JPS63208738A - 微粉体生成装置 - Google Patents

微粉体生成装置

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JPS63208738A
JPS63208738A JP62042155A JP4215587A JPS63208738A JP S63208738 A JPS63208738 A JP S63208738A JP 62042155 A JP62042155 A JP 62042155A JP 4215587 A JP4215587 A JP 4215587A JP S63208738 A JPS63208738 A JP S63208738A
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徳田 利幸
Naomi Kotani
小谷 直美
Eizo Nonomura
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、溶融金属の定性分析や定量分析などを行な
うために、分析すべき溶融金属から当該金属の微粉体を
生成し、この微粉体を所定の分析装置へと搬送させる微
粉体生成装置に関する。
(従来の技術とその問題点) 鉄鋼その他の金属の製造においては、その製造工程や製
品の品質を厳密に管理するために、溶融させた状態での
金属の成分や各成分の含有率を迅速かつ正確に分析する
ことが重要である。この目的で行なわれる分析法として
は種々の方法が知られているが、サンプリングした溶融
金属を凝固させて固体試料を作成し、この固体試料につ
いて発光分光分析や蛍光X線分析を行なう方法が多用さ
れている。ところが、従来では、このような分析を行な
うに際して、溶融金属をサンプリングしてから分析する
までの各種工程をオフラインで行なっている。このため
、従来の分析法は迅速性に欠けるものとなっており、溶
融金属の分析をオンラインで行なう迅速性の高い方法の
開発が望まれている。
第5図は、このようなオンライン分析法を実現するため
に既に提案されている溶融金属分析装置の一例(特開昭
60−219538号)を示す模式図である。同図にお
いて、この装置は、分析すべき溶融金属2からその微粉
体2aを生成するための微粉体生成装置1を備えている
。この微粉体生成装置1は、ヒートショック性に強い耐
熱材、例えば石英などで形成された円筒形のハウジング
1aを有している。ハウジング1aの底面は開口してい
るが、その上面は、ガス導入管3と微粉体排出管4とが
取付けられている位置を除いて閉塞されている。微粉体
排出管4はハウジング1aの内部に開口しているだけで
あるが、ガス導入管3の下端のガス噴出口3aは、比較
的低い位置まで伸びている。
この微粉体生成装置1を使用するに際しては、微粉体生
成装置1の下部を溶融金属2中に浸してガス導入管3の
ガス噴出口3aを溶融金属2中に挿入させる。すると、
ハウジング1aの内部には、密閉された微粉体生成室5
が形成される。そして、ガス容器6内の不活性ガス、例
えばArガスをガス導入管3を介して溶融金属2中へと
吹込み、溶融金属2の表層よりArガスの気泡を噴出さ
せて溶融金R2の微粉体2aを生成させる。
一方、微粉体排出管4は、ステンレス鋼管などの搬送管
7によってプラズマトーチ8に接続されている。そして
、上記のようにして微粉体生成室5中で生成された微粉
体2aは、ガス導入管3を介して供給されるArガスの
気流により微粉体排出管4と搬送管7とを通ってプラズ
マトーチ8へと搬送される。プラズマトーチ8に導入さ
れた微粉体2aはプラズマによって高温とされ、それに
よって励起発光する。
したがって、この発光を分光器9によって分解し、この
ようにして1qられた各スペクトル線の位置及び強度を
検出器10で測定すれば、測定したスペクトル線の位置
から微粉体2aの成分を判定。
することができる。また、このスペクトル線の強度から
成分含有率を分析する。
このようにして、微粉体2a(したがって溶融金属2)
の定性分析および定量分析がオンラインで行なわれる。
また、第6図は、火花放電を利用して溶融金属2から微
粉体2aを生成させる微粉体生成装置11(「鉄と鋼J
