JPS63208546A - 純ジメチルエーテルの製法 - Google Patents

純ジメチルエーテルの製法

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JPS63208546A
JPS63208546A JP62289645A JP28964587A JPS63208546A JP S63208546 A JPS63208546 A JP S63208546A JP 62289645 A JP62289645 A JP 62289645A JP 28964587 A JP28964587 A JP 28964587A JP S63208546 A JPS63208546 A JP S63208546A
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dimethyl ether
column
plate
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methanol
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JP62289645A
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ホルスト・ドルンハーゲン
ハルトムート・ハムメル
エウアルト・マイゼンブルク
ベルント・ハース
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Original Assignee
Union Rheinische Braunkohlen Kraftstoff AG
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C41/00Preparation of ethers; Preparation of compounds having groups, groups or groups
    • C07C41/01Preparation of ethers
    • C07C41/09Preparation of ethers by dehydration of compounds containing hydroxy groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C41/00Preparation of ethers; Preparation of compounds having groups, groups or groups
    • C07C41/01Preparation of ethers
    • C07C41/34Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
    • C07C41/40Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by change of physical state, e.g. by crystallisation
    • C07C41/42Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by change of physical state, e.g. by crystallisation by distillation

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、メタノールを珠に少量のStO□を含有する
r″″″ム1□0″触媒上で接触脱水し、脱水生成物を
純ジメチルエーテルを取得するための蒸留塔にこの塔の
一定のプレートに於て供給することにより稍良しそして
純ジメチルエーテル及び不純9Jを同一の塔の一定のプ
レートの上方で導出することにより純ジメチルエーテル
を製造する方法に関する。
メタノール−低圧−合成一法を開発するまでジメチルエ
ーテルにメタノール−高圧−合成の副生成物として合成
反応−出発生a:mの全重量に対し約2〜5重量%の量
で及び純メタノールの取得の際蒸留により別の不純@を
含有する初留から分離されて−た。
顕著な量のジメチルエーテルが得られない低圧−メタノ
ール合成−法の導入後メタノールの接触脱水によるジメ
チルエーテルを製造するための台底法に開発され次。
徨々な方法に特許文献中に記載されている。
例えばドイツ特許2680328号明細書により塩化亜
鉛の存在下でアルコールを加熱することにより脂肪族エ
ーテルを製造することができる。
アルコールからエーテルを製造するための別の適当な触
