JPH01152255A - 軟磁性材料の製造方法 - Google Patents
軟磁性材料の製造方法Info
- Publication number
- JPH01152255A JPH01152255A JP62309902A JP30990287A JPH01152255A JP H01152255 A JPH01152255 A JP H01152255A JP 62309902 A JP62309902 A JP 62309902A JP 30990287 A JP30990287 A JP 30990287A JP H01152255 A JPH01152255 A JP H01152255A
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- Japan
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- sputtering
- soft magnetic
- magnetic material
- magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高保磁力の磁気記録媒体に高密度に情報を記
録するのに適した磁気ヘッドのコア材料に用いられる軟
磁性材料の製造方法に関する。
録するのに適した磁気ヘッドのコア材料に用いられる軟
磁性材料の製造方法に関する。
従来の技術
高密度磁気記録再生においては、記録媒体の保磁力を大
きくすれば有利であることが一般に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。ヘッドコア材として主流をなすフェライト
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるため、磁気記録媒体の保磁力が１６ｏｏエルステ
・７ドを越えてくると記録が不十分になるという欠点が
ある。
きくすれば有利であることが一般に知られているが、高
保磁力の記録媒体に情報を記録するためには強い磁場が
必要となる。ヘッドコア材として主流をなすフェライト
材はその飽和磁束密度が４０００〜５０００ガウス程度
であるため、磁気記録媒体の保磁力が１６ｏｏエルステ
・７ドを越えてくると記録が不十分になるという欠点が
ある。
一方金属磁性材料で総括されるセンダスト、パーマロイ
等の結晶質磁性合金、あるいはＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒ
Ｎｂ等の非晶質合金等を用いた磁気ヘッドは、一般にフ
ェライト材よりも飽和磁束密度が高く、摺動ノイズも低
いという優れた特徴を有する。この金屈磁性材料薄膜を
作製する時、主にスパッタ法が用いられている。この時
、現在のところスパッタガスとしてアルゴンガスが使用
されている（例えば第９回日本応用磁気学会学術講演会
概要！ｌ Ｐ２４２．ｒ’２２９等）。
等の結晶質磁性合金、あるいはＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒ
Ｎｂ等の非晶質合金等を用いた磁気ヘッドは、一般にフ
ェライト材よりも飽和磁束密度が高く、摺動ノイズも低
いという優れた特徴を有する。この金屈磁性材料薄膜を
作製する時、主にスパッタ法が用いられている。この時
、現在のところスパッタガスとしてアルゴンガスが使用
されている（例えば第９回日本応用磁気学会学術講演会
概要！ｌ Ｐ２４２．ｒ’２２９等）。
しかしながらこのような方法で作製した薄膜は耐摩耗性
、加工性、高周波特性という点に欠点を有している。
、加工性、高周波特性という点に欠点を有している。
発明が解決しようとする問題点
従来のセンダスト合金に関しては、その耐摩耗性に対し
て疑問が持たれており、寿命もフェライト材を用いたヘ
ッドに比べると劣るものであった。
て疑問が持たれており、寿命もフェライト材を用いたヘ
ッドに比べると劣るものであった。
また金属磁性材料は電気抵抗率が低いために高周波領域
で渦電流損失が大きくなり、実効透磁率が小さくなると
いう欠点を有している０本発明は耐摩耗性、並びに高周
波領域において優れた軟磁気特性を示す磁性材料を作製
する方法に関してである。
で渦電流損失が大きくなり、実効透磁率が小さくなると
いう欠点を有している０本発明は耐摩耗性、並びに高周
波領域において優れた軟磁気特性を示す磁性材料を作製
する方法に関してである。
問題点を解決するための手段
スパッタ法によりセンダスト薄膜を作製する際にスパッ
タガスとしてアルゴンガスと窒素ガスからなる混合ガス
を用いることにより窒化センダスト薄膜が作製できる。
タガスとしてアルゴンガスと窒素ガスからなる混合ガス
を用いることにより窒化センダスト薄膜が作製できる。
センダスト薄膜が窒素を含むことにより耐摩耗性に優れ
た、また高周波特性の良好な軟磁性薄膜となる。
た、また高周波特性の良好な軟磁性薄膜となる。
作用
この技術的手段の作用は次のようになる。窒素はプラズ
マ中で窒素イオン、窒素ラジカルを形成し、反応しやす
