JPS63219130A

JPS63219130A - 集積回路デバイスの歩留りを改良する方法および装置

Info

Publication number: JPS63219130A
Application number: JP62284089A
Authority: JP
Inventors: ケビン　ジェイ．ストルテンバーグ
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1986-11-10
Filing date: 1987-11-10
Publication date: 1988-09-12
Also published as: FR2606426A1; FR2606426B1; US4739787A; DE3738160C2; DE3738160A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明は一般に真空壊境内にある半導体デバイスのよ
うな材料を処理する方法および装置に関し、さらに詳し
く述べれば、不純物による低い歩留りを見服する改良さ
れた処理の方法および装置に関するものである。

集積回路チップを組立てる際に、シリコンやヒ化ガリウ
ムのような半導休耕のウェー・・は、酸化、イオン注入
によるドープ材拡散、マスキングとエツチング、金属デ
ボゾション、酸化シリコンのような絶縁材料の別のデポ
ジションを含む連続処理ステップを受けて、端子パッド
などを含むいろいろな接続点および相互接続を形成する
。シリコン・ウェーハはそのときテストされ、チップが
通商をパッケージ内に個別に収納される前に分離した集
積回路チップに最終的にスライスされる。メタライゼー
ション、パッシベーションなどの前述のステップは、極
端に清潔な環境で行われなけｎはならない。半導体生産
施設は普通、いわゆる「クリーン・ルーム」を有し、こ
こで室内の空気はフィルタされて速い流を速度で交換さ
れ、作業員は比較的ごみのない衣服を着用される。これ
らの超りリーン生産壊境は、最もちつぼげな異物でさえ
も不良の半導体デバイスを生じると思われるときに必要
とされる。

上述の通り、シリコン・ウェーＩ・の上で行われるいろ
いろなメタライぜ−ションおよびパッシベーションのス
テップは、真空デポジションおよび真空スパッタリング
法を用いて真空中で行われる。

普通、メタライゼーション・ステップの間、１個以上の
半導体ウェーハは−５Ｘ　１０−’　）ルの圧力まで下
げられる真空室の中に置かれ、次に取付具の中に富まれ
る金属、普通はアルミニウム、が鳥エネルヤー電子ビー
ムに露出されて蒸発するようにされる。蒸気はシリコン
基板上で凝縮するようにされ、次に金属層は１個以上の
マスクを通して光に露出されたホトレジスト層によって
形成される所定のパターンにしたがって、反応スパッタ
リング法その他の方法により真空室内であとで腐食され
る。２つ以上のかかるメタライゼーション・ステップが
通常要求さｎる。

次のステップでは、メタライズされかつ腐食されたウェ
ーハはさらにもう１つの真空室の中に置かれ、ここでシ
リコン酸化物（ガラス）が絶縁パッシベーション層を作
るように付着される。

半導体の製造に用いる局部ガス状環境な提供する標準の
真空装置は、出入口のロックをう守つプロセス室と、プ
ロセス室の貧有ガスを排気する手段を与える真空ポンプ
と、それに対するローＶ・ロック２よび出口ロックと、
所望のガスによる真空排気量の制御を可能にするオン／
オフ通気弁、ならびに真空ポンプによるプロセス室の排
気を制御するオン／オフ真空弁を含んでいる。

標準的な先行技術の真空デポジション装置では、真空弁
および通気弁の標準作動は、装置を所定の真空まで排気
したり装置を大気圧まで通気するときに圧力の「バース
ト」を作るが、これは真空室に製品を出し入ｎする前に
生じる。この圧力バーストがプロセス室の中にある不純
物を乱して再分布することを私は発見した。不純物は普
通、プロセス室を通る製品の以前の流れをたどってその
室に残るわずかな微小粒子を含む。例えは、作動のわず
か数サイクル後に、真空メタライゼーション室はその中
に含まれる取付具に付着するようになる金属または金属
酸化物の残留物を集める。同様に、ガラス・パッシベー
ションのステップにおいて、醸化シリコンのわずかな粒
子がその作動に用いられた真空室の光面に集まり、その
仮室内の圧力または室に通じるロックが突然変化される
ときガス運動のラッシュまたはバーストによりゆり落ち
なくなることがある。不純物のこの再分布は、プロセス
および製品の歩留り低下を招くことが多く、これは当然
利益の減少を表わす。

