JPH01238020A - プラズマ処理装置、及びその処理システム - Google Patents
プラズマ処理装置、及びその処理システムInfo
- Publication number
- JPH01238020A JPH01238020A JP6332488A JP6332488A JPH01238020A JP H01238020 A JPH01238020 A JP H01238020A JP 6332488 A JP6332488 A JP 6332488A JP 6332488 A JP6332488 A JP 6332488A JP H01238020 A JPH01238020 A JP H01238020A
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- Japan
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- sample
- magnetic field
- plasma
- chamber
- discharge
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマ処理装置、及びその処理システムに係
り、特に、マイクロ波放電により生成したプラズマを利
用し、試料表面に薄膜生成、又はエツチング、スパッタ
リング、プラズマ酸化等を行うに好適なプラズマ処理装
置、及びその処理システムに関する。
り、特に、マイクロ波放電により生成したプラズマを利
用し、試料表面に薄膜生成、又はエツチング、スパッタ
リング、プラズマ酸化等を行うに好適なプラズマ処理装
置、及びその処理システムに関する。
従来の磁場中のマイクロ波放電によるプラズマを利用し
たプラズマ処理装置は、放電空間の一部である放電室か
ら試料台を備えた試料室方向に減少する磁場配位となっ
ているため、放電室にて生成されたプラズマは、磁力線
に沿って試料台の方向へ動く。一方、試料の種類により
、試料を直接プラズマ（イオン、電子）にさらさず、純
ラジカル処理を行なう要求より、試料台と放電室の間に
メツシュ状のグリッド電極を設け、これに正電位を加え
ることにより、プラズマ、特にイオンが試料台へ突入す
るのを避けて純ラジカル処理を行なうことが試みられて
いた（例えば特開昭５８−１２５８２０号公報参照）。
たプラズマ処理装置は、放電空間の一部である放電室か
ら試料台を備えた試料室方向に減少する磁場配位となっ
ているため、放電室にて生成されたプラズマは、磁力線
に沿って試料台の方向へ動く。一方、試料の種類により
、試料を直接プラズマ（イオン、電子）にさらさず、純
ラジカル処理を行なう要求より、試料台と放電室の間に
メツシュ状のグリッド電極を設け、これに正電位を加え
ることにより、プラズマ、特にイオンが試料台へ突入す
るのを避けて純ラジカル処理を行なうことが試みられて
いた（例えば特開昭５８−１２５８２０号公報参照）。
しかし、この方法によると、イオンによりメツシュ状グ
リッド電極がスパッタされ、グリッド材料が試料表面に
混入するという問題があった。
リッド電極がスパッタされ、グリッド材料が試料表面に
混入するという問題があった。
又、他の方法として、−放電室と試料室を分け、細い配
管で接続することにより、プラズマ消滅後のラジカルを
用いることが試みられたが（例えば特開昭５８−４０８
３３号公報参照）、ラジカル自体の寿命が短いため、試
料へ到達するラジカル密度が低下し、処理速度が小さい
という問題があった。
管で接続することにより、プラズマ消滅後のラジカルを
用いることが試みられたが（例えば特開昭５８−４０８
３３号公報参照）、ラジカル自体の寿命が短いため、試
料へ到達するラジカル密度が低下し、処理速度が小さい
という問題があった。
上記従来技術は、プラズマ、特にイオンと電気的には中
性なラジカルとの分離法について配慮されておらず、効
率的な純ラジカル処理、及び不純物原子の混入防止を可
能とする高品質ラジカル処理を同時にできないという問
題があった。
性なラジカルとの分離法について配慮されておらず、効
率的な純ラジカル処理、及び不純物原子の混入防止を可
能とする高品質ラジカル処理を同時にできないという問
題があった。
本発明の目的は、処理速度を低下させることなく、高品
質なラジカル処理を行なうことができるプラズマ処理装
置、及びその処理システムを提供することにある。
質なラジカル処理を行なうことができるプラズマ処理装
置、及びその処理システムを提供することにある。
上記目的は、放電室内、又は放電室と試料台の間に、前
記放電室にて生成したプラズマの境界を作り得る磁場配
位を有し、かつ、前記プラズマ境界と前記試料台の間に
前記グリッド電極を配置したプラズマ処理装置、放電室
と試料室の中間、又は試料室側に、前記放電室にて生成
