JPS63220162A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、表面保護膜を設けたセレン系感光体に関する
。

従来９扶逝 電子写真感光体としてアモルファスセレン感光体はよく
知られており、その耐熱性、分光感度、暗減衰等におけ
る欠点については、セレン層に砒素を添加したり、また
セレン層の上にセレンテルル合金層を設けた積層構成と
することにより改良がなされている。

そして通常の複写機で必要とされる比視感度域において
はセレン砒素合金感光体が他の全ての感光体より高感度
であり、また半導体レーザー光を光源としたプリンタで
必要とされる長波長感度域においてはセレンとセレンテ
ルル合金をこの順に設けた積層構成よりなる感光体が最
も高感度な感光体の一つであることが知られている。

しかし、そのような感光体でも繰り返し使用すると画像
欠陥、白スジ等の問題が発生する。これは、セレン砒素
、セレンテルル合金がＪ　Ｉ　Ｓ−に−５４００規格鉛
筆硬度にしておよそＨ程度と柔らかいため、繰り返し使
用における転写紙、クリーニ、ング部材、現像剤等との
摩耗により感光体表面が削れたり、傷付いたりするため
である。また、ベーパージャム時およびその復帰の際の
人為的操作等による苛酷な表面接触もその一因となる。

また、セレン金属は有毒であるため、削り取られたセレ
ンあるいは砒素、または複写機内の熱により気化したセ
レン、砒素等の金属が人体に与えるＢすｔ７も懸念さ°
れる。

そこで、感光体の表面に保護層を設は上記問題点を解消
する試みが提案きれている。

特開昭５３−２３６３６号公報および特開昭５３−１１
１７３４号公報に記載の技術はセレン系感光層上に、特
定の珪素化合物塗布し硬化させた絶！Ｗ層を設けた感光
体を開示している。

特開昭５９−５８４３７号公報に記載の技術はセレンを
含む感光層上に、ＳｉとＮまたはＳｔと０との化合物を
主体とする保護層を設けた感光体を開示している。

特開昭６０−６１７６１号公報に記載の技術は感光活性
層の表面に、ダイヤモンド状炭素膜を被覆した感光体を
開示している。

、Ｂが　′　しようとする４″、。

しかしながら、上記特開昭５３−２３６３６号公報およ
び特開昭５３−１１１７３４号公報記載の感光体は表面
硬度カー低いため感光体表面が傷付きやすいという欠点
が、上記特開昭５９−５８４３７号公報記載の感光体は
ｉ！ｆｌ湿性が悪く、画像流れが発生しやすいという欠
点が存在するｒ、＋：ｆ：、上記特開昭６０−６１７６
１号公報記載の感光体も耐湿性が悪く、画像流れが発生
しやすいという欠点が存在し、ざらに上記公報はアモル
ファスシリコンを感光活性層とする開示であり、セレン
系感光層に応用しようとすると帯電能の低下を招くとい
う欠点が存在する。

すなわち、セレン砒素合金単層構成あるいはセレンとセ
レンテルル合金をこの順に設けた積層構成よりなる感光
体は、その表面が柔らかく傷が付きやすく、また、長期
間使用しても画像流れ等の発生しない有効な保護膜は存
在しない。

そこで、本発明の目的は、繰り返し使用しても感光体表
面に傷が付かず、かつ耐候性に優れた感光体を提供する
ことにある。

本発明のざらなる目的は、帯電能の低下を伴わない保護
膜を有する感光体を提供することにある。

間Ｍ寺を　２するための−Ｖ すなわち本発明は、導電性基板上にセレン砒素合金単層
構成ないしはセレンとセレンテルル合金をこの順に設け
た積層構成よりなる感光体において、表面保護層を設け
、該表面保護層（よグロー放電法により生成され、少な
くともカルコゲン原子を含む非晶質炭化水素膜であるこ
とを特徴とする感光体に関する。

本発明感光体の構成例を第１図に示す。アルミニウム等
の導電性基板（３）上に感光ｉ　（２）および非晶質炭
化水素膜よりなる表面保護層（１）が順次積層されてい
る。感光層（２）はそれ自体公知のセレン砒素単層また
はセレン層とセレンテルル合金層を基板（３）上に順次
積層したものである。