したがって本発明の主な目的は、先行技術の真空による
製造プロセスの上記欠点をなくすことである。

本発明のもう１つの目的は、真空プロセス室の排気およ
びそれに続く通気の際に、その室内の不純物の再分布を
事実上なくす装置および方法を提供することである。

本発明のなおもう１つの目的は、真空プロセス法を用い
て作られる製品の歩留りを改良する方法および装置を提
供することである。

本発明のさらにもう１つの目的は、真空環境の中で、半
導体ウェーハのような加工品のきすに敏感な処理から圧
力バーストを除去する費用効果のよい装置を提供するこ
とである。

在来の真空処理装置は、処理すべき製品を出し入れする
ロード・ドアを持つシステム室を冨んでいる。このドア
は気密シールによって囲筺れている。処理室を真空ポン
プ部に結合する適当なチューブまたはラインが具備され
ており、主な真空ｒ−ト弁がそのライン内に配置されて
いるので、室がいったん適当な負圧に排気されると、弁
はその圧力を保持するために閉じられる。他の時間には
、この弁はあるプロセスの間開いた讐まで製品に継続し
た流ルを与えることもできる。通気弁が中に配置されて
いる通気ラインは、システム真空室を適当な通気ガス源
に結合するので、真空室内の処理ステップが終ると、そ
の通気弁は開かれて通気ガスは排気されたシステム室に
入牡られ、室の内部を大気圧に戻す。

本発明により、主真空デート弁と、モータ駆動のニード
ル弁のような可変オリフィス弁とが並列に置かれている
。モータは電子回路によって制御されるので、七扛は所
定の時間規定により開閉するようになっている。例えば
、駆動モータ制御回路は調節可能な「ターンオン」ラン
プおよび調節可能な全流量「セット・ポイント」を備え
ることができる。所定の時間間隔で閉光条件から聞流条
件になるように設計されている本発明の装置の弁は、以
下「ソフト始動弁」または頭字語［ＳＳ’Ｖ　Ｊと言う
。

装置を排気したいと思うときは、主真空デート弁はＳＳ
Ｖとして当初閉じられる。もしＳＳＶが正の遮断特性を
持たなければ、それと直列に正の遮断弁を凹円すること
が好都合である。正の遮断能力を持つ弁は市販で入手す
ることができる。絶えず作動している真空ボンダに処理
室の内部を露出させるように真空デート弁を開かせる指
令を与える制御信号は、直列遮断弁が使用される場合ぞ
れが直ちに開条件に駆動される間遅延さＧる。ＳＳＶは
あらかじめ選択された速度でめらかしめ選択されたセッ
ト・ポイントまで、ゆっくりと「ランプ」を開き始める
。このセット・ポイントに遅して初めて、真空デート弁
は遅延指令信号に応答する。

かくて、処理室の内部は最大負圧力に即時に露出されず
、こうしないと中に冨まれる不純物が乱されて再分布さ
れる傾向がある。主真空デート弁が閉じるように指令さ
れると、ＳＳＶおよびオプションの遮断弁はいすｎも同
時に閉じられたり、別法としてＳＳＶは直列遮断弁の遅
延閉止を伴う遅い１ランプ」モー１で閉じるようにもさ
れる。

処理室の通気側に本発明を適用すると、ＳＳＶは主通気
弁と直列に直接置かれ、かつ主通気弁が閉じるとき必ず
閉じるように配列される。選択された時定のＳＳＶが正
の遮断能力を有する場合は、主通気弁も装置から全面的
に除去することができる。