したプラズマの境界を作る磁場を発生する補助磁場発生
手段を備えているプラズマ処理装置、放電室と試料室の
中間、又は試料室側に、前記放電室にて生成したプラズ
マの境界を作る磁場を発生する場合には磁場発生手段と
逆方向の電流が流れ、前記プラズマの境界を作らない場
合には前記磁場発生手段と同方向の電流が流れる補助磁
場発生手段を設けたプラズマ処理装置、放電室と試料室
の中間、又は試料室側に、試料方向へ向う磁力線を試料
前面にて直角に曲げる手段を備えているプラズマ処理装
置、マイクロ波と放電ガスが導入され、放電空間の一部
を形成する放電室に磁場を印加してプラズマを生成し、
このプラズマが試料室内の試料に直接照射されて処理さ
れる工程と、前記試料前面に磁場によってプラズマの境
界を作り、前記試料がプラズマにさらされない状態で処
理される工程とを組合せたことを特徴とするプラズマ処
理システム、とすることにより達成される。
記放電室にて生成したプラズマの境界を作り得る磁場配
位を有し、かつ、前記プラズマ境界と前記試料台の間に
前記グリッド電極を配置したプラズマ処理装置、放電室
と試料室の中間、又は試料室側に、前記放電室にて生成
したプラズマの境界を作る磁場を発生する補助磁場発生
手段を備えているプラズマ処理装置、放電室と試料室の
中間、又は試料室側に、前記放電室にて生成したプラズ
マの境界を作る磁場を発生する場合には磁場発生手段と
逆方向の電流が流れ、前記プラズマの境界を作らない場
合には前記磁場発生手段と同方向の電流が流れる補助磁
場発生手段を設けたプラズマ処理装置、放電室と試料室
の中間、又は試料室側に、試料方向へ向う磁力線を試料
前面にて直角に曲げる手段を備えているプラズマ処理装
置、マイクロ波と放電ガスが導入され、放電空間の一部
を形成する放電室に磁場を印加してプラズマを生成し、
このプラズマが試料室内の試料に直接照射されて処理さ
れる工程と、前記試料前面に磁場によってプラズマの境
界を作り、前記試料がプラズマにさらされない状態で処
理される工程とを組合せたことを特徴とするプラズマ処
理システム、とすることにより達成される。
一般に、磁場中のプラズマの運動は、電子、及びイオン
が磁力線を中心にサイクロトロン運動を行なうため、磁
力線の方向への拡散に比べ、磁力線を横ぎる拡散は、数
パーセント以下となる。特に、電子は、その質量が小さ
いため、磁力線の大きさと方向にその運動を支配される
。その結果、イオンも、電子とのクーロン力により振動
を繰り返しながら、その大部分□が磁力線方向に両極性
拡散を起こし拡散する。本発明は、上記プラズマの性質
を利用し、放電室から試料、及び試料台方向へ向う磁力
線を試料台前面にて直角に曲げることにより、放電室か
ら試料台方向へ向うプラズマの境界を試料台前面につく
り、試料へ突入するイオン、電子を大幅に低下させると
ともに、さらに拡散してくるイオンに対する電気的障壁
として前記プラズマ境界と試料台の間の空間に、正電位
を持つメツシュ状グリッド電極を設け、プラズマ中で生
成された電気的に中性なラジカルのみ試料へ到達する様
にしたもので、グリッド電極がスパッタされる量は非常
に小さくなる。
が磁力線を中心にサイクロトロン運動を行なうため、磁
力線の方向への拡散に比べ、磁力線を横ぎる拡散は、数
パーセント以下となる。特に、電子は、その質量が小さ
いため、磁力線の大きさと方向にその運動を支配される
。その結果、イオンも、電子とのクーロン力により振動
を繰り返しながら、その大部分□が磁力線方向に両極性
拡散を起こし拡散する。本発明は、上記プラズマの性質
を利用し、放電室から試料、及び試料台方向へ向う磁力
線を試料台前面にて直角に曲げることにより、放電室か
ら試料台方向へ向うプラズマの境界を試料台前面につく
り、試料へ突入するイオン、電子を大幅に低下させると
ともに、さらに拡散してくるイオンに対する電気的障壁
として前記プラズマ境界と試料台の間の空間に、正電位
を持つメツシュ状グリッド電極を設け、プラズマ中で生
成された電気的に中性なラジカルのみ試料へ到達する様
にしたもので、グリッド電極がスパッタされる量は非常
に小さくなる。
以下、本発明の実施例を第１図及び第２図により説明す
る６ ゛ 第１図は、有磁場マイクロ波放電により試料表面処
理（エツチング）を行うプラズマ処理装置に本発明を適
用した例である。該図に示す如く磁場コイル１を外側に
備えた放電管（室）２に導波管３を通してマイクロ波４
が導入され、前記放電管２内に導入されたエツチング用
ガス５を、前記放電室磁場コイル１にて発生する磁場と
、前記マイクロ波４による電子サイクロトロン共鳴によ
り励起、または電離しプラズマ１２を生成する。一方、
前記放電管２と連結され試料６を保持する試料台７を備
える試料室８の外側には補助磁場コイル９があり、この
コイルによる磁場の方向は、前記磁場コイル１による磁
