JPS63216968A - 軟磁性材料の製造方法 - Google Patents
軟磁性材料の製造方法Info
- Publication number
- JPS63216968A JPS63216968A JP62050522A JP5052287A JPS63216968A JP S63216968 A JPS63216968 A JP S63216968A JP 62050522 A JP62050522 A JP 62050522A JP 5052287 A JP5052287 A JP 5052287A JP S63216968 A JPS63216968 A JP S63216968A
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- JP
- Japan
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- soft magnetic
- magnetic material
- gas
- manufacturing
- sputtering
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記
録するのに適した磁気ヘッドのコア材料に用いられる軟
磁性材料の製造方法に関する。
録するのに適した磁気ヘッドのコア材料に用いられる軟
磁性材料の製造方法に関する。
従来の技術
高密度磁気記録再生においては、記録媒体の保磁力を大
きくすれば有利であることが一般に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。ヘッドコア材として主流をなすフェライト
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるために得られる記録磁界の強さに限界があり、磁
気記録媒体の保磁力がｔｏｏｏエルステッドを越えてく
ると記録が不十分になるという欠点がある。
きくすれば有利であることが一般に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。ヘッドコア材として主流をなすフェライト
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるために得られる記録磁界の強さに限界があり、磁
気記録媒体の保磁力がｔｏｏｏエルステッドを越えてく
ると記録が不十分になるという欠点がある。
一方金属磁性材料で総括されるセンダスト、パーマロイ
等の結晶質磁性合金、あるいはＣｏＴａＺｒ。
等の結晶質磁性合金、あるいはＣｏＴａＺｒ。
ＣｏＺｒＮｂ等の非晶質合金等を用いた磁気ヘッドは、
一般にフェライト材よりも飽和磁束密度が高く、摺動ノ
イズも低いという優れた特徴を有する。この金属磁性材
料薄膜を作製する時、主にスパッタ法が用いられている
。この時、現在のところスパッタガスとしてアルゴンガ
スが使用されている（たとえば第９回日本応用磁気学会
学術講演会概要集 Ｐ２４２．Ｐ２２９等）、シかしこ
の方法で作製した薄膜は耐摩耗性、加工性、高周波特性
という点に欠点を有している。
一般にフェライト材よりも飽和磁束密度が高く、摺動ノ
イズも低いという優れた特徴を有する。この金属磁性材
料薄膜を作製する時、主にスパッタ法が用いられている
。この時、現在のところスパッタガスとしてアルゴンガ
スが使用されている（たとえば第９回日本応用磁気学会
学術講演会概要集 Ｐ２４２．Ｐ２２９等）、シかしこ
の方法で作製した薄膜は耐摩耗性、加工性、高周波特性
という点に欠点を有している。
発明が解決しようとする問題点
従来の非晶質合金に関しては、その耐摩耗性に対して疑
問が持たれており、寿命もフェライト材を用いたヘッド
に比べると劣るものであった。本発明は耐摩耗性にすぐ
れた軟磁性材料を作製する方法に関してである。
問が持たれており、寿命もフェライト材を用いたヘッド
に比べると劣るものであった。本発明は耐摩耗性にすぐ
れた軟磁性材料を作製する方法に関してである。
問題点を解決するための手段
スパッタ法により軟磁性薄膜を作製する際にスパッタガ
スとしてアルゴンガスと炭化水素ガスからなる混合ガス
を用いることにより炭素を含んだ軟磁性薄膜が作製でき
る。この炭素を含むことにより耐摩耗性に優れた軟磁性
薄膜となる。
スとしてアルゴンガスと炭化水素ガスからなる混合ガス
を用いることにより炭素を含んだ軟磁性薄膜が作製でき
