JPS63226028A - 蒸気乾燥装置 - Google Patents
蒸気乾燥装置Info
- Publication number
- JPS63226028A JPS63226028A JP5882087A JP5882087A JPS63226028A JP S63226028 A JPS63226028 A JP S63226028A JP 5882087 A JP5882087 A JP 5882087A JP 5882087 A JP5882087 A JP 5882087A JP S63226028 A JPS63226028 A JP S63226028A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- steam
- drying
- drying chamber
- ipa
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、蒸気乾燥装置に関し、特に、水洗後の各種物
体の付着水を除去するのに適用して有効な技術に関する
ものである。
体の付着水を除去するのに適用して有効な技術に関する
ものである。
半導体装置の製造工程においては、例えば、半導体ウェ
ハーを薬液で処理した後、この薬液を水洗により除去し
、この水洗処理に引き続いてウェハーに付着した水を乾
燥除去する処理が行われる。
ハーを薬液で処理した後、この薬液を水洗により除去し
、この水洗処理に引き続いてウェハーに付着した水を乾
燥除去する処理が行われる。
近年、この半導体ウェハーの乾燥を行うための装置とし
て蒸気乾燥装置が用いられている。
て蒸気乾燥装置が用いられている。
この蒸気乾燥装置においては、乾燥室の底部に揮発性薬
液として例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が注
入されている。この乾燥室の下方にはヒーターが設けら
れ、このヒーターにより前記ＩＰＡを加熱することによ
って蒸発させられたＩＰＡの蒸気で前記乾燥室は満たさ
れている。半導体ウェハーに付着した水を除去するため
の乾燥は、ＩＰＡ蒸気で満たされた乾燥室内に半導体ウ
ェハーを導入することにより行われる。この場合、ウェ
ハーは、前処理工程で室温に保たれた純水によって水洗
処理されているので、この時点では室温になっている。
液として例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が注
入されている。この乾燥室の下方にはヒーターが設けら
れ、このヒーターにより前記ＩＰＡを加熱することによ
って蒸発させられたＩＰＡの蒸気で前記乾燥室は満たさ
れている。半導体ウェハーに付着した水を除去するため
の乾燥は、ＩＰＡ蒸気で満たされた乾燥室内に半導体ウ
ェハーを導入することにより行われる。この場合、ウェ
ハーは、前処理工程で室温に保たれた純水によって水洗
処理されているので、この時点では室温になっている。
そのため、ウェハーを乾燥室内に導入した時、このウェ
ハーの表面でＩＰＡ蒸気が凝縮して液化される。そして
、この液化されたＩＰＡによってウェハー表面に付着し
ていた水が溶かされた後、ウェハーの表面から落下して
除去され、これによってウェハーの乾燥が行われる。
ハーの表面でＩＰＡ蒸気が凝縮して液化される。そして
、この液化されたＩＰＡによってウェハー表面に付着し
ていた水が溶かされた後、ウェハーの表面から落下して
除去され、これによってウェハーの乾燥が行われる。
なお、この種の蒸気乾燥装置に関連する先行文献として
は、例えば特開昭５７−８９６６４号公報が挙げられる
。
は、例えば特開昭５７−８９６６４号公報が挙げられる
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上述の従来の蒸気乾燥装置には次のよう
な多くの問題があった。すなわち、室温の半導体ウェハ
ーを乾燥室内に導入した直後にこの乾燥室内の温度、特
にウェハーの上部の温度がＩＰＡの液化温度以下に低下
してしまう、ところで、乾燥室の上部には冷却管が配置
されているため、この乾燥室の上部にはＩＰＡのミスト
が生じており、このミストとＩＰＡ蒸気との境界（以下
、蒸気面という）が存在する。そのため、乾燥室内に低
温（室温）のウェハーを導入するとＩＰＡの蒸気面が低
下することによりこのウェハーの上部がＩＰＡ蒸気の外
に露出し、その後再びウェハーがＩＰＡ蒸気により囲ま
れた状態に回復するまでの間にウェハーの温度が上昇し
てしまうためＩＰＡ蒸気との温度差が小さくなってしま
う、この結果、ウェハー表面で十分な量のＩＰＡが液化
されなくなるため自然乾燥に近い事態が生じ、乾燥不良
を生じてしまう。
な多くの問題があった。すなわち、室温の半導体ウェハ
ーを乾燥室内に導入した直後にこの乾燥室内の温度、特
にウェハーの上部の温度がＩＰＡの液化温度以下に低下