しかし、ＳＳＶが正の遮断能力を持たず、かつ主通気弁
と直列になっているものとすれば、主通気弁が開くよう
に指令されるとき、ＳＳＶは即時には開かないが、その
代わり関連のモータ制御回路によって定められたランプ
・アップ規定にしたがって開く。こうして、通気ガスの
処理室への突然のラッシュまたはバーストが回避される
。主通気弁が閉じるように指令されると、モータ制御の
制御を受けてＳＳＶは所定の１ランゾ」で閉じ、次に遅
延閉偏号を直列弁に与える。かくて、真空室の内圧を大
気圧まで上げるのに用いられる通気ガスはゆっくりした
所定の速度で導かれて停止され、かくて真空室内にゆる
く含まれる破片を吹き飛ばす傾向はなく、それを真空室
中で処理されている加工品の上に固定させる。

本発明の上記の利点、特徴および目的は、好適な実施例
の下記詳細な説明から、特に付図と共に考慮したとき、
当業者にとって明らかになると思う。

不純物と関連して代表的な６つのチップ不良モードがあ
る：１、　回路の「ブリッジ」に起因する短絡。

２　回路の「マスク」に起因する短絡。

６、電気、機械または温度ストレスの結果として生じる
「部分」開および短絡に起因する作動期間故障。

第１図から、変化するサイズのチップについて平方セン
ナメートル当たりのきすの数の関数として受入れらるチ
ップの歩留りを、半導体産業で一般に、表わす周知のマ
ーフィー歩留りモデルにしたがって曲線の系列がプロッ
トされている。これらの曲線は、回路に１開」または「
短絡」を生じさせるだけ大きなどんな形のきすや不純物
でも、平方センチメートル当たりの数が増加するにつれ
て、操作チップの歩留りが極めて迅速に０に減少するこ
とを示す。歩留りのグラフは、増加するチップ■積に対
して減少する歩留りを示す。これはチップ面積が増加す
るにつれてその面積にきすを含む確率が増加することに
よる。歩留り対するもう１つの衝撃は、形状が縮むにつ
れて与えらｎた不純物のサイズが故障を引き起こす確率
も増加することである。

かくて使用でき製品の歩留りを増すためには、不純物に
よるきすの影譬を絶対最小に保つことが大切であるのは
明白である。この出願の序の部分で既に指摘した通り、
１つの普通見落される不純物源は半導体ウェーハのバッ
チまたは直列処理での使用に続き真空室内に残る破片で
あることを私は発明した。集積回路の形成において半導
体ウェーハを処理するのに用いられる標準的な真空装置
が第２図に概略的に示されている。ここで、装置は一般
に数字１０で示され、加工品を出し入れする接近ドア１
４を持つ真空室１２が含まれている。

連続作動している真空ポンプ１１に通じる真空ライン１
６は真空室１２に結合されており、ライン１６の中には
真空デート弁ｖ３が配置されている。

この弁は空気作動弁であるのが普通であり、電気オン／
オフ信号の受信により、完全な媒体通過筐たは完全な媒
体妨害の位置をとる。「媒体」とはガスおよび固体粒子
を貧有するカスを含むものとする。

標準的な先行技術の真空処理装置は通気ライン１８をも
＠与、これは通気ガス源（図示されていない）に結合す
るように配列されかつ真空室１２に通じている。ライン
１８と直列に圧力調整器２０および通気弁ｖ１が配置さ
れ、後者は空気作動によるバング−開／バングー閉形の
弁であり、装置のプロセス制御器（図示されていない）
で発生する電気オン／オフ「通気」指令によって作動さ
れる。

真空処理装置についてこれまで説明したが、真空中で処
理ステップを実行したいときは、真空室１２のドア１４
が開かれて加工品は真空室内に含まれる保持取付具に適
当に置か扛る。ドアは次に再び閉じられて密封される。

この時点で通気弁ｖ１は閉じられて、真空弁ＶＳがシス
テム処理制御器からの電気信号によって開くように指令
されると、弁ｖ３は比較的迅速に開き、真空ライン１６
に結合される真空ポンプ１１によって供給される負圧力
に真空室の内部を露出させる。負圧力のこの突然な印刀
口は前の処理サイクルから真空室１２の内部に残留する
粒状物質を乱すことが判明しており、この破片は処理す
べき加工品の上に定着してその不純物を生じる。