場の方向と反対方向とし、カスプ磁場配位を形成してい
るにれにより、前記放電管２内に生成されるプラズマ１
２の試料室８側の境界１１が発生し、プラズマは、試料
室８側へ出てこなくなる。さらに、前記プラズマ境界１
１を横ぎって試料室８側へ拡散するイオンを遮蔽するた
めに、前記プラズマ境界１１と試料台７の間に、直流電
源１４により正電位を与えたメツシュ状グリッド電極１
０が設けられている。これにより、試料６へ到達できる
イオンは大幅に低減することができ、前記放電管２内で
励起されたラジカルのみが、試料６へ到達し、純ラジカ
ル処理が可能となる。
る６ ゛ 第１図は、有磁場マイクロ波放電により試料表面処
理（エツチング）を行うプラズマ処理装置に本発明を適
用した例である。該図に示す如く磁場コイル１を外側に
備えた放電管（室）２に導波管３を通してマイクロ波４
が導入され、前記放電管２内に導入されたエツチング用
ガス５を、前記放電室磁場コイル１にて発生する磁場と
、前記マイクロ波４による電子サイクロトロン共鳴によ
り励起、または電離しプラズマ１２を生成する。一方、
前記放電管２と連結され試料６を保持する試料台７を備
える試料室８の外側には補助磁場コイル９があり、この
コイルによる磁場の方向は、前記磁場コイル１による磁
場の方向と反対方向とし、カスプ磁場配位を形成してい
るにれにより、前記放電管２内に生成されるプラズマ１
２の試料室８側の境界１１が発生し、プラズマは、試料
室８側へ出てこなくなる。さらに、前記プラズマ境界１
１を横ぎって試料室８側へ拡散するイオンを遮蔽するた
めに、前記プラズマ境界１１と試料台７の間に、直流電
源１４により正電位を与えたメツシュ状グリッド電極１
０が設けられている。これにより、試料６へ到達できる
イオンは大幅に低減することができ、前記放電管２内で
励起されたラジカルのみが、試料６へ到達し、純ラジカ
ル処理が可能となる。
第２図は、本発明の実施例による第１図の磁場形状、及
び、原理についての説明図であり、前記磁場コイル１に
よる磁場方向（磁力線１５）と、前記補助磁場コイル９
による磁場方向（磁力線１６）を反対方向としたカスプ
磁場配位を示しており、導入されたマイクロ波４により
生成されるプラズマ１２は、前記磁場コイルによる磁場
方向が反転する手前部分にプラズマ境界１１をつくる。
び、原理についての説明図であり、前記磁場コイル１に
よる磁場方向（磁力線１５）と、前記補助磁場コイル９
による磁場方向（磁力線１６）を反対方向としたカスプ
磁場配位を示しており、導入されたマイクロ波４により
生成されるプラズマ１２は、前記磁場コイルによる磁場
方向が反転する手前部分にプラズマ境界１１をつくる。
一方、試料６を保持する試料台７とこのプラズマ境界１
１の間に設けられたメツシュ状グリッド電極１０ａ、１
０ｂは、正電位を与えられ、プラズマ１２（特に中心部
）から拡散してくる少量のイオンを遮蔽することになる
。これにより、試料６へ到達し得るプラズマ１２中の粒
子は電気的に中性な高密度ラジカル又は中性原子２分子
のみとなる。また、前記グリッド電極１０ａ、１０ｂは
、プラズマ１２中にさらされていないので、スパッタさ
れることもなく、試料６中への不純物の混入も防止でき
る。
１の間に設けられたメツシュ状グリッド電極１０ａ、１
０ｂは、正電位を与えられ、プラズマ１２（特に中心部
）から拡散してくる少量のイオンを遮蔽することになる
。これにより、試料６へ到達し得るプラズマ１２中の粒
子は電気的に中性な高密度ラジカル又は中性原子２分子
のみとなる。また、前記グリッド電極１０ａ、１０ｂは
、プラズマ１２中にさらされていないので、スパッタさ
れることもなく、試料６中への不純物の混入も防止でき
る。
以上、本実施例によれば、高密度ラジカルを試料に照射
するとともにイオン及び不純物粒子の混入を防止できる
ため、高速、高品質なラジカル処理（エツチング）が可
能となるという効果がある。
するとともにイオン及び不純物粒子の混入を防止できる
ため、高速、高品質なラジカル処理（エツチング）が可
能となるという効果がある。
第３図は本発明の他の実施例を示したもので、前記プラ
ズマ境界を作るために、磁場コイルｌａ。
ズマ境界を作るために、磁場コイルｌａ。
１ｂの２個のコイルによる磁場方向を同一とし、ミラー
磁場配位を形成した場合の有磁場マイクロ波放電プラズ
マ処理（エツチング）装置であり、試料６を保持する試
料台７、及び正電位を与えたメツシュ状グリッド電極１
０は、プラズマ境界に相当する最外周の磁界線１５ａよ
りも外側に複数個配置されている。これにより、本実例
においては、前記本発明の実施例の効果の他に、複数個
同時処理が可能となる効果がある。
磁場配位を形成した場合の有磁場マイクロ波放電プラズ
マ処理（エツチング）装置であり、試料６を保持する試
料台７、及び正電位を与えたメツシュ状グリッド電極１