tI&は英国特許第332756号、オ!l5ooto
号、第405402号明細書、米国特許第187353
7 号明細書及びフランス特許オフ01355号明細書
により塩化鉄、硫酸鋼、塩化錫、塩化マンガン、塩化ア
ルi二ワム反び硫酸アルず二ワム、硫酸クロム、イ99
パン、トQ Qム化合物、酸化アルミニ9ム、酸化チタ
ン、酸化バリ9ム、シリカゲル又は燐酸アルiニクムで
あるm r IndaSICrLal  and  I
CagLnssrLagOh@1nL13tr7 J第
41巻、212号、第2928頁、1949年中rc 
5to−含有率4.40〜13、99重量%を有するボ
ーキサイトの変相が記載されている。
米国特許第3036134  号明細書中には、メタノ
ールからジメチルエーテルを#造する友めのA 120
s a 81021部対1.35乃至cL311so比
率を有する珪酸アルハ=ワムー触媒が開示されて−る。
合成ガス(co + H2) trhら直接ジメチルエ
ーテルを合成することも記載されている(ドイツ特許第
2362944号、第2757788号、第32205
47号明細嘗〕。
工業的に最重要な触媒としてドイツ特許第2B1883
1 号明細書、ドイツ特許出11A ’tk開第320
1155号会報、欧州特許出願公開オ0099676 
号及び70124078号訟報によOl号公報化アルi
二9ムー及び珪酸アルはニワムー触媒がドーピングして
及びドーピングせずに混ぜられている。
ドイツ特許第2818831  号明細嘗中でジメチル
エーテルを製造する九めの触媒□これに框士分に大きな
r!IJ横を有する夫々任麓の酸化アルζ二9ムー基剤
(この中には付加的に51i2O。
1〜50重量%を有する希土類が存在する〕を含有する
ことができる□が開示されている。
最後に欧州特許出願徐開70099676 号公報中に
框StO□ 1〜20重量%好ましくal−10重量%
殊に6重量%を含有する触媒が記載されている。
この場合得られる粗ジメチルエーテルに、反応水、不反
応メタノール少量の不R物例えばギ酸メチル、炭化水素
、アイン及び硫化物、カルボン酸、エステル、アずド、
アセタール等ヲ含有する。
この合成−装置に於て粗ジメチルエーテルに連続して接
続した2個の蒸留塔中で凌処理され、その際加圧下動か
されるオー塔中でジメチルエーテルが得られそしてオニ
塔中で不反応メタノールが回収される。
例えば欧州特許出願公開70124078  号公報中
には、加圧下にあるオー塔中でジメチルエーテルはサイ
ド導出装置に於て導出され、−万では低圧下で動かされ
るオニ塔中で塔頂部を介シテシメチルエーテルとメタノ
ールとの間で−とりする不純物が除去される方法が記載
されている。同様にメタノールにZ塔からサイド導出装
置に於て除去される。
触媒としてσ^1203、StO□、珪酸アルミニ9ム
及び珠にr−酸化アルミニウムが使用される。
この方法に於て技術水準に比較して−層純粋なジメチル
エーテルを得ることができるけれども、オー塔のみなら
ず高いプレート数を有する2、蒸留塔も備え付けねばな
らないので高い投資コスト及び特に高い作業コストが生
じそして更にジメチルエーテルとメタノールとの間で沸
とうする不純物が完全にはλ塔に達せずに1.塔中での
富化後ジメチルエーテルと共に導出されるので無臭がな
いと云う著しい経済的な欠点を有する。
エアゾールスプレー用噴射剤としてのジメチルエーテル
にますます重要になっているから、一定の便用に関して
この生成物の非膚に高い純度が要求されている1例えば
特に美容上の人間−家庭−使用に関して刺激性物質がジ
メチルエーテル中に含まれていてげならない、更にこの
場合ジメチルエーテルに臭気物質を含んでいなけれはな
らぬか又に著しく含んでいなければならぬ。
それ故、上記の使用に適する、高純度のジメチルエーテ
ルを技術水1sに比較して経済的な方法を創作しセして
他方ではジメチルエーテルを定量的に高純度の杉で得る
課題があった。
この課題の解決を驚くべきことに本発明による方法によ
り、140〜500Cの温度及び1乃至50バールの圧
力に於けるメタノールの接触脱水層び脱水生成物(合成
反応器からの出発生成9J)の蒸留後処理により純ジメ
チルエーテルを連続的に製造する方法に於て、脱水生成
物を純ジメチルエーテルを取得するための塔に25、プ
レート(塔頂から)の下方で1又は多数(塔頂から)C
上方で1又に多数のプレートに於て導出すること、ジメ
チルエーテルより高くそしてメタノールより低く沸とう
する不純物を含有する留出物を1又は多数のプレート−
該7’レ−)にジメチルエーテルを含有する装入混合物
の(最上部の〕係給部より少くとも5段上のプレート及
び1&プレート(塔頂から〕より少くとも1段上のプレ
