JPS63220580A - 光電変換素子の製造の方法 - Google Patents
光電変換素子の製造の方法Info
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- JPS63220580A JPS63220580A JP62053058A JP5305887A JPS63220580A JP S63220580 A JPS63220580 A JP S63220580A JP 62053058 A JP62053058 A JP 62053058A JP 5305887 A JP5305887 A JP 5305887A JP S63220580 A JPS63220580 A JP S63220580A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は非晶質シリコン（以下ａ−３ｔ：Ｈとも略称す
る）光電変換素子の製法に関し、特に優れた光電特性を
安定して有する光電変換素子の製法に関する。
る）光電変換素子の製法に関し、特に優れた光電特性を
安定して有する光電変換素子の製法に関する。
［従来技術およびその問題点〕
光電変換素子特に非晶質シリコン太陽電池の高効率化が
検討されて低速成膜条件においてはある程度の成果をあ
げつつあるが、太陽電池を商業的規模で製造するために
不可欠の高速製造においては未だ効率の向上の検討は緒
についたばかりである。本発明者らは先に高速でかつ高
効率を達成するためにジシラン（ＳｉｚＨ６）を原料と
する非晶質シリコン太陽電池の製造方法が有効な方法で
あることを提案した（例えば特願昭５８−１７２５他）
。ついで第一の導電性薄膜の製造方法について種々検討
し、低温、低放電電力で良好な特性を有するｐ型非晶質
シリコンカーバイド半導体薄膜＜ｐ−ａＳｉＣ：Ｈンを
得、それをアモルファスシリコン太陽電池に用い、極め
て高い光電変換効率を有するものが得られることを提案
した（特願昭６０−１５４２０９ ＞。さらに第一の導
電性薄膜と第二の実質的に真性の薄膜との間に特定の厚
みを有する第一の実質的に真性の薄膜をプラズマＣＶＤ
法により形成して介在せしめることにより、曲線図子お
よび短絡電流等の特性値が大幅に改善できることを提案
した（特願昭６ｌ−１８０３２）。
検討されて低速成膜条件においてはある程度の成果をあ
げつつあるが、太陽電池を商業的規模で製造するために
不可欠の高速製造においては未だ効率の向上の検討は緒
についたばかりである。本発明者らは先に高速でかつ高
効率を達成するためにジシラン（ＳｉｚＨ６）を原料と
する非晶質シリコン太陽電池の製造方法が有効な方法で
あることを提案した（例えば特願昭５８−１７２５他）
。ついで第一の導電性薄膜の製造方法について種々検討
し、低温、低放電電力で良好な特性を有するｐ型非晶質
シリコンカーバイド半導体薄膜＜ｐ−ａＳｉＣ：Ｈンを
得、それをアモルファスシリコン太陽電池に用い、極め
て高い光電変換効率を有するものが得られることを提案
した（特願昭６０−１５４２０９ ＞。さらに第一の導
電性薄膜と第二の実質的に真性の薄膜との間に特定の厚
みを有する第一の実質的に真性の薄膜をプラズマＣＶＤ
法により形成して介在せしめることにより、曲線図子お
よび短絡電流等の特性値が大幅に改善できることを提案
した（特願昭６ｌ−１８０３２）。
本発明者らはざらに第一の導電性薄膜どより薄い第一の
実質的に真性の薄膜の製造方法において水素供給量、高
周波電力密度を制御することにより該薄膜の特性を改善
しうろことを見出し、この薄膜を用いて優れた光電変換
特性を有するアモルファスシリコン太陽電池を形成する
方法を完成した。
実質的に真性の薄膜の製造方法において水素供給量、高
周波電力密度を制御することにより該薄膜の特性を改善
しうろことを見出し、この薄膜を用いて優れた光電変換
特性を有するアモルファスシリコン太陽電池を形成する
方法を完成した。
［発明の開示］
本発明光電変換素子の製造方法は、第一図の模式図に示
すように、基体上に、第一・の電極、第一の導電性薄膜
、より薄い第一の実質的に真性の薄膜、より厚い第二の
実質的に真性の薄膜、第二の導電性薄膜、第二の電極の
順に形成せしめるものであって、第一または第二の導電
性薄膜およびより薄い第一の実質的に真性の薄膜の形成
方法に特徴を有するものである。即ち、該薄膜の形成を
、一般式Ｓｉ、（ＣＨｓ）−Ｈ４−（ｎ＝１〜４ ）で
表わされるメチルシラン、 一般式Ｓｔ、ＩＩ□□ｚ（ｍ＝ｉ〜３）で表わされるシ
ラン、不純物（より薄い第一の実質的に真性の薄膜を形
成する場合には不純物は必ずしも供給する必要はない）
および水素の混合ガスを原料ガスとして用いる高周波グ
ロー放電分解法により行い、該混合ガス中の一般式Ｓｉ
（ＣＨ３）。Ｈ４−７（ｎ・１〜４）で表わされるメ
チルシランおよび一般式Ｓｉ、Ｈ□□ｚ（ｍ＝１〜３）
で表わされるシランに対する水素の堆積流量比が５〜１
００となるように希釈し、かつ、 該高周波グロー放電分解時の高周波電力密度を０．１Ｗ
／ｃｍ”以下の低い値に保持して形成する光電変換素子
の製造方法である。
すように、基体上に、第一・の電極、第一の導電性薄膜
、より薄い第一の実質的に真性の薄膜、より厚い第二の
実質的に真性の薄膜、第二の導電性薄膜、第二の電極の
順に形成せしめるものであって、第一または第二の導電
性薄膜およびより薄い第一の実質的に真性の薄膜の形成
方法に特徴を有するものである。即ち、該薄膜の形成を
、一般式Ｓｉ、（ＣＨｓ）−Ｈ４−（ｎ＝１〜４ ）で
表わされるメチルシラン、 一般式Ｓｔ、ＩＩ□□ｚ（ｍ＝ｉ〜３）で表わされるシ
ラン、不純物（より薄い第一の実質的に真性の薄膜を形
成する場合には不純物は必ずしも供給する必要はない）
および水素の混合ガスを原料ガスとして用いる高周波グ
ロー放電分解法により行い、該混合ガス中の一般式Ｓｉ
（ＣＨ３）。Ｈ４−７（ｎ・１〜４）で表わされるメ
チルシランおよび一般式Ｓｉ、Ｈ□□ｚ（ｍ＝１〜３）
で表わされるシランに対する水素の堆積流量比が５〜１
００となるように希釈し、かつ、 該高周波グロー放電分解時の高周波電力密度を０．１Ｗ
／ｃｍ”以下の低い値に保持して形成する光電変換素子
の製造方法である。
一般式５ｉ（ＣＨｓ）ｎＨ４−ｎ（ｎ＝１〜４）で表わ
されるメチルシランにはｎ＝Ｃ２，３及び４に対応して
それぞれモノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチ
ルシラン及びテトラメグ−ルシランがある。
されるメチルシランにはｎ＝Ｃ２，３及び４に対応して
それぞれモノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチ
ルシラン及びテトラメグ−ルシランがある。
また一般式５１ｍ１ｌｚ。。ｚ（ｍ・１〜３）で表わさ
れるシランにはｍ−Ｃ２及び３に対応してそれぞれモノ
シラン、ジシラン及びＩ−ジシランがある。
れるシランにはｍ−Ｃ２及び３に対応してそれぞれモノ
シラン、ジシラン及びＩ−ジシランがある。
不純物ガスとしては半導体薄膜の導電型を変更するもの
であり、例えばＰ型の導電型を賦与するものにはジボラ
ン（Ｂ２＋＋６）、ｎ型の導電型を賦与するものにはホ
スフィン（ＰＨ３）がある。
であり、例えばＰ型の導電型を賦与するものにはジボラ
ン（Ｂ２＋＋６）、ｎ型の導電型を賦与するものにはホ
スフィン（ＰＨ３）がある。
本発明の特に特徴とすべき点は第一または第二の導電性
薄膜およびより薄い第一の実質的に真性の薄膜の形成に
おいて、一般式５ｉ（Ｃ１ｈ）−１ｉｎ□（ｎ＝１〜４
）で表わされるメチルシランおよび一般式５ｔｌａＨ２
□２（ｍ＝ｌ〜３）で表わされるシランの体積流量に対
し、５〜２００倍の流量の水素で希釈し、かつ低い高周
波電力密度のグロー放電で形成するところにある。高水
素希釈のグロー放電において作成した膜は電気的に優れ
た性質を有することが、しばしばあるが、これらは高い
高周波電力密度の条件の場合がほとんどであり、このよ
うな条件で素子を積層すると、前の層に対しダメージを
与えてしまう。特に第一の電極に透明導電性酸化膜を用
いた場合には、これを還元してしまい、良好な光電変換
素子を得ることができない。そこで、本発明においては
、Ｏ，］Ｗ／ｃｍ２以下の比較的低い放電電力の条件下
で電気的に優れた性質を有する薄膜を形成できるよう鋭
意工夫したものである。このために好ましい形成ガスと
し”７′ノチルパ、・ランとしてはモノメチルシランま
たはユ゛、・・チルシラン：シランとしてはジシランを
用いる。
薄膜およびより薄い第一の実質的に真性の薄膜の形成に
おいて、一般式５ｉ（Ｃ１ｈ）−１ｉｎ□（ｎ＝１〜４
）で表わされるメチルシランおよび一般式５ｔｌａＨ２
□２（ｍ＝ｌ〜３）で表わされるシランの体積流量に対
し、５〜２００倍の流量の水素で希釈し、かつ低い高周
波電力密度のグロー放電で形成するところにある。高水
素希釈のグロー放電において作成した膜は電気的に優れ
た性質を有することが、しばしばあるが、これらは高い
高周波電力密度の条件の場合がほとんどであり、このよ
うな条件で素子を積層すると、前の層に対しダメージを
与えてしまう。特に第一の電極に透明導電性酸化膜を用
いた場合には、これを還元してしまい、良好な光電変換
素子を得ることができない。そこで、本発明においては
、Ｏ，］Ｗ／ｃｍ２以下の比較的低い放電電力の条件下
で電気的に優れた性質を有する薄膜を形成できるよう鋭
意工夫したものである。このために好ましい形成ガスと
し”７′ノチルパ、・ランとしてはモノメチルシランま
たはユ゛、・・チルシラン：シランとしてはジシランを
用いる。
こうして作成した該薄膜は従来のものに比べ、同一バン
ドギャップ（２，０〜２．１ｅＶ ）で、−桁以上高い
導電率を有しており、低い高周波電力密度の条件下にお
いても、高水素希釈することにより有効に薄膜の特性を
改善することができている。
ドギャップ（２，０〜２．１ｅＶ ）で、−桁以上高い
導電率を有しており、低い高周波電力密度の条件下にお
いても、高水素希釈することにより有効に薄膜の特性を
改善することができている。
さらに本発明においては、第一の導電性薄膜上に、少な
くとも、より薄い第一の実質的に真性の薄膜がプラズマ
ＣＶＤ法により形成されることであるが、この薄膜の好
ましい製造方法としては、第一の導電性薄膜の形成後、
該第−の導電性を与える不純物（ドーパント）の供給を
完全に停止し、かつ、メチルンランガスの供給を徐々に
減らしながら、その他の条件は同一として薄膜の形成を
続行することである。
くとも、より薄い第一の実質的に真性の薄膜がプラズマ
ＣＶＤ法により形成されることであるが、この薄膜の好
ましい製造方法としては、第一の導電性薄膜の形成後、
該第−の導電性を与える不純物（ドーパント）の供給を
完全に停止し、かつ、メチルンランガスの供給を徐々に
減らしながら、その他の条件は同一として薄膜の形成を
続行することである。
この、より薄い第一の実質的に真性の薄膜は接合界面に
おける特性の劣化を抑えるために設けられるが、本発明
の目的を達成するには、その膜厚は２５Ａ以上数千Ａ以
内の範囲であればよい。そして、特性および実用上の観
点から、プラズマＣＶＤにより形成された、５０乃至３
００Ａの範囲の厚みを有する非晶質薄膜が特に好ましい
。なお、第一および第二の導電性薄膜の膜厚は５０乃至
５００ Ａの範囲が好ましい。
おける特性の劣化を抑えるために設けられるが、本発明
の目的を達成するには、その膜厚は２５Ａ以上数千Ａ以
内の範囲であればよい。そして、特性および実用上の観
点から、プラズマＣＶＤにより形成された、５０乃至３
００Ａの範囲の厚みを有する非晶質薄膜が特に好ましい
。なお、第一および第二の導電性薄膜の膜厚は５０乃至
５００ Ａの範囲が好ましい。
また、これら薄膜が形成される時の基体の温度および雰
囲気圧力は、通常それぞれ１００〜４００°Ｃ１好まし
くは１２０〜３００°Ｃおよび０．０１〜１０ Ｔｏｒ
ｒ好ましくは０．０３〜０゜４Ｔｏｒｒである。
囲気圧力は、通常それぞれ１００〜４００°Ｃ１好まし
くは１２０〜３００°Ｃおよび０．０１〜１０ Ｔｏｒ
ｒ好ましくは０．０３〜０゜４Ｔｏｒｒである。
本発明において光電変換素子の光電変換効率を向」ニジ
、さらに光電変換素子の製造時間を短縮して生産性を高
めるためには、好ましくは、より厚い第二の実質的に真
性の薄膜（以下ｉ膜と略称する）をジシランのプラズマ
ＣＶＤ法により形成することである。特に、好ましくは
、本発明者らが既に提案しているように、ジシランに対
し闇値以上の放電エネルギーの供給下で該プラズマＣＶ
Ｄが行われることである。より具体的には、本発明者ら
が特開昭５８−１７２６号公報に開示している如くであ
る。
、さらに光電変換素子の製造時間を短縮して生産性を高
めるためには、好ましくは、より厚い第二の実質的に真
性の薄膜（以下ｉ膜と略称する）をジシランのプラズマ
ＣＶＤ法により形成することである。特に、好ましくは
、本発明者らが既に提案しているように、ジシランに対
し闇値以上の放電エネルギーの供給下で該プラズマＣＶ
Ｄが行われることである。より具体的には、本発明者ら
が特開昭５８−１７２６号公報に開示している如くであ
る。
ｉ膜の厚みは通常約２０００Ａ〜１μ程度であるが、そ
の形成温度および形成圧力は、通常それぞれ１００〜４
００°Ｃおよび０．０１〜１０Ｔｏｒｒの範囲で充分で
あり、水素やヘリウム等の希釈ガスにより希釈して使用
することもまた、光電変換素子の高性能化のために好ま
しいことである。
の形成温度および形成圧力は、通常それぞれ１００〜４
００°Ｃおよび０．０１〜１０Ｔｏｒｒの範囲で充分で
あり、水素やヘリウム等の希釈ガスにより希釈して使用
することもまた、光電変換素子の高性能化のために好ま
しいことである。
［発明を実施するための好ましい形態］本発明を実施す
るためには、プラズマＣＶＤが継続して実施できる成膜
装置が好適に用いられる。
るためには、プラズマＣＶＤが継続して実施できる成膜
装置が好適に用いられる。
すなわち、基体導入手段、基体加熱手段、基体保持手段
、ガス導入手段、真空排気手段、プラズマ放電電極およ
びプラズマ放電電源の各手段を少なくとも基本的に具備
した成膜装置であり、好ましくは、これらの装置番才、
基体移送手段を介して互に連結されており、かつ必要に
応じてゲート弁等で仕切られていることが好ましい。第
２図にはこのような、本発明を実施するに適した成膜装
置の例が模式的に示されている。
、ガス導入手段、真空排気手段、プラズマ放電電極およ
びプラズマ放電電源の各手段を少なくとも基本的に具備
した成膜装置であり、好ましくは、これらの装置番才、
基体移送手段を介して互に連結されており、かつ必要に
応じてゲート弁等で仕切られていることが好ましい。第
２図にはこのような、本発明を実施するに適した成膜装
置の例が模式的に示されている。
まず、」二記のごときプラズマＣＶＤ装置に第一の電極
が設けられた基体を設置し、前述したような条件でｐ膜
（第一の導電性薄膜）、より薄い第一の実質的に真性の
薄膜を形成する。
が設けられた基体を設置し、前述したような条件でｐ膜
（第一の導電性薄膜）、より薄い第一の実質的に真性の
薄膜を形成する。
つぎにこの薄膜を形成した基体は、基体移送手段により
、ｉ膜（より厚い第二の実質的に真性の薄膜）形成のた
めのプラズマＣＶＤ装置に移送される。ｉ膜形成室にお
いてｉ膜を形成した後、さらに基体移送手段により、ｎ
膜形成室に移送される。ｎ膜を形成した後、基体移送手
段により第二の電極形成装置に移送され、かくして第二
の電極が形成された後で光電変換素子として形成装置外
に取り出される。
、ｉ膜（より厚い第二の実質的に真性の薄膜）形成のた
めのプラズマＣＶＤ装置に移送される。ｉ膜形成室にお
いてｉ膜を形成した後、さらに基体移送手段により、ｎ
膜形成室に移送される。ｎ膜を形成した後、基体移送手
段により第二の電極形成装置に移送され、かくして第二
の電極が形成された後で光電変換素子として形成装置外
に取り出される。
勿論、上記の実施態様は、第一の電極を分割しておいて
複数の光電変換素子、たとえば太陽電池を形成し、第二
の電極でこれらを直列接続し７た形で得る集積型太陽電
池の形成においても有用である。
複数の光電変換素子、たとえば太陽電池を形成し、第二
の電極でこれらを直列接続し７た形で得る集積型太陽電
池の形成においても有用である。
本発明で用いる基体や電極の材料については特に制限さ
れず、従来用いられている物質が有効に用いられている
。
れず、従来用いられている物質が有効に用いられている
。
たとえば、基体としては絶縁性または導電性、透明、不
透明のいずれかの性質を有するものでもよい。基本的に
はガラス、アルミナ、シリコン、ステンレススチイール
、アルミニウム、モリブデン、耐熱性高分子等の物質で
形成されるフィルムあるいは板状の材料を有効に用いる
ことができる。電極材料としては、光入射側にはもちろ
ん透明あるいは透明性の材料を用いなければならないが
、これ以外の実質的な制限はない。アルミニウム、モリ
ブデン、ニクロム、■ＴＯ１酸化錫、ステンレススチイ
ール等の薄膜または薄板が電極材料として有効に用いら
れる。
透明のいずれかの性質を有するものでもよい。基本的に
はガラス、アルミナ、シリコン、ステンレススチイール
、アルミニウム、モリブデン、耐熱性高分子等の物質で
形成されるフィルムあるいは板状の材料を有効に用いる
ことができる。電極材料としては、光入射側にはもちろ
ん透明あるいは透明性の材料を用いなければならないが
、これ以外の実質的な制限はない。アルミニウム、モリ
ブデン、ニクロム、■ＴＯ１酸化錫、ステンレススチイ
ール等の薄膜または薄板が電極材料として有効に用いら
れる。
以下、実施例により、本発明の実施の態様をさらに具体
的に説明する。
的に説明する。
［実施例コ
成膜装置として、第２図に模式的に示したものを使用し
た。基体装入室１で真空加熱された基体６ば、ｐ膜形成
室２に移送された。ｐ膜は、原料ガスの流量比が、ジボ
ラン／フレラン−２／１００、ジメチルシラン／ジシラ
ン−１７１、ジシラン／水素−１７２０で、高周波電力
密度０．０１匈／Ｃｍ２、形成温度２５０°Ｃ１圧力０
．２ Ｔｏｒｒの条件のグロー放電により、約１００
Ａの厚みに形成された。ついで、ジボランの供給を停止
して、ジメチルシラン／ジシランの比が１７１から ０
／１へと漸減するようにしながら第一の実質的に真性の
薄膜を１５ＯＡ形成した。ついで、ゲート弁１９を解放
し、基体移送手段１６により、該基体をｉ膜形成室３に
移送した。ｉ膜形成室では形成温度３００°Ｃ１圧力０
．０５Ｔｏｒｒで放電エネルギーの闇値以上の条件にお
いて、ジシランのプラズマＣＶＤによりｉ膜が形成され
た。次に、ｎ膜形成室４に移送され、シランと水素希釈
ホスフィンを該形成室に導入し、ｎ膜をプラズマＣＶＤ
により形成した。この場合、ｎ膜には微結晶シリコンを
形成してもよい。好ましい原料ガス流量比は、ホスフィ
ン／モノシラン−２／１００ 、モノシラン／水素−１
／４０であった。ついで電極形成室５へ移送され、真空
蒸着により、アルミラム電極が形成された。かくして得
られた光発電変換素子の光電変換特性をＡＭＩ 、１０
０ｍＷ／ｃｍ２の光を照射しつつ計測した結果を実施例
１として表１に示した。
た。基体装入室１で真空加熱された基体６ば、ｐ膜形成
室２に移送された。ｐ膜は、原料ガスの流量比が、ジボ
ラン／フレラン−２／１００、ジメチルシラン／ジシラ
ン−１７１、ジシラン／水素−１７２０で、高周波電力
密度０．０１匈／Ｃｍ２、形成温度２５０°Ｃ１圧力０
．２ Ｔｏｒｒの条件のグロー放電により、約１００
Ａの厚みに形成された。ついで、ジボランの供給を停止
して、ジメチルシラン／ジシランの比が１７１から ０
／１へと漸減するようにしながら第一の実質的に真性の
薄膜を１５ＯＡ形成した。ついで、ゲート弁１９を解放
し、基体移送手段１６により、該基体をｉ膜形成室３に
移送した。ｉ膜形成室では形成温度３００°Ｃ１圧力０
．０５Ｔｏｒｒで放電エネルギーの闇値以上の条件にお
いて、ジシランのプラズマＣＶＤによりｉ膜が形成され
た。次に、ｎ膜形成室４に移送され、シランと水素希釈
ホスフィンを該形成室に導入し、ｎ膜をプラズマＣＶＤ
により形成した。この場合、ｎ膜には微結晶シリコンを
形成してもよい。好ましい原料ガス流量比は、ホスフィ
ン／モノシラン−２／１００ 、モノシラン／水素−１
／４０であった。ついで電極形成室５へ移送され、真空
蒸着により、アルミラム電極が形成された。かくして得
られた光発電変換素子の光電変換特性をＡＭＩ 、１０
０ｍＷ／ｃｍ２の光を照射しつつ計測した結果を実施例
１として表１に示した。
［比較例コ
同様にして、低高周波電力密度であるが、水素の希釈率
が低い例（比較例１）、逆に、水素の希釈率は充分であ
るが高周波電力密度が高い例（比較例２）についても実
験を行い、結果を表１に示した。
が低い例（比較例１）、逆に、水素の希釈率は充分であ
るが高周波電力密度が高い例（比較例２）についても実
験を行い、結果を表１に示した。
以上、実施例、比較例を纏めた表１から明らかなように
、水素希釈率が充分で且つ低高周波電力密度の場合に１
１χを越える非常に高い光電変換効率を得ることができ
、本発明の有効性を示している。
、水素希釈率が充分で且つ低高周波電力密度の場合に１
１χを越える非常に高い光電変換効率を得ることができ
、本発明の有効性を示している。
［発明の効果］
実施例に示すように、ジシランを用いて極めて高い変換
効率を有する非晶質太陽電池を高速製造できる本発明は
工業的にもすぐれた実用性を有するものである。
効率を有する非晶質太陽電池を高速製造できる本発明は
工業的にもすぐれた実用性を有するものである。
表１
第１図は本発明より得られる光電変換素子の構成の一例
を示す断面模式図である。第２図は本発明の素子を形成
するために好ましい装置の一例を示す模式図である。図
において、１・・・・・・基体装入室、２・・・・・・
ｐ膜形成室、３・・・・・・ｉ膜形成室、４・・・・・
・ｎ膜形成室、５・・・・・・第二電極形成室兼基体取
り出し室、６・・・・・・基体、９・・・・・・放電電
力印加電極、１０・・・・・・設置電極、１１・・・・
・・基体加熱ヒーター、１２・・・・・・電極材料加熱
ヒーター、１３・・・・・・金属マスク、１４および２
０・・・・・・真空排気ライン、１５・・・・・・原料
ガス導入ライン、１６・・・・・・基体移送手段、１７
・・・・・・絶縁性物質、１８・・・・・・放電電力印
加電源、１９・・・・・・ゲート弁図面の浄 ツ 一／′ 第二の導電性薄膜 、より薄い第一の実質的に真性の薄膜 ・第一の導電性薄膜 第一の電極 ガラス基体 手続補正書（方式） 昭和６２年６月（７日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第５３０５８ 号 ２、発明の名称 光電変換素子の製造の方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区霞が関三丁目２番５号名称（３１
２） 三井東圧化学株式会社４、補正により増加する
発明の数 零５、補正命令の日付
を示す断面模式図である。第２図は本発明の素子を形成
するために好ましい装置の一例を示す模式図である。図
において、１・・・・・・基体装入室、２・・・・・・
ｐ膜形成室、３・・・・・・ｉ膜形成室、４・・・・・
・ｎ膜形成室、５・・・・・・第二電極形成室兼基体取
り出し室、６・・・・・・基体、９・・・・・・放電電
力印加電極、１０・・・・・・設置電極、１１・・・・
・・基体加熱ヒーター、１２・・・・・・電極材料加熱
ヒーター、１３・・・・・・金属マスク、１４および２
０・・・・・・真空排気ライン、１５・・・・・・原料
ガス導入ライン、１６・・・・・・基体移送手段、１７
・・・・・・絶縁性物質、１８・・・・・・放電電力印
加電源、１９・・・・・・ゲート弁図面の浄 ツ 一／′ 第二の導電性薄膜 、より薄い第一の実質的に真性の薄膜 ・第一の導電性薄膜 第一の電極 ガラス基体 手続補正書（方式） 昭和６２年６月（７日 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 昭和６２年特許願第５３０５８ 号 ２、発明の名称 光電変換素子の製造の方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都千代田区霞が関三丁目２番５号名称（３１
２） 三井東圧化学株式会社４、補正により増加する
発明の数 零５、補正命令の日付
Claims (5)
- （１）基体上に、第一の電極、第一の導電性薄膜、より
薄い第一の実質的に真性の薄膜、より厚い第二の実質的
に真性の薄膜、第二の導電性薄膜、第二の電極の順に形
成せしめられた光電変換素子の製法において、第一の導
電性薄膜および、より薄い第一の実質的に真性の薄膜の
形成を、 一般式Ｓｉ（ＣＨ＿３）＿ｎＨ＿４＿−＿ｎ（ｎ＝１〜
４）で表わされるメチルシラン、一般式Ｓｉ＿ｍＨ＿２
＿ｍ＿＋＿２（ｍ＝１〜３）で表わされるシランおよび
水素の混合ガスを原料ガスとして用いる高周波グロー放
電分解法により行い、 該混合ガス中の一般式Ｓｉ（ＣＨ＿３）＿ｎＨ＿４＿−
＿ｎ（ｎ＝１〜４）で表わされるメチルシランおよび一
般式Ｓｉ＿ｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿２（ｍ＝１〜３）で表わ
されるシランに対する水素の堆積流量比を５〜１００と
し、かつ、 該高周波グロー放電分解時の高周波電力密度を０．１Ｗ
／ｃｍ＾２以下に保持することを特徴とする光電変換素
子の製法。 - （２）メチルシランがｎ＝２で表わされるジメチルシラ
ンである特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （３）シランがｍ＝２で表わされるジシランである特許
請求の範囲第１項記載の方法。 - （４）第一の導電性を賦与する不純物はジボランまたは
ホスフィンである特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （５）より薄い第一の実質的に真性の薄膜の厚みが２５
乃至５００オングストロームである特許請求の範囲第１
項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053058A JPH0815222B2 (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 光電変換素子の製造の方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053058A JPH0815222B2 (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 光電変換素子の製造の方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220580A true JPS63220580A (ja) | 1988-09-13 |
| JPH0815222B2 JPH0815222B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12932248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62053058A Expired - Fee Related JPH0815222B2 (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 光電変換素子の製造の方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815222B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154521A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭化珪素被膜作製方法 |
| JPS60258975A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS6216514A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP62053058A patent/JPH0815222B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS60258975A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS6216514A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0815222B2 (ja) | 1996-02-14 |
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