本発明の特徴は、表面保護層（１）の非晶質炭化水素膜
中に少なくともカルコゲン原子を含むことである。非晶
質炭化水素膜はそれ自体４Ｈ程度の硬い膜であるが、カ
ルコゲン原子を含有させることにより、より硬度のある
傷付きにくいかっ、耐湿性を有し、好適な帯電能を保証
し、しかもより透光性に優れた表面保護層（１）とする
ことができる。

非晶質炭化水素膜中に含有されるカルコゲン原子の量は
、全構成原子に対して０．１原子９６以上、好ましくは
０．５原子％以上、より好ましくは１゜０原子％以上で
ある。カルコゲン原子の量が全構成原子に対し・て０．
１原子％より少ない場合には、耐湿性、帯電能の面で好
ましくない。

本発明において非晶質炭化水素膜中に含有されるカルコ
ゲン原子の最大含有量は特に制限はないが、表面保護層
の構造およびグロー放電という製造面から必然的に制約
される。

非晶質炭化水素膜中に含有きれる水素原子の量は特に制
限はないが、表面保護層の構造およびグロー放電という
製造面から必然的に制約され、その量は概ね３０ないし
６０原子％となる。

非晶質炭化水素膜中に含有される炭素原子、水素原子、
カルコゲン原子等の量は、有機元素分析、オージェ分析
等の手段により知ることができる。

本発明の表面保護層（１）は、０．０１ないし５μｍ１
好ましくは０．０５ないし２μｍ１より好ましくは０．
１ないし１μｍの厚ざに形成する。

０．０１μｍより薄いと膜強度が低下し、傷が付きやす
くなる。士な、５μｍより厚いと透光性が低下し、照射
光をセレン系感光層中に有効に導くことができなくなり
感度低下を招く。

本発明の感光体の表面保護層（１）は、自体公知なセレ
ン砒素合金単層構成の感光体、またはセレンとセレンテ
ルル合金をこの順に設けた積層構成よりなる感光体の上
に形成すればよく、本発明の目的を有効に達成すること
ができる。

表面保護層（１）はグロー放電法により形成する。表面
保護層（１）は気相状態の少なくとも炭素原子および水
素原子を含む分子を少なくともカルコゲン原子を含む分
子とともに減圧下で放電し、発生したプラズマ雰囲気中
に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡散、
電気力あるいは磁気力等により誘導し、基板上での再結
合反応により同相として堆積させる、いわゆるプラズマ
反応（以下、Ｐ−ＣＶＤ反応という）することにより少
なくともカルコゲン原子を含む非晶質炭化水素膜として
調整することができる。

上記各分子は常温常圧において必ずしも気相で有る必要
はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化し得るものであれば、液相でも同相でも使用
可能である。

少なくとも炭素原子および水素原子を含む分子としては
炭化水素、例えば、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂
環式炭化水素、芳香族炭化水素、等を用いることができ
る。

飽和炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、ジメチルブタン、メチルヘキサ
ン、エチルペンタン、ジメチルペンタン、トリブタン、
メチルへブタン、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタ
ン、イソナノン、等を用いることができる。

不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、ブテン、ペンテン、メチルブテン、
・ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘプテン、オクテ
ン、アレン、メチルアレン、ブタジエン、ペンタジェン
、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、オシメン、アロ
シメン、ミルセン、ヘキサトリエン、アセチレジ、メチ
ルアセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキシン、ヘプチン
、オクチン、ブタジイン等を用いることができる。

脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロプロペン、シクロブ
テン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテン、リモネン、テルビルン、フエラン
ドレン、シルベストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボ
ルニラン、カンフエン、フエンチェン、シクロブタンチ
エン、トリシクレン、ピサボラン、ジンギベラン、クル
クメン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン
、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カンホラン
、フィロクラテン、ボドカルブレン、ミラン等を用いる
ことができる。

芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、−イソジュレン、ジュレン、ペンクメ
チルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン
、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェニル、
テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニルメタン
、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テ
トラリン、アントラセン、フェナントレン等を用いるこ
とができる。