ートにある−に於て導出しそして脱水虫取′aを塔底部
より少くとも1段上のプレートに供給し、その際ジメチ
ルエーテル1〜5重量Xを含有する装入生成物の場合還
流比1:1乃至1:25で行われ、ジメチルエーテル2
0〜80重量Xを含有する装人生放物の場合還流比1:
0.4乃至1:5珠に1:1乃至1 : 2.5で行わ
れ、ジメチルエーテル6〜19重量Xを含有する装入生
成物の場合還流比1:cL4乃至1:25で行われそし
てジメチルエーテル〉80重量%及びく99重量%を含
有する装入生成物の場合還流比1:0.Ol乃至1:5
で行われることを特徴とする上記方法により成馬した。
臭素を有する物質の6111定に相変らず王として経験
的に行われ、その際直接的感覚的測定が精通したチーム
により行われる0例え#1If28に関する負荷限界値
「B8J  が150人の集団試験によ045μf/w
/ に測定されてい比。
(8ehri4Cenraths   dsr   L
andsJanecalt;   forXmrnLe
aLoaa@ahac*   Latl   Lacz
dsJ   Nordrhstn−W@11Cf!Ll
l(l e  才49号(1979) 777頁)。
臭気限界値が器械により611j定可能な範囲にある場
合臭気限界値又げ負荷限界値に又測定法例見はガスクロ
マトグラフィー、電導率、光度、螢光測定によりll[
Q定することができる(「mraぢ15.nd   i
cohls−Krdgaa−PsCro   ehet
LaJ   オ 32 巻、第2号、1975年2月、
286頁]。
本発明の場合の臭気測定に感覚的方法に基づく、メタノ
ール台底装置tからの租メタノール及び接触的にメタノ
ールから製造したジメチルエーテルに、既に記載した様
に、一部非常に臭気が強烈である檀々な不純91Jt″
含有する。メタノール−高圧合成装置に於て、一般にジ
メチルエーテル2〜5併し5重量%までを含有している
ことができる粗メタノールが得られるのに、粗−又り純
メタノールからのジメチルエーテル合成の際操作次オで
一般に作用メタノールからジメチルエーテル20乃至8
0重量%が反応器導出部に於て得られる。付刀口的に徂
ジメチルエーテル中で上記の不純物、反応水及び不反応
メタノールが含まれて−る。
不純物例えばジメチルエーテル(51点5.8c)、ジ
メチルスルフィド(S点37.5 C) 、メチルiル
カプlンC5,8C)、#fi(沸点75G)、ホルム
アルデヒドジメチルアtタール(s点45.5C)又は
酢酸メチルエステル(S点5495C)の沸点反び生成
物混合物中のそれらの浴解度反び蒸気圧は非l1lvc
さまざまでありそして個別釣下gwの主観的に知覚され
る臭気強度は非膚にさまざまでありそして付加的に若干
の共詐混合物が生成するから、高純贋のジメチルエーテ
ルを高収率で技術水準に比較して一層経済的な方法によ
り製造する課題の解決に非膚に困難になる。
それ故多年の研究に於て実験室、工業専門学佼反び工業
的装置に於ける多数の試験により驚くべきことに、高純
度のジメチルエーテルを実際上定量的に珠に経済的な方
法で不発8Aによる触fIE&び本発明による蒸留精製
により得ることができることを見出した。
第1図に於てはジメチルエーテルを製造及び精製するた
めの装置が例示されている。
第2図に於ては純ジメチルエーテルの取得用蒸留塔が例
示されている。
第3図に於てに初留サイドストリッパーを有する塔が例
示されている。
特許請求の範囲72項、第5m及び74項中で開示され
九本発明による触媒にr−ム120.−型の触媒である
。該触媒は技術水準の触媒と異な9非肘に僅かな量の5
tO2を含有しセして詮知の触媒より著しく艮好な成果
に導(,5tO2−含有率はLl、0口01乃至3重量
%である。珠に1001乃至江5重量%のStO□の童
及び殊に5too、ool乃至0.2重量%の量である
本発明による触媒に付加的に別の成分例えばHa O又
は他のアルカリ−及びアルカリ土類酸化物、アルカリ−
、アルカリ土類−又框アルミニ9ム硫酸塩、酸化鉄、酸
化コバルト、酸化ニッケル及び他の化合物を少量及び少
量で含有することができる。
本発明による触媒に於ける反応は140乃至5000殊
に150ノシ至450Cの温度及び1乃至50バール殊
0.乃至25バールの圧力に於て行われる1反応は気相
又は液相で行うことができ、気相中の反応が好ましい1
台底反応器及びジメチルエーテルの蒸留後処理に於ける
圧力を一緒に適合させることが有利である。触媒装填t
α2〜161/1111#殊に15〜1&5t/1時で
実施される。
本発明による方法により非連続的に実施することかで@
るけれども、連続的実施方法が好ましい。
