JPS63204807A - 高周波半導体装置 - Google Patents
高周波半導体装置Info
- Publication number
- JPS63204807A JPS63204807A JP62036957A JP3695787A JPS63204807A JP S63204807 A JPS63204807 A JP S63204807A JP 62036957 A JP62036957 A JP 62036957A JP 3695787 A JP3695787 A JP 3695787A JP S63204807 A JPS63204807 A JP S63204807A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- package
- container
- matching circuit
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波半導体装置に関し、特に、Ｘ〜Ｋｕ帯以
上のマイクロ波帯での内部整合回路付半導体素子用容器
の構造に関する。
上のマイクロ波帯での内部整合回路付半導体素子用容器
の構造に関する。
従来、この種の半導体素子用容器に半導体素子を実装し
た装置の一例を第３図（ａ）、（ｂ）の平面図およびそ
のＡ−Ａ’断面図に示す。Ｃｕなどの放熱効果及び導電
性の良い金属等体製の放熱部１上に、導電性金属製の側
壁部２がロー付されている。この放熱部１上で側壁部の
内側には、マイクロ波帯トランジスタ３．．３ｂが並列
に搭載され、これらトランジスタ３＠、３ｂの入力側に
はセラミックなどの誘電体４上にＡｕなとの薄膜で形成
された入力側内部整合回路５が設けられ、出力側には誘
電体６上に薄膜で形成された出力側内部整合回路７が設
けられている。また、側壁部２には、セラミックなどの
誘電体８−．８ｂ上にＡｕなどの薄膜で形成されてリー
ド引出し電極９−．９ｂがあり、側壁部２とリード引出
し電極９、．９ｂとの間は、誘電体１０ａ 、 １０ｂ
テソれぞれ絶縁されている。
た装置の一例を第３図（ａ）、（ｂ）の平面図およびそ
のＡ−Ａ’断面図に示す。Ｃｕなどの放熱効果及び導電
性の良い金属等体製の放熱部１上に、導電性金属製の側
壁部２がロー付されている。この放熱部１上で側壁部の
内側には、マイクロ波帯トランジスタ３．．３ｂが並列
に搭載され、これらトランジスタ３＠、３ｂの入力側に
はセラミックなどの誘電体４上にＡｕなとの薄膜で形成
された入力側内部整合回路５が設けられ、出力側には誘
電体６上に薄膜で形成された出力側内部整合回路７が設
けられている。また、側壁部２には、セラミックなどの
誘電体８−．８ｂ上にＡｕなどの薄膜で形成されてリー
ド引出し電極９−．９ｂがあり、側壁部２とリード引出
し電極９、．９ｂとの間は、誘電体１０ａ 、 １０ｂ
テソれぞれ絶縁されている。
リード引出し電８Ｉ４９ａ、９ｂの側壁部２の外側の部
分には金属導体製のリード電極１１．。
分には金属導体製のリード電極１１．。
１１ｂがロー付され、マイクロ波トランジスタ３、．３
ｂ及び入力側内部整合回路５、及び出力側内部整合回路
７、リード引出し電極９．。
ｂ及び入力側内部整合回路５、及び出力側内部整合回路
７、リード引出し電極９．。
９、はボンディング用ワイヤ１２で電気的に接続されて
いる。
いる。
入力側リード電極１１ａより入力されたマイクロ波電力
は、入力側リード引出し電極９３を通り、インピーダン
ス的に整合された入力側内部整合回路５でマイクロ波ト
ランジスタ３ａ、３ｂに分配して供給される。マイクロ
波トランジスタ３−．３ｂで増巾された出力電力は、イ
ンピーダンス的に整合された出力側内部整合回路６で合
成され、出力側リード引出し電極９ｂを通り、出力１則
リード電極１１ｂへ出力される。
は、入力側リード引出し電極９３を通り、インピーダン
ス的に整合された入力側内部整合回路５でマイクロ波ト
ランジスタ３ａ、３ｂに分配して供給される。マイクロ
波トランジスタ３−．３ｂで増巾された出力電力は、イ
ンピーダンス的に整合された出力側内部整合回路６で合
成され、出力側リード引出し電極９ｂを通り、出力１則
リード電極１１ｂへ出力される。
上述した従来の半導体素子用容器は、その使用可能な周
波数の上限が容器に導電性のふたをロー付けした際の容
器内部の共振周波数によって制限され、これ以上の周波
数では容器内部に電力損失が大きくなり使用できない。
波数の上限が容器に導電性のふたをロー付けした際の容
器内部の共振周波数によって制限され、これ以上の周波
数では容器内部に電力損失が大きくなり使用できない。
この共振周波数ｆは容器内部の縦、横の長さ及び高さを
それぞれａ、ｂ、ｃとし、光速をＣ８とすると次式で表
わされる。
