JPH036822A - 半導体ウエハの乾燥装置および乾燥方法 - Google Patents
半導体ウエハの乾燥装置および乾燥方法Info
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- JPH036822A JPH036822A JP14253289A JP14253289A JPH036822A JP H036822 A JPH036822 A JP H036822A JP 14253289 A JP14253289 A JP 14253289A JP 14253289 A JP14253289 A JP 14253289A JP H036822 A JPH036822 A JP H036822A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体ウェハを完全に乾燥するための乾燥装置
と、乾燥方法に関する。
と、乾燥方法に関する。
従来の技術
半導体ウェハの乾燥方法としては従来よりスピンドライ
法が広く用いられてきたが、ウェハの表面が撲水性の場
合特定のパターン状にシミ状の異物が形成されるという
問題があった。このシミ状の異物は、例えば半導体ウェ
ハとしてシリコン（Ｓｔ）を用いた場合、接水性のシリ
コン表面に存在する水滴（Ｈ２０）が完全にスピンドラ
イにより除去されずに残在し、シリコンと反応してシリ
コン酸化膜（Ｓｉ（ｈ）として形成される。
法が広く用いられてきたが、ウェハの表面が撲水性の場
合特定のパターン状にシミ状の異物が形成されるという
問題があった。このシミ状の異物は、例えば半導体ウェ
ハとしてシリコン（Ｓｔ）を用いた場合、接水性のシリ
コン表面に存在する水滴（Ｈ２０）が完全にスピンドラ
イにより除去されずに残在し、シリコンと反応してシリ
コン酸化膜（Ｓｉ（ｈ）として形成される。
近年、スピンドライ法に代わる乾燥方法としてＩＰＡ（
イソプロピルアルコール）を用いた蒸気乾燥法が用いら
れている。この方法は第２図に示す様な構造を有するＩ
ＰＡ蒸気槽中に半導体ウェハを入れて乾燥する方法であ
る。
イソプロピルアルコール）を用いた蒸気乾燥法が用いら
れている。この方法は第２図に示す様な構造を有するＩ
ＰＡ蒸気槽中に半導体ウェハを入れて乾燥する方法であ
る。
蒸気槽２の底部のＩＰＡ溶液４をヒーター３により加熱
し沸とうさせる。沸とうしたＩＰＡは蒸気となり蒸気槽
２内に充満する。ウェハ１０を搭載したウェハキャリア
９をハンガー８により固定し蒸気槽内に入れる。ウェハ
１０が蒸気槽２内に入るとＩＰＡ蒸気は冷却され、ウェ
ハ上で凝縮し液化する。ウェハ上に存在していた水滴は
ウェハ上で凝縮したＩＰＡ中に溶は込みＩＰＡ液と共に
流れ落ちる。ウェハ上で凝縮し水分を溶かし込んだＩＰ
Ａ液は受は皿６で受けられ排液される。冷却管５には冷
却水が流され余分のＩＰＡ蒸気を再び液化して底部へ戻
し、蒸気が槽外部へ流出するのを防止する役割をする。
し沸とうさせる。沸とうしたＩＰＡは蒸気となり蒸気槽
２内に充満する。ウェハ１０を搭載したウェハキャリア
９をハンガー８により固定し蒸気槽内に入れる。ウェハ
１０が蒸気槽２内に入るとＩＰＡ蒸気は冷却され、ウェ
ハ上で凝縮し液化する。ウェハ上に存在していた水滴は
ウェハ上で凝縮したＩＰＡ中に溶は込みＩＰＡ液と共に
流れ落ちる。ウェハ上で凝縮し水分を溶かし込んだＩＰ
Ａ液は受は皿６で受けられ排液される。冷却管５には冷
却水が流され余分のＩＰＡ蒸気を再び液化して底部へ戻
し、蒸気が槽外部へ流出するのを防止する役割をする。
以上のような方法によりウェハ上の水分を除去しウェハ
を乾燥する方法が［ＰＡ蒸気乾燥法である。
を乾燥する方法が［ＰＡ蒸気乾燥法である。
発明が解決しようとする課題
しかしながらこの方法によるウェハの乾燥方法では次の
ような課題がある。
ような課題がある。
蒸気槽内に入れられたウェハの枚数が多い場合、あるい
はウェハ上に多量の水分が残存している場合にはウェハ
挿入直後にウェハ上で液化するＩＰＡの蒸気量が充分で
なく、ウェハ挿入直後にウェハ表面の水分を溶かすこと
ができない。この場合にはウェハ上に水分が残存するこ
とになり、［ＰＡ蒸気の供給があるまでにウェハと残存
した水分が反応してシミ状の異物を形成することがある
。
はウェハ上に多量の水分が残存している場合にはウェハ
挿入直後にウェハ上で液化するＩＰＡの蒸気量が充分で
