JPS6320875A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6320875A JPS6320875A JP61164932A JP16493286A JPS6320875A JP S6320875 A JPS6320875 A JP S6320875A JP 61164932 A JP61164932 A JP 61164932A JP 16493286 A JP16493286 A JP 16493286A JP S6320875 A JPS6320875 A JP S6320875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- section
- photocurrents
- beams
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/95—Circuit arrangements
- H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
- H10F77/957—Circuit arrangements for devices having potential barriers for position-sensitive photodetectors, e.g. lateral-effect photodiodes or quadrant photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子、とりわけ、充電変換素子等の光
半導体素子を搭載する半導体装置用リードフレームに関
するものである。
半導体素子を搭載する半導体装置用リードフレームに関
するものである。
従来の技術
従来の半導体装置用リードフレームの平面図とそのＡ
−Ａ ’断面図を第５図ａ、ｂに示す。素子搭載部１は
、内部リード部２および外部リード部３を形成する平板
に対して、同一平面上に形成されている。光電変換素子
のチップら、この種の半導体用リードフレームに搭載し
、封止用樹脂で被覆して使用されている。
−Ａ ’断面図を第５図ａ、ｂに示す。素子搭載部１は
、内部リード部２および外部リード部３を形成する平板
に対して、同一平面上に形成されている。光電変換素子
のチップら、この種の半導体用リードフレームに搭載し
、封止用樹脂で被覆して使用されている。
発明が解決しようとする問題点
従来の半導体装置用リードフレームは、素子搭載部がリ
ード部と同一平面上に形成されているため、たとえば、
受光素子をもつ素子搭載部に光を照射した場合、その素
子搭載部に対して垂直方向からずれるに従い、垂直方向
に対して、左右どちらに発光源があるのかｔ−１Ｉ別す
るのは困難であった。
ード部と同一平面上に形成されているため、たとえば、
受光素子をもつ素子搭載部に光を照射した場合、その素
子搭載部に対して垂直方向からずれるに従い、垂直方向
に対して、左右どちらに発光源があるのかｔ−１Ｉ別す
るのは困難であった。
本発明は、このような問題を解決するのに有用で、簡便
な構造の半導体装置用リードフレームの提供を目的とす
る。
な構造の半導体装置用リードフレームの提供を目的とす
る。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明は、リードフレー
ムに、半導体素子載置部の中央部を頂とし、リード部を
形成する平板に対して傾斜させた複数の載置面をそなえ
たちのである。
ムに、半導体素子載置部の中央部を頂とし、リード部を
形成する平板に対して傾斜させた複数の載置面をそなえ
たちのである。
作用
本発明によると、リードフレームに、半導体素子載置部
の中央部を頂として、リード部を形成する平板に対して
、傾斜をもつ複数の載置面をそなえ、実際的には、左右
対称に５°〜４５°の角度をもたすことにより、載置部
に付設された充電変換部の光電流の比をとることで発光
源の移動による位置を容易に検出できる。
の中央部を頂として、リード部を形成する平板に対して
、傾斜をもつ複数の載置面をそなえ、実際的には、左右
対称に５°〜４５°の角度をもたすことにより、載置部
に付設された充電変換部の光電流の比をとることで発光
源の移動による位置を容易に検出できる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例としての半導体装置用リー
ドフレームの平面図を、第２図はそのＡ−Ａ’断面図を
示す。リードフレームは、半導体素子搭載部１．内部リ
ード部２．外部リード部３からなり、これらが複数個、
一つの導体平板に反復して連結されている。半導体素子
搭載部１は中央部４を順として左右対称に半導体素子搭
載部１および内部リード２の一部が外部リード３を含む
面に対して３０”の角度をもたせて折り曲げ傾斜させて
いる。第３図は半導体素子搭載部を、中央部を頂として
、左右対称に３０゛の角度をちって傾斜させ、その両頭
斜面に光電変換素子５および６を載置し樹脂１０で封止
した光半導体装置の要部断面図であり、第４図は、光電
変換素子５をＰＤＩとし、同６をＰＤ２として、光の入
射角θにおける出力特性を示したものである。半導体素
子５および６は同一サイズのフォトダイオードを用いて
おり、光の入射光量に比例した光電流を取り出すことが
できる。光の照射位置７の場合は、半導体素子５は半導
体素子６に比べて光電流は大きくなり、その割合は入射
方向に依存する。照射位置９の場合は、出力の大小関係
が逆となる。照射位置８の場合、半導体素子４および５
の生成ずろ光電流は等しい。上記に示したように半導体
素子５および６の光電流の関数として光の入射方向を検
出することが出来る。本実施例のように素子載置部を外
部リードに対して角度をもたせろことにより、光源の照
射位置を容易に検出することが出来る。経験によると、
照射位置を２つの光電流の比で判定するためには、素子
搭載部の傾）ｌ角は５″〜４５°の範囲が最も適してい
る。
ドフレームの平面図を、第２図はそのＡ−Ａ’断面図を
示す。リードフレームは、半導体素子搭載部１．内部リ
ード部２．外部リード部３からなり、これらが複数個、