本発明による・反応用反応器として例えば技術水準に相
当する固定床−及び流動床−反応器を使用することがで
きる。触媒の存在下の反応に適する変見られた反応器も
本発明によりrl!用することができる。
本発明による触媒の存在下での反応に、直管に於て動力
学的に又に熱力学的に反応)〈ラメ−ターに依存して%
定することができ、この場合その都度対厄する竜のジメ
チルエーテルが不反応メタノールのほかに反応器導出部
に於て得ることができる。
本発明者の研究により、珠に経済的な方法で高純度の無
臭のジメチルエーテルを殆んど定量的な収率で得ること
ができる課題の解決の九めニ、純ジメチルエーテルを得
るための蒸留塔への装入生成物の供給は25.プレート
(塔頂から)の上方で1又は多数のプレートに於て行わ
れねばならぬと云う結論を得次、装人生成物を一層高い
プレートに於て供給すれば、望まし一純度が得られず、
特に望ましい無臭性が得られない。
装人生II1.mに本発明により又多数のプレートに於
て塔のプレート数次才で21プレートド5CLプレート
(塔頂から)との間に供給することができる1例えば全
部で60段のプレートを含有する塔に於てケ32.プレ
ートと、60.プレートとの間に装入生成物を供給する
ことができる。
供給に塔底部より少くとも1珠に5珠に10より上段の
プレートでなければならぬから、供給に25.グレート
(塔頂から)の下方及び1.殊に1殊に1αプレート(
塔頂から〕の上方のプレート範囲に於て選択されねばな
らぬ、更に本之−一二 発明により純ジメチルエーテルニ15.プレート殊に1
5.プレート(塔頂から)の上方で1又は多数のプレー
トに於て導出されねはならぬ、これは例えば&プレート
であることができるが、併し又1.乃至5プレート又r
r&プレートと15.プレートとのプレートであること
ができるが、併し場合により塔頂凝11淳も導出するこ
とができる。これに多数のプレートもこれら範囲にある
ことができる。
更に本発明者の研究により、メタノールの沸点とジメチ
ルエーテルの沸点との間のめ点を有する、留出物として
の成分を同一の塔中で1又は多数のプL/−トー該プレ
ートハ汚染されたジメチルエーテルを含有する装入生成
り反び/又は装入混合物−これにジメチルエーテル、メ
タノール及び不純wt金含有る□用の(最上部の]供給
部より少くとも5段上のプレートにあるが併し15.プ
レート(塔頂から〕の下方にある□に於て導出すること
がでさることが4III明した。
例えばジメチルエーテル1〜5重量%をメタノール、そ
の他の、メタノールの沸点とジメチルエーテルの沸点と
の間の一点を有する成分及び場合により水及びfR索を
含有するその他の炭化水素例えば〇一原子〉1の数を有
するアルコールのほかに含有する鉄人生成*をh人すれ
ば、塔rr1:1乃至1:25の還流比でジメチルエー
テル含有率に存在して動かされる。?!lえば1重量%
のジメチルエーテル含有率の場合還流比1:20である
ことができる1例えは1:1の還流比は、導出したジメ
チルエーテルの量ニ1部であOそして塔頂で凝縮するた
めの蒸気量は1+1部である(1なる数は導出量である
〕ことを意味する。1:5〜8の還流比に例え#i3〜
4重量%のジメチルエーテル含有率の場合好ましい、こ
のジメチルエーテル量σ高圧−メタノール合成に於て得
られる如き含有率に相当する。併しジメチルエーテルに
、本発明による上記の供給部及びジメチルエーテル及び
不純物を含有する留出物の本発明による導出個所を選択
する場合のみ一層高純度に殆んど定量的な量で得ること
ができる。装入混合物が例えばジメチルエーテル、メタ
ノール、メタノールの沸点とジメチルエーテルの沸点と
の間の沸点を有するその他の成分及び場合により水及び
a2索1kt有するその他の炭化水素例、tばC−原子
〉1の数を有するアルコールを含有すれば、還流比は1
:u、4乃至1:5珠に1:1乃全1:2.5にジメチ
ルエーテル含有率次オでa整さるべきである1例えばジ
メチルエーテル60重量%及びメタノール15重量%を
水及び不純物のほかに含有する混合物の場合1:1.5
乃至1:2.5の還流比にする。
この様な装入混合物に、直管中でAl2O3−又にAl
2O3 / 5to2−触媒を用いてメタノールからジ
メチルエーテルを接触的に取得する場合に得られる如き
典截的混合物である。
5重量%と20重量%との間I/cあるか又框80重量
に以上にあるジメチルエーテル含有率に本発明による還
流比は上記の値に基いて例えば5〜20重量%の含有率
に関して1:α4乃至1:25の還流比間で選択するか
又ハ〉80重量%の場合又比率1:u01乃至1:5に
於て選択さるべきである。
純ジメチルエーテルを得るための蒸留塔に一般に5〜1
0バールの圧力に於て動かされ、その際前に接続し危合