、′85−A129)の模式図である。以下、第5図に
示した微粉体生成袋@1と異なる点を説明する。
この微粉体生成装置11は、微粉体生成室12内で火花
放電を起こすための電極13が設けられている。そして
、この電極13から溶融金WA2の表面に対して火花放
電を飛ばし、溶融金属2を蒸発させて微粉体2aを生成
させる。このようにして生成された微粉体2aは、ガス
導入管14を介して微粉体生成室12に供給される不活
性ガスの気流によって、微粉体排出管15を通り、微粉
体生成装置11の外部へと搬送される。従って、第5図
に示した微粉体生成袋@1のかわりにこの微粉体生成装
置11を用いることも可能である。
しかしながら、このような溶融金属分析装置では、それ
に使用される微粉体生成装置1.11に問題がある。つ
まり、上記のような微粉体生成装置1,11では、溶融
金属2そのものを対象として微粉体2aを生成させるた
め、溶銑が出銑してくる高炉などのように溶融金属2の
液面の変動や流れが存在する場合においては、微粉体2
aを安定して生成させることが国運になる。
また、溶融金属2の表層はスラグ層であるため、この表
層から微粉体2aを生成させた場合には、微粉体2aへ
のスラグの混入が避けられず、このスラグが溶融金属2
の成分やその含有率などを分析する際に悪影響を及ぼす
という問題もある。
(発明の目的) この発明は、従来の技術における上述の問題の克服を意
図しており、溶融金属のオンライン分析に使用可能であ
って、溶融金属の液面の変動や流れが存在する場合にお
いても微粉体を安定して生成させることが可能であると
ともに、微粉体ヘスラグなどが混入しない微粉体生成装
置を提供することを目的とする。
(目的を達成するための手段) 上述の目的を達成するため、この発明にががる微粉体生
成装置では、■溶融金属をサンプリングするための中空
耐熱性のサンプリング管が、ケーシング底部に挿通して
設けられるとともに、■前記溶融金属中で溶解する材料
で成形された蓋が、前記溶融金属の導入口である前記サ
ンプリング管の下端間口部に装着され、■熱によって取
付力が実質的に消失する取付材料によって、前記サンプ
リング管の上端開口部に耐熱性の平底蓋が取付けられ、
さらに、■前記ケーシング内部の空間のうち前記上端開
口部に対向する位置に、所定の給電経路に接続された放
電電極が配設され、かつ、■前記サンプリング管の上端
開口部と前記放電電極との間の空間に連通する所定位置
に、不活性ガスの流入口および流出口が開口している。
(実施例) 第1A図は、この発明の実施例である微粉体生成装置を
用いた溶融金属分析装置の模式内部配置図である。また
、第1B図は、第1A図に示した微粉体生成装置の上面
模式図である。なお、この実施例では不活性ガスとして
Arガスを使用している。以下、これらの図を参照しつ
つ、微粉体生成装置を中心としてこの溶融金属分析装置
の構成を説明する。
この溶融金属分析装置20は、微粉体生成装置(サンプ
ラー)21とプラズマ発光分光分析装置22とを搬送管
23で接続して構成されている。
このように、搬送管23を用いるのは、精密機器である
プラズマ発光分光分析装置22を高温、ダストなどを伴
う溶融金ff(1!1図中では図示せず。
)の付近からできるだけ遠ざけるためである。この搬送
管23は例えば、ステンレス材などで成形されるととも
に、その一部分がコイル状とされており、それによっで
ある程度の柔軟性が与えられている。このため、微粉体
生成装置21を図示しない昇降装置によって上下に移動
させて、その下部をFIJH&金属中に浸漬させること
が可能となっている。
この微粉体生成装置21は、サンプリング部31を放電
部41に装着して形成されている。このうち、サンプリ
ング部31は、ホルダー32と、溶融金属のサンプリン
グに用いられるサンプリング管34とを備えている。こ
のうち、ホルダー32は、紙を幾重にも巻いて中空円筒
状に成形されたホルダ一本体32aと、その底部を形成
するモルタル底33とを有している。そして、上記ホル
ダー32と、後述する放電部41のホルダー45とは、
図中の位置Aにおいて着脱自在に嵌合され、それによっ
て、微粉体生成装置21全体のケーシング30が形成さ
れている。このため、一方のホルダー45は上部ケーシ
