JPS63220578A - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS63220578A JPS63220578A JP62053055A JP5305587A JPS63220578A JP S63220578 A JPS63220578 A JP S63220578A JP 62053055 A JP62053055 A JP 62053055A JP 5305587 A JP5305587 A JP 5305587A JP S63220578 A JPS63220578 A JP S63220578A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- photoelectric conversion
- substantially intrinsic
- intrinsic thin
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、非晶質シリコン（以下ａ−３ｉ：Ｈとも略す
る）光電変換素子に関するものであり、特に優れた光電
特性を安定して有する光電変換素子に関する。
る）光電変換素子に関するものであり、特に優れた光電
特性を安定して有する光電変換素子に関する。
［従来技術およびその問題点］
光電変換素子特に非晶質シリコン太陽電池の高効率化が
検討され、ある程度の成果が得られつつある。変換効率
の向上には、光入射側の導電性薄膜が、モノシラン、メ
タンおよびジボランの混合ガスのグロー放電分解により
形成された非晶質シリコンカーバイドやｐ型あるいはｎ
型の微結晶シリコンの採用、また、超薄膜を繰返し積層
した超格子構造も採用され、変換効率の高効率化の検討
が為されている。また別の方法として、非晶質シリコン
を堆積さゼる基体を表面凹凸の大きな透明導電性薄膜が
形成されたガラス基板や、下地基板（たとえば、セラミ
ックス基板、ステンレスや高分子樹脂などの可撓性基板
）に表面凹凸を持たせたものが用いられ、変換効率の向
上を図り、成果をあげている。
検討され、ある程度の成果が得られつつある。変換効率
の向上には、光入射側の導電性薄膜が、モノシラン、メ
タンおよびジボランの混合ガスのグロー放電分解により
形成された非晶質シリコンカーバイドやｐ型あるいはｎ
型の微結晶シリコンの採用、また、超薄膜を繰返し積層
した超格子構造も採用され、変換効率の高効率化の検討
が為されている。また別の方法として、非晶質シリコン
を堆積さゼる基体を表面凹凸の大きな透明導電性薄膜が
形成されたガラス基板や、下地基板（たとえば、セラミ
ックス基板、ステンレスや高分子樹脂などの可撓性基板
）に表面凹凸を持たせたものが用いられ、変換効率の向
上を図り、成果をあげている。
さらに、ｐ型とｎ型の半導体薄膜の特性改善を目的よし
、プラズマ分解プロセスに代えて光分解プロセスにより
、薄膜を堆積させ、特性を改善することも試みられてい
る。
、プラズマ分解プロセスに代えて光分解プロセスにより
、薄膜を堆積させ、特性を改善することも試みられてい
る。
以上の研究においては、ある点に関して非常に効果的で
、例えば変換効率を著しく改善させたものもあるが、い
ずれも一長一短があり、たとえば、光分解プロセスを用
いた場合、曲線因子の改善は得られたが、堆積速度がプ
ラズマ・プロセスに比較して非常に小さいため、太陽電
池の製造において、全プロセスをプラズマ・プロセスに
代えるには、光分解プロセスは十分なプロセスとは言え
ない。また微結晶層が導電性薄膜に適用されているが、
太陽電池の構造の違いにより、下地層へのプラズマ損傷
が問題となり、適用できない場合がある。
、例えば変換効率を著しく改善させたものもあるが、い
ずれも一長一短があり、たとえば、光分解プロセスを用
いた場合、曲線因子の改善は得られたが、堆積速度がプ
ラズマ・プロセスに比較して非常に小さいため、太陽電
池の製造において、全プロセスをプラズマ・プロセスに
代えるには、光分解プロセスは十分なプロセスとは言え
ない。また微結晶層が導電性薄膜に適用されているが、
太陽電池の構造の違いにより、下地層へのプラズマ損傷
が問題となり、適用できない場合がある。
さらに、最近、太陽電池特性の向上のために、短絡光電
流、ｍ１線因子、開放端電圧総ての因子が改善されると
して、導電性薄膜層と真性薄膜層の界面に緩衝層を導入
する提案が多くされている。
流、ｍ１線因子、開放端電圧総ての因子が改善されると
して、導電性薄膜層と真性薄膜層の界面に緩衝層を導入
する提案が多くされている。
これは、例えば、透明導電性薄膜が形成されているガラ
ス基板上に、第一の導電性薄膜としてｐ型非晶質シリコ
ンカーバイド（以下２層と略す）、真性薄膜として非晶
質シリコン（以下ｉＮと略す）、第二の導電性薄膜とし
てｎ型非晶質シリコン（以下ｎ層と略す）、最後にアル
ミニウムを取出し電極とする太陽電池構造において、２