る。この炭素を含むことにより耐摩耗性に優れた軟磁性
薄膜となる。
作用
この技術的手段の作用はつぎのようになる。炭化水素ガ
スはプラズマ中で分解し水素と炭素に分かれる。その中
でも炭素はプラズマ中で炭素イオン、炭素ラジカルを形
成し、反応しやすい状態になっている。−ガスバッタに
よりターゲットからたたき出された原子は、このプラズ
マ中を通って基板上に堆積されるわけであるが、プラズ
マ中を通る際に、反応しやすい状態になっている炭素と
結合するものもあり、基板上には炭素を含んだ軟磁性材
料が堆積されるわけである。
スはプラズマ中で分解し水素と炭素に分かれる。その中
でも炭素はプラズマ中で炭素イオン、炭素ラジカルを形
成し、反応しやすい状態になっている。−ガスバッタに
よりターゲットからたたき出された原子は、このプラズ
マ中を通って基板上に堆積されるわけであるが、プラズ
マ中を通る際に、反応しやすい状態になっている炭素と
結合するものもあり、基板上には炭素を含んだ軟磁性材
料が堆積されるわけである。
実施例
以下、本発明の軟磁性材料の製造方法の一実施例につい
て図面を用いて詳細に説明する。
て図面を用いて詳細に説明する。
（実施例１）
第１図は、本発明に用いたスパッタ装置の模式図である
。ターゲットｌはＣｏＴａＺｒ合金ターゲット、基板２
は非磁性のセラミック材である。
。ターゲットｌはＣｏＴａＺｒ合金ターゲット、基板２
は非磁性のセラミック材である。
基板は水冷するのが適切である。真空室内を１×１０’
Ｔｏｒｒより高真空に排気したのち、ＣＨ。
Ｔｏｒｒより高真空に排気したのち、ＣＨ。
ガスを０．８〜２ｍＴｏｒｒ導入し、アルゴンガスを１
０ｍＴｏｒｒになるまで導入する。全圧力が２０ｍＴ−
ｏｒｒになるように排気系のオリフィスを調整する。つ
ぎにターゲットに負の高電圧（Ｄ、Ｃ，スパッタ法）も
しくは高周波電圧（Ｒ。
０ｍＴｏｒｒになるまで導入する。全圧力が２０ｍＴ−
ｏｒｒになるように排気系のオリフィスを調整する。つ
ぎにターゲットに負の高電圧（Ｄ、Ｃ，スパッタ法）も
しくは高周波電圧（Ｒ。
Ｆ、スパッタ法）を加えて放電を起こす。数十分間のプ
レスパツタの後シャッター４を開く。スバ７タ時間を調
節することにより所望の厚さの耐摩耗性に優れたＣｏＴ
ａＺｒＣ薄膜が得られる。なおスパッタ中にコイル３に
電流を流すことにより幾らかは膜の堆積速度を大きくす
ることができる。
レスパツタの後シャッター４を開く。スバ７タ時間を調
節することにより所望の厚さの耐摩耗性に優れたＣｏＴ
ａＺｒＣ薄膜が得られる。なおスパッタ中にコイル３に
電流を流すことにより幾らかは膜の堆積速度を大きくす
ることができる。
（実施例２）
第２図は、本発明に用いたスパック装置の模式図である
。ターゲット１はＣｏＴａＺｒ合金であり、２枚のター
ゲットが対向するように置かれている。
。ターゲット１はＣｏＴａＺｒ合金であり、２枚のター
ゲットが対向するように置かれている。
ターゲット１の裏側にはマグネット９が置かれである。
マグネットの磁極は図に示すように、片側のターゲット
の裏側にはＮ極が、他方にはＳ極が配置されており、磁
力線はターゲツト面に垂直になっている。真空室内をｌ
Ｘ１０４Ｔｏｒｒより高真空に排気した後ＣＨ，ガスを
０．２〜０．８ｍＴｏｒｒ導入し、アルゴンガスを１．
６ ｍ Ｔｏｒｒになるまで導入する。全圧力が３ｍＴ
ｏ ｒ ｒになるように排気系のオリフィスを調整する
。以下実施例１と同様に放電を起こし、スパック法によ
りＣｏＴａＺｒＣ薄膜が得られる。
の裏側にはＮ極が、他方にはＳ極が配置されており、磁
力線はターゲツト面に垂直になっている。真空室内をｌ
Ｘ１０４Ｔｏｒｒより高真空に排気した後ＣＨ，ガスを
０．２〜０．８ｍＴｏｒｒ導入し、アルゴンガスを１．
６ ｍ Ｔｏｒｒになるまで導入する。全圧力が３ｍＴ
ｏ ｒ ｒになるように排気系のオリフィスを調整する
。以下実施例１と同様に放電を起こし、スパック法によ
りＣｏＴａＺｒＣ薄膜が得られる。
なお実施例１．２ともに共通することであるが、導入す
るＣＨ４ガス圧力、アルゴンガス圧力は実施例ではその
一例を示したのみであり、ＣＨ４ガスとアルゴンガスの
混合ガス中でのＣＨ、ガスの分圧比が５％以上５０％以
下であれば、オリフィスを調整した後の全圧力が１ｍＴ
ｏｒｒから３０ｍＴｏｒｒの広い範囲で耐摩耗性の優れ
た薄膜が得られる。
るＣＨ４ガス圧力、アルゴンガス圧力は実施例ではその