ングに、また、他方のホルダー32は下部ケーシングに
相当する。
一方、上記サンプリング管34はモルタル底33に挿通
されており、その上端開口部35はホルダ−32内部の
空間中に、また、下端開口部39は外部の空間中に、そ
れぞれ位置している。このサンプリング管34は、石英
など耐熱性材料で成形された円筒状中空管であって、そ
の上#A1m口部35には、耐熱性の平底蓋としての石
英板36が、接着剤37によって取付けられている。こ
の実施例では接着剤37として熱によって接着力が消失
する樹脂接着剤を使用し、その接着力によって上記取付
けを行なっているが、熱によって取付力が実質的に消失
する取付部材であれば、他のものを使用してもよい。
また、サンプリング管34の側面のうち、上端開口部3
5の近傍には、サンプリング時にサンプリング管34内
の空気抜きに利用される複数の孔38が穿設されている
。さらに、モルタル底33から外部へと突出している下
端開口部39には、溶融金属中に浸すことによって融解
する材料で成形された蓋として、軟鋼などで成形された
キャップ40が装着されている。後述するように、この
下端開口部39は、溶融金属のサンプリング時において
、溶融金属の導入口となる。
一方、放電部41は、微粉体(第1図には図示せず。)
を生成させるための放電体42と、図示しないArガス
容器からArガスを導入する導入管43と、片端が搬送
管23に接続された導出管44と、これらを収容支持し
ている中空円筒状のホルダー45とを備えている。この
うち、放電体42はベークライトなどを中空管状に成形
した絶縁筒42aの下端にアルミナなどで成形された耐
火筒42bを螺合して形成されている。そして、絶縁筒
42aと耐火筒42bとで挟み込んで固定された金属製
の保持具48によって放電電極47が支持されている。
また、この放電電極47には、給電経路としての配線4
6を介して高電圧が与えられるようになっている。
さらに、この放電体42はホルダー45の下端部でゴム
栓49によって支持されており、それによって、サンプ
リング管34の上端開口部35と所定の間隔(たとえば
5履)を隔てた位置に放電電極47が固定配設されてい
る。また、導入管43及び導出管44は、ステンレス鋼
管であって、ゴム栓49によってホルダー45に固定支
持されるとともに、それぞれの下端には、石英ガラス製
の管43a、44aがシリコンゴム製の管(図示せず。
)で接続されている。そして、これらの開口部である流
入口51と流出口52とは、互いに対向する位置関係で
、サンプリング管34の上端開口部35と放電電極47
との間の空間を挟む位置に配置されている。もつとも、
流入口51と流出口52との配置位置は、サンプリング
管34の上端開口部35と放電電極47との間の空間に
連通ずる位置であればよく、上記位置に限定されない。
次に、プラズマ発光分光分析装置22について説明する
。このプラズマ発光分光分析装置22は、微粉体処理装
置53と、プラズマトーチ54と、分光分析装置55と
を備えている。このうち、微粉体処理装置53は搬送管
23と接続されている。
この微粉体処理装置53はフィルターの役割りを果たし
、搬送されてくる微粉体の径が所定の径(たとえば、直
径10μm)より小さいもののみをプラズマトーチ54
に導入する。これは、搬送されてくる微粉体のうち凝集
して径の大きくなったものを取り除き、分析精度を向上
させるためである。また、プラズマトーチ54はMHz
オーダーの高周波による電磁誘導を利用してプラズマを
発光させ、内部に導入した微粉体をこのプラズマの高温
で励起発光させる。
一方、分光分析装置f55には、分光器56と検出器5
7とが設けられている。そして、微粉体の発光によって
生ずる光は分光器56によって各スペクトル線に分解さ
れ、検出器57によって各スペクトル線の位置および強
度が測定される。
次に、以上のような構成を有する溶融金属分析装置20
を用いて溶融金属の成分とその成分含有率を分析する場
合の動作を、微粉体の生成動作を中心に説明する。
第2図は、溶融金属25から微粉体25aを生成する場
合の微粉体生成装置21の動作を説明する図である。同
図において、まず、図示しない昇降装置によって微粉体