非晶質炭化水素膜中に含まれる水素原子の量は、成膜装
置の形態並びに成膜時の条件により変化し水素量が低く
なる場合としては、例えば、基板温度を高くする、圧力
を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を低くする、水
素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の場合が挙げられる。

少なくともカルコゲン原子を含む分子としては、例えば
、Ｈ２Ｓ５ＣＨ３（ＣＨ２）４Ｓ（ＣＨ２）４ＣＨ３、
ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２５ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、Ｃ２Ｈｓ　
ＳＣ２Ｈ５、Ｃ２Ｈｓ　Ｓ　ＣＨ３、チオフェン、Ｈ２
Ｓｅ１（Ｃ−Ｈ５，、）２Ｓｅ、Ｈ＝：Ｔｅ等を用いろ
ことｊＪ”でさ゛る。

非晶質炭化水素膜中に台上れろカルコゲン原子の量は、
Ｐ−ＣＶＤ反応に用いる少なくともカルコゲン原子を含
む分子の量を増減することにより調整することができる
。

第２図および第３図は本発明の表面保護膜を形成するた
めのグロー放電分解装置の一例を示す図である。第２図
は平行平板型Ｐ−ＣＶＤ装置、第３図は円筒型Ｐ−ＣＶ
Ｄ装置を示す。

まず、第２図を用いて説明する。

第２図中（７０１）〜（７０６）は常温において気相状
態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第１
ないし第６タンクで、各々のタンクは第１ないし第６調
節弁（７０７）〜（７１２）と第１ないし第６流量制御
器（７１３）〜（７１８）に接続されている。

図中（７１９）〜（７２１）は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第１ないし第３容
器で、各々の容器は気化のため、第１ないし第３加熱器
（７２２）〜（７２４）により与熱可能であり、さらに
各ノＪの容２＋’＋は第７ないし第９調節弁（７２５）
〜（７２７）と第７ないし第９流量制ｉ卸器（７２８）
〜（７３０）に接続されている。

これらのガスは混合器（７３１）で混合されｔ：後、主
管（７３２）を介して反応室（７３３）に送り込まれる
。

途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、与熱
可能とされている。

反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（７３
６）が対向して設置きれ、各々の電極は電極加熱器（７
３７）により与熱可能とされている。

電力印加電極（７３６）には、高周波電力用整合器（７
３８）を介して高周波電源（７３９）、低周波電力用整
合器（７４０）を介して低周波電源（７４１）、ローパ
スフィルタ（７４２）を介して直流電源（７４３）が接
続されており、接続選択スイッチ（７４４）により周波
数の異なる電力が印加可能ときれている。

反応室（７３３）内の圧力は圧力制都弁（７４５）によ
り調整可能であり、反応室（７３３）内の減圧は、排気
系選択弁（７４６）を介して、拡散ポンプ（７４７）、
油回転ポンプ（７４８）、あるいは、冷却除外装置（７
４９）　、メカニカルブースターポンプ（７５０）、油
回転ポンプ（７４８）により行なわれる。

排ガスについては、ざらに適当な除外装置（７５３）に
より安全無害化した後、大気中に排気される。

これら排気系配管についても、常温において液相または
同相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器（７３４
）により、与熱可能とされている。

反応室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器（７５
１）により与熱可能とされ、内部に配された電極上に基
板（７５２）が設置される。

′；２２図において基板（７５２）は接地電極（７３５
）に固定して配されているが、電力印加電極（７３６）
に固定して配されても良く、ざらに双方に配されても良
い。

第３図に示した装置も基本的には第２図に示した装置と
同様であり、反応室（７３３）内の形態が基板（７５２
）が円筒形であることに応じて変更されているものであ
る。基板（７５２）は接地電極（７３５）を兼ね、電力
印加電極（７３６）および電極加熱器（７３７）共に円
筒形をなしている。また、導電性基板（７５２）は、外
部より駆動モータ（７５４）を用いて自転可能となって
いる。