それぞれａ、ｂ、ｃとし、光速をＣ８とすると次式で表
わされる。
マイクロ波帯用トランジスタ、特にＸ−Ｋｕ帯以上で使
用される高出力トランジスタにおいては、年々高出力化
高周波数が進んでおり、それに伴ない大電力を得るため
にベレット幅が増大し、また２個あるいは４個以上のト
ランジスタの並列動作を、１台の半導体素子用容器内で
行なう必要がでてきた。
用される高出力トランジスタにおいては、年々高出力化
高周波数が進んでおり、それに伴ない大電力を得るため
にベレット幅が増大し、また２個あるいは４個以上のト
ランジスタの並列動作を、１台の半導体素子用容器内で
行なう必要がでてきた。
しかし、従来の半導体素子用容器では、容器の共振周波
数に制限され、高周波化、高出力化が困難になってきて
いる。
数に制限され、高周波化、高出力化が困難になってきて
いる。
本発明の目的は、このような問題を解決し、内部の隔壁
によって高周波の通る空胴部分をつくり、高周波化、高
出力化を図った高周波半導体装置を提供することにあ・
る。
によって高周波の通る空胴部分をつくり、高周波化、高
出力化を図った高周波半導体装置を提供することにあ・
る。
本発明の構成は、各入出力端にそれぞれ内部整合回路を
配置した複数の高周波半導体素子を並列接続してなる高
周波増幅部を１つの容器に収納した高周波半導体装置に
おいて、前記各半導体素子が前記容器内に設けられた隔
壁によって互に分離された室内にそれぞれ配置され、こ
れら半導体素子と接続されるリード引出し電極が前記各
室内に側壁と絶縁体により分離されてそれぞれ設けられ
、これらリード引出し電極が前記各室内外側で接続され
ることにより、入出力電力が分配・合成されることを特
徴とする。
配置した複数の高周波半導体素子を並列接続してなる高
周波増幅部を１つの容器に収納した高周波半導体装置に
おいて、前記各半導体素子が前記容器内に設けられた隔
壁によって互に分離された室内にそれぞれ配置され、こ
れら半導体素子と接続されるリード引出し電極が前記各
室内に側壁と絶縁体により分離されてそれぞれ設けられ
、これらリード引出し電極が前記各室内外側で接続され
ることにより、入出力電力が分配・合成されることを特
徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施例の平
面図、そのＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ”断面図である
。この実施例は、放熱部１上に側壁部２がロー付けされ
、この側壁部２と一体化された導電性の隔壁１３が、こ
の側壁内部を２分するように放熱部１にロー付けされて
いる。また、側壁部２と隔壁１３によって仕切られた２
つの空胴の放熱板１上にはそれぞれマイクロ波トランジ
スタ３−．３ｂが並列に搭載され、これらトランジスタ
３．．３ｂの入力側には誘電体４．。
面図、そのＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ”断面図である
。この実施例は、放熱部１上に側壁部２がロー付けされ
、この側壁部２と一体化された導電性の隔壁１３が、こ
の側壁内部を２分するように放熱部１にロー付けされて
いる。また、側壁部２と隔壁１３によって仕切られた２
つの空胴の放熱板１上にはそれぞれマイクロ波トランジ
スタ３−．３ｂが並列に搭載され、これらトランジスタ
３．．３ｂの入力側には誘電体４．。
４ｂ上に入力側内部整合回路５−．５ｂがそれぞれ設け
られ、また出力側には、誘電体６．．６ｂ上に出力側内
部整合回路７−．７ｂが設けられている。また、側壁部
２の誘電体ｓ、、８ｂ上にリード引出し電極９．．９ｂ
が形成され、側壁部２とリード引出し電極９ａ、９ｂと
の間は、誘電体１０、及び１０ｂでそれぞれ絶縁されて
いる。
られ、また出力側には、誘電体６．．６ｂ上に出力側内
部整合回路７−．７ｂが設けられている。また、側壁部
２の誘電体ｓ、、８ｂ上にリード引出し電極９．．９ｂ
が形成され、側壁部２とリード引出し電極９ａ、９ｂと
の間は、誘電体１０、及び１０ｂでそれぞれ絶縁されて
いる。
リード引出し電極９−．９ｂの側壁部２の外側の部分に
は、金属導体製のリード電極１１．。
は、金属導体製のリード電極１１．。
１１ｂのロー付けされている。また、マイクロ波トラン
ジスタ３−．３ｂ及び入力側内部整合回路５−．５ｂ及
び出力側内部整合回路７．．７ｂ、リード引出し電極９
−．９ｂはボンディング用ワイヤ１２で電気的に接続さ
れている。 入力側リード電極１１．、から入力された
マイクロ波電極は、入力側リード引出し電極９６で２つ
に分配され、インピーダンス的に整合された入力側内部
整合回路５．．５ｂからマイクロ波帯用トランジスタ３
−．３ｂに供給される。これらトランジスタ３ａ、３ｂ