してしまう、ところで、乾燥室の上部には冷却管が配置
されているため、この乾燥室の上部にはＩＰＡのミスト
が生じており、このミストとＩＰＡ蒸気との境界（以下
、蒸気面という）が存在する。そのため、乾燥室内に低
温（室温）のウェハーを導入するとＩＰＡの蒸気面が低
下することによりこのウェハーの上部がＩＰＡ蒸気の外
に露出し、その後再びウェハーがＩＰＡ蒸気により囲ま
れた状態に回復するまでの間にウェハーの温度が上昇し
てしまうためＩＰＡ蒸気との温度差が小さくなってしま
う、この結果、ウェハー表面で十分な量のＩＰＡが液化
されなくなるため自然乾燥に近い事態が生じ、乾燥不良
を生じてしまう。
また、半導体ウェハーの導入時にＩＰＡ蒸気面が低下し
ないようにするためにヒーターによる加熱を強くすると
、ＩＰＡが沸騰して飛沫が生じ、この飛沫に混入してい
る異物がウェハー表面に付着してしまい、乾燥不良を生
じてしまう。
ないようにするためにヒーターによる加熱を強くすると
、ＩＰＡが沸騰して飛沫が生じ、この飛沫に混入してい
る異物がウェハー表面に付着してしまい、乾燥不良を生
じてしまう。
本発明の目的は、被乾燥物体の良好な乾燥を行うことが
できる技術を提供することにある。
できる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち１代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、蒸気発生源を乾燥室の底部に設けられた第１
の蒸気発生源と前記乾燥室の内壁に設けられた第２の蒸
気発生源とから構成している。
の蒸気発生源と前記乾燥室の内壁に設けられた第２の蒸
気発生源とから構成している。
上記した手段によれば、第２の蒸気発生源を設けた分だ
け蒸気を多量に発生させることができるので、乾燥室内
に被乾燥物体を導入した直後に蒸気面が低下しても短時
間で最初の蒸気面が回復して被乾燥物体を完全に蒸気で
囲まれた状態にすることができるとともに、薬液を沸騰
させることなく多量の蒸気を発生させることができるた
め薬液の飛沫が発生するのを防止することができる。こ
れによって、被乾燥物体の乾燥を良好に行うことができ
る。
け蒸気を多量に発生させることができるので、乾燥室内
に被乾燥物体を導入した直後に蒸気面が低下しても短時
間で最初の蒸気面が回復して被乾燥物体を完全に蒸気で
囲まれた状態にすることができるとともに、薬液を沸騰
させることなく多量の蒸気を発生させることができるた
め薬液の飛沫が発生するのを防止することができる。こ
れによって、被乾燥物体の乾燥を良好に行うことができ
る。
以下１本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものには同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
を有するものには同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
第１図は１本発明の一実施例による蒸気乾燥装置を示す
断面図である。
断面図である。
第１図に示すように１本実施例による蒸気乾燥装置にお
いては、上方が開口した例えばほぼ正方形の平面形状を
有する筒状の乾燥室１の底部に揮発性の薬液として例え
ばＩＰＡ２（第１の蒸気発生源）が注入されている。こ
の乾燥室１の下方にはヒーター３が設けられ、このヒー
ター３により前記ＩＰＡ２を加熱することによってＩＰ
Ａの蒸気を発生させることができるようになっている。
いては、上方が開口した例えばほぼ正方形の平面形状を
有する筒状の乾燥室１の底部に揮発性の薬液として例え
ばＩＰＡ２（第１の蒸気発生源）が注入されている。こ
の乾燥室１の下方にはヒーター３が設けられ、このヒー
ター３により前記ＩＰＡ２を加熱することによってＩＰ
Ａの蒸気を発生させることができるようになっている。
さらに１本実施例による蒸気乾燥装置においては。
乾燥室１の内壁に沿って樋４がらせん状に設けられてい
る。また、乾燥室１の外部には循環ポンプ５が設けられ
、乾燥室１の底部にたまっている工ＰＡ２を導管Ｃを通
じてこの循環ポンプ５により汲み上げて前記樋４に流す
ことができるようになっている。この樋４内のＩＰＡ２
はこの樋４を伝って下方に流れる間に乾燥室１の外周に
設けられたヒーター６により加熱されるようになってお
り、このためこの樋４内のＩＰＡ２（第２の蒸気発生ｉ
［）からもＩＰＡの蒸気を発生させることができるよう
になっている。そして、乾燥室１の底部のＩＰＡ２から
発生するＩＰＡ蒸気と樋４内のＩＰＡ２から発生するＩ
ＰＡ蒸気とにより、例えばキャリア７に収容された半導
体ウェハー８を乾燥させることができるようになってい
る。
る。また、乾燥室１の外部には循環ポンプ５が設けられ
、乾燥室１の底部にたまっている工ＰＡ２を導管Ｃを通
じてこの循環ポンプ５により汲み上げて前記樋４に流す