いったん処理ステップが完了すると、弁ｖ３は「バング
」閉になる一方、通気弁ｖ１は「バング」開になるよう
に指令される。

もちろん、真空室１２の内部に大気圧を急に当てると、
行われる製造プロセスの性質次第で窒素、アルプルまた
はヘリウムであることが標準的な通気バスの殺到を招く
。真空室１２へのこのガスの殺到は、室１２自体の内壁
および内面から、またその中に含まれる取付具から、ゆ
るい異物のわずかな粒子を再びゆり動かす１頃向がある
。この異物は、室の出入口のドア１４を介して室１２か
らそれを取り除く前に加工品の上にきまって定着する。

この問題をなくしかつ；ｆニルによって真空処理操作か
ら生じる使用可能な製品の歩留りを増加させるために、
私は上述の先行技術の装置に破線がツクス２２および２
４で囲んで示される装置を追加した。図示の通り、バン
グ開−パング閉の真空弁ｖ３と並列にバイパス・ライン
２６が接続され、分岐２６の中にはソフト始動のモータ
作動による可変オリフィス弁ＳＳＶ、が含ま６でいる。

また破線がツクス２２によって囲まれて示されるモータ
２８の軸は弁５ｓｖ４に適当に結合され、モータは第６
図に関して以下に詳しく説明される制御回路２９によっ
て制御される。本発明を実施するに当たって、私は可変
オリフィス弁ＳＳＶ、に結合される軸を持つタイプ１６
２４　　Ｍｉｃｒｏ４ｏモータを使用した。本出願に用
いるのに通した弁はＮｕｐｒｏタイプＢ　Ｓ　−４ＢＭ
Ｇであるが、Ｎｕｐｒｏから入手できる他のモデルも同
様に開用さｎｌそして、正の遮断能力を官むことがある
。モータ制御回路２９および３０はおのおの、弁５ＳＶ
２ならびにＳＳＶ、により所定の流れと時間との関係を
与えるように配列されている。この点で、モータ制御回
路の接続図を示す第６図についてこれから言及する。

第２図の装置に用いられた各モータ制御回路２日および
３０は、２つの主な副組立体、すなわち′１圧調整回路
３８と直流サーボ・モータ制御／駆動回路４ｑとから成
るものと考えられる。ワンショットに基づく時間遅延回
路３６も、第２図に示された通気弁ｖ１および真空弁ｖ
３と共に利用される。

電圧調整器３８は固体６端子デバイスとして示され、な
るべく、七の入力端子４２で未調整直流′電圧を受ゆか
つその出力端子４４で電位差計４６によってセットされ
る大きさの定常な調整済電圧を作る６タイプＬＭ３１７
果槓回路電圧眺贅器チツノ３９であることが望ましい。

コンデンサ４８および５０はリッノル・フィルタの働き
をする。

端子４４に現われる信号Ｖａｄｊ　ｉｄ順次、これから
説明するようにサーボ・モータ制御駆動器４０に供給さ
れる。電圧調整回路３８は、サーボ・モータ制御駆動回
路４０および遅延回路３８によっても利用される定常な
、よく調整された直流バイアス信号Ｖ十を供給する＄２
の６端子集積回路調整器チツゾ５２をも宮んでいる。図
面の中の不必要なラインを除去するために、電圧調整器
３９および５２からの出力を回路の残りに接続する導線
は除かれており、ｖａｄｊおよびＶ＋で標示される回路
の端子が電圧調整器３９および５２の対応して標示され
る端子に接続されていることは言うまでもない。

時間遅延回路３６は、ワンショット回路として形成され
ている例えばタイプエＣＭ　７２４２のような精密タイ
マ集積回路５４を含んでいる。電圧基準源ｖ＋とそのピ
ン１および１との間に、コンデンサ５６ならびに可変抵
抗器５８を會むＲｅタイミング回路が結合されているが
、これらは共に精密タイマの遅延周期を決定する。

