JPS63209103A - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
- Publication number
- JPS63209103A JPS63209103A JP62041985A JP4198587A JPS63209103A JP S63209103 A JPS63209103 A JP S63209103A JP 62041985 A JP62041985 A JP 62041985A JP 4198587 A JP4198587 A JP 4198587A JP S63209103 A JPS63209103 A JP S63209103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- platinum thin
- silicon
- film
- temperature sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は温度センサ、特に白金薄膜抵抗体を用いた温度
センサに関するものである。
センサに関するものである。
従来の技術
従来から高精度、高信頼性の温度センサとして白金温度
センサが使用されており、さらには白金薄膜温度センサ
も開発されている。この白金薄膜温度センサは白金薄膜
を使用しているものであるために、薄膜製造技術で容易
に製造でき、高精度、高信頼性を有し、かつ小型で安価
であるという特長をもっている。
センサが使用されており、さらには白金薄膜温度センサ
も開発されている。この白金薄膜温度センサは白金薄膜
を使用しているものであるために、薄膜製造技術で容易
に製造でき、高精度、高信頼性を有し、かつ小型で安価
であるという特長をもっている。
この白金薄膜温度センサは、第２図に示すように、セラ
ミック基板１１に白金薄膜をスパッタ蒸着し、さらにた
とえばレーザトリミング法または湿式エツチング性など
によりジグザグ状の白金薄膜抵抗体１２を形成したもの
である。この白金薄膜抵抗体１２の両端部には電極端子
部１３．１４が形成されており、これらに外部リード線
１５゜１６がそれぞれ接続されている。
ミック基板１１に白金薄膜をスパッタ蒸着し、さらにた
とえばレーザトリミング法または湿式エツチング性など
によりジグザグ状の白金薄膜抵抗体１２を形成したもの
である。この白金薄膜抵抗体１２の両端部には電極端子
部１３．１４が形成されており、これらに外部リード線
１５゜１６がそれぞれ接続されている。
温度測定時には、外部リード線１５．１６から一定の電
流を供給し、電極端子部１３．１４間の電圧を測定する
。白金薄膜抵抗体１２はその温度に応じて抵抗値が直線
的に変化するので、電極端子部１３．１４間にそれに応
じた電圧変化が生じる。この電圧変化量を温度変化に換
算することにより、温度を知ることができる。
流を供給し、電極端子部１３．１４間の電圧を測定する
。白金薄膜抵抗体１２はその温度に応じて抵抗値が直線
的に変化するので、電極端子部１３．１４間にそれに応
じた電圧変化が生じる。この電圧変化量を温度変化に換
算することにより、温度を知ることができる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら−１このような従来の白金薄膜温度センサ
は、セラミック基板を使用しているものではその小型化
に限界がある。すなわち、セラミッり表面の平滑性があ
まりよ（ないので、白金薄膜抵抗体のパターンをより微
細化することができない。また、半導体基板たとえばシ
リコン基板を用いたものでは、絶縁膜に白金薄膜抵抗体
を強固に付着させることがむずかしい。すなわち、白金
は化学的に安定な物質であり、他の材料とは容易には反
応しない。そのため、白金薄膜は剥離しやすい。ただ、
一部の金属とよ（反応し合金化する性質があるので、絶
縁膜と白金薄膜との間にこの金属の薄膜を介在させて、
半導体基板への接着性を高めることが行われている。し
かし、その場合には、この金属が白金薄膜に拡散して、
白金薄膜自体の抵抗温度係数を低下させてしまう。
は、セラミック基板を使用しているものではその小型化
に限界がある。すなわち、セラミッり表面の平滑性があ
まりよ（ないので、白金薄膜抵抗体のパターンをより微
細化することができない。また、半導体基板たとえばシ
リコン基板を用いたものでは、絶縁膜に白金薄膜抵抗体
を強固に付着させることがむずかしい。すなわち、白金
は化学的に安定な物質であり、他の材料とは容易には反
応しない。そのため、白金薄膜は剥離しやすい。ただ、
一部の金属とよ（反応し合金化する性質があるので、絶
縁膜と白金薄膜との間にこの金属の薄膜を介在させて、
半導体基板への接着性を高めることが行われている。し
かし、その場合には、この金属が白金薄膜に拡散して、
白金薄膜自体の抵抗温度係数を低下させてしまう。
本発明は、上記従来品の欠点を解決することを目的とす
るものである。
るものである。
問題点を解決するための手段
本発明の白金薄膜温度センサは、半導体基板の絶縁膜上
に二酸化珪素と珪素との混合膜を形成し、この混合膜上
に白金薄膜抵抗体を形成°してなるものである。
に二酸化珪素と珪素との混合膜を形成し、この混合膜上
に白金薄膜抵抗体を形成°してなるものである。
作用
この構成により、基板が絶縁膜で覆われた半導体基板で
あるため、その表面が平滑であり、またイオン注入層の
介在で白金薄膜抵抗体が基板表面に強固に付着する。
あるため、その表面が平滑であり、またイオン注入層の
介在で白金薄膜抵抗体が基板表面に強固に付着する。
実施例
以下、本発明の一実施例の温度センサについて、第１図
を参照しながら説明する。同図（ａ）はこの実施例の斜
視図、同図（ｂ）はその断面図である。
を参照しながら説明する。同図（ａ）はこの実施例の斜
視図、同図（ｂ）はその断面図である。
図において、１は半導体基板たとえばシリコン基板１で
、その主面上には酸化膜、窒化膜、もしくは他の方法に
よる絶縁膜２が形成されている。
、その主面上には酸化膜、窒化膜、もしくは他の方法に
よる絶縁膜２が形成されている。
３は二酸化シリコンとシリコンとの混合膜で、シランガ
スとＮ２０ガスとを用いた化学堆積法（ＣＶＤ法）によ
り絶縁膜２上に形成された、シリコンとシリコン酸化物
、窒化物との混合膜である。
スとＮ２０ガスとを用いた化学堆積法（ＣＶＤ法）によ