で増幅された出力電力はインピーダンス的に整合された
出力側内部整合回路６．．６ｂで合成され出力側リード
引出し電極９ｂで合成され、出力側リード電極１１ｂへ
出力される。
ジスタ３−．３ｂ及び入力側内部整合回路５−．５ｂ及
び出力側内部整合回路７．．７ｂ、リード引出し電極９
−．９ｂはボンディング用ワイヤ１２で電気的に接続さ
れている。 入力側リード電極１１．、から入力された
マイクロ波電極は、入力側リード引出し電極９６で２つ
に分配され、インピーダンス的に整合された入力側内部
整合回路５．．５ｂからマイクロ波帯用トランジスタ３
−．３ｂに供給される。これらトランジスタ３ａ、３ｂ
で増幅された出力電力はインピーダンス的に整合された
出力側内部整合回路６．．６ｂで合成され出力側リード
引出し電極９ｂで合成され、出力側リード電極１１ｂへ
出力される。
したがって、封着後マイクロ波帯用トランジスタ３−．
３ｂは隔壁１３で電磁気的に隔てられた２つの空胴内に
それぞれ存在することになり、トランジスタの使用可能
な周波数はこの空胴の大きさに依存し、従来例に比べ空
胴の幅を狭くすることができただけ、使用可能な周波数
を上げることができる。
３ｂは隔壁１３で電磁気的に隔てられた２つの空胴内に
それぞれ存在することになり、トランジスタの使用可能
な周波数はこの空胴の大きさに依存し、従来例に比べ空
胴の幅を狭くすることができただけ、使用可能な周波数
を上げることができる。
第２図（ａ＞、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第２の実施例
の縦断面図、そのＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図
である。本実施例の構成は、第１図の実施例とほぼ同じ
であってトランジスタ３ｏ、３ｄがあることのみ異なっ
ている。
の縦断面図、そのＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図
である。本実施例の構成は、第１図の実施例とほぼ同じ
であってトランジスタ３ｏ、３ｄがあることのみ異なっ
ている。
この実施例では、入力電力が入力側リード引出し電極９
ａで２つに分配され、さらに入力側整合回路５．．５ｂ
から４つのトランジスタ３．。
ａで２つに分配され、さらに入力側整合回路５．．５ｂ
から４つのトランジスタ３．。
３ｂ 、３−．３ａに分配され、出力側整合回路７ａ、
７ｂ及び出力側リード引出し電極を経て１つに合成され
る。
７ｂ及び出力側リード引出し電極を経て１つに合成され
る。
この実施例では、内部に隔壁１３を設けているために、
第３図（ａ）、（ｂ）が示した従来の容器は容器の共振
周波数によって容器の幅を大きくできないが、本実施例
では、隔壁を設けているので、従来例の容器の二倍の幅
にトランジスタを搭載できることになり、一つの容器で
２倍の出力をとりだすことができる。
第３図（ａ）、（ｂ）が示した従来の容器は容器の共振
周波数によって容器の幅を大きくできないが、本実施例
では、隔壁を設けているので、従来例の容器の二倍の幅
にトランジスタを搭載できることになり、一つの容器で
２倍の出力をとりだすことができる。
以上説明したように、本発明は、容器内に隔壁を設けて
、この容器を封入した際に複数の電磁気的に遮断された
小室となるような構造にすることにより、容器の使用可
能な周波数を上げたり、収出す出力を大きくすることが
できる。
、この容器を封入した際に複数の電磁気的に遮断された
小室となるような構造にすることにより、容器の使用可
能な周波数を上げたり、収出す出力を大きくすることが
できる。
なお、本実施例では、隔壁が１つの場合について説明し
たが、容器内に複数の隔壁を設けることにより、より高
い周波数まで使用可能にし、また、より大きな出力をと
り出すことが可能となる。
たが、容器内に複数の隔壁を設けることにより、より高
い周波数まで使用可能にし、また、より大きな出力をと
り出すことが可能となる。
第１図（ａ＞、（ｂ）、（ｃ）は本発明の一実施例の平
面図、そのＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ゛断面図、第２
図＜ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第２の実施例の平
面図、そのＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図、第３
図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体素子用容器の一例の平
面図およびそのＡ−Ａ’断面図である。 １・・・放熱板、２・・・側壁部、３．．３ｂ 、３Ｃ