タイマ用のトリが信号は、システム制御パネル（図示さ
れていない）から入力６０に加えられる「弁開」葦たは
「弁閉」制御信号から得られる。

この信号は「開」指令では２進の「ノ・イ」であり、「
閉」指令では２進の「ロー」である。いずれの場合でも
、それは限流抵抗器６２を経て演算増幅緩衝インバータ
６４の非反転入力ならびに同様な演算増幅インバータ６
６０反転入力に結合される。

基準電圧源は、■＋と大地との間に接続される直列抵抗
器ＴＯおよび７２を含む抵抗性分圧器の中央端子６８か
らこれらの各緩衝器の残りの入力に加えられる。２個の
緩衝インバータ６４および６６からの出力はγ４で共に
ＯＲ接続されるので、いずれかの指令により２進のハイ
信号が生じ、また端子ＡとＣとの間に図示の通りジャン
パが接続されると、このハイ入力はＩＣタイマ５４と、
抵抗器１３およびコンデンサ７５を含むその関連ＲＣタ
イミング網とから成る遅延ワンショットをトリがするこ
とができる。回路５４のピン３に現われる出力は常時ハ
イで必り、ＲＣ郡品５６および５８によって設定される
タイマの周期の間口−に進む。

論理電圧レベルの範囲に合う開コＶクタ出力を持つも９
１つのインバータ１６ならびにジャンパ選択可能なオプ
ション特徴によって、［遅延用）列信号は下流の嗣理に
合うハイまたはロー条件のいずれかに選択される。特に
、ピン３からの出力はトリが信号と共に１８で抵抗器Ａ
ＮＤ接続され、またジャンパが図示の通り接続されると
、遅延出力信号はハイになるが、ジャンパが逆にされる
と遅延出力はローになる。

弁開／弁閉指令は極性にかかわらず接続点７４に現われ
、モトローラのタイプＭｃ３３０３０デバイスであるこ
とが望ましい直流サーが・モータ制御器チップ８０に加
えられる。それは完全な閉ループ・システムに必要なす
べての能動機能を供給するように設計された直流サーボ
・モータ制御器である。モトローラ社の高等情報出版物
ＡＤ工１１５４Ｒ１に指摘されている通り、ＭＯ３３０
３０直流サーボ・モータ制御器は充全な閉ループ・シス
テムに必要な能動機能のすべてを供給する。この装置は
オンチップ演算増幅器および広い入力共通モード範囲を
持つウィンドー比較器、直接メモリを持つドライブおよ
びブレーキ論理、１．０アンペアを扱うことができる電
力Ｈスイッチ・ドライバ、独自にプログラム可能な過電
流モニタおよび運転停止遅延装置、ならびに過電圧モニ
タから成っている。過電流モニタは、モータにより駆動
されているアクチュエータが走行限度に達するときに生
じる固定したモータ条件とモータ始動とを区別するよう
に設計されている。電力Ｈスイッチ源電流の一部は′電
流比較器の２つの反転入力の内の１に内部供給される一
方、比較器の非反転入力はプログラム可能な電流基準に
よって駆動される。基準ノベルはＭ２Ｂ５［］３０工ａ
チッノのＲ８０人カ人力に接続された抵抗器８２の成分
値によって制御される。過電流条件の間、比較器はター
ン・オフして′−流源に遅延コンデンサ８４を充電させ
る。コンデンサ８４の電荷が約７．５ボルトになると、
工Ｃチップ内に富まれる過電流ラッチのセット人力はハ
イになり、電力Ｈスイッチのドライブおよびブレーキ機
能を使用不能にする。かくて、モータ制御弁ＳＳＶ、ま
たは５ＳＶ２が開に駆動されるべきとき、モータ２８ま
たは３２は弁ステムがその走行限度に達するまで全開位
置に駆動され、またモータがそれらをさらに駆動するに
つれて、その軸は失速して過電流条件を作り、それによ
ってモータからの駆動が失われることになる。同様に、
弁が全開から全閉位置に駆動されると、過電流条件は弁
が完全に坐らされるようになるとき生じる。