以上の構成において、感光体製造に供する反応室は、拡
散ポンプにより予め１０−４ないし１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸着したガ
スの脱離を行なう。

同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された基板を所定の温度まで昇温する。

基板としては導電性基板上に自体公知のせレン砒素合金
の単層ないしはセレンとセレンテルル合金をこの順に設
けた積層構成よりなる感光体を用いる。

次いで、第１ないし第６タンクおよび第１ないし第３容
器から原料ガスを第１ないし第９流量制御器を用いて定
流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により反
応室内を一定の減圧状態に保つ◇ ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を
投入する。

両電極間には放電が開始きれ、時間と共に基板上に固相
の非晶質炭化水素膜が形成きれる。所定の膜厚に達した
ところで放電を停止し、本発明による感光体を得る。

本発明の表面保護層には、ざらにハロゲン原子を添加し
て感光体表面に高い滑性を付与することも可能である。

本発明の表面保護層には、ざらに周期律表第■族原子を
添加して感光層との高い接着性を付与することし可能で
ある。

本発明の表面保護層には、ざらに周期律表第入′族原子
、周期律表第１ＩＩ族原子等を添加して高い帯電能を付
与することも可能である。

以下、実施例を挙げながら本発明を説明する。

実旗剖に旦 第３図に示すグロー放電分解装置において、感光体の表
面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１０＝Ｔ。

ｒｒ程度の高真空にした後、第１、第２および第３調節
弁（７０７，７０８および７０９）を解放し、第１タン
ク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）より
ブタジェンガスおよび第３タンク（７０３）より硫化水
素ガスを各々出力圧１゜０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１、第
２および第３流量制御器（７１３，７１４および７１５
）内へ流入させた。そして各流量制御器の目盛を調整し
て、水素ガスの流量を３００ｓｅｃｍ、ブタジェンガス
の流量を６０　ｓ　ｅ　ｃｍおよび硫化水素ガスの流量
を１０１０５ｅとなるように設定して、途中混合器（７
３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）
内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７
３３）内の圧力が０．５Ｔ。

ｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一
方、基板（７５２）としては、直径８０Ｘ長；：３３０
ｍｍのアルミニウム基体に、予め別の真空蒸着装置を用
いて常法に従い、セレン砒素合金単層構成からなる感光
層（実施例１）およびセレンとセレンテルル合金をこの
順に設けた積層構成よりなる感光層（実施例２）を約５
０ａｍの膜厚で形成したものを用いた。基板（７５２）
は、ガス導入前に約１５分間をかけて常温より５０℃に
まで昇温しな。ガス流量および圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６
）に１５０Ｗａｔｔの電力を周波数１００ＫＨｚの下で
印加して約２分間プラズマ重合反応を行ない、基板（７
５２）上に厚ざ０．２５μｍの非晶質炭化水素膜を表面
保護層として形成した。成膜完了後は電力印加を停止し
、水素ガス以外の調節弁を閉じ、反応室（７３３）内に
水素ガスだけを２００ｓｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒに保持し、約１５分間で３０℃まで降温した。その
後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充
分に排気し、反応室（７３３）の真空を破り、非晶質炭
化水素膜の表面保護層を有する感光体を取り出した。

以上のようにして得られた非晶質炭化水素膜につき有機
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる水素原子の量は全構成原子に対して４５原子％、カ
ルコゲン原子、即ち、硫黄原子の量は全構成原子に対し
３．７原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪＩＳ−に
−５４００規格に基づいて測定したところ実施例１およ
び実施例２の何れも約６Ｈであり、表面保護層作製前に
測定しておいた値が約Ｈであったことから、本発明によ
る感光体の表面保護層により高硬度化されることが確認
された。

また、通常のカールソン方式において実施例１で得られ
た感光体の白色光感度を測定したところ、半減露光量は
約０．９９ルツクス・秒であり、表面保護ＩＺ佳作製前
測定しておいた値が約０．９３ルツクス・秒であったこ
とから、本発明による感光体の表面保護層はせラン砒素
合金単層構成からなる感光体が本来有する感度を損なわ
ないことが確認された。また、通常のカールソン方式に
おいて実施例２で得られた感光体の７８０ｎｍ光感度を
測定したところ半減露光量は約５．２ｅｒｇ／ｃｍ２で
あり、表面保護層作製前に測定しておいた値が約５．Ｏ
ｅｒｇ／ｃｍ２であったことから、本発明による感光体
の表面保Ｗｔ層はセレンとセレンテルル合金をこの順に
設けた積層構成よりなる感光体が本来有する感度を損な
わないことが確認された。