層と１ＪｉｉＪの界面において、格子定数の違いや、電
気的不一致を避けるために、緩衝層（界面層）として少
量の炭素原子が添加された層を導入するものであって、
各研究機関において、種々の検討が行われている。かか
る緩衝層導入の成果は、徐々に挙げられており、特に開
放端電圧の向上には効果的である結果が得られている。
ス基板上に、第一の導電性薄膜としてｐ型非晶質シリコ
ンカーバイド（以下２層と略す）、真性薄膜として非晶
質シリコン（以下ｉＮと略す）、第二の導電性薄膜とし
てｎ型非晶質シリコン（以下ｎ層と略す）、最後にアル
ミニウムを取出し電極とする太陽電池構造において、２
層と１ＪｉｉＪの界面において、格子定数の違いや、電
気的不一致を避けるために、緩衝層（界面層）として少
量の炭素原子が添加された層を導入するものであって、
各研究機関において、種々の検討が行われている。かか
る緩衝層導入の成果は、徐々に挙げられており、特に開
放端電圧の向上には効果的である結果が得られている。
しかしながら、該技術に関してもいくつかの問題がある
。すなわち、緩衝層には、シリコン原子に極微量の炭素
原子よ硼素原子が同時あるいは単独で任意に添加されて
いるが、ｐＪｔｉｊとｉ層の特性＝３− に依存した不純物原子添加量の非常に精緻な制御が必要
であり、また、この緩衝層は、結合水素原子を含め四元
系であるために、さらに制御が複雑、困難である。さら
に、本緩衝層が抵抗層として影響するために、結果的に
は、曲線因子を十分には向上できないと云う問題がある
。また、この緩衝層に用いた炭素原子や硼素原子が、真
性薄膜層のｉ層に不純物として混入し、太陽電池特性を
低下させる問題もあった。
。すなわち、緩衝層には、シリコン原子に極微量の炭素
原子よ硼素原子が同時あるいは単独で任意に添加されて
いるが、ｐＪｔｉｊとｉ層の特性＝３− に依存した不純物原子添加量の非常に精緻な制御が必要
であり、また、この緩衝層は、結合水素原子を含め四元
系であるために、さらに制御が複雑、困難である。さら
に、本緩衝層が抵抗層として影響するために、結果的に
は、曲線因子を十分には向上できないと云う問題がある
。また、この緩衝層に用いた炭素原子や硼素原子が、真
性薄膜層のｉ層に不純物として混入し、太陽電池特性を
低下させる問題もあった。
［発明の目的コ
しかして、本発明の目的は、開放端電圧を著しく向上さ
せ、かつ短絡光電流と曲線因子を同時に改善させた高光
電変換効率の光電変換素子を提供することである。
せ、かつ短絡光電流と曲線因子を同時に改善させた高光
電変換効率の光電変換素子を提供することである。
［発明の開示］
本発明者らは、上記点に鑑み鋭意検討した結果、これら
の問題は、第一の導電性薄膜と実質的に真性な薄膜の間
に形成する薄膜層である緩衝層に不純物を導入すること
に木質的な問題があること＝４− を見出し、本発明を完成した。
の問題は、第一の導電性薄膜と実質的に真性な薄膜の間
に形成する薄膜層である緩衝層に不純物を導入すること
に木質的な問題があること＝４− を見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
基体上に、第一の電極、第一の導電性薄膜、より薄い第
一の実質的に真性の薄膜、より厚い第二の実質的に真性
の薄膜、第二の導電性薄膜、第二の電極の順に形成せし
められた光電変換素子であって、前記実質的に真性の薄
膜は、一般式Ｓｉ、、Ｈｚｌ、＋ｚ （ｎは１以上の整
数）で表わされるシラン化合物のプラズマ分解により形
成されているものにおいて、前記より薄い第一の実質的
に真性の薄膜を形成する時の形成圧力は、前記より厚い
第二の実質的に真性の薄膜を形成するとき、の形成圧力
に比べ、より高い形成圧力にて形成されたものであるこ
とを特徴とする光電変換素子、を要旨とするものである
。
一の実質的に真性の薄膜、より厚い第二の実質的に真性
の薄膜、第二の導電性薄膜、第二の電極の順に形成せし
められた光電変換素子であって、前記実質的に真性の薄
膜は、一般式Ｓｉ、、Ｈｚｌ、＋ｚ （ｎは１以上の整
数）で表わされるシラン化合物のプラズマ分解により形
成されているものにおいて、前記より薄い第一の実質的
に真性の薄膜を形成する時の形成圧力は、前記より厚い
第二の実質的に真性の薄膜を形成するとき、の形成圧力
に比べ、より高い形成圧力にて形成されたものであるこ
とを特徴とする光電変換素子、を要旨とするものである
。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明における、より薄い第一の実質的に真性の薄膜と
は、一般式Ｓｉ、１ｔｌｚ、ｌ＋ｚ （ここでｎは、１
以上の整数）で表わされるシラン化合物のプラズマ分解
により形成された非晶質シリコンであり、薄膜中には、
水素原子が結合状態にて１〜５Ｑａ ｔχ程度含まれて
いるものである。該薄膜層の厚みは、１０〜５０００
Ａであり、本発明の目的を十分に発揮し、高変換効率を