タイプ３３０３０集積回路チップは１００ミリアンペア
の範囲内の過電流条件に常時応答し、また本発明の弁と
共に使用されるモータはこの範囲の高い所で失速回転子
電流を生じないので、チップは記号９０で表わされるシ
ステム接地９０とデバイス８０のＧＮＤビン４．５．１
２および１３との間に接続されている抵抗器８６および
コンデンサ８８の並列組合せを含めることによって特定
の応用に適応される。ＲＣｌ路の両端に作られる電圧は
、縦続接続の増幅器９２および９４によって増幅され、
合成増幅出力は演算増幅比較器９６の非反転入力に加え
られる。演算増幅器９６のしきい値は、基準電圧源Ｖ＋
と大地との間に固定抵抗器１００と直列に接続される電
位差計９８によってセットされる。ＲＣ回路８８から得
られる増幅された信号が比較器９６用に設定されたしき
い値を越えると−きにコンデンサ８４は充電し始め、コ
ンデンサの両端の電圧が制御／駆動器チツノ８０と組み
合わされる７、５ボルトのしきい値に達するとき、モー
タ端子ピン１０および１４から駆動が除去される。電位
差計１０２は過電流感知の応答時間を変化させる。

好適な実施例の構造面を説明したが、次にその操作モー
ドについて説明する。

真空処理操作を始めるに当って、真空室１２の（ハ）部
は大気圧にされ、ドア１４は加工すべきデバイスを入れ
るように開かれる。Ｐ７１４が閉じられて封止さすると
、通気ライン１８にある通気弁Ｖ工およびソフト始動弁
５Ｓｖ２は閉じられる。さらに、主真空弁ｖ３およびソ
フト始動弁５ＳＶ４も閉じられる。システム制御パネル
（図示されていない）からの「ポンプ」制御指令を受信
すると、モータ制御回路２９に対する信号は前述の流量
対時間の関係を示す曲線にしたがってモータ２８に弁Ｓ
ＳＶ。

を開かせる。時間遅延回路３６がＳＳＶ制御回路２９の
中に宮まｎているので、主真空デート弁ｖ３はソフト始
動弁５ＳＶ４のランプアップ周期が終ってそれが完全に
開かれるまで開かない。仄に、真空室１２の内部は真空
源の完全な負圧力を斡時に受けないが、その代わりに中
に宮まれるガスを真空ライン１６から、バイパス・ライ
ン２６を介して、絶えず作動している真空ポンプ部にゆ
っくり抜くことが分かる。

システム制御パネルからの信号が真空デート弁ｖ３に閉
を指令すると、それは即時に閉じるが、モータ２８はモ
ータ制御回路２９の制御を受ゆて升ＳＳＶ、を所定のラ
ンプ閉関係にしたがってその閉条件に再び駆動する。も
し弁５ＳＶ４が正の遮断能力を持たなけｎば、空気また
はンレノイド作動によるバング開／バング閉弁は弁ｓｓ
’ｖ、と直列に置かれるが、遅延周期が経過して始めて
そのように開閉するようにされる。

標準的な通気の操作段階では、プロセス制御パネルから
の電気信号は主通気弁Ｖ１を開くように指令するのに用
いられる。この同じ信号はモータ制御回路３０に加えら
れて、それはモータ３２にランノ篭圧を加えるように機
能し始めるので、ソフト始動弁５ＳＶ２は所定の時間間
隔にわたりその所定のセットポイントの流れ条件まで開
くように駆動される。こうして、通気ガス供給装置（図
示されていない）からの通気ガスは５ＳＶ２によって設
定された関係にしたがって真空室１２に流れ込むように
される。これは、通気ガスの完全な殺到がシステムの主
通気弁ｖ１を通して流れるようにされた場合、ほかの方
法では真空室内に受けると思われる衝撃を減少または除
去する。