また、実施例１および実施例２で得られた感光体を、温
度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５０℃
相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に交互に
繰返される環境下に６時間放置したところ、表面保護層
の！り離、あるし）は、ひび割れ等は認められず、本発
明による感光体の表面保護層は、セレン砒素合金単層構
成からなる感光体およびセレンとセレンテルル合金をこ
の順に設けた積層構成よりなる感光体との接着性に優複
写機ＥＰ６５０Ｚに搭載し実写したところ鮮明な画像が
得られ、ざらに、温度３５℃相対湿度８０％の環境下で
実写してもいわゆる画像流れは認められなかった。また
、複写機内での現像剤、転写紙、並びに、清掃部材との
接触においても表面保護層の剥離は認められなかった。

また、通常の室内において実写を２５万枚行なったとこ
ろ、最後まで鮮明な画像が得られた。また、２５万枚実
写後、オージェ分析により表面の組成分析を行なったと
ころセレンあるいは砒素等は検出されなかった。これら
のことから本発明による感光体の表面保護層は、画像品
位を損なわずに耐久性の向上と有害性の改善を達成する
ものであることが確複写機ＥＰ４５０Ｚに搭載し、光学
系を半導体レープ、ポリゴンミラースキャナおよび駆動
系等から成る半導体レーザ露光系に変更して実写したと
ころ鮮明な画像が得られ、ざらに、温度３５℃相対湿度
８０％の環境下で実写してもいわゆる画像流れは認めら
れなかった。また、複写機内での現像剤、転写紙、並び
に、清掃部材との接触においても表面保護層の剥離は認
められなかった。また、通常の室内において、実写を２
０万枚行なったところ、最後まで鮮明な画像が得られた
。また、２０万枚実写後、オージェ分析により表面の組
成分析を行なったところセレンあるいはテルル等は検出
きれなかった。これらのことから本発明による感光体の
表面保護層は、画像品位を損なわずに耐久性の向上と有
害性の改善を達成するものであることが確認された。

比較例に旦 硫化水素を流入しないこと以外は、実施例１および実施
例２と同（ｌ：してセレン砒素合金単層構成からなる感
光層（比較例１）並びにセレンとセレンテルル合金をこ
の順に設けた積層構成よりなる感光層（比較例２）上に
表面層を形成した。

得られた感光体の表面について鉛筆硬度をＪＩＳ−に−
５４００規格に基づいて測定したところ、比較例１およ
び比較例２の何れも約４Ｈであり、実施例１および実施
例２と比較して低硬度であることが理解きれた。このこ
とからカルコゲン原子を添加することにより高硬度化さ
れることが確認された。

次いで、実施例１および実施例２と同様にして実際の複
写機に搭載して実写を試みたところ、表面電位が実施例
１および実施例２の感光体の半分にしか帯電きれず、極
めて低濃度の画像しか得られなかった。このことからカ
ルコゲン原子を添加することにより帯電能が向上するこ
とが確認された。

また、温度３５℃相対湿度８０％の環境下で実写したと
ころいわゆる画像流れが発生した。このことからカルコ
ゲン原子を添加することにより耐湿性が向上することが
確認された。

ざらに、実写後、比較例１および比較例２で得られた感
光体を、温度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と
温度５ｏ℃相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分
毎に交互に繰返される環境下に６時間放置したところ、
表面保護層が部分的に剥離し、このことからカルコゲン
原子を添加することにより密着性が向上することが確認
された。

害施例旦二歪 第３図に示すグロー放電分解装置において、感光体の表
面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔ。