い状態になっている。−ガスバッタによりターゲットか
らたたき出された原子は、このプラズマ中を通って基板
上に堆積されるわけであるが、これらの原子のいくつか
はプラズマ中を通る際に、反応しやすい状態になってい
る窒素と結合し、基板上には窒素を含んだ軟磁性材料が
堆積される。
マ中で窒素イオン、窒素ラジカルを形成し、反応しやす
い状態になっている。−ガスバッタによりターゲットか
らたたき出された原子は、このプラズマ中を通って基板
上に堆積されるわけであるが、これらの原子のいくつか
はプラズマ中を通る際に、反応しやすい状態になってい
る窒素と結合し、基板上には窒素を含んだ軟磁性材料が
堆積される。
またこのようにして作製された窒化センダストＮ膜は、
従来のセンダストに比べて電気抵抗率が大きいため、高
周波領域に於いても渦電流損失が小さく、高周波特性の
優れた軟磁性薄膜となる。
従来のセンダストに比べて電気抵抗率が大きいため、高
周波領域に於いても渦電流損失が小さく、高周波特性の
優れた軟磁性薄膜となる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を用いて説明する
。
。
（実施例１）
第１図は、本発明に用いたスパッタ装置の模式図である
。ターゲット１はＦｅＡＡ！Ｓｉ合金ターゲット、基板
２は非磁性のセラミック材である。
。ターゲット１はＦｅＡＡ！Ｓｉ合金ターゲット、基板
２は非磁性のセラミック材である。
基板温度５０°Ｃ〜４００℃の範囲であればよい。
真空室内をＩ Ｘ １０４ｔａＴｏｒｒより高真空に排
気したのち、Ｎ２ガスを０．８〜Ｚ ｍＴｏｒｒ ｆ１
人し、アルゴンガスを１０ｍＴｏｒｒになるまで導入す
る。全圧力が２０ｍＴｏｒｒになるように排気系のオリ
フィスを調整する０次にターゲットに負の高電圧（Ｄ、
Ｃ，スパッタ法）もしくは高周波電圧（Ｒ，Ｆ、スパッ
タ法）を加えて放電を起こす。
気したのち、Ｎ２ガスを０．８〜Ｚ ｍＴｏｒｒ ｆ１
人し、アルゴンガスを１０ｍＴｏｒｒになるまで導入す
る。全圧力が２０ｍＴｏｒｒになるように排気系のオリ
フィスを調整する０次にターゲットに負の高電圧（Ｄ、
Ｃ，スパッタ法）もしくは高周波電圧（Ｒ，Ｆ、スパッ
タ法）を加えて放電を起こす。
数十分間のプレスパツタの後シャンター４を開く。
スパッタ時間を調節することにより所望の厚さのＦｅＡ
１！５ｉ−Ｎｉｉ！膜が得られる。なおスパッタ中にコ
イル３に電流を流すことにより幾らかは膜の堆積速度を
大きくすることができる。
１！５ｉ−Ｎｉｉ！膜が得られる。なおスパッタ中にコ
イル３に電流を流すことにより幾らかは膜の堆積速度を
大きくすることができる。
（実施例２）
第２図は、本発明に用いたスパッタ装置の模式図である
。ターゲット１０はＦｅＡβＳｉ合金であり、２枚のタ
ーゲットが対向するように置かれている（対向ターゲッ
ト式スパッタ法）、ターゲ７）１０の裏側にはマグネッ
ト１１が置かれである。マグネットの磁極は図に示すよ
うに、片側のターゲットの裏側にはＮ極が、他方にはＳ
極が配置されており、磁力線はターゲツト面に垂直にな
っている。真空室内をＩ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒより高
真空に排気した後Ｎ２ガスを０．２〜０．８ ｍＴｏｒ
ｒ導入し、アルゴンガスを２ｍＴｏｒｒになるまで導入
する。全圧力が３ ｍＴｏｒｒになるように排気系のオ
リフィスを調整する。
。ターゲット１０はＦｅＡβＳｉ合金であり、２枚のタ
ーゲットが対向するように置かれている（対向ターゲッ
ト式スパッタ法）、ターゲ７）１０の裏側にはマグネッ
ト１１が置かれである。マグネットの磁極は図に示すよ
うに、片側のターゲットの裏側にはＮ極が、他方にはＳ
極が配置されており、磁力線はターゲツト面に垂直にな
っている。真空室内をＩ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒより高
真空に排気した後Ｎ２ガスを０．２〜０．８ ｍＴｏｒ
ｒ導入し、アルゴンガスを２ｍＴｏｒｒになるまで導入
する。全圧力が３ ｍＴｏｒｒになるように排気系のオ
リフィスを調整する。
以下実施例１と同様に放電を起こし、スパッタ法により
ＦｅＡｎＳｉ−Ｎ薄膜が得られる。
ＦｅＡｎＳｉ−Ｎ薄膜が得られる。
なお実施例１．２共に共通することであるが、尊大する
Ｎ２ガス圧力、アルゴンガス圧力は実施例ではその一例
を示したのみであり、Ｎ２ガスとアルゴンガスの混合ガ
ス中でのＮ２ガスの分圧比が０．１％以上４０％以下で
あれば、オリフィスを調整した後のスパッタガス圧力が
０．５〜４０ｍＴｏｒｒの広い範囲で耐摩耗性、高周波
特性の優れた軟磁性薄膜が得られる。
Ｎ２ガス圧力、アルゴンガス圧力は実施例ではその一例
を示したのみであり、Ｎ２ガスとアルゴンガスの混合ガ
ス中でのＮ２ガスの分圧比が０．１％以上４０％以下で
あれば、オリフィスを調整した後のスパッタガス圧力が
０．５〜４０ｍＴｏｒｒの広い範囲で耐摩耗性、高周波
特性の優れた軟磁性薄膜が得られる。