成反石器の場合殊に反応器中の圧力への適合が行われる
。この範囲以外の圧力に本発明により同様に可能である
流量a逸材の如く、塔の設計、熱供給及び還流比により
決められる。
純ジメチルエーテルを殆んど定量的に得るtめに、特に
装入混合物中の含有率が僅かな場合本発明により塔頂を
経て出発する出発混合物−これに一般に002、N2、
炭化水素及びなお低含有率ノジメチルエーテルを含有す
る−を洗浄することができる。ジメチルエーテルを含有
する洗浄gL框塔又σジメチルエーテル合成反応器に戻
すことができる。
過当な洗浄Uに例えはメタノール又にジメチルエーテル
−蒸留塔の底部生成物である。洗浄は向流又に平温させ
て行うことができるが、併し向流させるのが好ましい。
更に不純物を含有する留出’Imに付加的にサイドスト
リッパーに於てストリッピングすることができ、その際
ストリッピング−生成Wに再び塔に戻される。これによ
り場合にエフこの個所で導出ジメチルエーテルに殆んど
完全に戻すことができる。
当業者にとって明かな椴に、不発明により64、7 C
で沸とうするメタノールに水から分留塔として動かされ
るZ塔に於て分離される。
本発明による方法により蒸留塔に技術水準により装置容
量に従って使用することができる。
プレートσ技術水準に相当するプレート例えばパルププ
レート、有孔プレート、バブルプレートであることがで
きる。
原則的に元項物例え/d t 9 iツク材料、ガラス
材料、ワイ?からなる充填智等も蒸留塔用充填体として
使用することができ、その際本発明による装人生成物供
給部又はジメチルエーテル及び初留用導出部は所要のプ
レート故により算出することができる。
本発明を71図乃至73図により詳細に説明する。
21図に於て(3)に脱水反応器である。ポンプ(4)
、導管−及び熱交侠機(8)及び(7)を経て新鮮なメ
タノールを反応器に供給する。(11に縄ジメチルエー
テルを得る九めの蒸留塔である。該yrに一般に、合成
反応器(3)中の圧力に迩合嘔れてぃる圧力範囲適材幾
分低い圧力に於て動かされる。
例えば合成圧が8〜12バールであれば、塔は例えば6
〜11.5バールで動かす仁とができる。
併しこの数に限定的であると認められるべきでない、併
し一般に珠に0乃至10バールの差圧で実施される。ジ
メチルエーテルを(91に於て高純度の杉で導出する。
塔頂ガスげαIIて凝縮器(6)に至る。還流wJに(
6)を経て再び塔(1)に流れる。!ガスrXo4を経
て洗浄器(至)に流れ、この中でメタノールα0で洗浄
する。原則的に他の洗浄液例えば粗メタノール又は塔1
の底液も使用することができ、その際後者の場合ジメチ
ルエーテルを含有する洗浄液を再び塔1に供給すること
ができる。少量のジメチルエーテルa 助t Mて洗浄
メタノールと共に合成反応器(3)に至る。
撥ガスに(ハ)に於て消散する1台底生成物四は(8)
を経て+11へ流れる。calに於てメタノールとジメ
チルエーテルとの間で沸とうする不純物を導出しそして
四を経てガえは燃免させる。C1◆を経て王としてメタ
ノール反び水を金含有る底液框分留塔(2)に流れる。
該塔灯一般に材圧に於て動かされるが、併し原則上幾分
高いか又に幾分低い圧力に於ても動かすことができるが
、併し一般に塔+11の圧力以下で動かすことができる
。 (1Gを経てメタノールを導出しそして合成反応器
に戻す、底部から(,13を経て撥水を導出する。(2
rを経て必要の場合不純物をメタノールの沸点より高い
沸点を以て導出する。
72図に於て(1)に純ジメチルエーテル’tNる友め
の蒸留塔である。装人生get:(2)を経て供給する
。純ジメチルエーテルを(3)に於て4出する。不N物
を(4)に於て導出する。頂部生成物は(5)を経て凝
縮器a1に流れる。還流物に(7)を経て塔(11に流
れる。溌ガスげ(6)に於て消散する。(8)はリボイ
ラー−循環器である。(9)に於て底g、を導出する。
第3図に於て不純@を含有する留出@に(4)を経てス
トリッパー(5)−これはりボイラー−循環器を備えて
いる一I/c流れる。
、X ) +7ツピングされたジメチルエーテルσ(6
)を経て塔(1)に戻される。
(2)に於て装入生成gJi&−供給する。(3)に於
て純ジメチルエーテル11:4出する。頂部ガスσa]
)を経て凝縮器a(IJC至る。還流物に(8)を経て
塔(1]に流れる。!ガスIH+97に於て消散する。
Qlに於てジメチルエーテルを含まない不純物を導出す
る。
本発明により蒸留塔から高純度のジメチルエーテルに実
際上定量的に得られる。ジメチルエーテルは無臭゛であ
り、11 ppmより少ないメタノール、最高LL1重
量%の炭化水素を含有しそしてジメチルエーテル99.
