JPS63207131A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS63207131A JPS63207131A JP3908187A JP3908187A JPS63207131A JP S63207131 A JPS63207131 A JP S63207131A JP 3908187 A JP3908187 A JP 3908187A JP 3908187 A JP3908187 A JP 3908187A JP S63207131 A JPS63207131 A JP S63207131A
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- JP
- Japan
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- magnetic field
- plasma
- substrate
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- generating
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、プラズマ処理装置に関するものである。
（ロ）従来の技術
従来のプラズマ処理装置としては、例えば特開昭６０−
１０９２３１号公報に示されるものがある。このプラズ
マ処理装置は、真空室内でプラズマ流を基板上に照射し
て、基板を処理するためのものである。プラズマ流を基
板上に均一に照射するだめに、基板の中心をプラズマ密
度分布の中心から偏心させると共に基板を回転させるよ
うにしである。これにより基板の被処理面のプラズマ密
度を平均化することができ、基板の各位置における処理
速度を均一化することができる。また、特ｍ昭６０−１
０９２３２号公報にはプラズマ流の通過方向に基板の処
理面を往復動させるようにしたものが示されている。こ
れも基板にプラズマを均一に照射するためである。
１０９２３１号公報に示されるものがある。このプラズ
マ処理装置は、真空室内でプラズマ流を基板上に照射し
て、基板を処理するためのものである。プラズマ流を基
板上に均一に照射するだめに、基板の中心をプラズマ密
度分布の中心から偏心させると共に基板を回転させるよ
うにしである。これにより基板の被処理面のプラズマ密
度を平均化することができ、基板の各位置における処理
速度を均一化することができる。また、特ｍ昭６０−１
０９２３２号公報にはプラズマ流の通過方向に基板の処
理面を往復動させるようにしたものが示されている。こ
れも基板にプラズマを均一に照射するためである。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような従来のプラズマ処理装置の
場合、真空室中で基板を回転運動又は上下運動させる必
要があるため、電動機や油圧シリンダによって作動する
部材を真空室中に導入する必要がある。このため、しゆ
う動部分から発生する摩耗粉によるノリ染、シール部か
らの漏れによる真空度の低下などの問題が発生する。ま
た、基板を設置用台に固定して動かないようにする必要
がある。本発明は、上記のような問題点を解決すること
を目的としている。
場合、真空室中で基板を回転運動又は上下運動させる必
要があるため、電動機や油圧シリンダによって作動する
部材を真空室中に導入する必要がある。このため、しゆ
う動部分から発生する摩耗粉によるノリ染、シール部か
らの漏れによる真空度の低下などの問題が発生する。ま
た、基板を設置用台に固定して動かないようにする必要
がある。本発明は、上記のような問題点を解決すること
を目的としている。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は、コイルによって基板などの被処理材に変動す
る磁場を発生させることにより上記問題点を解決する。
る磁場を発生させることにより上記問題点を解決する。
すなわち、本発明によるプラズマ処理装置は、設置用台
上に置かれた被処理材の被処理面に変動する磁場を発生
させる１又は複数のコイルが設置用台の周辺に設けられ
ている。
上に置かれた被処理材の被処理面に変動する磁場を発生
させる１又は複数のコイルが設置用台の周辺に設けられ
ている。
（ホ）作用
コイルによって被処理面に変動する磁場が発生する。プ
ラズマ流は、磁場によって影響されるので、磁場に応じ
て変動し、被処理面に照射されるプラズマ量は平均化さ
れ均一となる。これにより被処理面の処理精度を均一化
することができる。
ラズマ流は、磁場によって影響されるので、磁場に応じ
て変動し、被処理面に照射されるプラズマ量は平均化さ
れ均一となる。これにより被処理面の処理精度を均一化
することができる。
プラズマ照射中波処理材を運動させる必要かないので、
摩耗粉による汚染、シール部からの漏れなどを防止する
ことができ、また被処理材を設置用台へ固定する必要が
なくなる。
摩耗粉による汚染、シール部からの漏れなどを防止する
ことができ、また被処理材を設置用台へ固定する必要が
なくなる。
（へ）実施例
第１図に本発明の実施例を示す。真空室１０の内部は排
気装置δ１２によって真空状態とすることが可能としで
ある。真空室１０の上部にはこれと連通ずるプラズマ発
生室１４が設けられている。
気装置δ１２によって真空状態とすることが可能としで
ある。真空室１０の上部にはこれと連通ずるプラズマ発
生室１４が設けられている。
真空室１０及びプラズマ発生室１４にはそれぞれガス導
入管１１及び１５が設けられている。プラズマ発生室１
４の周囲には２つのプラズマ発生用コイル１６が設けら
れている。プラズマ発生室１４の上部はマイクロ波導入
窓１８を介して導波管２０が連結されており、この導波
管２０はマイクロ波発生装置２２と接続されている。真
空室１０内には設置用台２４が固定されており、これの