。 ３ｄ・・・マイクロ波帯用トランジスタ、４，４．。 ４ｂ・・・入力側誘電体、５．５−．５ｂ・・・入力側
内部整合回路、６．６．．６ｂ・・・出力側誘電体、７
．７−．７ｂ・・・出力側内部整合回路、８ａ。 ８ｂ、８゜、８ａ・・・リード引出し電極部の誘電体、
９．．９ｂ・・・リード引出し電極、１０．。 １０ｂ・・・側壁との絶縁用誘電体、１１ａ、ｌｌｂ・
・・リード電極、１２・・・ボンディング用ワイヤ、１
３・・・隔壁。
面図、そのＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ゛断面図、第２
図＜ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第２の実施例の平
面図、そのＡ−Ａ’断面図およびＢ−Ｂ’断面図、第３
図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体素子用容器の一例の平
面図およびそのＡ−Ａ’断面図である。 １・・・放熱板、２・・・側壁部、３．．３ｂ 、３Ｃ
。 ３ｄ・・・マイクロ波帯用トランジスタ、４，４．。 ４ｂ・・・入力側誘電体、５．５−．５ｂ・・・入力側
内部整合回路、６．６．．６ｂ・・・出力側誘電体、７
．７−．７ｂ・・・出力側内部整合回路、８ａ。 ８ｂ、８゜、８ａ・・・リード引出し電極部の誘電体、
９．．９ｂ・・・リード引出し電極、１０．。 １０ｂ・・・側壁との絶縁用誘電体、１１ａ、ｌｌｂ・
・・リード電極、１２・・・ボンディング用ワイヤ、１
３・・・隔壁。
Claims (1)
- 各入出力端にそれぞれ内部整合回路を配置した複数の
高周波半導体素子を並列接続してなる高周波増幅部を１
つの容器に収納した高周波半導体装置において、前記各
半導体素子が前記容器内に設けられた隔壁によって互に
分離された室内にそれぞれ配置され、これら半導体素子
と接続されるリード引出し電極が前記各室内に側壁と絶
縁体により分離されてそれぞれ設けられ、これらリード
引出し電極が前記各室内外側で接続されることにより、
入出力電力が分配・合成されることを特徴とする高周波
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036957A JPS63204807A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 高周波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036957A JPS63204807A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 高周波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204807A true JPS63204807A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12484226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62036957A Pending JPS63204807A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 高周波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204807A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01314408A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Fujitsu Ltd | マイクロ波増幅器 |
| JPH03258005A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体装置 |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP62036957A patent/JPS63204807A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01314408A (ja) * | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Fujitsu Ltd | マイクロ波増幅器 |
| JPH03258005A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体装置 |
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