9重量にまでの#I。
tVfる。本発明により得られるジメチルエーテルはエ
アロゾール領域に於ける夫々の使用に著しく適する。
更に技術水準と比較して高い分離効率を有する塔のみを
必要とし、−万Z塔に、メタノールを水から分離するた
めに僅ehな分離効率しか必要としない、付加的に本発
明にょる万fRrs2.塔に於て場合によりメタノール
と水との間で沸とうする不MWも分離することができる
ので、不純物が乏しい、一層容易に後処理できる撥水が
得られる。付加的な塔の施設は原則的に可能であるけれ
ども、この様な実施方法に方法の経済性が妨げられる。
例 反応器出発生成物(ジメチルエーテル65重量%を有す
る装入生成物3000に47時)の後処理に次の?11
1乃至9中で連続的に接続した2個の、連続的に動かさ
れる蒸留塔−そのりらオー塔に50個のパルププレート
をそしてZ塔はラツシツヒリングを備えて−るーに於て
行われる。純ジメチルエーテルニオ−塔中で7バールで
12.プレート(塔mから)に於て1:2の還流比で得
られる。装入生成@を21プレート(塔頂から〕に於て
供給する。不純物を22゜プレートに於て導出する。z
塔に於て不反応メタノールを回収する1合成に270〜
290Cの温度及び10バールの圧力に於て実施される
例1に於てi、5to2u o 18 重tX ’に@
有するr−^1□0.−触媒を用いて実施する。
反応器出発生成物から無臭ジメチルエーテルが実際上定
量的に得られる。
例2に於てに、5to2 coos重量%を含有する1
 −a120.−触媒を用いて実施するが、併し1:Q
、4の還流比反びジメチルエーテル80重量にを含む装
入生成物で実施する。
例1の場合の様に無臭ジメチルエーテルカ実際上定量的
に得られる。
例3に於て框、8102CL 4重量%を含有するr−
A 120s−触媒を用いて実施する。
例1及び2の場合の様に無臭ジメチルエーテルが実際上
定量的に得られる。
例4に於て汀、5to2Q、025重量%及ヒF@20
s0.D707重量含有するr−Al2O3−触媒が変
相される。
記載された蒸留条件下無臭ジメチルエーテルが実際上定
量的に得られる。
例5に於て框、?IJ 4の場合の如〈実施するが、併
しジメチルエーテル−塔に佐剤を充填する。
装入生成Pat本発明により計算し之個所に於て添加し
そしてジメチルエーテル及び不純@を計算した個所に於
て導出する。
無臭の純ジメチルエーテルを得ることができる。
比[fl 6 K於テt!、sto□(L O20重量
%1に有するX−A1203−触媒を用いて実施する。
不純物をZ塔の頂部に於て導出する。殆んど臭気のな−
ジメチルエーテル1i−得ることができる。
比較例7に於て框、例6の場合の如〈実施するが、併し
81026重量%を含有する触媒を用いて実施する。無
臭ジメチルエーテルtNることがで1!tい。
例8に於てσ純ジメチルエーテルがオー塔中で7バール
