直接同様の光
記録層を塗設し、光情報記録媒体を得た。
記録層を塗設し、光情報記録媒体を得た。
(比較例2)
実施例4と同じポリカーボネートディスク基板上に直接
実施例4と同様の光記録層を塗設し、光情報記録媒体を
得た。
実施例4と同様の光記録層を塗設し、光情報記録媒体を
得た。
(比較例3)
まず、ジペンタエリマリトールハキサアクリレート及び
ポリウレタンアクリレートオリゴマー(分子量約100
0)を50:10の配合比で混合し、紫外線重合開始剤
3部を加えてエチルアルコールに溶解し0.3%溶液と
した。この後、スピンコータで実施例1同様のアクリル
基板上に塗布乾燥し、400mJ/cII12の条件で
紫外線照射を行い硬化皮膜を得、厚さ30nmの下地層
を形成した。さらに実施例1同様の光記録層を塗装して
光情報記録媒体を得た。
ポリウレタンアクリレートオリゴマー(分子量約100
0)を50:10の配合比で混合し、紫外線重合開始剤
3部を加えてエチルアルコールに溶解し0.3%溶液と
した。この後、スピンコータで実施例1同様のアクリル
基板上に塗布乾燥し、400mJ/cII12の条件で
紫外線照射を行い硬化皮膜を得、厚さ30nmの下地層
を形成した。さらに実施例1同様の光記録層を塗装して
光情報記録媒体を得た。
以上の様に作成した実施例1〜4.比較例1〜3の光情
報記録媒体について、再生光波長830Iにおける基板
を通して記録層の反射率を分光光度計にて測定し、更に
この媒体面に波長830nmの半導体レーザーの出力光
を直径1.2μmのスポットに集光し、線速度9a+/
see、出カフmWで基板側よりI M Hzの信号を
記録、再生光出力0.5rnWで再生を行ない、記録特
性として再生C/Nを/l−1定した。次にこの媒体を
60℃、90% Hの条件下で1000時間放置したの
ちに同様の反射率及びC/N測定を行なった。
報記録媒体について、再生光波長830Iにおける基板
を通して記録層の反射率を分光光度計にて測定し、更に
この媒体面に波長830nmの半導体レーザーの出力光
を直径1.2μmのスポットに集光し、線速度9a+/
see、出カフmWで基板側よりI M Hzの信号を
記録、再生光出力0.5rnWで再生を行ない、記録特
性として再生C/Nを/l−1定した。次にこの媒体を
60℃、90% Hの条件下で1000時間放置したの
ちに同様の反射率及びC/N測定を行なった。
この結果は、下記表に示す通りである。
男
上記表より、実施例1〜4はいずれも高い反射率と記録
特性を有し、耐久性にも優れていることが明らかである
。
特性を有し、耐久性にも優れていることが明らかである
。
[発明の効果]
以上詳述した如く本発明によれば、下地層を基体上に設
けることにより従来下地層に比較してはるかに薄くかつ
耐溶剤性が向上するとともに、より高い記録再生特性と
耐久性を存する光情報記録媒体を提供できる。
けることにより従来下地層に比較してはるかに薄くかつ
耐溶剤性が向上するとともに、より高い記録再生特性と
耐久性を存する光情報記録媒体を提供できる。
Claims (1)
- 有機色素を主なる組成物とする光記録層を透明基板上に
塗布積層して構成される光情報記録媒体において、前記
透明基板と光記録層との間に、水酸基またはカルボキシ
ル基を含有するモノマー成分を10〜70モル%含む高
分子組成物とAl、Ti、Si、Zr、Ir、Zn、M
g、Ni、Cuのいずれかの金属からなるアルコキシド
、フェノキシドまたはキレート化物の混合物とからなる
下地層を設けることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036929A JPS63204528A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 光情報記録媒体 |
| US07/376,819 US5166035A (en) | 1987-01-05 | 1989-07-07 | Optical information memory medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036929A JPS63204528A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204528A true JPS63204528A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12483448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62036929A Pending JPS63204528A (ja) | 1987-01-05 | 1987-02-20 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287345A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録媒体の製造方法 |
| WO2025205698A1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-10-02 | ホヤ レンズ タイランド リミテッド | プラスチックレンズ及びその製造方法、並びに眼鏡 |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP62036929A patent/JPS63204528A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287345A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 光情報記録媒体の製造方法 |
| WO2025205698A1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-10-02 | ホヤ レンズ タイランド リミテッド | プラスチックレンズ及びその製造方法、並びに眼鏡 |
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