上に被処理材である基板２６が設置される。
入管１１及び１５が設けられている。プラズマ発生室１
４の周囲には２つのプラズマ発生用コイル１６が設けら
れている。プラズマ発生室１４の上部はマイクロ波導入
窓１８を介して導波管２０が連結されており、この導波
管２０はマイクロ波発生装置２２と接続されている。真
空室１０内には設置用台２４が固定されており、これの
上に被処理材である基板２６が設置される。
設置用台２４の上方周囲及び下方周囲にそれぞれ変動磁
場発生用コイル２８及び３０が設置されている。
場発生用コイル２８及び３０が設置されている。
次にこの実施例の作用について説明する。被処理面を上
面とした基板２６が設置用台２４上に設置される。次い
で、排気装置１２を作動させ、真空室１０及びプラズマ
発生室１４の内部を所定圧力まで排気し真空状態とする
。次いで、マイクロ波発生装置２２によフてマイクロ波
が発生させられ、このマイクロ波は導波管２０を通って
プラズマ発生室１４内に導入される。プラズマ発生室１
４内にはプラズマ発生用コイル１６によって磁場が発生
している。プラズマ発生室１４に導入されたマイクロ波
は、磁場によって発生した電子のサイクロトロン運動と
共鳴を起こし、プラズマを発生する。発生したプラズマ
はプラズマ発生用コイル１６の発散磁場によりプラズマ
流となって基板２６の方向へ流れる。プラズマ流の密度
は、プラズマ発生用コイル１６による磁場以外の磁場が
作用しなければ、プラズマ発生用コイル１６の軸心に直
交する面内で同心円状に密度が分布することになる。し
かし、変動磁場発生用コイル２８及び３０によって基板
２６の周辺では変動磁場が発生している。すなわち、変
動磁場発生用コイル２８及び３０にはそれぞれ周波数を
互いに相違させた交流電流か供給されている。これによ
り変動磁場発生用コイル２８及び３０によって発生する
磁場は基板２６の周辺で変動する。このため、プラズマ
流は変動磁場の影響を受け、プラズマ密度の分布状態が
変動する。これにより基板２６の被処理面に照射される
プラズマの量は各場所について平均化され、全面に均一
に分布する。従って、基板２６の処理速度が平均化され
、均一な処理精度を得ることができる。なお、マイクロ
波の周波数を２．４５ＧＨ２としたときプラズマ発生用
コイル１６による磁場は８７５ガウスとなり、基板２６
付近では１００〜２００ガウスとなるので、変動磁場発
生用コイル２８及び３０による変動磁場も１００＝２０
０ガウス程度とする。このようにプラズマ発生用コイル
１６の発散磁場の基板２６付近での強さと、変動磁場発
生用コイル２８及び３０による変動磁場の強さとを同程
度とするのは、プラズマ流に対して変動磁場の彫りを効
果的に与えるためである。変動磁場発生用コイル２８及
び３０による変動磁場か弱すぎる場合にはプラズマ流に
与える影響が小さく、プラズマ流が均一にならず、また
逆に変動磁場が強すぎるとＥ’Ｗが大きくなりすぎ、プ
ラズマが不安定となるからである。
面とした基板２６が設置用台２４上に設置される。次い
で、排気装置１２を作動させ、真空室１０及びプラズマ
発生室１４の内部を所定圧力まで排気し真空状態とする
。次いで、マイクロ波発生装置２２によフてマイクロ波
が発生させられ、このマイクロ波は導波管２０を通って
プラズマ発生室１４内に導入される。プラズマ発生室１
４内にはプラズマ発生用コイル１６によって磁場が発生
している。プラズマ発生室１４に導入されたマイクロ波
は、磁場によって発生した電子のサイクロトロン運動と
共鳴を起こし、プラズマを発生する。発生したプラズマ
はプラズマ発生用コイル１６の発散磁場によりプラズマ
流となって基板２６の方向へ流れる。プラズマ流の密度
は、プラズマ発生用コイル１６による磁場以外の磁場が
作用しなければ、プラズマ発生用コイル１６の軸心に直
交する面内で同心円状に密度が分布することになる。し
かし、変動磁場発生用コイル２８及び３０によって基板
２６の周辺では変動磁場が発生している。すなわち、変
動磁場発生用コイル２８及び３０にはそれぞれ周波数を
互いに相違させた交流電流か供給されている。これによ
り変動磁場発生用コイル２８及び３０によって発生する
磁場は基板２６の周辺で変動する。このため、プラズマ
流は変動磁場の影響を受け、プラズマ密度の分布状態が
変動する。これにより基板２６の被処理面に照射される
プラズマの量は各場所について平均化され、全面に均一
に分布する。従って、基板２６の処理速度が平均化され
、均一な処理精度を得ることができる。なお、マイクロ
波の周波数を２．４５ＧＨ２としたときプラズマ発生用
コイル１６による磁場は８７５ガウスとなり、基板２６
付近では１００〜２００ガウスとなるので、変動磁場発
生用コイル２８及び３０による変動磁場も１００＝２０
０ガウス程度とする。このようにプラズマ発生用コイル
１６の発散磁場の基板２６付近での強さと、変動磁場発
生用コイル２８及び３０による変動磁場の強さとを同程
度とするのは、プラズマ流に対して変動磁場の彫りを効
果的に与えるためである。変動磁場発生用コイル２８及
び３０による変動磁場か弱すぎる場合にはプラズマ流に
与える影響が小さく、プラズマ流が均一にならず、また
逆に変動磁場が強すぎるとＥ’Ｗが大きくなりすぎ、プ
ラズマが不安定となるからである。
（ト）発明の詳細
な説明してきたように、本発明によると、プラズマ流に
対して変動磁場を与えるようにしたので、プラズマ流を
被処理面上に均一に照射することができる。しかも、こ
のように均一にプラズマ流を照射するために被処理材を
運動させる必要がないため、摩耗粉の発生、真空度の低
下などの問題が発生することが防止され、また被処理材
を設置用台に固定する機構も不要となる。
対して変動磁場を与えるようにしたので、プラズマ流を
被処理面上に均一に照射することができる。しかも、こ
のように均一にプラズマ流を照射するために被処理材を
運動させる必要がないため、摩耗粉の発生、真空度の低
下などの問題が発生することが防止され、また被処理材