かくて本発明により、真空処理室１２の制御機構が提供
され、それによって室内の急漱な圧力バーストがポイン
ト・ダウンおよび通気のサイクル中に回避されることが
分かる。これは、処理中の加工品のきず発生を著しく減
少するとともに処理操作の完成に要する時間の量を実質
的に増加しないことが判明している。

当業者は、ここに説明された好適な実施例に対している
いろな変更および変形が行われることを認めると思う。

例えば、通気弁ｖ１がそれ自体ニードル弁、ポール弁、
バタフライ弁、またはデート弁のような可変オリフィス
弁であれは、それは弁５ＳＶ２が操作されたのと同じ形
式でモータによって直接操作されることが認められる。

これは別の、直列接続されたソフト始動弁の必要をなく
す。

しかし、私が気づいている先行技術のシステムはすべて
通気ライン１８に空気式「バング」弁ｖ１を備えている
ので、それと直列に別のソフト始動弁を追加するほうが
便利であることが判明した。

もう１つの別法は、ソフト始動弁５ＳＶ４を真空弁ｖ３
と図示のように並列ではなく直列に仲人することである
。七のとき、「ポンプ」指令に応じて、ｒ−ト弁ｖ３は
すぐに開くが、弁ｓｓｖ、は所定の時間関係にしたがっ
て遅れて開く。真空ポンプ１７に対するラインを締め切
るとき、弁Ｓ　ＳＶ、は駆動されてゆっくり閉じられ、
それに伴ってｒ−ト弁ｖ３は遅延回路３６によって定め
られた所定の時間遅延後に閉じられる。弁５ＳＶ４が正
の遮断能力を有しかつプログラムされた速度により全開
および全開にされると、ｒ−）弁ｖ３も除くことができ
る。