ことができるようになっている。この樋４内のＩＰＡ２
はこの樋４を伝って下方に流れる間に乾燥室１の外周に
設けられたヒーター６により加熱されるようになってお
り、このためこの樋４内のＩＰＡ２（第２の蒸気発生ｉ
［）からもＩＰＡの蒸気を発生させることができるよう
になっている。そして、乾燥室１の底部のＩＰＡ２から
発生するＩＰＡ蒸気と樋４内のＩＰＡ２から発生するＩ
ＰＡ蒸気とにより、例えばキャリア７に収容された半導
体ウェハー８を乾燥させることができるようになってい
る。
このように、乾燥室１の内壁に設けられた樋４内のＩＰ
Ａ２からもＩＰＡ蒸気を発生させることができるので、
乾燥室１内のＩＰＡ２の総表面積は、乾燥室１の底部に
のみＩＰＡ２が注入された従来の蒸気乾燥装置に比べて
例えば１０倍程度に増加し、このため多量のＩＰＡ蒸気
を得ることができる。従って、水洗等の前処理を終えた
ほぼ室温の半導体ウェハー８をキャリア７とともに乾燥
室１内に導入した直後にＩＰＡの蒸気面Ｖ（破線で示す
）が低下しても、極めて短時間で、すなわち半導体ウェ
ハー８の温度がほとんど上昇しない間にこの蒸気面Ｖは
最初の位置に回復する。これによって、半導体ウェハー
８の全表面で十分な量のＩＰＡが液化されるため、半導
体ウェハー８の良好な乾燥を行うことができる。また１
、ＩＰＡ２を高温に加熱して沸騰させなくても乾燥室１
内に十分な量のＩＰＡ蒸気を供給することができるので
、ＩＰＡ２の導線により生じる飛沫が半導体ウェハー８
に付着することがなくなり、これによっても半導体ウェ
ハー８の良好な乾燥を行うことができる。なお、実際に
は半導体ウェハー８の下方には受は皿（図示せず）が設
けられ、半導体ウェハー８の表面で液化して下方に落下
するＩＰＡをこの受は皿に収容して乾燥室１の外部に排
出することができるようになっている。
Ａ２からもＩＰＡ蒸気を発生させることができるので、
乾燥室１内のＩＰＡ２の総表面積は、乾燥室１の底部に
のみＩＰＡ２が注入された従来の蒸気乾燥装置に比べて
例えば１０倍程度に増加し、このため多量のＩＰＡ蒸気
を得ることができる。従って、水洗等の前処理を終えた
ほぼ室温の半導体ウェハー８をキャリア７とともに乾燥
室１内に導入した直後にＩＰＡの蒸気面Ｖ（破線で示す
）が低下しても、極めて短時間で、すなわち半導体ウェ
ハー８の温度がほとんど上昇しない間にこの蒸気面Ｖは
最初の位置に回復する。これによって、半導体ウェハー
８の全表面で十分な量のＩＰＡが液化されるため、半導
体ウェハー８の良好な乾燥を行うことができる。また１
、ＩＰＡ２を高温に加熱して沸騰させなくても乾燥室１
内に十分な量のＩＰＡ蒸気を供給することができるので
、ＩＰＡ２の導線により生じる飛沫が半導体ウェハー８
に付着することがなくなり、これによっても半導体ウェ
ハー８の良好な乾燥を行うことができる。なお、実際に
は半導体ウェハー８の下方には受は皿（図示せず）が設
けられ、半導体ウェハー８の表面で液化して下方に落下
するＩＰＡをこの受は皿に収容して乾燥室１の外部に排
出することができるようになっている。
一方、前記乾燥室１の上部には、その内壁に沿って例え
ば水冷による冷却管９が設けられている。
ば水冷による冷却管９が設けられている。
そして、ＩＰＡ蒸気はこの冷却管９により冷却され液化
された後、樋４に落下して回収されるようになっている
。従って、冷却管９で冷却され液化されたＩＰＡは乾燥
室１内を下方に落下することがないため、乾燥室１内に
ＩＰＡ蒸気の乱流が発生するのを防止することができる
。このため、工ＰＡのミストや異物の巻き込みにより半
導体ウェハー８が汚染されるのを防止することができ、
これによって半導体ウェハー８の良好な乾燥を行うこと
ができる。
された後、樋４に落下して回収されるようになっている
。従って、冷却管９で冷却され液化されたＩＰＡは乾燥
室１内を下方に落下することがないため、乾燥室１内に
ＩＰＡ蒸気の乱流が発生するのを防止することができる
。このため、工ＰＡのミストや異物の巻き込みにより半
導体ウェハー８が汚染されるのを防止することができ、
これによって半導体ウェハー８の良好な乾燥を行うこと
ができる。
このように、本実施例による蒸気乾燥装置によれば、半
導体ウェハー８の良好な乾燥を行うことができるので、
高集積ＬＳＩの歩留まり向上を図ることができる。
導体ウェハー８の良好な乾燥を行うことができるので、
高集積ＬＳＩの歩留まり向上を図ることができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、前記ａ４は必ずしもらせん状に連続的に設ける
必要はなく、乾燥室１の底面に平行に多数の樋４を互い
に分離した状態で設け、これらの樋４に設けた穴を通し
て各種４にＩＰＡ２を供給するようにしてもよい、また
、上述の実施例においては、半導体ウェハー８の乾燥に
本発明を適用した場合について説明したが、本発明は、