一例を示したのみであり、ＣＨ４ガスとアルゴンガスの
混合ガス中でのＣＨ、ガスの分圧比が５％以上５０％以
下であれば、オリフィスを調整した後の全圧力が１ｍＴ
ｏｒｒから３０ｍＴｏｒｒの広い範囲で耐摩耗性の優れ
た薄膜が得られる。
また用いるターゲットもここではＣｏＴａＺｒとなって
いるがＣｏ Ｚ ｒ Ｎ ｂを用いても同様の性質を持
つＣｏＺｒＮｂＣ薄膜が得られる。
いるがＣｏ Ｚ ｒ Ｎ ｂを用いても同様の性質を持
つＣｏＺｒＮｂＣ薄膜が得られる。
また真空室内に導入する炭化水素ガスはＣＨ。
のみならず、Ｃ２Ｈ，、Ｃ８Ｈ８，もしくはこれらの混
合ガスであっても同様の効果が得られる。
合ガスであっても同様の効果が得られる。
発明の効果
本発明による軟磁性材料の製造方法により、たとえばＶ
ＴＲ用ヘッドのコア材としてこの材料を用いた際に、長
時間使用してもその摩耗量は少なくフェライトなみの寿
命が保証され、高飽和磁束密度の、耐摩耗性に優れたＣ
ｏＴａＺｒＣ薄膜が比較的容易な方法で得られるわけで
ある。
ＴＲ用ヘッドのコア材としてこの材料を用いた際に、長
時間使用してもその摩耗量は少なくフェライトなみの寿
命が保証され、高飽和磁束密度の、耐摩耗性に優れたＣ
ｏＴａＺｒＣ薄膜が比較的容易な方法で得られるわけで
ある。
第１図、第２図は本発明の軟磁性材料の製造方法に用い
るスパッタ装置の模式図である。 １・・・・・・ターゲット、２・・・・・・基（反、３
・・・・・・コイル、４・・・・・・シャッター、５・
・・・・・基板ホルダー、６・・・・・・ガス導入口、
７・・・・・・排気口、８・・・・・・チャンバー。
るスパッタ装置の模式図である。 １・・・・・・ターゲット、２・・・・・・基（反、３
・・・・・・コイル、４・・・・・・シャッター、５・
・・・・・基板ホルダー、６・・・・・・ガス導入口、
７・・・・・・排気口、８・・・・・・チャンバー。
Claims (3)
- （１）ターゲットにＣｏＴａＺｒ合金もしくはＣｏＺｒ
Ｎｂ合金もしくはこれら各元素よりなる複合ターゲット
を用い、ＣｏＴａＺｒＣもしくはＣｏＺｒＮｂＣ薄膜を
スパッタ法で作製する際、炭化水素ガスとアルゴンガス
の混合ガスをスパッタガスに用いることを特徴とする軟
磁性材料の製造方法。 - （２）混合ガス中での炭化水素ガスの分圧比が５％以上
５０％以下であることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の軟磁性材料の製造方法。 - （３）炭化水素がＣＨ＿４，Ｃ＿２Ｈ＿６，Ｃ＿３Ｈ＿
３の１種類以上からなることを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の軟磁性材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050522A JPS63216968A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 軟磁性材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050522A JPS63216968A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 軟磁性材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216968A true JPS63216968A (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=12861313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62050522A Pending JPS63216968A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 軟磁性材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63216968A (ja) |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP62050522A patent/JPS63216968A/ja active Pending
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