を設置用台に固定する機構も不要となる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。
１０・・・真空室、１２・・・排気装置、１４・・・プ
ラズマ発生室、１６・・・プラズマ発生用コイル、２２
・・・マイクロ波発生装置、２４・・・設置用台、２６
・・・基板（被処理材）、２８・・・変動磁場発生用コ
イル、３０・・・変動磁場発生用コイル。
ラズマ発生室、１６・・・プラズマ発生用コイル、２２
・・・マイクロ波発生装置、２４・・・設置用台、２６
・・・基板（被処理材）、２８・・・変動磁場発生用コ
イル、３０・・・変動磁場発生用コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空室内でプラズマ流を用いて被処理材を処理するため
のプラズマ処理装置において、 設置用台上に置かれた被処理材の被処理面に変動する磁
場を発生させる１又は複数のコイルが設置用台の周辺に
設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3908187A JPS63207131A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3908187A JPS63207131A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63207131A true JPS63207131A (ja) | 1988-08-26 |
Family
ID=12543148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3908187A Pending JPS63207131A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63207131A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111023A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Fujitsu Ltd | 成膜方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
| US5032202A (en) * | 1989-10-03 | 1991-07-16 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Plasma generating apparatus for large area plasma processing |
| JPH06196447A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR20000057263A (ko) * | 1997-05-14 | 2000-09-15 | 조셉 제이. 스위니 | 기판상에 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하기 위한 방법 및 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109232A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法 |
| JPS60154620A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
| JPS61267324A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式薄膜加工装置 |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP3908187A patent/JPS63207131A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60109232A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法 |
| JPS60154620A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
| JPS61267324A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式薄膜加工装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111023A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Fujitsu Ltd | 成膜方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
| US5032202A (en) * | 1989-10-03 | 1991-07-16 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Plasma generating apparatus for large area plasma processing |
| JPH06196447A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR20000057263A (ko) * | 1997-05-14 | 2000-09-15 | 조셉 제이. 스위니 | 기판상에 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하기 위한 방법 및 장치 |
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