JPS63222011A - 多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents

多結晶シリコンの製造方法

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JPS63222011A
JPS63222011A JP62054197A JP5419787A JPS63222011A JP S63222011 A JPS63222011 A JP S63222011A JP 62054197 A JP62054197 A JP 62054197A JP 5419787 A JP5419787 A JP 5419787A JP S63222011 A JPS63222011 A JP S63222011A
Authority
JP
Japan
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silicon
chloropolysilane
purity
polycrystal silicon
production
Prior art date
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Pending
Application number
JP62054197A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Ikeda
洋 池田
Makoto Tsunashima
綱島　真
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は多結晶シリコンの製造方法に関する。
〈従来技術とその問題点〉 シリコンは従来、四塩化珪素の亜鉛による還元や、トリ
クロロシランの熱分解、等によって製造されてきた。
還元剤を使用する製造方法では、還元剤からの汚染が避
は難く、トリクロルシランの熱分解による製造方法は高
温（１，０００℃以上）を必要とし経費の点で問題があ
る。
即ち、高純度のシリコンを得るには、還元剤を使用しな
い方法が、経費を削減するためには、低温度で遂行でき
る方法が望まれている。
く問題を１１丁決するための手段〉 本発明者らは、クロロポリシランが純粋な製品が得られ
、分解温度もトリクロロシランよりも低いことに着ＩＮ
　して、本発明を完成した。
〈発明の構成〉 未発１！ＩＩ　ｉ±、シリコン種結晶のイｆ在のもとで
、りロロポリシラン（Ｓ　ｉ４ｃ　Ｉ流−ｒλ、　ｎ≧
２）を７００°Ｃより高い温度で熱分解することを特徴
とする多結晶シリコンの製造方法を提供する。
クロロポリシランは上記化学式で表される化合物であっ
て、特に限定されないが、代表的なものはへキサクロロ
ジシラン、オクタクロロトリシラン、等である。これら
の化合物は蒸留精製を行なうことによって、９８．９９
９８％以上のものが容易に得られる。
熱分解温度は７００℃以下ではクロロポリシランが分解
し難く、１，０００℃を越えると経済的でないしトリク
ロロシランでもできるから意味がない。
本発明の方法においては、結晶核となるもの、例えば、
シリコンのワイヤを熱分解温度に加熱して、これにクロ
ロポリシランを接触させるのが好ましい。
本発明方法においては、クロロポリシランを不活性気体
で稀釈して反応速度を調節することが好ましい。
本発明の特徴は高純度のクロロポリシラン（それは容易
に得られる）を使用することにより、極めて高純度のシ
リコンを経済的に得られることである。
〈発明の具体的開示〉 以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例１ ７５０℃に加熱したシリコンワイヤを設けた容積１ｍ３
の反応容器に、純度９９．９９９９＄のヘキサクロロジ
シラン（０，０１ｇ／ｗｉｎ　）と純度９９．９９９％
のアルゴン（１００ｍｌ／ｌｌ１ｉｎ）の混合ガスを１
００時間吹き込んだ。ワイヤ上に１５．２ｇのシリコン
が析出し、放射化分析、原子吸光法により、純度９９．
９９９９４χであることが分った。
実施例２〜３、比較例１ ワイヤの温度を変えたのみで、実施例１と同様の反応を
行った。結果は表１の通りである。
表１ 実施例４〜６ ヘキサクロロジシランの純度と流量を変えたのみで実施
例１と同様の反応を行った。結果を表２に示す。
表２

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １　シリコン種結晶の存在のもとで、クロロポリシラン
    （ＳｉｎＣｌ＿２ｎ＋２、ｎ≧２）を７００℃より高い
    温度で熱分解することを特徴とする多結晶シリコンの製
    造方法。 ２　特許請求の範囲第１項記載の方法であって、純度９
    ９．９９９９％以上のクロロポリシランを使用すること
    を特徴とする方法。 ３　特許請求の範囲第１項記載の方法であって、クロロ
    ポリシランがヘキサクロロジシランであることを特徴と
    する方法。
JP62054197A 1987-03-11 1987-03-11 多結晶シリコンの製造方法 Pending JPS63222011A (ja)

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EP0282037A2 (en) 1988-09-14
EP0282037A3 (en) 1989-02-08
KR880011017A (ko) 1988-10-25

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