一つの導体平板に反復して連結されている。半導体素子
搭載部１は中央部４を順として左右対称に半導体素子搭
載部１および内部リード２の一部が外部リード３を含む
面に対して３０”の角度をもたせて折り曲げ傾斜させて
いる。第３図は半導体素子搭載部を、中央部を頂として
、左右対称に３０゛の角度をちって傾斜させ、その両頭
斜面に光電変換素子５および６を載置し樹脂１０で封止
した光半導体装置の要部断面図であり、第４図は、光電
変換素子５をＰＤＩとし、同６をＰＤ２として、光の入
射角θにおける出力特性を示したものである。半導体素
子５および６は同一サイズのフォトダイオードを用いて
おり、光の入射光量に比例した光電流を取り出すことが
できる。光の照射位置７の場合は、半導体素子５は半導
体素子６に比べて光電流は大きくなり、その割合は入射
方向に依存する。照射位置９の場合は、出力の大小関係
が逆となる。照射位置８の場合、半導体素子４および５
の生成ずろ光電流は等しい。上記に示したように半導体
素子５および６の光電流の関数として光の入射方向を検
出することが出来る。本実施例のように素子載置部を外
部リードに対して角度をもたせろことにより、光源の照
射位置を容易に検出することが出来る。経験によると、
照射位置を２つの光電流の比で判定するためには、素子
搭載部の傾）ｌ角は５″〜４５°の範囲が最も適してい
る。
発明の効果
以上のように、本発明による半導体装置用リードフレー
ムを用いることで、容易に照射位置を検出することので
きる光半導体装置が達成される。
ムを用いることで、容易に照射位置を検出することので
きる光半導体装置が達成される。
第１図、第２図は本発明の一実施例による半導体装置用
リードフレームの平面図、断面図、第３図、第４図は本
発明の半導体装置用リードフレームに充電変換半導体素
子を搭載した一実施例光半導体装置の要部断面図、感度
分布図、第５図ａ。 ｂは従来例リードフレームの平面図、断面図である。 １・・・・・・半導体素子搭載部、２・・・・・・内部
リード部、３・・・・・・外部リード部、４・・・・・
・半導体素子搭載部の中心、５，６・・・・・・半導体
素子、７．８．９・・・・・・光の照射位置、１０・・
・・・・封止樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 第２図 ４ 第４図 ８０ ４０ ０ ４Ｏ脚 角皮θ（ぬ？） 第 ５ 図 ３ ？
リードフレームの平面図、断面図、第３図、第４図は本
発明の半導体装置用リードフレームに充電変換半導体素
子を搭載した一実施例光半導体装置の要部断面図、感度
分布図、第５図ａ。 ｂは従来例リードフレームの平面図、断面図である。 １・・・・・・半導体素子搭載部、２・・・・・・内部
リード部、３・・・・・・外部リード部、４・・・・・
・半導体素子搭載部の中心、５，６・・・・・・半導体
素子、７．８．９・・・・・・光の照射位置、１０・・
・・・・封止樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名第１図 第２図 ４ 第４図 ８０ ４０ ０ ４Ｏ脚 角皮θ（ぬ？） 第 ５ 図 ３ ？
Claims (2)
- （１）半導体素子載置部、内部リード部および外部リー
ド部を有し、かつ、前記半導体素子載置部に、中央部を
頂として、傾斜した複数の載置面をそなえたことを特徴
とする半導体用リードフレーム。 - （２）傾斜角を５°〜４５°としたことを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の半導体装置用リードフレ
ーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164932A JPS6320875A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164932A JPS6320875A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320875A true JPS6320875A (ja) | 1988-01-28 |
Family
ID=15802578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61164932A Pending JPS6320875A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6320875A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999035697A1 (en) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | Elpas Electro-Optic Systems Ltd. | Infrared receiver having improved spatial coverage |
| JP2008061684A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Tokyo Haguruma Kogyo:Kk | ゴルフ練習器具 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61164932A patent/JPS6320875A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999035697A1 (en) * | 1997-12-30 | 1999-07-15 | Elpas Electro-Optic Systems Ltd. | Infrared receiver having improved spatial coverage |
| JP2008061684A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Tokyo Haguruma Kogyo:Kk | ゴルフ練習器具 |
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