０は、プラズマ境界に相当する最外周の磁界線１５ａよ
りも外側に複数個配置されている。これにより、本実例
においては、前記本発明の実施例の効果の他に、複数個
同時処理が可能となる効果がある。
第４図は、本発明の更に他の実施例を示したもので、前
記プラズマ境界を作り、純ラジカル処理を行う処理工程
と、プラズマ境界を作らずにプラズマを試料に直接照射
しプラズマ処理を行う工程を組み合わせた処理方法を示
す。第４図（ａ）は、磁場コイル１と補助磁場コイル９
の磁力線１５ｂ方向を同一とした場合であり、放電管２
内に生成されたプラズマ１２は、磁力線に沿って試料室
８に拡散し、試料６に照射され、試料６はプラズマ１２
中のイオン、電子を積極的に利用したプラズマ処理が行
なわれる。このとき、グリッド電極１０は、プラズマに
よるスパッタ等を避けるためにプラズマに接触しない位
置へ移動しており、同時に電源スィッチ１９も開として
いる。第４図（ｂ）は、前記第４図（、）に引き続きラ
ジカル処理を行う場合を示したもので、前記第４図（ａ
）の状態に対し、補助磁場コイル９の電流方向を反転す
ることにより簡単にカスプ磁場配位が得られ、プラズマ
境界１１を生成するとともに、試料６中へのイオンの流
入防止を確実にするためにグリシ ４ド電極１０に電源
１４につながる電源スィッチ１９を閉とすることにより
正電位を与える構造としている。又、この時、第４図（
ａ）に対し、グリッド電極１０は、外部操作あるいは、
補助磁場コイル９の反転と同時に試料６前面に移動する
ものとしている。
記プラズマ境界を作り、純ラジカル処理を行う処理工程
と、プラズマ境界を作らずにプラズマを試料に直接照射
しプラズマ処理を行う工程を組み合わせた処理方法を示
す。第４図（ａ）は、磁場コイル１と補助磁場コイル９
の磁力線１５ｂ方向を同一とした場合であり、放電管２
内に生成されたプラズマ１２は、磁力線に沿って試料室
８に拡散し、試料６に照射され、試料６はプラズマ１２
中のイオン、電子を積極的に利用したプラズマ処理が行
なわれる。このとき、グリッド電極１０は、プラズマに
よるスパッタ等を避けるためにプラズマに接触しない位
置へ移動しており、同時に電源スィッチ１９も開として
いる。第４図（ｂ）は、前記第４図（、）に引き続きラ
ジカル処理を行う場合を示したもので、前記第４図（ａ
）の状態に対し、補助磁場コイル９の電流方向を反転す
ることにより簡単にカスプ磁場配位が得られ、プラズマ
境界１１を生成するとともに、試料６中へのイオンの流
入防止を確実にするためにグリシ ４ド電極１０に電源
１４につながる電源スィッチ１９を閉とすることにより
正電位を与える構造としている。又、この時、第４図（
ａ）に対し、グリッド電極１０は、外部操作あるいは、
補助磁場コイル９の反転と同時に試料６前面に移動する
ものとしている。
以上、本実施例によれば、試料を試料台から移動させる
ことなしにプラズマ処理からラジカル処理まで自由な組
み合せで行うことができ、特に２種以上の異なる材質で
構成される試料を処理する場合、時間的にプラズマ処理
とラジカル処理を選択した処理が可能になるという効果
がある。
ことなしにプラズマ処理からラジカル処理まで自由な組
み合せで行うことができ、特に２種以上の異なる材質で
構成される試料を処理する場合、時間的にプラズマ処理
とラジカル処理を選択した処理が可能になるという効果
がある。
以上説明した本発明によれば、プラズマ境界を生成し、
かつ試料とプラズマ境界の間に、メツシュ状グリッド電
極を配置することにより、高密度ラジカルを、イオンを
遮蔽しながら試料面に照射することが可能になり、高効
率、高品質ラジカル処理ができるという効果がある。
かつ試料とプラズマ境界の間に、メツシュ状グリッド電
極を配置することにより、高密度ラジカルを、イオンを
遮蔽しながら試料面に照射することが可能になり、高効
率、高品質ラジカル処理ができるという効果がある。
第１図は本発明のプラズマ処理装置の一実施例を示した
有磁場マイクロ波放電プラズマ処理（エツチング）装置
の断面図、第２図は第１図における本発明の原理を示す
カスプ磁場配位形状とプラズマ境界を示す図、第３図は
本発明の他の実施例を示し、磁場配位をミラー磁場配位
とした有磁場マイクロ波放電プラズマ処理装置を示す断
面図、第４図（ａ）は本発明のプラズマ処理システムに
おけるプラズマを試料に直接照射しプラズマ処理を行う
工程を示す図、第４図（ｂ）は純ラジカル処理を行う処
理工程を示す図である。 １、ｌａ、ｌｂ・・・磁場コイル、２，２ａ・・・放電
管（室）、３・・・導波管、４・・・マイクロ波、５・
・・エツチング用ガス、６・・・試料、７・・・試料台
、８・・・試料室、９・・・補助磁場コイル、１０，１
０ａ、１０ｂ・・・メツシュ状グリッド電極、１１・・
・プラズマ境界、１２・・・プラズマ、１３・・・真空