得るためには、５０〜１００ＯＡが好ましく、さらにば
５０〜５０〇八がより好ましく、５０〜２０〇八が最も
好ましい。
は、一般式Ｓｉ、１ｔｌｚ、ｌ＋ｚ （ここでｎは、１
以上の整数）で表わされるシラン化合物のプラズマ分解
により形成された非晶質シリコンであり、薄膜中には、
水素原子が結合状態にて１〜５Ｑａ ｔχ程度含まれて
いるものである。該薄膜層の厚みは、１０〜５０００
Ａであり、本発明の目的を十分に発揮し、高変換効率を
得るためには、５０〜１００ＯＡが好ましく、さらにば
５０〜５０〇八がより好ましく、５０〜２０〇八が最も
好ましい。
本発明におけるシラン化合物とは、上記したごとく一般
式５ｌｙ１ｔｌｚｎ＋ｚで表わされるものであって、式
中ｎは１以上の整数である。具体的には、モノシラン、
ジシラン、トリシラン、テトラシランなどが好ましいも
のとして挙げられるが、取扱上、気体であるモノシラン
、ジシランが特に好ましい。
式５ｌｙ１ｔｌｚｎ＋ｚで表わされるものであって、式
中ｎは１以上の整数である。具体的には、モノシラン、
ジシラン、トリシラン、テトラシランなどが好ましいも
のとして挙げられるが、取扱上、気体であるモノシラン
、ジシランが特に好ましい。
本発明においては、かかるシラン化合物のプラズマ分解
法により、該真性の薄膜を形成する。
法により、該真性の薄膜を形成する。
該薄膜形成時の基板温度は、５０〜３００ ”Ｃであり
、反応圧力は、０．０１〜１０．’０Ｔｏｒｒ、シラン
化合物の流量は、１〜１００ｃｃ／ｍｉｎ 、プラズマ
発生のための高周波電力密度 は、０．００２〜１．叶
／ｃｍ２（高周波電力を高周波電極面積にて除した値）
である。なお、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスや
水素ガスを同時に添加しても構わない。また、これらの
ガスにより稀釈された高次シランを用いても構わない。
、反応圧力は、０．０１〜１０．’０Ｔｏｒｒ、シラン
化合物の流量は、１〜１００ｃｃ／ｍｉｎ 、プラズマ
発生のための高周波電力密度 は、０．００２〜１．叶
／ｃｍ２（高周波電力を高周波電極面積にて除した値）
である。なお、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスや
水素ガスを同時に添加しても構わない。また、これらの
ガスにより稀釈された高次シランを用いても構わない。
しかして、本発明においては、該第−の実質的に真性の
薄膜形成時の反応圧力は、前記のごとく０．０１〜１０
．０Ｔｏｒｒの範囲で、ひきつづいて形成される第二の
実質的に真性の薄膜を形成する際の反応圧力よりも高い
圧力が選択される。該薄膜形成中、反応圧力・は、一定
があるか、あるいは、形成開始時の反応圧力から次第に
低下させることも、反応圧力が上記条件を満たす限り、
特に限定するものではない。
薄膜形成時の反応圧力は、前記のごとく０．０１〜１０
．０Ｔｏｒｒの範囲で、ひきつづいて形成される第二の
実質的に真性の薄膜を形成する際の反応圧力よりも高い
圧力が選択される。該薄膜形成中、反応圧力・は、一定
があるか、あるいは、形成開始時の反応圧力から次第に
低下させることも、反応圧力が上記条件を満たす限り、
特に限定するものではない。
本発明においては、より厚い第二の実質的に真性の薄膜
は、上記したごとく、第一の実質的に真性の薄膜の形成
に用いた一般式Ｓｉ、、Ｈ７４，２（式中ｎは１以上の
整数）で表わされるシラン化合物であって、モノシラン
のプラズマ分解により形成された、結合水素を含んだ非
晶質シリコンである。
は、上記したごとく、第一の実質的に真性の薄膜の形成
に用いた一般式Ｓｉ、、Ｈ７４，２（式中ｎは１以上の
整数）で表わされるシラン化合物であって、モノシラン
のプラズマ分解により形成された、結合水素を含んだ非
晶質シリコンである。
その膜厚は、０．３〜１．０μであり、変換効率の点か
ら、０．５〜０．８ μが特に好ましい。
ら、０．５〜０．８ μが特に好ましい。
該薄膜形成時の基板温度は、５０〜３５０°Ｃであり、
好ましくは、１００〜３５０°Ｃである。モノシランガ
スは、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスや水素ガス
により稀釈されたもの、なんら稀釈されていないものの
いずれでも構わない。純シラン換算で、流量は、１〜１
００ｃｃ／ｍｉｎである。反応圧力は、０．０１〜１０
Ｔｏｒｒであり、プラズマ発生のための高周波電力は、
０．００１〜１．ＯＷ／ｃｍ２の範囲である。
好ましくは、１００〜３５０°Ｃである。モノシランガ
スは、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスや水素ガス
により稀釈されたもの、なんら稀釈されていないものの
いずれでも構わない。純シラン換算で、流量は、１〜１
００ｃｃ／ｍｉｎである。反応圧力は、０．０１〜１０
