JPS63205888A - イオン注入バブル転送路 - Google Patents
イオン注入バブル転送路Info
- Publication number
- JPS63205888A JPS63205888A JP62037812A JP3781287A JPS63205888A JP S63205888 A JPS63205888 A JP S63205888A JP 62037812 A JP62037812 A JP 62037812A JP 3781287 A JP3781287 A JP 3781287A JP S63205888 A JPS63205888 A JP S63205888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer path
- ion implantation
- pattern
- bubble transfer
- pattern width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
イオン注入バブル転送路であって、０．９０〜０．９４
μｍバブルに用いられるスネイク型バブル転送路のパタ
ーン幅を１．１μｍ±０．０８μｍとしたことによす安
定した動作マージンを得ることを可能とする。
μｍバブルに用いられるスネイク型バブル転送路のパタ
ーン幅を１．１μｍ±０．０８μｍとしたことによす安
定した動作マージンを得ることを可能とする。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリのイオン注入バブル転送路に関するものであ
る。
ブルメモリのイオン注入バブル転送路に関するものであ
る。
磁気バブルメモリ装置は不揮発性、高記憶密度、低消費
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有し
ている。このような磁気バブルメモリ装置においては情
報量の増加、装置の小型化要求などにより記憶密度の増
加を行なうため、バブル転送路をイオン注入法により形
成する方法が用いられている。
電力等種々の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから非常に高い信頼性を有し
ている。このような磁気バブルメモリ装置においては情
報量の増加、装置の小型化要求などにより記憶密度の増
加を行なうため、バブル転送路をイオン注入法により形
成する方法が用いられている。
イオン注入法によるバブル転送路は、第４図ａの平面図
及び第４図すの断面図に示すように、ガドリニウム・ガ
リウム・ガーネット（ＧＧＧ）Ｍ板１の上に液相エピタ
キシャル成長させた磁性ガーネットのバブル用結晶２に
対し、バブル転送用パターン３以外の領域４に水素、ネ
オン、ヘリウム等のイオンを注入して形成される。この
ようにパターン３を形成した素子はイオンが注入された
領域４の磁化容易軸方向が矢印Ａの如く面内方向と−敗
し、パターン３の非イオン注入領域の磁化容易軸方向は
矢印Ｂの如く面内方向と垂直であるので、バブル５は回
転磁界によってパターン３０周縁に沿って転送される。
及び第４図すの断面図に示すように、ガドリニウム・ガ
リウム・ガーネット（ＧＧＧ）Ｍ板１の上に液相エピタ
キシャル成長させた磁性ガーネットのバブル用結晶２に
対し、バブル転送用パターン３以外の領域４に水素、ネ
オン、ヘリウム等のイオンを注入して形成される。この
ようにパターン３を形成した素子はイオンが注入された
領域４の磁化容易軸方向が矢印Ａの如く面内方向と−敗
し、パターン３の非イオン注入領域の磁化容易軸方向は
矢印Ｂの如く面内方向と垂直であるので、バブル５は回
転磁界によってパターン３０周縁に沿って転送される。
そしてこのパターンは従来のパーマロイパターンの如く
ギャップを必要としないのでその作製工程のホトリソグ
ラフィ工程において寸法精度が緩くとも良く従ってパタ
ーンが小さくでき高密度化が実現できる。そして記憶密
度が８〜１６Ｍビット程度になるとバブル径は０．９μ
ｍ〜０．９４μｍとなり、イオン注入部のセルサイズは
３ Ｘ ３．５μｍ２となると予想される。そしてイオ
ン注入転送路のパターン形状は第５図に示すようにコン
テイギエアス型（ａｌとスネイク型パターン（ｂ）とが
考えられる。本発明は後者のスネイク型パターンに関す
るものである。
ギャップを必要としないのでその作製工程のホトリソグ
ラフィ工程において寸法精度が緩くとも良く従ってパタ
ーンが小さくでき高密度化が実現できる。そして記憶密
度が８〜１６Ｍビット程度になるとバブル径は０．９μ
ｍ〜０．９４μｍとなり、イオン注入部のセルサイズは
３ Ｘ ３．５μｍ２となると予想される。そしてイオ
ン注入転送路のパターン形状は第５図に示すようにコン
テイギエアス型（ａｌとスネイク型パターン（ｂ）とが
考えられる。本発明は後者のスネイク型パターンに関す
るものである。
上記スネイク型パターンでは、パターン形状により動作
マージンが十分でないという問題がある。
マージンが十分でないという問題がある。
本発明はこのような点にかんがみて創作されたもので、
０．９〜０．９４μｍバブルの動作マージンが良好とな
るイオン注入バブル転送路を提供することを目的として
いる。
０．９〜０．９４μｍバブルの動作マージンが良好とな
るイオン注入バブル転送路を提供することを目的として
いる。
このため本発明においては、第１図に例示するように、
０．９０〜０．９４μｍバブルに用いられるスネイク型
イオン注入バブル転送路において、上記バブル転送路１
０．１１のパターン幅Ｗを１．１μｍ±０．０８μｍと
したことを特徴としている。
０．９０〜０．９４μｍバブルに用いられるスネイク型
イオン注入バブル転送路において、上記バブル転送路１
０．１１のパターン幅Ｗを１．１μｍ±０．０８μｍと
したことを特徴としている。
バブル転送路のパターン幅を１．１μｍ±０．０８μｍ
とすることにより第２図に示すように転送路動作マージ
ンの最小駆動磁界と最大駆動磁界との間隔を大きくとる
ことができ、安定した動作マージンを得ることが可能と
なる。
とすることにより第２図に示すように転送路動作マージ
ンの最小駆動磁界と最大駆動磁界との間隔を大きくとる
ことができ、安定した動作マージンを得ることが可能と
なる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。