排気、１４・・・直流電源、１５ 、１５ ａ 、 １
６−・−磁力線、１７ａ、１７ｂ・・冷却水、１８・・
・放電用配管、１９・・・電源スィッチ。
有磁場マイクロ波放電プラズマ処理（エツチング）装置
の断面図、第２図は第１図における本発明の原理を示す
カスプ磁場配位形状とプラズマ境界を示す図、第３図は
本発明の他の実施例を示し、磁場配位をミラー磁場配位
とした有磁場マイクロ波放電プラズマ処理装置を示す断
面図、第４図（ａ）は本発明のプラズマ処理システムに
おけるプラズマを試料に直接照射しプラズマ処理を行う
工程を示す図、第４図（ｂ）は純ラジカル処理を行う処
理工程を示す図である。 １、ｌａ、ｌｂ・・・磁場コイル、２，２ａ・・・放電
管（室）、３・・・導波管、４・・・マイクロ波、５・
・・エツチング用ガス、６・・・試料、７・・・試料台
、８・・・試料室、９・・・補助磁場コイル、１０，１
０ａ、１０ｂ・・・メツシュ状グリッド電極、１１・・
・プラズマ境界、１２・・・プラズマ、１３・・・真空
排気、１４・・・直流電源、１５ 、１５ ａ 、 １
６−・−磁力線、１７ａ、１７ｂ・・冷却水、１８・・
・放電用配管、１９・・・電源スィッチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マイクロ波と放電ガスが導入され、放電空間の一部
を形成する放電室と、該放電室に磁場を発生する磁場発
生手段と、前記放電室に連結され処理されるべき試料を
保持する試料台を有する試料室と、前記放電室から前記
試料台方向へ向うイオンエネルギーを制御するグリッド
電極とを備えたプラズマ処理装置において、前記放電室
内、又は前記放電室と前記試料台の間に、前記放電室に
て生成したプラズマの境界を作り得る磁場配位を有し、
かつ、前記プラズマ境界と前記試料台の間に前記グリッ
ド電極を配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。 ２、マイクロ波と放電ガスが導入され、放電空間の一部
を形成する放電室と、該放電室に磁場を発生する磁場発
生手段と、前記放電室に連結され処理されるべき試料を
保持する試料台を有する試料室とを備えたプラズマ処理
装置において、前記放電室と試料室の中間、又は試料室
側に、前記放電室にて生成したプラズマの境界を作る磁
場を発生する補助磁場発生手段を備えていることを特徴
とするプラズマ処理装置。 ３、マイクロ波と放電ガスが導入され、放電空間の一部
を形成する放電室と、該放電室に磁場を発生する磁場発
生手段と、前記放電室に連結され処理されるべき試料を
保持する試料台を有する試料室とを備えたプラズマ処理
装置において、前記放電室と試料室の中間、又は試料室
側に、前記放電室にて生成したプラズマの境界を作る磁
場を発生する場合には前記磁場発生手段と逆方向の電流
が流れ、前記プラズマの境界を作らない場合には前記磁
場発生手段と同方向の電流が流れる補助磁場発生手段を
設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 ４、マイクロ波と放電ガスが導入され、放電空間の一部
を形成する放電室と、該放電室に磁場を発生する磁場発
生手段と、前記放電室に連結され処理されるべき試料を
保持する試料台を有する試料室と、前記放電室から前記
試料台方向へ向うイオンエネルギーを制御するグリッド
電極とを備えたプラズマ処理装置において、前記グリッ
ド電極は、前記放電室にて生成したプラズマの境界を作
る場合には前記試料前面に位置し、プラズマの境界を作
らない場合には前記試料前面に位置しないように移動可
能に設置されていることを特徴とするプラズマ処理装置
。 ５、マイクロ波と放電ガスが導入され、放電空間の一部
を形成する放電室と、該放電室に磁場を発生する磁場発
生手段と、前記放電室に連結され処理されるべき試料を
保持する試料台を有する試料室とを備えたプラズマ処理
装置において、前記放電室と試料室の中間、又は試料室
側に、前記試料方向へ向う磁力線を試料前面にて直角に
曲げる手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理
装置。 ６、マイクロ波と放電ガスが導入され、放電空間の一部
を形成する放電室に磁場を印加してプラズマを生成し、
このプラズマが試料室内の試料に直接照射されて処理さ
れる工程と、前記試料前面に磁場によつてプラズマの境
界を作り、前記試料がプラズマにさらされない状態で処
理される工程とを組合せたことを特徴とするプラズマ処
理システム。 ７、前記処理工程は、前記放電室にプラズマを生成する
ために印加される磁場、及び前記試料前面にプラズマ境
界を作るための磁場は、それぞれ発生する磁場の大きさ
、方向、形状を処理時間内で制御して行なわれることを