また用いるターゲットもここではＦｅＡｊ！Ｓ ｉとな
っているがＦｅＡｊ！Ｓｉを主成分とする物であれば同
様の性質を持つＦｅＡｆＳｉ Ｎ薄膜が得られる。
っているがＦｅＡｊ！Ｓｉを主成分とする物であれば同
様の性質を持つＦｅＡｆＳｉ Ｎ薄膜が得られる。
発明の効果
本発明による軟磁性材料の作製方法により、例えばＶＴ
Ｒ用ヘッドのコア材としてこの材料を用いた際に、長時
間使用してもその摩耗量は少なくフェライトなみの寿命
が保証され、高飽和磁束密度、耐摩耗性に優れ、高周波
特性の優れたＦｅＡｊ！５ｉ−Ｎ薄膜が比較的容易な方
法で得られるわけである。
Ｒ用ヘッドのコア材としてこの材料を用いた際に、長時
間使用してもその摩耗量は少なくフェライトなみの寿命
が保証され、高飽和磁束密度、耐摩耗性に優れ、高周波
特性の優れたＦｅＡｊ！５ｉ−Ｎ薄膜が比較的容易な方
法で得られるわけである。
第１図、第２図は本発明の軟磁性薄膜を製造するときに
用いるスパッタ装置の模式図である。 １・・・・・・ターゲット、２・・・・・・基板、３・
・・・・・コイル、４・・・・・・シャッター、５・・
・・・・基板ホルダー、６・・・・・・ガス導入口、７
・・・・・・排気口、８・・・・・・チャンバー。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名／−−−タ
ーケヅト ２−−一基板 ３−ｍ−コイか ４−−−シでヅクー ５−一一基認ホルダー ６−−−力゛ス導λロ アー１１１＝気口 ８−ｍ−＋でンバ′− 第１図
用いるスパッタ装置の模式図である。 １・・・・・・ターゲット、２・・・・・・基板、３・
・・・・・コイル、４・・・・・・シャッター、５・・
・・・・基板ホルダー、６・・・・・・ガス導入口、７
・・・・・・排気口、８・・・・・・チャンバー。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名／−−−タ
ーケヅト ２−−一基板 ３−ｍ−コイか ４−−−シでヅクー ５−一一基認ホルダー ６−−−力゛ス導λロ アー１１１＝気口 ８−ｍ−＋でンバ′− 第１図
Claims (2)
- （１）ターゲットに主成分がＦｅＡｌＳｉからなる合金
ターゲットもしくは主成分がＦｅ、Ａｌ、Ｓｉ各元素よ
りなる複合ターゲットを用い、ＦｅＡｌＳｉ−Ｎ薄膜を
スパッタ法で作製する際、窒素ガスとアルゴンガスの混
合ガスをスパッタガスに用いることを特徴とする軟磁性
材料の製造方法。 - （２）スパッタガス中の窒素ガスの分圧比が０．１％以
上４０％以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の軟磁性材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309902A JPH01152255A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 軟磁性材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309902A JPH01152255A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 軟磁性材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01152255A true JPH01152255A (ja) | 1989-06-14 |
Family
ID=17998705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62309902A Pending JPH01152255A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 軟磁性材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01152255A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6706156B1 (en) * | 1996-09-06 | 2004-03-16 | Seagate Technology Llc | Method of making an improved MR sensor |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP62309902A patent/JPH01152255A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6706156B1 (en) * | 1996-09-06 | 2004-03-16 | Seagate Technology Llc | Method of making an improved MR sensor |
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