なく、ウェハ挿入直後にウェハ表面の水分を溶かすこと
ができない。この場合にはウェハ上に水分が残存するこ
とになり、［ＰＡ蒸気の供給があるまでにウェハと残存
した水分が反応してシミ状の異物を形成することがある
。
シミ状の異物の形成は２像気姶内に挿入さｉするウェハ
枚数やウェハキャリア等の熱容量と蒸気槽内の蒸気量や
ヒーターの能力等により決まり、従来装置および方法に
よる乾燥では安定した乾燥は困難である。
枚数やウェハキャリア等の熱容量と蒸気槽内の蒸気量や
ヒーターの能力等により決まり、従来装置および方法に
よる乾燥では安定した乾燥は困難である。
課題を解決するための手段
前記課題を解決するために本発明による半導体ウェハの
乾燥装置および乾燥方法は次のような構造、手段をとる
。
乾燥装置および乾燥方法は次のような構造、手段をとる
。
ＩＰＡ蒸気槽に隣接してＩＰＡ溶液槽を有しており、水
洗後のウェハは蒸気槽に入れる前にｒＰＡ溶液槽に浸さ
れ、表面の水分をＩＰＡ＃液中に溶かし込み、表面をＩ
ＰＡ液で置換した後蒸気槽に入れるものである。
洗後のウェハは蒸気槽に入れる前にｒＰＡ溶液槽に浸さ
れ、表面の水分をＩＰＡ＃液中に溶かし込み、表面をＩ
ＰＡ液で置換した後蒸気槽に入れるものである。
作用
この乾燥装置および乾燥方法による半導体ウェハの乾燥
によればウェハ上の水分はＩＰＡ溶液槽内のＩＰＡ液中
に溶は込むため、蒸気槽に入れられた時には水分は残存
せず、ウェハ枚数等によらずシミ状異物の発生のない完
全な乾燥が可能である。
によればウェハ上の水分はＩＰＡ溶液槽内のＩＰＡ液中
に溶は込むため、蒸気槽に入れられた時には水分は残存
せず、ウェハ枚数等によらずシミ状異物の発生のない完
全な乾燥が可能である。
実施例
以下、本発明による半導体ウェハの乾燥装置および乾燥
方法を第１図に示す乾燥装置概略図により詳述する。
方法を第１図に示す乾燥装置概略図により詳述する。
第１図に示すように、この乾燥装置は従来の蒸気槽２に
隣接して、ＩＰＡ溶液槽１１を有する構造である。ＩＰ
Ａ溶液槽１１は乾燥すべきウェハ１０を搭載したウェハ
キャリア９と共に、同ウェハ１０全部を浸すことが可能
である。また、ウェハキャリア９を固定するハンガー８
は、ハンガー駆動部７に沿って移動できるよう構成され
、ＩＰＡ溶液槽１１と蒸気槽２との間で同ウェハキャリ
ア９を搬送することができる。
隣接して、ＩＰＡ溶液槽１１を有する構造である。ＩＰ
Ａ溶液槽１１は乾燥すべきウェハ１０を搭載したウェハ
キャリア９と共に、同ウェハ１０全部を浸すことが可能
である。また、ウェハキャリア９を固定するハンガー８
は、ハンガー駆動部７に沿って移動できるよう構成され
、ＩＰＡ溶液槽１１と蒸気槽２との間で同ウェハキャリ
ア９を搬送することができる。
この乾燥装置を用いた半導体ウェハの乾燥方法を以下に
述べる。
述べる。
まず水洗後のウェハ１０およびウェハキャリア９はＩＰ
Ａ溶液槽１１の上部においてハンガー８に固定される。
Ａ溶液槽１１の上部においてハンガー８に固定される。
ハンガー８はハンガー駆動部７に沿って下方へ移動し、
ウェハ１０をＴＰＡ溶液槽１１中ヘウエハを浸す。ウェ
ハ１０の表面上の水分は、ここでＩＰＡ溶液４中へ溶は
込み、ウェハ表面はＩＰＡ液で置換される。約１０秒後
ハンガー８が上方へ移動しウェハ１０を持ち上げる。こ
の際ウェハ１０の表面にはすでに水分は存在しない。ハ
ンガー８は右方向へ移動し、蒸気槽２内ヘウエハを入れ
る。約５分間でウェハ１０は完全に乾燥され蒸気槽２よ
り引き上げられ、乾燥を終了する。
ウェハ１０をＴＰＡ溶液槽１１中ヘウエハを浸す。ウェ
ハ１０の表面上の水分は、ここでＩＰＡ溶液４中へ溶は
込み、ウェハ表面はＩＰＡ液で置換される。約１０秒後
ハンガー８が上方へ移動しウェハ１０を持ち上げる。こ
の際ウェハ１０の表面にはすでに水分は存在しない。ハ
ンガー８は右方向へ移動し、蒸気槽２内ヘウエハを入れ
る。約５分間でウェハ１０は完全に乾燥され蒸気槽２よ
り引き上げられ、乾燥を終了する。
この方法によれば、ウェハ枚数や水分量に関係な（安定
して完全乾燥が可能である。
して完全乾燥が可能である。
発明の効果
以上のように本発明による半導体ウェハの乾燥装置およ
び乾燥方法によれば、シミ状異物の発生のない完全なウ
ェハの乾燥が可能である。
び乾燥方法によれば、シミ状異物の発生のない完全なウ
ェハの乾燥が可能である。
第１図は本発明の一実施例による半導体ウェハの乾燥装