Ｔｏｒｒであり、プラズマ発生のための高周波電力は、
０．００１〜１．ＯＷ／ｃｍ２の範囲である。
該真性の薄膜層を高速で形成するためには２本発明者ら
が、すでに提案しているように、ジシランを用い、かつ
しきい値以上の放電エネルギーの供給下に該プラズマＣ
ＶＤが行われることが望ましい。しかして、ここにいう
しきい値とは、該真性薄膜の形成速度が主として、ジシ
ラン流量にのみ依存して変化し、印加エネルギー量によ
っては。
が、すでに提案しているように、ジシランを用い、かつ
しきい値以上の放電エネルギーの供給下に該プラズマＣ
ＶＤが行われることが望ましい。しかして、ここにいう
しきい値とは、該真性薄膜の形成速度が主として、ジシ
ラン流量にのみ依存して変化し、印加エネルギー量によ
っては。
−８＝
実質的に影響されることのないよ′うな、ジシラン単位
質量当りの最低のエネルギー量として定義される。該し
きい値について、より具体的には１本発明者らが、特開
昭５８−１７２６号公報に開示しているように、 ａ−
３ｉ：Ｈ膜の形成速度がグロー放電に用いる高周波電力
に依存して変化しなくなるところのグロー放電電力の値
である。
質量当りの最低のエネルギー量として定義される。該し
きい値について、より具体的には１本発明者らが、特開
昭５８−１７２６号公報に開示しているように、 ａ−
３ｉ：Ｈ膜の形成速度がグロー放電に用いる高周波電力
に依存して変化しなくなるところのグロー放電電力の値
である。
本発明においては、第一の電極上の第一の導電性薄膜は
、具体的には、ｐ型非晶質シリコン系薄膜であり、シラ
ン化合物Ｓｉ訂１２１１４２ （ｎは１以上の自然数）
とジボランＢｚＨｂの混合ガスのプラズマ分解によるｐ
型非晶質シリコン、あるいは、シラン化合物、ジボラン
および炭素化合物（たとえばメタン、エタンの飽和炭化
水素、アセチレン、エチレンなどの不飽和系炭化水素、
あるいはモノメチルシランなどの有機シラン化合物）の
プラズマ分解により形成されたｐ型非晶質シリコンカー
バイドが好ましい。
、具体的には、ｐ型非晶質シリコン系薄膜であり、シラ
ン化合物Ｓｉ訂１２１１４２ （ｎは１以上の自然数）
とジボランＢｚＨｂの混合ガスのプラズマ分解によるｐ
型非晶質シリコン、あるいは、シラン化合物、ジボラン
および炭素化合物（たとえばメタン、エタンの飽和炭化
水素、アセチレン、エチレンなどの不飽和系炭化水素、
あるいはモノメチルシランなどの有機シラン化合物）の
プラズマ分解により形成されたｐ型非晶質シリコンカー
バイドが好ましい。
一方、第二の導電性薄膜は、具体的には、ｎ型非晶質シ
リコン系薄膜であり、上記シラン化合物とフォスフイン
ＰＨ３あるいはアルシンＡＳＨ３の混合ガスのプラズマ
分解によるｎ型非晶質シリコンあるいは、ｎ型微結晶シ
リコンが好ましい。
リコン系薄膜であり、上記シラン化合物とフォスフイン
ＰＨ３あるいはアルシンＡＳＨ３の混合ガスのプラズマ
分解によるｎ型非晶質シリコンあるいは、ｎ型微結晶シ
リコンが好ましい。
本発明で用いられる基体や電極材料については、とくに
制限されず、従来用いられている物質および材料が有効
に用いられる。
制限されず、従来用いられている物質および材料が有効
に用いられる。
たとえば、基板としては絶縁性又は導電性、透明又は不
透明にいずれかの性質を有するものでもよい。基本的に
は、ガラス、アリミナ、シリコン、ステンレススティー
ル、アルミニウム、！（’１高分子等の物質で形成され
るフィル１、あるいは板状の材料を基体として有効に用
いることができる。電極材料としては、光入射側には、
もちろん透明あるいは透光性の材料を用いなければなら
ないが、これ以外の実質的な制限はない。アルミニウム
、モリブデン、ニクロム、酸化インジウム錫、酸化錫、
ステンレススティール等の薄膜又は薄板が電極材料とし
て有効に用いられる。
透明にいずれかの性質を有するものでもよい。基本的に
は、ガラス、アリミナ、シリコン、ステンレススティー
ル、アルミニウム、！（’１高分子等の物質で形成され
るフィル１、あるいは板状の材料を基体として有効に用
いることができる。電極材料としては、光入射側には、
もちろん透明あるいは透光性の材料を用いなければなら
ないが、これ以外の実質的な制限はない。アルミニウム
、モリブデン、ニクロム、酸化インジウム錫、酸化錫、
ステンレススティール等の薄膜又は薄板が電極材料とし
て有効に用いられる。
以下、実施例により本発明に実施の態様をさらに具体的
に説明する。
に説明する。
［実施例］
太陽電池作製装置として、第１図に模式的に示したプラ
ズマＣＶＤ装置を用いた。
ズマＣＶＤ装置を用いた。
基体挿入室１にて真空排気しながら加熱された基体１０
は、２層形成室２に移動させられ、ｐ膜が形成される。
は、２層形成室２に移動させられ、ｐ膜が形成される。
ｐ膜は、原料ガスの流量比がジボラン／ジシラン−２／
１００ 、アセチレン／ジシラン＝１．／１０．ジシラ