本実施例は、直径が０．９０〜０．９４μｍのバブルを
用いるイオン注入転送路の第１図ａに示す曲率を持った
スネイクパターン１０又は第１図すに示す曲率のないス
ネイクパターン１１において、そのパターン幅Ｗを１．
１μｍ”−０，０８μｍとしたものである。このように
構成した理由を次に説明する。
用いるイオン注入転送路の第１図ａに示す曲率を持った
スネイクパターン１０又は第１図すに示す曲率のないス
ネイクパターン１１において、そのパターン幅Ｗを１．
１μｍ”−０，０８μｍとしたものである。このように
構成した理由を次に説明する。
第２図にスネイク型イオン注入転送路における転送路動
作マージンの最小駆動磁界ＨＤ＋＋＋ｉｎと最大駆動磁
界Ｈ１）ｆｆｉ＊ｘに対する転送路パターン幅Ｗ依存性
を示す。
作マージンの最小駆動磁界ＨＤ＋＋＋ｉｎと最大駆動磁
界Ｈ１）ｆｆｉ＊ｘに対する転送路パターン幅Ｗ依存性
を示す。
同図において、パターン幅Ｗが１．０２μｍより小さい
場合、ＨＩ、、％１ｎは小さくなるがＨｏｍａｘも小さ
くなるので好ましくない。Ｈｏｍｍｘが小さくなる理由
は以下のように考えられる。パターン幅が小さくなるに
従い注入境界層に生ずるストレスが弱まり、これに起因
した注入層内の磁化の異方性が小さくなる為に転送路近
傍の磁化がヘッドオンしにくくなる。すなわちチャージ
ドウオールが弱まる。特に高駆動で顕著になる。次にパ
ターン幅が１．１８μｍより大きい場合はＨ９，％１７
が大きくなる。この理由は境界層のストレスが強まり転
送路のカスブでのトラソプカが強くなりバブルが転送し
にくくなるからである。
場合、ＨＩ、、％１ｎは小さくなるがＨｏｍａｘも小さ
くなるので好ましくない。Ｈｏｍｍｘが小さくなる理由
は以下のように考えられる。パターン幅が小さくなるに
従い注入境界層に生ずるストレスが弱まり、これに起因
した注入層内の磁化の異方性が小さくなる為に転送路近
傍の磁化がヘッドオンしにくくなる。すなわちチャージ
ドウオールが弱まる。特に高駆動で顕著になる。次にパ
ターン幅が１．１８μｍより大きい場合はＨ９，％１７
が大きくなる。この理由は境界層のストレスが強まり転
送路のカスブでのトラソプカが強くなりバブルが転送し
にくくなるからである。
以上から０．９０〜０．９４μｍバブルのスネイク型イ
オン注入転送路のパターン幅は１．０２＜ Ｗ ＜ １
．１８μｍであることが良好な動作マージンを得る為に
必要である。
オン注入転送路のパターン幅は１．０２＜ Ｗ ＜ １
．１８μｍであることが良好な動作マージンを得る為に
必要である。
以上述べてきたように、本発明によれば、０．９０〜０
．９４μｍバブルのスネイク型イオン注入転送路のパタ
ーン幅を１．１±０．０８μｍとすることにより第３図
に示すように最小駆動磁界Ｈ０，□ｎく５００ｅ。
．９４μｍバブルのスネイク型イオン注入転送路のパタ
ーン幅を１．１±０．０８μｍとすることにより第３図
に示すように最小駆動磁界Ｈ０，□ｎく５００ｅ。
最大駆動磁界ＨＤ＋＋＋ｍ＊ ＞ １０００ ｅ 、
ΔＨ！１〜４００１３（ＨＤ ＝７００ｅにおいて）の
安定した動作マージンを得ることができ、実用的には極
めて有用である。
ΔＨ！１〜４００１３（ＨＤ ＝７００ｅにおいて）の
安定した動作マージンを得ることができ、実用的には極
めて有用である。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は転送路動作マージンの最小駆動磁界Ｈ０１１１
４１１及び最大駆動磁界Ｈｏｔａａｘのパターン幅依存
性を示す図、 第３図は本発明を用いたスネイク型イオン注入転送路の
動作マージンを示す図、 第４図は従来のイオン注入転送路を説明するための図、 第５図は従来のイオン注入転送路のパターン形状を示す
図である。 第１図において、 １０は曲率を持ったスネイクパターン、１１は曲率のな
いスネイクパターン、 Ｗはパターン幅である。
４１１及び最大駆動磁界Ｈｏｔａａｘのパターン幅依存
性を示す図、 第３図は本発明を用いたスネイク型イオン注入転送路の
動作マージンを示す図、 第４図は従来のイオン注入転送路を説明するための図、 第５図は従来のイオン注入転送路のパターン形状を示す
図である。 第１図において、 １０は曲率を持ったスネイクパターン、１１は曲率のな
いスネイクパターン、 Ｗはパターン幅である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、０．９０〜０．９４μｍバブルに用いられるスネイ
ク型イオン注入バブル転送路において、 上記バブル転送路（１０、１１）のパターン幅（Ｗ）を
１．１μｍ±０．０８μｍとしたことを特徴としたイオ
ン注入バブル転送路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62037812A JPS63205888A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | イオン注入バブル転送路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62037812A JPS63205888A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | イオン注入バブル転送路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63205888A true JPS63205888A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12507927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62037812A Pending JPS63205888A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | イオン注入バブル転送路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63205888A (ja) |
-
1987
- 1987-02-23 JP JP62037812A patent/JPS63205888A/ja active Pending
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