生成装置21の放電部41を支持することにより、分析
を行なうべき溶融金属250表面から所定の間隔を隔た
上方位前に微粉体生成装置21を配置する(第2図(a
))。次に、この昇降装置を用いて微粉体生成装置21
を下方(図中の(+X)の方向)に下降させ、サンプリ
ング管34の上端開口部35の位置が溶融金ji25の
液面りよりも所定距離d(たとえば2cIR)だけ下に
なる位置で静止させる(第2図(b))。
この下降過程において、サンプリング管34の下端が溶
融金ff25の表層に存在するスラグ層(図示せず。)
を通過するが、このときには、キャップ40が存在する
ため、サンプリング管34の内部へのスラグ層の導入が
防止される。
このようにしてサンプリング部31を溶融金属25の中
に浸した状態を数秒間保持すれば、サンプリング管34
の下端開口部39に装着されていたキャップ4oが溶融
金属25中に溶解して、下端開口部39が露出する。こ
れによって、サンプリング管34の内部は、下端開口部
39から流入した溶融金属25で満たされる。なお、こ
の際、サンプリング管34の内部の空気は孔38から排
出される。また、上端開口部35から溢れ出ようとする
溶融金属25は石英板36で阻止される。
そして、サンプリング管34の内部に導入された溶融金
属25は、サンプリング管34や石英板36などに熱を
奪われるため凝固する。さらに、サンプリング管34と
石英板36とを貼着している接着剤37は、溶融金属2
5の熱を受けてその接着力が実質的に消失する。
次に、昇降装置によってサンプリング管34が溶融金1
m25の液面しより上方となる位置まで微粉体生成装置
21を(−X)方向に上昇させる。
ただし、サンプリング管34の下端間口部39は溶融金
1m25内に存在するようにしておく。このときには接
着剤37の接着力は実質的に消失しているため、昇降装
置により微粉体生成装置21に若干の振動を与えてやれ
ば石英板36がサンプリング管34の上端開口部35か
ら脱落して、溶融金属25の凝固面Mが出現する(第2
図(C))。
その後、導入管43を介してサンプリング管34の上端
開口部35近傍へとA「ガスを供給し、放電電極47に
高電圧を与える。ただし、放電電極47に対するアース
電極50は、溶融金属25中に浸漬させている。したが
って、サンプリング管34の内部で凝固している金属は
溶融金WA25を介してアース電極50と電気的に接続
されていることになるため、このA「ガス雰囲気中で放
電電極47と溶融金j125の凝固面Mとの間で火花放
電が行なわれる。これによって、凝固面Mから溶融金属
25の蒸発が起り、当該溶融金属25と同一成分の微粉
体25aが生成される。このようにして生成された微粉
体25aは、Arガスの気流によって、導出管44を通
って第1図に示した搬送管23に至る。
搬送管23を搬送されてきた微粉体25aは、微粉体処
理装置ff153を介してプラズマトーヂ54に導入さ
れ、プラズマの高温で励起発光する。この発光を分光器
56によって分解して得られた各スペクトル線の位置及
び強度を検出器57で測定する。こうして得られたスペ
クトル線の位置から微粉体25aの成分を判定し、さら
に、そのスペクトル線の強度に基づいて成分含有率を求
めることができる。
そして、このような溶融金属25の定性分析および定量
分析が完了した後、微粉体生成装置21のケーシング3
0を第1図中の位置Aで上部と下部に分離し、それによ
ってサンプリング部31を放電部41から取り去って、
これを新しいものと交換しておく。これによって微粉体
生成装置21は繰返して使用することができる。なお、
搬送管23の内壁にも微粉体25aが付着するが、分析
終了後に多聞のArガス(たとえば201/1in)を
流すことによってこの微粉体は容易に除去できる。
このように、第1図に示した微粉体生成装置21を用い
れば、放電電極47とサンプリングされた溶融金属25
の凝固面Mとの間隔は常に一定になるため、溶融金R2
5の液面の変動あるいは流れが存在する場合でも、安定
して微粉体を供給することが可能となる。また、サンプ
リング管34の下端開口部39には、キャップ40が装
着されているため、この下端開口部39が溶融金属25
の表層を通過する際に、溶融金属25の表層に存在する