ン／水素−１７２０、で形成温度１００〜３００℃、圧
力０．０５〜１．（ｌＴｏｒｒでグロー放電により、約
１５０への厚みに形成された。Ｐ膜形成後、原料ガス導
入を停止し、１０” ’Ｔｏｒｒ以下まで真空排気し、
第一に実質的に真性の薄膜形成室３に移し、ついでジシ
ランを導入し、圧力０．０５〜１．．０Ｔｏｒｒで、流
量１〜５０ ｃ ｃ／ ｍ ｉ ｎ、形成温１９１００
〜３００ ”ｃで、同じくグロー放電により、第一の実
質的に真性の薄膜を第１表に示す形成（件にて形成した
。ついで、基体移送手段２０ ｃ：′、＋１ね、該基
体をｉ膜形成第１表 室４に移送した。ｉ膜形成室では、形成温度１００〜４
００℃、圧力０．０３〜５Ｔｏｒｒ 、モノシラン流量
１〜１００ｃｃ／ｍｉｎでグロー放電により、ｉ膜、す
なわち実質的に真性な第二の薄膜を約８００ＯＡ形成し
た。次にｎ膜形成室５に移送され、モノシランと水素稀
釈フォスフインとから、微結晶化ｎ膜がプラズマＣＶＤ
により、形成された。次いで、電極形成室６へ移送され
、真空蒸着により、アルミニウム電極が形成された。
１００ 、アセチレン／ジシラン＝１．／１０．ジシラ
ン／水素−１７２０、で形成温度１００〜３００℃、圧
力０．０５〜１．（ｌＴｏｒｒでグロー放電により、約
１５０への厚みに形成された。Ｐ膜形成後、原料ガス導
入を停止し、１０” ’Ｔｏｒｒ以下まで真空排気し、
第一に実質的に真性の薄膜形成室３に移し、ついでジシ
ランを導入し、圧力０．０５〜１．．０Ｔｏｒｒで、流
量１〜５０ ｃ ｃ／ ｍ ｉ ｎ、形成温１９１００
〜３００ ”ｃで、同じくグロー放電により、第一の実
質的に真性の薄膜を第１表に示す形成（件にて形成した
。ついで、基体移送手段２０ ｃ：′、＋１ね、該基
体をｉ膜形成第１表 室４に移送した。ｉ膜形成室では、形成温度１００〜４
００℃、圧力０．０３〜５Ｔｏｒｒ 、モノシラン流量
１〜１００ｃｃ／ｍｉｎでグロー放電により、ｉ膜、す
なわち実質的に真性な第二の薄膜を約８００ＯＡ形成し
た。次にｎ膜形成室５に移送され、モノシランと水素稀
釈フォスフインとから、微結晶化ｎ膜がプラズマＣＶＤ
により、形成された。次いで、電極形成室６へ移送され
、真空蒸着により、アルミニウム電極が形成された。
このようにして、得られた光電変換素子の光電変換が、
ＡＭＩ、１００ｍＷ／ｃｍ２の光照射下で、計測された
。結果を第１表に、実施例１〜５として示した。
ＡＭＩ、１００ｍＷ／ｃｍ２の光照射下で、計測された
。結果を第１表に、実施例１〜５として示した。
第１表には、また比較例のための例として、より薄い第
一の実質的に真性の薄膜を全く形成しない例（比較例１
）および該薄膜が４００ＯＡと厚い場合（比較例２）も
また示されている。
一の実質的に真性の薄膜を全く形成しない例（比較例１
）および該薄膜が４００ＯＡと厚い場合（比較例２）も
また示されている。
比較例と比べれば、明らかなように本発明の実施例にお
いては、開放端電圧（Ｖｏｃ）と短絡光電流（Ｊｓｃ）
に著しい改善が認められ、′また曲線因子（Ｆｌりにつ
いても、低下することなく、その結果と１７で、光電変
換効率が極めて優れた光電変換素子がｆＩＩられるこ七
が明らかである。
いては、開放端電圧（Ｖｏｃ）と短絡光電流（Ｊｓｃ）
に著しい改善が認められ、′また曲線因子（Ｆｌりにつ
いても、低下することなく、その結果と１７で、光電変
換効率が極めて優れた光電変換素子がｆＩＩられるこ七
が明らかである。
［発明の効果］
以上のごとく、本発明の方法、プラズマＣＶＤ法により
、形成された第一の導電性薄膜と第二に実質的に真性の
薄膜との間に、特定の厚カをもった第一の実質的に真性
の薄膜を、シラン化合物のプラズマ分解により、形成し
、介在させることにより、光電変換素子を作製すれば、
上記実施例の如く、開放端電圧と短絡光電流等の特性値
が著しく改善され、光電変換効率が極めて優れた光電変
換素子が提供されるのである。本発明の産業上の利用可
能性は極めて大きいと言わねばならない。
、形成された第一の導電性薄膜と第二に実質的に真性の
薄膜との間に、特定の厚カをもった第一の実質的に真性
の薄膜を、シラン化合物のプラズマ分解により、形成し
、介在させることにより、光電変換素子を作製すれば、
上記実施例の如く、開放端電圧と短絡光電流等の特性値
が著しく改善され、光電変換効率が極めて優れた光電変
換素子が提供されるのである。本発明の産業上の利用可
能性は極めて大きいと言わねばならない。
第１図は、本発明の素子を形成するために好ましい装置
の一例を示す模式図である。図において、Ｌ−−一−・
−・−基体挿入および予備加熱室、２−−−−−−ｐ膜
形成室、３−・−一一−−−第一の実質的に真性の薄膜
形成室、４−一一一一・・−ｉ膜形成室、５−−−−−
−− ｎ膜形成室、６−・・−・−・−・第二電極形成
室および基体取出し室、１０・−・−・−基体、１１−
−−−−一・−ヒーター内蔵加熱板、１２・・・−一一