特徴とする特許請求の範囲第６項記載のプラズマ処理シ
ステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6332488A JPH01238020A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | プラズマ処理装置、及びその処理システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6332488A JPH01238020A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | プラズマ処理装置、及びその処理システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238020A true JPH01238020A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13225968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6332488A Pending JPH01238020A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | プラズマ処理装置、及びその処理システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01238020A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0483339A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびその磁界形成方法 |
| JPH05160073A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
| EP0513634A3 (ja) * | 1991-05-14 | 1994-08-31 | Yuzo Mori | |
| WO2000036631A1 (en) * | 1998-12-11 | 2000-06-22 | Surface Technology Systems Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2015145486A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| WO2016186143A1 (ja) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体製造方法 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6332488A patent/JPH01238020A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0483339A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびその磁界形成方法 |
| EP0513634A3 (ja) * | 1991-05-14 | 1994-08-31 | Yuzo Mori | |
| JPH05160073A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
| WO2000036631A1 (en) * | 1998-12-11 | 2000-06-22 | Surface Technology Systems Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2015145486A1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP5909807B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2016-04-27 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| WO2016186143A1 (ja) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体製造方法 |
| JPWO2016186143A1 (ja) * | 2015-05-20 | 2018-03-29 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および半導体製造方法 |
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