り絶縁膜２上に形成された、シリコンとシリコン酸化物
、窒化物との混合膜である。
この混合膜３の厚さは、５００〜２００ＯＡ程度でよい
。また、この混合膜３は６００〜１０００℃の範囲内の
温度でアニールされるため、その形成後の工程に熱処理
工程が含まれていてもさしっかえない。４は白金薄膜抵
抗体で、混合膜３上に白金をスパッタ蒸着し、それをレ
ーザトリミング法または湿式エツチング法などで所定の
パターンに形成されたものである。５，６は電極、７は
酸化シリコンのような不活性な物質からなる保護膜で、
この保護膜７に設けられた窓を通して電極５．６が白金
薄膜抵抗体４の端部に接続されている。
。また、この混合膜３は６００〜１０００℃の範囲内の
温度でアニールされるため、その形成後の工程に熱処理
工程が含まれていてもさしっかえない。４は白金薄膜抵
抗体で、混合膜３上に白金をスパッタ蒸着し、それをレ
ーザトリミング法または湿式エツチング法などで所定の
パターンに形成されたものである。５，６は電極、７は
酸化シリコンのような不活性な物質からなる保護膜で、
この保護膜７に設けられた窓を通して電極５．６が白金
薄膜抵抗体４の端部に接続されている。
このように、二酸化シリコンとシリコンとの混合膜３を
シリコン基板上１の絶縁膜２と白金薄膜抵抗体４との間
に形成することで、白金薄膜抵抗体４が絶縁膜２ひては
シリコン基板１に強固に付着する。
シリコン基板上１の絶縁膜２と白金薄膜抵抗体４との間
に形成することで、白金薄膜抵抗体４が絶縁膜２ひては
シリコン基板１に強固に付着する。
一般に、シリコンと白金とは反応するので、白金薄膜抵
抗体４中にシリコンが拡散して、その抵抗温度係数を低
下させるといわれている。しかしながら、二酸化シリコ
ンとシリコンとの混合膜３は化学的に安定しており、こ
の混合膜３中のシリコンの内部結合が強いため、白金薄
膜抵抗体４と混合膜３とはその接触部分でのみ反応する
程度であり、白金薄膜抵抗体４の抵抗温度係数に実質的
な影響を及ぼすことな（、両者の付着力を強化させる作
用をする。
抗体４中にシリコンが拡散して、その抵抗温度係数を低
下させるといわれている。しかしながら、二酸化シリコ
ンとシリコンとの混合膜３は化学的に安定しており、こ
の混合膜３中のシリコンの内部結合が強いため、白金薄
膜抵抗体４と混合膜３とはその接触部分でのみ反応する
程度であり、白金薄膜抵抗体４の抵抗温度係数に実質的
な影響を及ぼすことな（、両者の付着力を強化させる作
用をする。
発明の効果
本発明の白金薄膜温度センサにおいては、半導体基板表
面の絶縁膜と白金薄膜抵抗体との間に二酸化シリコンと
シリコンとの混合膜を形成しているので、この白金薄膜
抵抗体が半導体基板に強固に接着する。そして、このイ
オン注入層は白金薄膜抵抗体の抵抗温度係数を低下させ
ることがなく、温度特性が良好なものである。そして、
半導体基板さらにはその上の酸化膜の表面が平滑である
ので、非常に細密なパターンの白金薄膜抵抗体を得るこ
とができる。
面の絶縁膜と白金薄膜抵抗体との間に二酸化シリコンと
シリコンとの混合膜を形成しているので、この白金薄膜
抵抗体が半導体基板に強固に接着する。そして、このイ
オン注入層は白金薄膜抵抗体の抵抗温度係数を低下させ
ることがなく、温度特性が良好なものである。そして、
半導体基板さらにはその上の酸化膜の表面が平滑である
ので、非常に細密なパターンの白金薄膜抵抗体を得るこ
とができる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例における白金薄膜温度
センサの斜視図、同図（ｂ）はその断面図、第２図は従
来の白金薄膜温度センサの斜視図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・絶縁膜、
３・・・・・・二酸化シリコンとシリコンとの混合膜、
４・・・・・・白金薄膜抵抗体。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名Ｉ−−−シ
リコン厚オ叉 ２−一一鞄？＠、表 ３−一一二瞼ヒシリコンとシリ 第 ｌ 図 曜との混合池４−
−−色金島哀抵抗俸 （久） （ｂ）
センサの斜視図、同図（ｂ）はその断面図、第２図は従
来の白金薄膜温度センサの斜視図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・絶縁膜、
３・・・・・・二酸化シリコンとシリコンとの混合膜、
４・・・・・・白金薄膜抵抗体。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名Ｉ−−−シ
リコン厚オ叉 ２−一一鞄？＠、表 ３−一一二瞼ヒシリコンとシリ 第 ｌ 図 曜との混合池４−
−−色金島哀抵抗俸 （久） （ｂ）
Claims (1)
- 半導体基板と、前記半導体基板上に形成されている絶
縁膜と、前記絶縁膜上に形成されている二酸化珪素と珪
素との混合膜と、前記混合膜上に形成されている白金薄
膜抵抗体とを有することを特徴とする温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62041985A JPS63209103A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62041985A JPS63209103A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63209103A true JPS63209103A (ja) | 1988-08-30 |
Family
ID=12623491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62041985A Pending JPS63209103A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63209103A (ja) |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP62041985A patent/JPS63209103A/ja active Pending
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