JPS63215092A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS63215092A JPS63215092A JP62049217A JP4921787A JPS63215092A JP S63215092 A JPS63215092 A JP S63215092A JP 62049217 A JP62049217 A JP 62049217A JP 4921787 A JP4921787 A JP 4921787A JP S63215092 A JPS63215092 A JP S63215092A
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- JP
- Japan
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- laser array
- semiconductor laser
- array device
- grooves
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- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザアレイ装置に関するものである。
従来の技術
近年、光ディスクへの書き込み、または衛星間通信の分
野において光出力ｓ ｏ ｍ Ｗ以上で安定に発振する
半導体レーザが求められている。このような高出力発振
を可能にする有力なアプローチの１つは半導体レーザア
レイ化した構造にすることである。第７図に従来の半導
体レーザアレイの一例を示す。このレーザアレイは内部
ストライプ構造のレーザを２個並べた構造になっており
、谷溝の上部の発光領域が光学的に結合して位相同期す
る構造となっている。
野において光出力ｓ ｏ ｍ Ｗ以上で安定に発振する
半導体レーザが求められている。このような高出力発振
を可能にする有力なアプローチの１つは半導体レーザア
レイ化した構造にすることである。第７図に従来の半導
体レーザアレイの一例を示す。このレーザアレイは内部
ストライプ構造のレーザを２個並べた構造になっており
、谷溝の上部の発光領域が光学的に結合して位相同期す
る構造となっている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構造では次にのべるような問
題点がある。
題点がある。
半導体レーザアレイの位相同期には２つの種類がある。
すなわち、各スポットの位相差がないｏ０シフトモード
と位相差が１８００ある１８０°シフトモードである。
と位相差が１８００ある１８０°シフトモードである。
第８図にこれらの発光モードａ、ｂと１それぞれの遠視
野像ｃ、ｄを示す。半生導体レーザアレイの特性として
望ましいのは遠視野像が単峰性となる０°シフトモード
の場合で６る。この０°シフトモードを得るためには各
スポット間にゲインが存在する（電流が注入されている
）ことが必要である。ところが第７図に示す構造では各
スポット間に電流が注入されない構造となっているので
その発光モードは１８０°シフトモードの方が立ちやす
い構造となっている。
野像ｃ、ｄを示す。半生導体レーザアレイの特性として
望ましいのは遠視野像が単峰性となる０°シフトモード
の場合で６る。この０°シフトモードを得るためには各
スポット間にゲインが存在する（電流が注入されている
）ことが必要である。ところが第７図に示す構造では各
スポット間に電流が注入されない構造となっているので
その発光モードは１８０°シフトモードの方が立ちやす
い構造となっている。
１８０ｏシフトモードが立つと第８図に示すように遠視
野像は双峰性となるために応用上大きな障害が生ずる。
野像は双峰性となるために応用上大きな障害が生ずる。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するため、本発明の半導体レーザア
レイ装置は、基板の表面に少なくとも２本の溝が形成さ
れ、前記溝のうちの外側の２本の婢の両性側に電流ブロ
ッキング層が形成され、前記溝の上に活性層を含む各層
が形成されたことを特徴としている。
レイ装置は、基板の表面に少なくとも２本の溝が形成さ
れ、前記溝のうちの外側の２本の婢の両性側に電流ブロ
ッキング層が形成され、前記溝の上に活性層を含む各層
が形成されたことを特徴としている。
作 用
上記の構成により、溝の間の部分にも電流が注入される
ためにゲインが存在する。このため、ｏ０シフトモード
を安定に得ることができる。
ためにゲインが存在する。このため、ｏ０シフトモード
を安定に得ることができる。
実施例
本発明の一実施例について図面を用いて説明する。第４
図７５−ｙ Ｃは本発明の一実施例の各作製工程におけ
る断面構造図である。
図７５−ｙ Ｃは本発明の一実施例の各作製工程におけ
る断面構造図である。
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板（キャリア濃度１×１０１８ａ
ｔｔ−５）１の上に３１０２膜をマスクとしてエツチン
グにょシ高さ２μｍ２幅２０μｍのメサを形成する（第
４図ａ）。Ｓ ｉＯ２膜を残したままこの上にｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ電流ブロッキング層２の成長を行なう（第４
図ｂ）。ＳｉＯ２膜を除去した後、メサの頂部に１０μ
ｍの間隔をおいて、幅５μｍ、深さ１．５μｍの溝を形
成する（第４図Ｃ）。溝を形成したウェハー上にキャリ
ア濃度５×１０１１０１８Ｃのクラッド層を第１層とし
活性層を含むダブルへテロのレーザ構造を形成すること
により第１図に示す構造を得る。
ｔｔ−５）１の上に３１０２膜をマスクとしてエツチン
グにょシ高さ２μｍ２幅２０μｍのメサを形成する（第
４図ａ）。Ｓ ｉＯ２膜を残したままこの上にｎ型Ｇ
ａ Ａ ｓ電流ブロッキング層２の成長を行なう（第４
図ｂ）。ＳｉＯ２膜を除去した後、メサの頂部に１０μ
ｍの間隔をおいて、幅５μｍ、深さ１．５μｍの溝を形