この発明は本明細書において、特許法に準拠し、新しい
原理を応用するに要する情報を当業者に提供し、さらに
かかる必要な専用の構成部品を作りかつ丈用するように
、詳しく説明された。しがしぎうまでもなく、本発明は
特に異なる装置およびデバイスによって実行することが
でき、また装置の細部および操作手順のいずれについて
も発明の範囲から逸脱せずにいろいろな変形が得られる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は良好な集積回路チップの歩留りがきず密度の関
数として変化する様子を示す曲線の系列。第２図は本発明を包貧する真空処理装置の接続図、第６
図は第１図の図面に示されるモータ制御回路のブロック
図、第４ａ図および第４ｂ図は本発明が使用されるとき
ならびに使用されないときの通気弁動作の流れ関係を示
す比較図、第５ａ図および第５ｂ図は装置の真空側の第
４ａ図ならびに第４ｂ図のような流れ関係の比較図であ
る。主な符号の説明１０・・・真空処理装置；１２・・・真空室；１４・・
・ドア、１６・・・真空ライン；１１・・・真空ポンプ
；１８・・・通気ライン；２０・・・圧力調整器；ｖｌ
・・・通気弁；ｖ３・・・真空弁；　５ｓｖ３．５ｓｖ
４・・・可変オリフィス弁；２８．３０・・・モータ；
２９．３０・・・モータ制御回路。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空環境において加工品を処理する方法であつて
：（ａ）加工品を排気可能な室に挿入し；（ｂ）前記室の内部を第１の所定時間関係にしたがつて
所定の負圧力に露出させ；（ｃ）前記加工品の上でプロセス・ステップを実行し；
そして（ｄ）前記室から前記加工品を取り除く前に第２の所定
時間関係にしたがつて前記室の内部を大気圧に戻し、前
記第１および第２の時間関係は前記室内の粒状物質を無
視できないほど乱す前記室に出入する過度のガス流量を
回避するに足る長いものである、ことを特徴とする前記方法。
（２）真空条件の下で加工品に関して１つ以上の製造プ
ロセスを実行すべき真空室と、所定の負圧力を作る真空
ポンプ部と、前記真空ポンプ部を前記真空室に結合する
オン／オフ真空弁を含む真空ラインと、所定の正圧力で
の通気ガス源と、前記通気ガス源を前記真空室に結合す
るオン／オフ通気弁を含む通気ラインと形の真空処理装
置であつて：（ａ）前記通気弁と直列を流れ関係に接続
される可変オリフィス弁と；（ｂ）前記可変オリフィス弁に作動結合されるモータ装
置と；（ｃ）電気指令信号に応じて、所定の流量対時間の関係
にしたがい前記通気ガス源からの通気ガスを前記真空室
に流入させるように前記モータ装置を駆動するモータ制
御装置と、を含む改良を有することを特徴とする真空処
理装置。
（３）前記所定の流量対時間の関係が、他の方法では前
記真空室内にある粒状物質を移動させることがある通気
ガスの前記真空室への殺到を回避するように十分長い正
の傾斜を持つランプである、ことを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載による真空処理装置。
（４）真空条件の下で加工品について１回以上の製造プ
ロセスが実行されるべき真空室と、所定の負圧力を作る
真空ポンプ部と、前記真空ポンプ部を前記真空室に結合
するオン／オフ真空弁を含む真空ラインと、所定の正圧
力での通気ガス源と、前記通気ガス源を前記真空室に結
合するオン／オフ通気弁を含む通気ラインとを含む形の
真空処理装置であつて：（ａ）前記真空弁と並列な流れ関係に接続される可変オ
リフィス弁と；（ｂ）前記可変オリフィス弁に作動結合されて、前記弁
を流体阻止位置と流体通過位置との間で駆動するモータ
装置と；（ｃ）電気指令信号に応じて、前記可変オリフィス弁を
所定の時間関係にしたがい前記流体阻止位置と流体通過
位置の間で駆動するモータ制御装置と、を含む改良を有することを特徴とする真空処理装置。
（５）前記真空弁は前記電気指令信号に応じて流体阻止
および流体通状態の間で電気的に作動し得る、ことを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載による真空処理装置
。
（６）前記所定の時間関係よりも長い周期の間、前記真
空弁による前記電気指令信号の受信を遅らせるように結
合された信号遅延装置をさらに含む、ことを特徴とする
特許請求の範囲第５項記載による真空処理装置。
（７）前記所定の時間関係がゼロ流量条件と所定のセッ
トポイント流量条件との間で所定の正傾斜のランプであ
る、ことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載による
真空処理装置。
（８）前記所定の時間関係が前記室からの流体の流速を
前記室内に含まれる破片が比較的乱されない点に制限す
る、ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載による
真空処理装置。
（９）真空条件の下で加工品について１回以上の製造プ
ロセスが実行されるべき真空室と、所定の負圧力を作る
真空ポンプ部と、前記真空ポンプ部を前記真空室に結合
するオン／オフ真空弁を含む真空ラインと、所定の正圧
力での通気ガス源と、前記通気ガス源を前記真空室に結
合するオン／オフ通気弁を含む通気ラインとを含む形の
真空処理装置であつて：（ａ）前記電気弁と直列な流れ関係に接続される第１可
変オリフィス弁と；（ｂ）前記第１可変オリフィス弁に作動結合されるモー
タ装置と；（ｃ）電気指令信号に応じて、所定の流量対時間関係に
したがい前記通気ガス源から前記真空室に入る通気ガス
の流れを開始させるように前記モータ装置を駆動する第
１モータ制御装置と；（ｄ）前記真空弁と並列な流れ関係に接続される第２可
変オリフィス弁と；（ｅ）前記第２可変オリフィス弁に作動結合されて前記
第２弁を流体阻止位置と流体通過位置との間で駆動する
もう１つのモータ装置と；（ｆ）電気指令信号に応じて、前記第２可変オリフイス
弁を所定の時間関係にしたがつて前記流れ阻止位置と流
れ通過位置の間で駆動する第２モータ制御装置と、を含む改良を有することを特徴とする真空処理装置。
（１０）前記第１および第２可変オリフィス弁はニード
ル弁、バタフライ弁、ゲート弁、ボール弁およびポペッ
ト弁を含む群から選択される、ことを特徴とする特許請
求の範囲第９項記載による真空処理装置。