で五プレート(塔頂から〕に於て1:3の還流比で得ら
れる。
装入生成11!lを31(気相)及び3&(液相)プレ
ート(塔頂から)に於て供給する 不純Wを15.プレート(塔頂から)に於て導出する。
触媒として8106重量%を含有するr−Al2O3−
触媒を便用する。
無臭の純ジメチルエーテルが得られる。
例9に於て框例8により実施するが、併し1:4の還流
比に於て実施する。触媒としてσ珪酸71=ワムー触媒
を変相する。
無臭の純ジメチルエーテルが11)れる。
例  10 65個のパルププレートを有する塔に49プレート(塔
頂から〕に於てジメチルエーテル2400Kg、/タノ
ーs、 580 Kl、水91 QKf及び不0.f1
11OK4からe6混合物40ooKt/時を供給する
塔は8バールに於て#かされる。還流比に1:1.9で
ある。
塔頂に於て、王としてCo2、N2、炭化水素及び小含
有率のジメチルエーテルからなる撥ガス約30#/を導
出する。
塔の&プレート(塔頂から〕に於て縄ジメチルエーテル
2385Kf/時を1opp111ノメタノールS有率
を以て導出する。
55、プレート(塔頂から〕不純′a90に/時を導出
する。
高沸点取分(メタノールとしての310に47時、メメ
ノーs、、 s a o Kg1時茂びu2o 910
 b1時を底部に於て導出しそして塔に供給し、該塔で
にメタノールを留出する。
例 11 例10をl!J!o返すが、併しジメチルエーテルとメ
タノールとの間で沸とうする留分をサイドストリッパー
を経て実施する。ストリッパー出口に於て祠ジメチルエ
ーテル2595Kr/時&び初留8OK97時が得られ
る。
例  12 100個のバルブプレートを有する蒸留塔に、メタノー
ル5soooil、ジメチルエーテル2000Ke、水
3500h&C”不M’113500に#からなる混合
Wを毎時610QQKIl供給する。
還流比tlfflニアである。
供給は35.プレート〔塔頂から〕に於て行われる。9
.プレート(塔Ii4から)に於てジメチルエーテル1
996す7時を導出する。
3Q、プレート(塔頂から)に於てストリツピンク後不
純#302V4/時を導出する。
塔頂からメタノール55000−IQ、水5500 K
?/時及び不純物−これに王として高級アルコールから
なる□1901’4/時を導出す6゜ 塔圧σ6乃至8バールである。塔JjIを経て導出すJ
b撥ガス(12Kf)をメタノールを用いて対流させて
洗浄する。
例 13 70個のバブルプレートを有する塔に4aプレート(塔
頂から)VC於てジメチルエーテルaooKf、 メタ
ノール2825Kf、水300Kf及びメタノールとジ
メチルエーテルとの間で沸とうする不R吻75′N4:
Thらなる混合物4000Kl/時を供給する。還流比
に1=2である。4゜7’L/−ト(塔頂から)に於て
ジメチルエーテル796 Kt/#を導出する。40.