ｒｒ程度の高真空にした後、第１、第２および第３調節
弁（７０７，７０８および７０９）を解放し、第１タン
ク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）より
ブタジェンガスおよび第３タンク（７０３）より硫化水
素ガスを各々出力圧１゜０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１、第
２および第３流量制御器（７１３，７１４および７１５
）内へ流入させｔ：５そして各流量制御器の目盛を調整
して、水素ガスの）ｈ量を２５０ｓｅｃｍ、ブタジェン
ガスの流量を６０　ｓ　ｅ　ｃｍおよび硫化水素ガスの
流量を５ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（
７３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３
）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（
７３３）内の圧力が２．０Ｔｏｒｒとなるように圧力調
節弁（７４５）を調整した。

一方、基板（７５２）としては、直径８０×長ざ３３０
ｍｍのアルミニウム基体に、予め別の真空蒸着装置を用
いて常法に従い、セレン砒素合金単層構成からなる感光
層（実施例３）およびセレンとセレンテルル合金をこの
順に設けた積層構成よりなる感光層（実施例４）を約５
０μｍの膜厚で形成したものを用いた。基板（７５２）
は、ガス導入前に約１５分間をかけて常温より５０℃に
まで昇温しな。ガス流量および圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた
低周波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６
）に１００Ｗａｔｔの電力な周波数５０ＫＨｚの下で印
加して約１分２ｏ秒間プラズマ重合反応を行ない、基板
（７５２）上に厚ざ０．３μｍの非晶質炭化水素膜を表
面保護層として形成した。成膜完了後は電力印加を停止
し、水素ガス以外の調節弁を閉じ、反応室（７３３）内
に水素ガスだけを２００ｓｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔ
ｏｒｒに保持し、約１５分間で３０℃まで降温した。そ
の後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を
充分に排気し、反応室（７３３）の真空を破り、非晶質
炭化水素膜の表面保護層を有する感光体を取り出した。

以上のようにして得られた非晶質炭化水素膜につき有機
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる水素原子の量は全構成原子に対して４３原子％、カ
ルコゲン原子、即ち、硫黄原子の量は全構成原子に対し
１．１原子％であった。

特性： 得られた感光体は実施例工ないし実施例２と同等の特性
を有していた。このことから本発明による感光体の表面
保護層は、画作品位を損なわずに耐久性の向上と有害性
の改善を達成するものであることが確認された。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明感光体の模式的断面図を示す。 第２図および第３図は感光体製造用装置の一例仝示す図
である。 図中の記号は以下の通りである。 （１）・・・表面保護層 （２）・・・感光層 （３）・・・導電性基板 （７０１）〜（７０６）・・・タンク （７０７）〜（７１２）・・・調節弁 （７２５）〜（７２７）・・・調節弁 （７１３）〜（７１８）・・・流量制御器（７２８）〜
（７３０）・・・流量制御器（７１９）〜（７２１）・
・・容器 （７２２）〜（７２４）・・・加熱器 （７３１）・・・混合器 （７３２）・・・主管 （７３３）・・・反応室 （７３４）　　　・・・西己１３”力吋＾器（７３５）
・・・接地型４】 （７３６）・・・電力印加電極 （７３７）・・・電極加熱器 （７３８）・・・高周波電力用整合器 （７３９）・・・高周波電源 （７４０）・・・低周波電力用整合器 （７４１）・・・低周波電源 （７４２）・・・ローパスフィルタ （７４３）・・・直流電源 （７４４）・・・接続選択スイッチ （７４５）・・・圧力調節弁 （７４６）・・・排気系選択弁 （７４７）・・・拡散ポンプ （７４８）・・・油回転ポンプ （７４９）・・・冷却除外装置 （７５０）・・・メカニカルブースターポンプ（７５１
）・・・反応室加熱器 （７５２）・・・基板 （７５３）・・・除外装置 （７５４）・・・駆動モータ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、導電性基板上にセレン砒素合金の単層ないしはセレ
   ンとセレンテルル合金をこの順に設けた積層構成よりな
   る感光体において、表面保護層を設け、該表面保護層は
   グロー放電法により生成され少なくともカルコゲン原子
   を含む非晶質炭化水素膜であることを特徴とする感光体
   。