JPS63227769A - 薄膜生成方法及びその装置 - Google Patents

薄膜生成方法及びその装置

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JPS63227769A
JPS63227769A JP6094687A JP6094687A JPS63227769A JP S63227769 A JPS63227769 A JP S63227769A JP 6094687 A JP6094687 A JP 6094687A JP 6094687 A JP6094687 A JP 6094687A JP S63227769 A JPS63227769 A JP S63227769A
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thin film
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film
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Isao Hashimoto
勲 橋本
Tomio Takahashi
富雄 高橋
Hiroyoshi Sadamura
定村 弘祥
Yoshiyasu Murata
村田 義康
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜生成方法、及びその装置に係り、特に蒸着
やスパッター等とイオンビームを併用して薄膜の生成を
低温にて1強固、あるいは硬、軟膜の積層膜等の生成す
るに好適な薄膜生成方法、及びその装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、スパッターや蒸着とイオン照射を併用して成膜す
る例は1例えば特開昭60−56066号公報に記載の
よう成膜基板を回転し、一定角度を持ってイオンビーム
を入射させ、成膜していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は生成膜の厚さ方向に対し、均一の膜を付
けるためのものであり、厚さ方向の膜の特性の制御には
配慮されていなかった。生成膜にしても硬さと軟らかさ
の両方の性質を有するもの、序々に硬く、あるいは軟ら
かくなる成膜等いろいろの特性が要求される。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、成膜した厚方向の特性を制御し、各種の特
性を有する膜を得ることのできる薄膜生成方法、及びそ
の装置を提供するにある。
c問題点を解決するための手段〕 上記目的は、スパッターや蒸着とイオンビーム入射を併
用する際に、基板に対するイオンビームの入射角と方向
を時間経過とともに変化させる薄膜生成方法、及びビー
ム入射角を変える制御装置を備えた薄膜生成装置とする
ことによって達成される。
〔作用〕
一般に、低温成膜においては、成膜時の結晶はイオンビ
ームの入射方向に成長する。そのため基板に対しイオン
ビームの入射方向が一定だと柱状の結晶を有する膜とな
り、軟らかい膜ができる。
又、基板に対し、イオンビームの入射方向を数十度に保
ち、入射方向を連続的に変える(基板を回転させる)と
強固な膜が出来る。
従って、本発明のように基板に対するイオンビームの入
射方向を制御することにより、成膜中の厚さ方向の膜特
性が制御可能となる。
〔実施例〕
以下、図面の実施例に基づいて本発明を説明する。
第1図に本発明の薄膜生成装置の一実施例を示す、該図
において、1はイオンビーム6を発生させるイオン源、
2は蒸発物質7を蒸発させる蒸発装置、3はイオンビー
ム6と蒸発物質7の併用によって生膜される基板、4は
基板3を回転させたり、イオンビーム6との入射角θを
変更する回転、及び角度可変機構、5は角度可変機構4
への入射角設定装置である。
次に動作について説明する。
まず、イオン源1でイオンビームを発生させ、蒸発装置
2よりの蒸着物質7とにより基板3に成膜する。この際
基板3は回転および角度可変機構4により回転し、又、
イオンビーム6との入射角θが変更可能である。この入
射角θは入射角設定装置5により1時間により変化する
ようになっている。
即ち、成膜中の入射角θを第2図のように、時間の経過
によりパルス的にさせることにより硬い膜と軟らかに膜
の積層したものができる。又、第3図のように入射角θ
を時間の経過と共に連続的に増加するよう変ることによ
り特性が連続して変っていく膜ができる。
〔発明の効果〕
以」ユ説明した本発明の薄膜生成方法、及びその装置に
よれば、スパッターや蒸着とイオンビーム照射を併用す
る際に、基板に対するイオンビームの入射角と方向を時
間経過とともに変化させる薄膜生成方法、及びイオンビ
ーム入射角を変える制御装置を備えた薄膜生成装置とし
たものであるから、[厚方向の特性の制御が可能であり
、各種の性質を有する成膜が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のif生成装置の一実施例を示す構成図
、第2図は本発明の薄膜生成方法における入射角の変化
を示し特性の異なる膜のMM右方法時間的特性図、第3
図は同じく特性を連続的に変化させるための生膜方法の
時間的特性図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、スパッター、あるいは蒸着等とイオンビーム照射を
    併用して基板に成膜する薄膜生成方法において、前記成
    膜基板に対し前記イオンビームの照射角度、及びイオン
    ビームの照射方向を成膜期間中時間経過により変えるこ
    とを特徴とする薄膜生成方法。 2、前記イオンビームの照射角度を一定の周期で変え、
    かつ、その内の1つが基板に対してほぼ90°入射とな
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜生
    成方法。 3、前記イオンビームの照射角度を時間経過とともに連
    続的に変化させることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の薄膜形成方法。 4、イオンビームを発生させるイオン源と、該イオン源
    より発生したイオンビームと併用されるスパッター、あ
    るいは蒸着等の発生装置と、これら両装置からのイオン
    ビームとスパッター、あるいは蒸着によって成膜される
    被処理基板とを備えている薄膜生成装置において、前記
    被処理基体に対するイオン源からのイオンビームの入射
    角を決められた時間に変える制御装置を備えていること
    を特徴とする薄膜生成装置。 5、前記制御装置は、前記被処理基体の回転、又はイオ
    ンビームとの入射角が変更可能な回転、及び角度可変機
    構と、前記イオンビームとの入射角を時間により変化さ
    せる入射角設定装置とより形成されることを特徴とする
    特許請求の範囲第4項記載の薄膜生成装置。
JP62060946A 1987-03-18 1987-03-18 薄膜生成方法及びその装置 Expired - Fee Related JPH086179B2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6215566U (ja) * 1985-07-12 1987-01-30

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6215566U (ja) * 1985-07-12 1987-01-30

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