成する（第４図Ｃ）。溝を形成したウェハー上にキャリ
ア濃度５×１０１１０１８Ｃのクラッド層を第１層とし
活性層を含むダブルへテロのレーザ構造を形成すること
により第１図に示す構造を得る。
第５図は上記の実施例に従って作製したレーザアレイの
光出力−電流特性を示す。発振しきい値は約６０ ｍ
Ａで、８０ ｍ Ｗの高出力まで安定した動作が得られ
ている。第、６図は同じ素子の接合に平行方向の遠視野
像を示す。ｏ０シフトモードを示す単峰性の遠視野像が
得られている。
光出力−電流特性を示す。発振しきい値は約６０ ｍ
Ａで、８０ ｍ Ｗの高出力まで安定した動作が得られ
ている。第、６図は同じ素子の接合に平行方向の遠視野
像を示す。ｏ０シフトモードを示す単峰性の遠視野像が
得られている。
第３図は、本発明の半導体レーザ装置における電流の流
れを示す。なお、突起部の抵抗を溝部の抵抗よシも若干
高くすることにより、電流を有効に分配することができ
駆動電流を低減させることができる。
れを示す。なお、突起部の抵抗を溝部の抵抗よシも若干
高くすることにより、電流を有効に分配することができ
駆動電流を低減させることができる。
なお本実施例ではＶＳＩＳ型の内部ストライプレーザを
用いたが、第２図のようなりッジ構造を有するＢＴＲ３
型のレーザでも同様の効果が期待できる。
用いたが、第２図のようなりッジ構造を有するＢＴＲ３
型のレーザでも同様の効果が期待できる。
さらに、本実施例では基板上に直接メサを形成している
が、キャリア濃度の高い基板を用いるためにメサ部分は
他の半導体層で構成してもよいことは言うまでもない。
が、キャリア濃度の高い基板を用いるためにメサ部分は
他の半導体層で構成してもよいことは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は導電性のメサを用いて各発光部の
間にも電流注入を行なうことにより０゜シフトモードの
位相同期型レーザアレイを得ることができ、その実用的
価値は大なるものがある。
間にも電流注入を行なうことにより０゜シフトモードの
位相同期型レーザアレイを得ることができ、その実用的
価値は大なるものがある。
第１図は本発明の第１の実施例の構造断面図、第２図は
第２の実施例の構造断面図、第３図は本発明における電
流の流れの説明図、第４図は第１導体レーザアレイ装置
の一例の構造断面図、第８図は位相同期のモードの説明
図である。 １・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓブロッキング層、３・・・・・・
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｔＡ ｓクラッド層、４・・・・・・
ノンドープＧａＡｔＡｓ活性層、５・・・・・・ｎ型Ｇ
ａＡ２Ａ３り２ラド層、６・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓコンタクト層、７・・・・・・Ｓ、 １０２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−− ｐり＆ａＡｓ基械 に−−−ｎ”Ｌ（ｒａＡｓ］ンクフト４＠ ２ 図 第 ３ 図 第８図
第２の実施例の構造断面図、第３図は本発明における電
流の流れの説明図、第４図は第１導体レーザアレイ装置
の一例の構造断面図、第８図は位相同期のモードの説明
図である。 １・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２・・・・・
・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓブロッキング層、３・・・・・・
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｔＡ ｓクラッド層、４・・・・・・
ノンドープＧａＡｔＡｓ活性層、５・・・・・・ｎ型Ｇ
ａＡ２Ａ３り２ラド層、６・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓコンタクト層、７・・・・・・Ｓ、 １０２膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−− ｐり＆ａＡｓ基械 に−−−ｎ”Ｌ（ｒａＡｓ］ンクフト４＠ ２ 図 第 ３ 図 第８図
Claims (2)
- （１）基板の表面に複数個のストライプ状溝が形成され
、前記複数個の溝の中の外側の２本の溝の両外側の前記
基板の表面にそれぞれ電流ブロッキング層が形成され、
前記溝の上に活性層を含む各層が形成されていることを
特徴とする半導体レーザアレイ装置。 - （２）溝にはさまれた突起部の比抵抗が、前記溝内の半
導体層の比抵抗より大きいことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62049217A JPS63215092A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62049217A JPS63215092A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63215092A true JPS63215092A (ja) | 1988-09-07 |
Family
ID=12824782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62049217A Pending JPS63215092A (ja) | 1987-03-04 | 1987-03-04 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63215092A (ja) |
-
1987
- 1987-03-04 JP JP62049217A patent/JPS63215092A/ja active Pending
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