スラグ層がサンプリング管34の内部に流入することも
ない。
第3図および第4図は、上記微粉体生成装置21を用い
て生成した微粉体25aについて、SlおよびMnの分
析を行なって得られたデータ例を示すグラフである。た
だし、横軸は真の成分含有率を、また、縦軸はプラズマ
発光分光分析装置22における検量線強度(相対値)を
それぞれ示す。
また、分析は、微粉体25aがプラズマ発光分光分析装
置22に到達後、10秒間行なわれた。これらの図から
れかるように、上記実施例装置を使用して微粉体25a
の生成を行ない、それを用いて分析を行なうと、成分含
有率によく比例した検量線強度が得られることがわかる
。図示しないが、他の成分、たとえばC,P、S、AI
 N・、C、、Mo、T、、V、Nb等についても、同
様の良好な結果が得られる。
なお、この発明の微粉体生成装置で生成した微粉体は、
プラズマ発光分光分析装置以外の各種分析装置で分析可
能である。
(発明の効果) 以上説明したように、この発明にかかる微粉体生成装置
では、溶融金属をサンプリングするために中空耐熱性の
サンプリング管を設け、溶融金属のサンプリングから搬
出までを連続して行なうことができる。このため、溶融
金属のオンライン分析に使用可能であるとともに、サン
プリングされた溶融金属の凝固面位置を常に一定に保ち
得るため、溶融金属の液面の状態に左右されずに微粉体
を安定して生成させることが可能となる。また、サンプ
リングに際してサンプリング管の下端開口部に設けた蓋
がスラグの混入を防止するため、微粉体へのスラグの混
入も解消することができる。
【図面の簡単な説明】
第2図は、微粉体生成の際の微粉体生成装置21の動作
の説明図、 第3図および第4図は、実施例を用いて生成した微粉体
の分析結果を示すグラフ、 第5図および第6図は、従来の微粉体生成装置の模式図
である。 20・・・溶融金属分析装置、 21・・・微粉体生成装置、 22・・・プラズマ発光分光分析装置、25・・・溶融
金属、    25a・・・微粉体、30・・・ケーシ
ング、 32・・・ホルダー(下部ケーシング)、34・・・サ
ンプリング管、 35・・・上端開口部、 36・・・石英板(平底蓋)、 37・・・接着剤、 39・・・下端開口部、 40・・・キャップ、

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)分析すべき溶融金属から当該金属の微粉体を生成
    するとともに、所定の流路に沿った不活性ガスの流れに
    よって前記微粉体を所定の分析装置へと搬送させる微粉
    体生成装置であって、前記溶融金属をサンプリングする
    ための中空耐熱性のサンプリング管が、ケーシング底部
    に挿通して設けられるとともに、 前記溶融金属中で溶解する材料で成形された蓋が、前記
    溶融金属の導入口である前記サンプリング管の下端開口
    部に装着され、 熱によって取付力が実質的に消失する取付部材によつて
    、前記サンプリング管の上端開口部に耐熱性の平底蓋が
    取付けられ、さらに、 前記ケーシング内部の空間のうち、前記上端開口部に対
    向する位置に、所定の給電経路に接続された放電電極が
    配設され、かつ、 前記サンプリング管の上端開口部と前記放電電極との間
    の空間に連通する所定位置に、前記不活性ガスの流入口
    および流出口が設けられていることを特徴とする微粉体
    生成装置。
  2. (2)前記ケーシングは、前記サンプリング管が挿通さ
    れている底部より所定の距離だけ上の位置で、上部ケー
    シングおよび下部ケーシングの2つの部分に着脱自在と
    されているとともに、前記上部ケーシングは、前記不活
    性ガスの流入口および流出口と、前記放電電極とを支持
    する第1のホルダーを形成しており、 前記下部ケーシングは、前記サンプリング管を支持する
    第2のホルダーを形成しているとともに、前記サンプリ
    ング管とともに交換可能とされた、特許請求の範囲第1
    項記載の微粉体生成装置。
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