プレート(塔頂から)に於て不純9勿77 Kp/#を
導出する。
底部に於てメタノール2825Kg/時及び水300K
t/時を導出する。
例  14 45個のバブルプレートを有する塔に34.フレート(
塔頂から)に於てジメチルエーテル1750Kt、メタ
ノールtooK4、水100に4及び不測*5oKII
を含有する混合物2000h/時を供給する。塔に1:
0.5の還流比で動かされる。
五プレート(塔頂から)に於てジメチルエーテル174
5 Ke/Qt、29.プレート(塔頂から)に於て不
純物48−7時を導出する。底部から水100匂/時、
メタノールtoOKf/時及び高沸点の不純物5Kg/
時を導出する。
?1J10〜14に於て高測度の無臭ジメチルエーテル
が得られる。
ガ 15 ?t113を模り返すが、併しジメチルエーテルを15
.プレート(塔頂から〕に於て導出する。
不MB@fr:45.プレートに於て導出する。
無臭ジメチルエーテルに得られない。
【図面の簡単な説明】
第1図にジメチルエーテルを製a茂び精製するための装
置llを例示するものであり、才2図に純ジメチルエー
テルの取得用蒸留塔を例示するものであり、75図に初
留サイドストリッパーを有する塔を例示するものである

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、140〜500℃の温度及び1乃至50バールの圧
    力に於けるメタノールの接触脱水及び脱水生生物の蒸留
    後処理により純ジメチルエーテルを連続的に製造する方
    法に於て、脱水生成物を純ジメチルエーテルを取得する
    ための塔に25.プレート(塔頂から)の下方で1又は
    多数のプレートに於て塔に装入すること、純ジメチルエ
    ーテルを15.プレートから上方で殊に10.プレート
    (塔頂から)の上方で1又は多数のプレートに於て導出
    すること、ジメチルエーテルより高くそしてメタノール
    より低く沸とうする不純物を含有する留出物を1又は多
    数のプレート−該プレートはジメチルエ ーテルを含有する装入混合物の(最上部の)供給部より
    少くとも5段上のプレート及び 15.プレート(塔頂から)より少くとも1段上のプレ
    ートにある−に於て導出しそして 脱水生成物を塔底部より少くとも1段上のプレートに供
    給し、その際ジメチルエーテル1〜5重量%を含有する
    装入生成物の場合還流比1:1乃至1:25で行われ、
    ジメチルエーテル20〜80重量%を含有する装入生成
    物の場合還流比3:0.4乃至1:5殊に1:1乃至1
    :2.5で行われ、ジメチルエーテル6〜19重量にを
    含有する装入生成物の場合還流比3:0.4乃至1:2
    5で行われそしてジメチルエーテル>80重量%及び<
    99重量%を含有する装入生成物の場合還流比1:0.
    01乃至1:5で行われることを特徴とする上記製法。 2、SiO_2 0.001乃至<1重量%を含有する
    γ−Al_2O_3−型の触媒を用いて脱水する特許請
    求の範囲第1項記載の方法。 3、SiO_2 0.0001乃至0.5重量%を含有
    するγ−Al_2O_3−型の触媒を用いて脱水する特
    許請求の範囲第1項又は第2項記載の方法。 4、SiO_2 0.001乃至0.2重量%を含有す
    るγ−Al_2O_3−型の触媒を用いて脱水する特許
    請求の範囲第1項乃至第3項のいづれかに記載の方法。 5、140℃乃至150℃の温度及び1バール乃至25
    バールの圧力に於て脱水する特許請求の範囲第1項乃至
    第4項のいづれかに記載の方法。 6、触媒装填量(LHSV)0.2〜16l/時に於て
    実施する特許請求の範囲第1項乃至第5項のいづれかに
    記載の方法。 7、触媒装填量(LHSV)0.5〜13.5l/時に
    於て実施する特許請求の範囲第1項乃至第6項のいづれ
    かに記載の方法。 8、純ジメチルエーテルを取得するための蒸留塔頂に於
    て導出した軽成分−これは一般に CO_2、N_2、軽炭化水素及び少量のジメチルエー
    テルを含有する−を向流又は平流させて 好ましくはメタノールで洗浄する特許請求の範囲第1項
    乃至第7項記載のいづれかに記載の方法。 9、純ジメチルエーテルの導出口の下方で導出した不純
    物をサイドストリッパーに於てストリッピングしそして
    この様に分離したジメチルエーテルを蒸留塔に戻す特許
    請求の範囲第1項乃至第8項のいづれかに記載の方法。 10、脱水生成物を25.プレートの下方で、又は多数
    のプレートに於てプレート数次第で50.プレートと2
    5.プレートとの間で塔に装入する特許請求の範囲第1
    項乃至第9項のいづれかに記載の方法。 11、脱水生成物を塔底部より少くとも5段上のプレー
    トに供給する特許請求の範囲第1項乃至第10項のいづ
    れかに記載の方法。 12、脱水生成物を塔底部より少くとも10段上のプレ
    ートに供給する特許請求の範囲第1項乃至第10項のい
    づれかに記載の方法。 13、140〜500℃の温度及び1乃至50バールの
    圧力に於てメタノールを接触脱水させて純ジメチルエー
    テルを製造する方法に於て、γ−Al_2O_3−触媒
    −これはSiO_2 0.0001乃至1重量%好まし
    くは0.001乃至0.5重量%殊に0.001乃至0
    .2重量%を含有する−上で脱水することを特徴とする
    上記製法。
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