置の概略図、第２図は従来の半導体ウェハの乾燥装置の
概略図である。 １・・・・・司ＰＡ蒸気乾燥装置、２・・・・・・蒸気
槽、３・・・・・・ヒーター ４・・・・・・ＩＰＡ溶
液、５・・・・・・冷却管、６・・・・・・受は皿、７
・・・・・・ハンガー駆動部、８・・・…ハンガー、 ９・・・・・・ウエノ１キャリア、 １０・・・・・・ウ ェハ、 １・・・・・・Ｉ ＰＡ溶液槽。
置の概略図、第２図は従来の半導体ウェハの乾燥装置の
概略図である。 １・・・・・司ＰＡ蒸気乾燥装置、２・・・・・・蒸気
槽、３・・・・・・ヒーター ４・・・・・・ＩＰＡ溶
液、５・・・・・・冷却管、６・・・・・・受は皿、７
・・・・・・ハンガー駆動部、８・・・…ハンガー、 ９・・・・・・ウエノ１キャリア、 １０・・・・・・ウ ェハ、 １・・・・・・Ｉ ＰＡ溶液槽。
Claims (2)
- （１）半導体ウェハを浸すＩＰＡ（イソプロピルアルコ
ール）溶液槽と前記半導体ウェハを乾燥するＩＰＡ蒸気
乾燥槽とを備えたことを特徴とする半導体ウェハの乾燥
装置。 - （２）水洗後の半導体ウェハをＩＰＡ溶液中に浸した後
、連続してＩＰＡ蒸気乾燥することを特徴とする半導体
ウェハの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14253289A JPH036822A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 半導体ウエハの乾燥装置および乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14253289A JPH036822A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 半導体ウエハの乾燥装置および乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036822A true JPH036822A (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=15317546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14253289A Pending JPH036822A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 半導体ウエハの乾燥装置および乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH036822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191192B1 (en) | 1997-06-23 | 2001-02-20 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Antibacterial polymeric moldings |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140728A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Hitachi Ltd | 物体の洗浄乾燥方法 |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP14253289A patent/JPH036822A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01140728A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-01 | Hitachi Ltd | 物体の洗浄乾燥方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191192B1 (en) | 1997-06-23 | 2001-02-20 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Antibacterial polymeric moldings |
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