例えば光ティスフ、磁気ディスク、フォトマスク、レン
ズ等の各種物体の乾燥に適用することができる。
必要はなく、乾燥室１の底面に平行に多数の樋４を互い
に分離した状態で設け、これらの樋４に設けた穴を通し
て各種４にＩＰＡ２を供給するようにしてもよい、また
、上述の実施例においては、半導体ウェハー８の乾燥に
本発明を適用した場合について説明したが、本発明は、
例えば光ティスフ、磁気ディスク、フォトマスク、レン
ズ等の各種物体の乾燥に適用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、被乾燥物体の良好な乾燥を行うことができる
。
。
第１図は、本発明の一実施例による蒸気乾燥装置を示す
断面図である。 図中、１・・・乾燥室、２・・・ＩＰＡ（薬液）、３．
６・・・ヒーター、４・・・樋、８・・・半導体ウェハ
ー（被乾燥物体）、９・・・冷却管である。 第 １ 図
断面図である。 図中、１・・・乾燥室、２・・・ＩＰＡ（薬液）、３．
６・・・ヒーター、４・・・樋、８・・・半導体ウェハ
ー（被乾燥物体）、９・・・冷却管である。 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、揮発性の薬液を蒸発させることにより蒸気を発生す
るための蒸気発生源と、被乾燥物体を収容して前記蒸気
により乾燥を行うための乾燥室とを具備する蒸気乾燥装
置であって、前記蒸気発生源を前記乾燥室の底部に設け
られた第１の蒸気発生源と前記乾燥室の内壁に設けられ
た第２の蒸気発生源とから構成したことを特徴とする蒸
気乾燥装置。 ２、前記第２の蒸気発生源が前記乾燥室の内壁に設けら
れたらせん状の樋内を流れる前記薬液から成ることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の蒸気乾燥装置。 ３、前記樋の上方に冷却管を設けたことを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の蒸気乾燥装置。 ４、前記薬液がアルコールであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項〜第３項のいずれか一項記載の蒸気乾
燥装置。 ５、前記被乾燥物体が半導体ウェハーであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれか一項記
載の蒸気乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5882087A JPS63226028A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 蒸気乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5882087A JPS63226028A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 蒸気乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226028A true JPS63226028A (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=13095263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5882087A Pending JPS63226028A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 蒸気乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226028A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367950A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Lsi Logic Corp | イソプロピルアルコール蒸気乾燥装置及びシリコンウエハの乾燥方法 |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP5882087A patent/JPS63226028A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002367950A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Lsi Logic Corp | イソプロピルアルコール蒸気乾燥装置及びシリコンウエハの乾燥方法 |
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