一一一−−高周波印加電極、２０−一−−−−−−−−
原料ガス導入ライン、２１・・−一一−−−−−−真空
排気ライン、２２−−−−−一〜・−高周波電源、３０
−一−−−−−−−基体移送手段、３１−・−・−−一
−−仕切弁、３２−−一・−−−ｍ−絶縁物質、４０−
・・・・・−第二電極材料加熱ヒーター、４１−−一一
一−−第二電極用マスクを示す。
の一例を示す模式図である。図において、Ｌ−−一−・
−・−基体挿入および予備加熱室、２−−−−−−ｐ膜
形成室、３−・−一一−−−第一の実質的に真性の薄膜
形成室、４−一一一一・・−ｉ膜形成室、５−−−−−
−− ｎ膜形成室、６−・・−・−・−・第二電極形成
室および基体取出し室、１０・−・−・−基体、１１−
−−−−一・−ヒーター内蔵加熱板、１２・・・−一一
一一一−−高周波印加電極、２０−一−−−−−−−−
原料ガス導入ライン、２１・・−一一−−−−−−真空
排気ライン、２２−−−−−一〜・−高周波電源、３０
−一−−−−−−−基体移送手段、３１−・−・−−一
−−仕切弁、３２−−一・−−−ｍ−絶縁物質、４０−
・・・・・−第二電極材料加熱ヒーター、４１−−一一
一−−第二電極用マスクを示す。
Claims (1)
- （１）基体上に、第一の電極、第一の導電性薄膜、より
薄い第一の実質的に真性の薄膜、より厚い第二の実質的
に真性の薄膜、第二の導電性薄膜、第二の電極の順に形
成せしめられた光電変換素子であって、前記実質的に真
性の薄膜は、一般式 Ｓｉ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿２（ｎは１以上の整数）で表
わされるシラン化合物のプラズマ分解により形成されて
いるものにおいて、前記より薄い第一の実質的に真性の
薄膜を形成する時の形成圧力は、前記より厚い第二の実
質的に真性の薄膜を形成するときの形成圧力に比べ、よ
り高い形成圧力にて形成されたものであることを特徴と
する光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053055A JPH0815220B2 (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053055A JPH0815220B2 (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220578A true JPS63220578A (ja) | 1988-09-13 |
| JPH0815220B2 JPH0815220B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12932169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62053055A Expired - Fee Related JPH0815220B2 (ja) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | 光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815220B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63304673A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US7534628B2 (en) | 2006-10-12 | 2009-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming semiconductor device and method for forming photovoltaic device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107574A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS6074584A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Komatsu Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS60192374A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS61160979A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | Sharp Corp | 非晶質太陽電池の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-10 JP JP62053055A patent/JPH0815220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107574A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS6074584A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Komatsu Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
| JPS60192374A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS61160979A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | Sharp Corp | 非晶質太陽電池の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63304673A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US7534628B2 (en) | 2006-10-12 | 2009-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming semiconductor device and method for forming photovoltaic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0815220B2 (ja) | 1996-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07130661A (ja) | 非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法 | |
| JP2575397B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH0815220B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPS63220577A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JP2688219B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2659369B2 (ja) | 光電変換素子 | |
| JPH07183550A (ja) | 非晶質光電変換素子 | |
| JPH0612835B2 (ja) | 光電変換素子の製法 | |
| JPH0714075B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JP2728874B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPH02177371A (ja) | アモルファス太陽電池の製造方法 | |
| JPH0714072B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPS59165468A (ja) | 太陽電池用窓枠材の製造方法 | |
| EP0137043B1 (en) | Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell | |
| JPS6216514A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH08181079A (ja) | 非晶質半導体薄膜形成方法 | |
| JPH0612836B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH0815221B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH0519833B2 (ja) | ||
| JPH05343713A (ja) | 非晶質太陽電池の製造方法 | |
| JPH0714074B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPH0653533A (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| JPH0815222B2 (ja) | 光電変換素子の製造の方法 | |
| JPH0714073B2 (ja) | 光電変換素子の製法及びその製造装置 | |
| JPS63220581A (ja) | 光電変換素子の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |