JPS63227785A - パタ−ンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （、）産業上の利用分野 本発明は、例えば、印刷基板等の電子部品、自ｕｔ　Ｉ
ｔのダツシュボード、エンブレムなど、プラスチック製
の基板に金属被膜を形成するパターンの形成方法に関し
、特に、基板と金属被膜との結合強度を高められるよう
にしたパターンの形成方法に閃する。

（ｂ）従来の技術 従来、電気絶縁性を有するプラスチックの基板に金属パ
ターン層を形成する方法として、基板に化学的な還元法
で金属パターン層を析出させ、必要に応じてその金属パ
ターン層に電気的なメッキ？＋已２＋　１似ＩＩ′ｈ１
　　需蕾解ノ〜番ｊ拮普ａｔｎｍヘれている。

無電解メッキによってプラスチック製の基板に金属パタ
ーン層を形成する場合、その金属パターン層が特別なパ
ターンを描くように形成されること力を少なくない。

例えば、印刷基板等の電子部品の場合であれば、その基
板に実装される素子同士、或いはその素子と外部回路と
を接続する導線が金属被膜で形成され、自Ｓ車のダツシ
ュボード等の場合であれば、計器、表示ランプ或いは計
器パネル等を取り囲むトリミング線が金属パターと層で
形成され、、装飾用のエンブレムの場合であれば、特に
デザイン上金属光沢が要求される部分には金属パターン
層が形成される。

このように基板の一部分に金属パターン層を形成する方
法としては、ｒｌＩ．密な金属パターン層を形成できる
、いわゆる、エツチドホイール法とアディティブ法が主
流を占めている。

エツチドホイール法は、基板のパターン形成面の全面に
無電解メッキにより金属被膜を形成する金属膜形成工程
と、この金属被膜の表面に金属被膜の所要部分に対応す
る陽画パターンを有するエラチンブレジス）　Ｊｌを付
着させるレノス）　膜形成工程と、上記金属膜形成工程
及びレジスト膜形成工程を経た基板をエツチング液中に
浸漬し、エツチングレジスト膜で被覆されていない金属
被膜の不要部分をエツチングにより除去する不要部エツ
チング工程と、不要部エツチング工程において不要部分
を除去された金属波膜の表面からエツチングレノスト膜
を除去するレジスト除去工程から成っている。

アディティブ法は、基板のパターン形成面に金属被膜の
不要部分に対応する陰画パターンを有するメツキレシス
ト膜な形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜
形成工程を経た基板を無電解メッキ液中に浸漬し、その
表面の全面にわたって金属被膜を析出、付着させる金属
被膜形成工程と、金属被膜形成工程において金属被膜を
付Ｘｉさせた基板から不要部分の金属被膜とメッキレノ
スト膜とを除去する不要部除去工程とから成っている。

また、これらエツチドホイール法或いはアディティブ法
によって基板の表面に形成された被膜と基板との付着力
を高めるために、基板の少な（とも・表面を熱可塑性プ
ラスチックスで形成し、基板とこれの表面に付着させた
金属被膜とを加熱及び加圧することによる接着する方法
がすでに提案されている（特開昭５７−１４５９９７号
公報）。

（Ｃ）発明が解決しようとする問題点 上記のエツチドホイール法或いはアディティブ法では、
エツチングレノスト膜或いはメッキレノスト膜を形成す
るレジスト膜形成工程と、そのレノスト膜を除去するレ
ノスト膜除去工程が必要とされ、工程数を少なくしてコ
ストダウンを図る上で不利になる。

また、エツチドホイール法では、エツチングレノスト膜
の周＆を部でエツチングがレジスト膜の下ａまで進み、
所要のパターンが細くなる、いわゆる、喰込みの発生と
いう問題点がある。

このような喰込みは、そのパターンに要求される抵抗値
等の電気的特性に影響することから、印刷基板等の電子
部品においては極力防止されねばならない。

アディティブ法では、レジスト膜の除去が不完全であれ
ば隣り合うパターンの間の誘電率等の電気的特性に影響
が生じ、また、レノスト膜の除去に際して所要のパター
ンの周縁部が剥離し、上述の喰込みと同様に、抵抗値等
の電気的特性に影響が出る。

更に、通常、基板の表面は平滑面に形成されているので
、金属波膜と基板との親和性ひいては金属被膜の基板へ
の付着強度を高める上で不利である。

基板を熱可塑性プラスチ・／クスで形成し、基板とこれ
の表面に形成された金属パターン層とを加熱加圧によっ
て接着させる技術によれば、基板と金属波膜とが接着に
よって強固に結合されることになるはずであるが、実際
には、金属被膜と基板との熱膨張率或いは熱収縮率の差
異によって金属るカールが発生し、ｇ傾注が欠けること
が分かった。

本発明は、上記の事情を考慮してなされたものであって
、正確なパターンに金属層を形成でと、金、属パターン
層と基板との接合強度が著しく高く、しかも、信頼性が
高められるようにしたパターンの形成方法を提供するこ
とを口約とする。

（ｄ）問題式゛工を解決するための手段即ち、本Ｈｆｊ
Ｓ１の発明は、 基板のパターン形成面に所要のパターンを有するインキ
層を形成するパターン形成工程（Ａ）、上記パターン形
成工程（Ａ）において印刷されたインキ層の表面をエッ
チングにより粗荒面に形成するエツチング工程（Ｂ）、 上記エツチング工程（Ｂ）を経て得られた基板を無電解
メッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メ、ンキ層を形
成させる金属パターン形成工程（Ｃ）、よりなることを
特徴とするものである。

又、本ＩＥ［！ｆｆ１２の発明は、 廿　釦　負　、Ｊ　々　−−７πづ　ｒ訃　需　神　ズ
　１哩　小　、、ｖ　　ＩＩ　　−１、す−六　−トる
インキ層を印刷するパターン形成工程（Ａ）、上記パタ
ーン形成工程（Ａ）において印刷されたインＡ層の表面
をエツチングにより粗荒面に形成するエツチング工程（
Ｂ）、 上記エツチング工程（Ｂ）で１７られな基板を無電解メ
ッキ液に１２潰し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形成
させる金属パターン形成工程（Ｃ）、上記金属パターン
形成工程（Ｃ）においてインキ層の表面に形成させた金
属メッキ層に電解メッキにより註金属メッキ層と同種又
は異種の金属を析出させる電角イメッキ工程（Ｄ）、 よりなることを特徴とするものである。

更に、本願第３の発明は、 基板のパターン形成面に所要のパターンを有する導電性
インキ層を印刷するパターン形成工程（Ａ）、 パターン形成工程（Ａ）において印刷された導電性イン
キ層の表面をエッチングにより粗荒面に形成して当該導
電性インキ中の金属を露出させるエツチング工程（［３
）、 上記エツチング工程（［３）で得られた基板に電解メッ
キにより導電性インキ中の金属と同種又は異種の金属を
析出させる金属パターン形成工程（Ｃ）、よりなること
を特徴とするものである。

以下、先ず本ＩＩ第１の発明について詳細に説明する。

本発明においては、先ず、基板のパターン形成面に所要
のパターンを有するインキ層を形成する工程（Ａ）を実
施する。

本発明において、基板に使用される素材としては特に限
定されるものではな（、ガラスやプラスチックス或いは
これらの複合材料などが挙げられるが、具体的には、例
えば、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、〃ラス
エポキシ系樹脂、ガラステフロン系樹脂、ポリアミドイ
ミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリエチレン系ω
１脂等のプラスチック或いはプラスチックスとガラス等
の複合材料を挙げることができる。

又、基板の形態としては、後述するインキ層が形成しう
るちのであれば特に限定されるものではなく、フィルム
やシート或いは板体等、任意のものが挙げられる。

上記パターン形成工程において、形成されるインキ層は
特に限定されるものではないが、エツチング工程におい
て基板のエツチングによる腐食を防止するために、エツ
チング剤に対する対薬品性が基板のそれよりも劣ること
が必要である。

インキ層の材質は、具体的に例示すれば、発熱或いは加
熱をｆｌ’わずに硬化され、プラスチックス製の基板と
の親和性に優れている、照射線硬化型インキで形成する
ことが推奨される。

また、照射線硬化型インキとしては、自然光、紫外線又
は電子線等の照射線の照射によって感応し、硬化するも
のであれば１３に限定されるものではないが、この硬化
処理におけるエネルギー消費が特に少ない紫外線硬化型
インキが推奨される。

紫外線硬化型インキは、通常、色料、プレポリマー、必
要に応じて添加されるモノマー、光開始剤からなる。

ンキの貯蔵安定性等を考慮して選定すればよく、例元ば
、有機顔料、体質顔料、カーボンブラック、チタン白、
金属粉等が使用される。

プレポリマーとしては、ポリオール７クリレート０、エ
ポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエス
テルアクリレート、アルキドアクリレート、ポリエーテ
ルアクリレート等のアクリル系合成樹脂が使用される。

ポリオールアクリレートとしては、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、ペンタエリ入りト−）レテトラア
クリレート、ノベンタエリスリトールへキサアクリレー
ト、ノトリメチロールプロパンテトラアクリレート等が
例として挙げられる。

エポキシアクリレートとしては、エポキシ化乾性油アク
リレート、ビスフェノールＡ型ノグリシノルアクリレー
ト、変性ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、／
ボラック型エポキシアクリレート、虞肪族エポキシアク
リレート等が例として挙げられる。

ウレタン７りＩ＋レート、１−　Ｌ　ｆ　Ｉ＋−ボリカ
ーボ木−ドアクリレート、ヒドロキシル基含有アクリレ
ート、ノイソシアネートとヒドロキシル基含有物の反応
生成物（アルキド、乾性油、ポリエステルなど）？Ｐが
例として挙げられる。

ポリエステルアクリレートは、油類、変性アルキドυＩ
脂、変性ポリエステル樹脂等をベースにしてこれにアク
リロイル基を導入し、更にウレタン化したようなもので
、変化に富んでいる。

モアマーは希釈剤として低粘度化のために使用するとと
もに、アクリロイル基による架橋密度の大きいものは高
速硬化性をグえ、レオロジー調整のためにも採用される
。

上記モアマーの多くはブランケット、ローラ、印刷版に
影響を及ぼすので、その選定には注意を要する。

上記モアマーとしては、アクリルモアマー、メタクリル
レート、ビニルエーテル、イタコン酸エステル等が使用
され、特にＮ−ビニルピロリドンは低粘度反応性希釈剤
として推奨されている。

アクリルモアマーとしては、例えば、モノアクリ　し　
−　ト　、　　ジ　ア　り　リ　し　−　ト、ト　　リ
　ア　り　リ　し　−　ト　々とが使用され、モノアク
リレートとしては、ヒドロキシブチルアクリレート、ジ
シクロペンタンジアクリレート、１．Ｃ−ヘキサンジオ
ールモノアクリレート、シクロヘキシルアクリレート等
が例として挙げられる。

又、ノアクリレートとしては、１．６−ヘキサンノオー
ルノアクリレート、ネオペンチルグリコールノアクリレ
ート、トリエチレングリフールノアクリレート、エチレ
ングリコールジアクリレート、トリノチロールブロバン
ノアクリレート、トリプロピレングリコールノアクリレ
ートなどが例として挙げられる。

更に、・トリアクリレートとしては、トリメチロールプ
ロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリア
クリレートなどが例として挙げられる。

光開始剤は、ここでは紫外線を吸収して重合反応を開始
させるものを意味しており、助触媒的な作用を有する増
感剤はこれと区別されている。尤ｒｆＡ始剤は、コス１
、吸収スペクトル、溶解性、色調、光活性、毒性、安定
性及び連発性を考慮して選定する必要があり、標準的に
は、ラジカル反応型のうちの水素引き抜き型のもの、例
えばアリルケトン型が使用される。アリルケトン型の光
開始剤としてはベンゾフェノンとその誘導体が使用され
、アミンやチオールが水素供与体として添加される。

添加剤としては、ミスト防止剤、滑り剤、酸化防止剤、
乾燥剤、湿潤屑、粘度改良剤、ワックス、暗所重合や貯
ｉ重合を防止するための重合禁止剤が使用される。重合
禁止剤は、インキの硬化性を低下しないものを選、凰ζ
ことが重要であり、例えば、ベンゾキ７ン、ハイドロキ
ノン、メトキノン等が推奨される。

又、上記のインキには炭酸カルシウム、酸化アルミニウ
ム、酸化亜鉛又は金属塩等の可溶性充填剤を加え、後述
する粗荒面形成の際に、これを水、酸又はアルカリで溶
出させて粗荒面の形成を一層容易にしてもよいのである
。

ところで、上記インキ層が照射線硬化型インキで形成さ
れている場合には、基板のパターン形成面に所要のパタ
ーンを有するインキ層を形成する方法として、印刷法と
写真法のいずれかを採用することができる。

即ち、印刷法では、上記パターン形成工程が、基板にイ
ンキ層を所要のパターンに印刷する印刷工程と、この印
刷工程で基板に印刷されたインＡ層を硬化させる工程か
らなる。この印刷法は、インキ層を形成するインキが照
射線硬化型インキでない場合にも採用することが可能で
ある。

印刷法は通常の印刷装置を使用する常法の印刷方法を採
用することができ、例えば、印刷基板等の電子部品の回
路パターンを印刷する場合であれば礼服の一種であるシ
ルクスクリーンを使用するシルクスクリーン印刷法によ
り印刷すればよい。

また、写真法では、上記パターン形成工程が、基板のパ
ターン形成面の全面にわたってインキ層を塗布する塗膜
形成工程と、上記塗膜形成工程により形成されたインキ
層において所要のパターンを形成するパターン部分に照
射線を照射してこのパターン部分を硬化させるパターン
硬化工程と、上記パターン硬化工程において硬化させた
パターン部分を除（インキ層の部分を除去する余剰イン
！Ｉｒ層除去工程で構成される。

余剰インキ層除去工程は、例えば、水洗或いは有機溶剤
による溶出等の筒！１ｉな作業でよい。

上記インキ層が紫外線硬化型インキで形成されているば
あいにおいて、紫外線発生源としては、キセノンランプ
、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、紫外用蛍光灯等
が挙げられ、又、紫外線の照射時間は数秒から数分で充
分である。

本発明においては、次に、上記工程（Ａ）において印刷
されたインキ層の表面をエツチングにより粗荒面に形成
するエツチング工程１）を□実施する。

このエツチング工程（Ｂ）において使用されるエツチン
グ液Ｃ↓、基板を＊食せずにインキ層の表面を粗荒にす
る程度に腐食するものであれば、特に限定されるもので
はなく、例えば、硫酸、クロム酸或いはこれらの混合液
等を使用することができる。

本発明においては、最後に、上記工程（Ｂ）を経て得ら
れた基板をＮ＆電電解メン液液浸漬し、上記粗荒面上に
金属メッキ層を形成させる金属パターン形成工程（Ｃ）
を実施する。

この金属パターン形成工程（Ｃ）において形成される金
属メッキ層の材質は無電解メ・ツキにより析出する金属
であれば特に限定されず、例えば、金、銀、銅、ニッケ
ル、錫、カドミワム、コバルト、亜鉛或いはこれらをマ
トリックスとする合金等がその例として挙げられるが、
これらのうち安価で比較的安定なニッケルが好ましい。

以下、ニッケルメッキを形成する場合を例にとって説明
するが、無電角イメツキ液の組成成分や水素イオン濃度
等は、メッキ速度、作業温度、析出二・ンケルメ７キ層
の純度等を考慮して適宜選定“ｒればよい。

金属にニッケル等）パターン形成工程において使用され
る無電解メッキ液の浸種は、酸性浴であってもアルカリ
性浴であっても、中和塔であってらよい。

酸性浴としては、例えば、グリフール酸裕、コハク酸浴
等が例として挙げられる。アルカリ性浴としてはアンモ
ニアアルカリ性浴、カセイアルカリ性浴等が例として挙
げられる。

これらの浸種の中では、析出された金属にニッケル）Ｎ
へのリン等の不純物が比較的少ないアンモニアアルカリ
性浴が推奨される。

メ・ツキ液中の還元斉りとしでは、次亜リン酸塩、水素
化ホウ素化合物、ヒドラジン等の公知の還元剤を使用す
ればよい。

次亜リン酸塩を使用するものは、温度８０℃以上の高温
で使用されるものが多いが、基板への熱・影響をできる
だけなくすために低温度で比較的大さいメッキ速度が得
られるものを使用することが好ましく、例えば、第１表
に示すような処方のものを使用することができる。

（以下余白） 水素化ホウ素化合物とその透導体は水溶液中で酸化する
速度が次亜リン酸塩のそれに比してやや速いので、孔温
における還元層としそは一層好ましい。この種の無電解
ニッケルメッキ２液としてはｍ２ａに示すような処方の
ものが例として挙げられる。

（以下余白） ヒドラジンを還元剤とするメツＡ・液は、メッキ速度が
遅いが、得られる金属メッキ層の純度が高くなる点で有
利である。ヒドラジンを還元剤とする無電解ニッケルメ
ツ！Ｉｔ：液としては、第３表に示すものが例として挙
げられる。

（以下余白） 又、本願第２の発明について詳紹に工明する６本Ｍｆ５
２の発明は、本願第１の発明の改良にかかるものであり
、その要りは、基板のパターン形成面に所要のパターン
を有するインキ層を印刷するパターン形成工程（Ａ）、 パターン形成工程（Ａ）において印刷されたイン！ｆ層
の表面をエッチングにより粗荒面に形成するエツチング
工程（Ｄ）、 上記エツチング工程（Ｂ）で得られた基板を無電解メッ
キ液にＦ′ｉ潰し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形成
させる金属パターン形成工程（Ｃ）、上記金属パターン
形成工程（Ｃ）においてインキ層の表面に形成させた金
属メッキ層に電解メッキにより該金属メッキ層と同種又
は異種の金属を析出させる電解メ／キ工程（Ｄ）、 よりなることを特徴とするものである。

即ち、本願第２の発明は、本Ｍ第１の発明にｔ３いて、
金属パターン形成工程（Ｃ）で得られた無電解メッキ層
の膜厚を大きくしたり、金属メッキ層のｔ＆密性を向上
させるために、上記金属パターン形成工程（Ｃ）後にお
いてインキ層の表面に形成させた金属メッキ層に電解メ
ッキにより該金属メッキ層と同種又は異種の金属を析出
させる電解ノ・２キ工程（Ｄ）を付加させたしのである
。

この場合の電角イメッキは特別な条件が要求されるもの
ではなく、通常の電解メッキ液を用い、通常の電解条件
下で行なわれる。

具体的には、一般に、金属塩の濃度が１０〜３００、／
１、電角イ温度が室温〜８５℃、ｐＩ１１〜１３、電流
密度０．５〜１２０Ａ／ｄｍ２で行なわれる。

この電解メッキに際し、金属パターン形成工程（Ｃ）で
得られた基板をｌ’２極とし、金属板やカーボン板など
の導電性板体を陽砥とし、これに所定の電解液を流動、
シャワリングしつつ所定の電解条件で電解し、これによ
って、所謂ヤケの問題を生じるπなく所望の金属のパタ
ーンを形成しうるのである。

ところで、この発明において、無電解により形成した金
属メッキ層と同種又は′Ａ種の金属を電解メッキにより
析出させる、とは例えば無電解により、先ずニッケルメ
ッキ層を形成し、その後、電解メー／キによりそのニッ
ケルメッキ層の上にニッケルメッキ層を形成したり、或
いはＭ電解により形成したニッケルメッキ層上に電角イ
により銅メッキ層を形成する場合などをいい、無電解に
よって形成された金Ｒ層（合金も含む）上にこれと同一
・の金Ｒ層（合金も含む）或いはこれと異なる金属ＷＩ
（合金も含む）を電解メッキで形成することをいう。

尚、本発明においては金属パターン形成前にエツチング
工程で得られた粗荒面上への金属メツＪ＋層の形成を促
進或いは抑制するために、公知の無電解メッキ用触媒を
付着させても良いのである。

メ・ンキ速度を速める触媒としては、金属イオンの還元
性を高めたり、金属イオン吸着性を向上させたり或いは
これらの特性を兼備するものであれば特に限定されるも
のではなく、一方、メッキ速度を遅らせる触媒は、金属
メッキ層の膜厚を特に精密に形成する場合、金属被膜の
純度を高める場合、無電解メッキ液の金属イオンが金、
！を等のけ金属イオンであり、還元性が高過ぎる場合、
のように極めて特殊な場合に使用される。

更に、本Ｍ第３の発明について詳細に説明する。

本Ｍｆ５３の発明は、本ＭｆｊＧ１の発明の改良にかか
るものであり、その要１ａは、基板のパターン形成面に
所要のパターンを有する導電性インキ層を印刷するパタ
ーン形成上？Ｗ　（Ａ）、上記パターン形成工程（Ａ）
において印刷された導電性インキ層の表ｉｌをエッチン
グにより粗荒面に形成して当該導電性インキ中の金属を
露出させるエツチング工程（Ｂ）、 上記エツチング工程（１３）で得られた基板１こ電解メ
ッキにより導電性インキ中の金属とｌ１ｉｉＦ！！又は
異種の金属を析出させる金属パターン形成工程（Ｃ）、
よりなることを特徴とするものである。

即ち、本願第３の発明は、基板のパターン形成面に導電
性インキ層を形成し、これをエッチングにより粗荒面に
して当該導電性インキ層中の金属を露出させ、この導電
性インキ層に通電して金属パターンを効率よく形成する
ものである。

この場合の電ｆＩＹメッキは特別な条ｆ↑が要求される
ものではなく、杢１１１ｆｊＳ２の発明と同様の方法で
行なわれる。

上記導電性インキとしてはインキ基材と金属からなるも
のであり、該金属としてはと（に限定されるものではな
い。

又、インキ基材と金属との配合割合としてはインキ基材
の、！［に対する密着性にもよるが、金属が全体の５〜
５０１１１％、このましくは１０〜３ｏｍｍ％、特に１
５〜２５重址％とするのが望ましい。

この発明において、導電性インキ中の金属と同種又は異
種の金属を析出させるとは、導電性インキ層中の金属を
例えば銅とした場合、電解メッキにより、銅又は銅基外
の金属（胴合金やそれ以外の合金を含む）を析出させる
ことをいう。

（ｅ）作用 本発明に係るパターンの形成方法では、上述のように、
パターン形成工程においてパターン形成面に印刷された
イン！＋層の表面をエツチング工程で粗荒面に形＋ｌ！
、される。この粗荒面は、素地のままの甲滑面に比べる
と表面積が格段に広くなっており、その部分の金属イオ
ン濃度が極めて高くなっている。従って、その後の金属
パターン形成工程では、粗荒面であるインキ層の表面の
みに金属メツＪ＋層が形成されることになる。その結果
、金属のパターン層が非常に正確に形成される作用を有
するのである。

また、その粗荒面に形成された凹凸面状のインキ層の四
部にも′ｋＲが析出し、金属メッキ層が、いわゆる投錨
作用により当該インＪ＋層に機械的に結合されるので、
そのインキ層への結合が強固になされることになる作用
を有する。

その上、エッチング工程或いは金属パターン形成工程の
前にレノスト膜を形成する必要がなく、また、金属パタ
ーン形成工程或いはエツチング工程の後のレジス）ｆｆ
の剥離をする必要がないので、工程数を少なくして生産
性を向上させることができる作用を有するのである。

更に、基板のパターン形成面に形成された導電性インキ
層をエッチングにより粗荒面にしてその中の金属を露出
させた後、この導電性インキ層に通電すると、該露出金
属を核としてメッキが成長し、均一な金属パターンが形
成される作泪を有するのである。

（ｆ）実施例 以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明するが、本発
明はこれに限定されるものではない。

実施例１ ｆ５１図ないし第３図は本発明の一実施例を工程の順を
迫って示す各模式図であり、この実施例に係るパターン
の形成方法は、第１図に示すように、基板（１）のパタ
ーン形成面（２）に所要のパターンを有するインキ層（
３）を形成するパターン形成工程（Ａ）と、第２図に示
すように、パターン形成工程（Ａ）を経た基板（１）を
図示しないエツチング液に浸漬して、上記インキ層（３
）の表面をエツチングにより粗荒面（４）に形成する工
・／チング工程（Ｂ）と、第３図に示すように、上記の
パターン形成工程（Ａ）及びエツチング工程（Ｂ）を経
た基板（１）を図示しない無電解メッキ液に浸漬し、上
記粗荒面（４）上に金属メンキ層（５）を形成する金属
パターン形成工程（Ｃ）とからなる。

上記基板（１）に使用されるプラスチックスとしては、
例えば、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、プラ
スエポキシ系樹脂、ガラステフロン系樹脂、ポリアミド
イミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリエチレン糸
切ｆｆ等のプラスチ・２り或いはプラスチックスとガラ
ス等の複合材料を挙げることができるが、ここでは比較
的安価なポリエチレンテレフタレート製シートで基板（
１）が形成されている。

上記パターン形成工程（Ａ）において、形成されるイン
キ層（３）は、特に限定表れるものではないが、エツチ
ング工程（Ｂ）において基板（１）を腐食させることが
な（、インキＮＪ（３）の裏面のみが腐食されるように
、エツチング剤に対する対薬品性が基板（１）のそれよ
りも劣る材質を選定することが必要である。

また、上記インキ層（３）の材質は、発熱或いは加熱を
伴わずに硬化され、プラスチックス製の基板との親和性
に潰れている照射線硬化型インキで形成することが推奨
されるが、この場合、紫外線硬化型インキが、硬化処理
におけるエネルギー消費゛が少ないから好ましい。

この実施例では、市販の紫外線硬化型インキ（商品名：
４１００メジウム・アクリレートＵＶ硬化樹脂、１−条
化工株式会社？！りを使用してインキ層（３）が形成さ
れている。

上記インキ層（３）が紫外線硬化型インキ等の照射線硬
化型インキで構成されている場合には、基板（１）のパ
ターン形成面（２）に所要のパターンを有するインキ層
（３）を形成する方法として、印刷法と写真法のいずれ
かを採用することができ、ここでは印刷法が採用された
。

即ち、印刷法では、上記パターン形成工程（Ａ）が、基
板（１）にインキ層（３）を所要のパターンに印刷する
印刷工程（Ａ１）と、この印刷工程（Ａ１）で基板（１
）に印刷されたインキＩｒＩＪ（３）を硬化ぎせる工程
（Ａ２）からなる。この印刷法は、インキ層（３）を形
成するインキが照射線硬化型インキでない場合にも採用
することが可能である。

また、印刷法は通常の印刷装置を使用する通常の印刷方
法を採用することができ、例えば、孔版の一種であるス
クリーンを使用するスクリーン印刷法により印刷すれば
よい。

スクリーン印刷に使用されるスクリーンとしてはシルク
スクリーン、プラスチックス製スクリーン等が例示され
るが、ここでは耐久性に優れているテトロン製のスクリ
ーン（３００メツシユ）が使用された。

尚、写真法では、上記実施例に代えて、図示はしないが
、上記パターン形成工程（Ａ）が、基板（１）のパター
ン形成面（２）の全面にわたってインキ層（３）を塗布
するａ膜形成工程（Ａ３）と、上記塗膜形成工程（Ａ３
）により形成されたインキ層（３）の所要のパターンを
形成するパターン部分に照射線を照射してこのパターン
部分を硬化させるパターン硬化工程（Ａ４）と、上記パ
ターン硬化工程（Ａ・ｔ）において硬化させたパターン
部分を除くインキ層の部分を除去する余剰インキ除去工
程（Ａ５）、よりなる方法も採用される。

余剰インキ層除去工程（Ａ５）は、例えば、水洗や右は
溶剤による溶出等の簡単な作業でよいのである。

上記エツチング工程（Ｂ）において使用されるエツチン
グ液は、基板（１）を腐食せずにインキ／！（３）の表
面を粗荒にする程度に腐食するものであれば、特に限定
されず、この実施例では、純水１リツトル中に濃硫Ｎｔ
３３０ｇＳ無水クロム酸３４０ｇを含むエツチング液が
使用される。この場合、エツチング液の温度は６７℃で
あり、処理時間は１０分である。

尚、エツチングを終了した基板（１）は流水で洗浄した
後、塩酸水溶液（５０ｍｌ／　Ｎ）に３０〜６０秒間浸
漬する。

更に、再度水洗してから、次の金属パターン形成工程（
Ｃ）に移る。

この金属パターン形成工程（Ｃ）において形成される金
属メッキ層の材質は金属であれば特に限定されず、例え
ば、金、以、銅、ニッケル、錫、或いはこれらをマトリ
・ンクスとする合金等がその例として挙げられる。

この実施例ではニッケルメッキ層が形成されるので、以
下、二・ンケルメッキ層を形成する場合を例にとって上
町するが、その池の金属のメッキ層を形成する場合でも
、無電角イメッキ液の組成成分や水素イオン濃度等は、
メッキ速度、作業温度、析出金属被膜の純度等を考慮し
て適宜選択すればよい。

金属パターン形成工程（Ｃ）において使用される無電解
メッキ液の浸種は、酸性浴であっても、アルカリ性浴で
あっても、中−ａ１３であってもよい。

酸性浴としては、例えば、グリコール酸浴、コハク酸浴
等が例として挙げられる。アルカリ性浴としては、アン
モニアアルカリ性浴、カセイアルカリ性浴等が例として
挙げられる。

これらの浸種の中では析出された金属被膜・＼のリン等
の不純物が比較的少ないアンモニアアルカリ性浴が推奨
される。

メッキ液中の還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化ホ
ウ酸化合物、ヒドラジン等の公知の還元剤を使用すれば
よい。

この実施例では市販品（商品名：Ｔ　Ｍ　ｒ’化字ニッ
ケルメッキ液、奥野製薬工業株式公社５ｊ）が無電解メ
ッキ液として使ｍされ、約４０℃の液温で１５分間処理
された。

このような手順を踏むことによって、パターン形成工程
（Ａ）において所要のパターンを有するインキ層（３）
を形成し、エツチング工程（Ｂ）においてこのインキ層
（３）の表面が粗荒面（４）に形成され、素地そのまま
の平滑面に比べると表面積が格段に広くなっており金属
イオンが吸着され易くなっている。従って、金属パター
ン形成工程（Ｃ）で無電解メッキ液中に基板（１）を浸
漬させると、メッキ液中の金属イオンはイオン吸着性の
高い粗荒面（４）に集中的に吸；ａされ、イオン吸着性
が低く平滑な基板（１）の表面には金属イオンが付着し
難くなる。その結果、粗荒面（４）であるインキ層（３
）の表面のみに金属メンＡ層（５）を形成ｒることがで
き、金属メッキ層（５）のパターンが非常に正確に形成
されることになる。

実施例２ 基板（１）をポリイミドシートで構成し、上記実施例１
と同様の手順により、所要のパターンを存するニッケル
メ・／キ層（５）を基板（１）のパターン形成面（２）
に形成した。

実施例３ 上記実施例１と同様にパターン形成工程（Ａ）及びエツ
チング工程（Ｂ）を行った後に、金属皮膜形成工程（Ｃ
）において、市販の無電解消メッキ液（商品名：化学胴
１００、奥野製薬工業株式会社製）を使用することによ
り、インキ層（３）の表面のみに胴皮膜（４）を得るこ
とがでさた。

実施例４ 上記実施例２と同様にパターン形成工程（Ａ）、エツチ
ング工程（Ｂ）、金属パターン形成工程（Ｃ）を行った
後、この工程（Ｃ）で得た金属パターン上に電角イニッ
ケルメッキ法により膜厚が火で、しかも緻密なニッケル
メッキ層（４）を得た。

この場合、二ンケルメツキ液及び電へ丁条件としては、
硫酸ニッケル２４０８／１、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、
酢酸ニッケル４５ｇ／ｌ、ホウ酸３０ｋＩ／Ｎ、硫酸ア
ンモニウム２．５ε／１、ホルムアルデヒド１ｇ／ｌ、
ｐ１１２〜４、温度６０〜７０℃、電流密度２〜４Ａ／
（１１１１２で１５分間行った。

比較例１〜・を 上記実施例１〜４においてその各々のエツチング工程を
除いたものを用いた。

上記各実施例の金属メッキ層の基板に対する接着強度は
５３０ｇ／ｃＵａ以上であったのに対し比較例のものは
１５０〜２５０ｇ／ｃ１１１であり、本願発明のものの
密着性は極めて良好であることが認められた。

又、各比較例のものを温度８０〜２００℃で熱処理をし
たところ、カールが生じると共に金属パターン層のエツ
ジ部に剥離が認められた。

更に、各実施例のものと熱処理をして成る各比較例品を
温度２０℃と温度６０℃、相対湿度８５％の雰囲気下、
熱サイクル試験を５００時間行うたところ、各実施例の
ものは′Ａ常が認められなかったが、比較例のものはカ
ールが一層激しくなり、しかも剥離の進行が認められた
。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を工程の順を迫
って示す各梗式図であり、第１図はパターン形成工程の
模式図、第２図はエツチング工程の面弐図、第３図は金
属パターン形成工程の模式図である。 （１）・・・基板、（２）・・・パターン形成面、（３
）・・・インキ層、（４ン粗荒而、（５）・・・金属メ
ッキ層。 １・・・を東 ２・・−ノ望ダーン臂シｊ〜）６ｂ ３−・ス２考冴 ４・−・斌ｆ−■ ５・・−３１さズＬノ・ツａ（）１１ 第７　図 第２図 第３図

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板のパターン形成面に所要のパターンを有する
   インキ層を形成するパターン形成工程（Ａ）、上記パタ
   ーン形成工程（Ａ）において印刷されたインキ層の表面
   をエッチングにより粗荒面に形成するエッチング工程（
   Ｂ）、 上記エッチング工程（Ｂ）を経て得られた基板を無電解
   メッキ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形成
   させる金属パターン形成工程（Ｃ）、よりなることを特
   徴とするパターンの形成方法。
2. （２）上記パターン形成工程（Ａ）において、インキ層
   が照射線硬化型インキで形成されている特許請求の範囲
   第１項に記載のパターンの形成方法。
3. （３）上記パターン形成工程（Ａ）が、基板にインキ層
   を所要のパターンに印刷する印刷工程（Ａ１）と、この
   印刷工程（Ａ１）で基板に印刷されたインキ層を硬化さ
   せる工程（Ａ２）、 からなる特許請求の範囲１項又は第２項に記載のパター
   ンの形成方法。
4. （４）上記パターン形成工程（Ａ）が、基板のパターン
   形成面の全面にわたって照射線硬化型インキからなるイ
   ンキ層を塗布する塗膜形成工程（Ａ３）、上記塗膜形成
   工程（Ａ３）により形成されたインキ層において所要の
   パターンを形成する部分に照射線を照射してこのパター
   ンを形成するインキ層の部分を硬化させるパターン硬化
   工程（Ａ４）、上記パターン硬化工程（Ａ４）において
   硬化させたパターン部分を除くインキ層の部分を除去す
   る余剰インキ層除去工程（Ａ５）、 よりなる特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のパタ
   ーンの形成方法。
5. （５）照射線が自然光、紫外線又は電子線である特許請
   求の範囲第２項ないし第４項のいずれかに記載のパター
   ンの形成方法。
6. （６）基板のパターン形成面に所要のパターンを有する
   インキ層を印刷するパターン形成工程（Ａ）、パターン
   形成工程（Ａ）において印刷されたインキ層の表面をエ
   ッチングにより粗荒面に形成するエッチング工程（Ｂ）
   、 上記エッチング工程（Ｂ）で得られた基板を無電解メッ
   キ液に浸漬し、上記粗荒面上に金属メッキ層を形成させ
   る金属パターン形成工程（Ｃ）、上記金属パターン形成
   工程（Ｃ）においてインキ層の表面に形成させた金属メ
   ッキ層に電解メッキにより該金属メッキ層と同種又は異
   種の金属を析出させる電解メッキ工程（Ｄ）、 よりなることを特徴とするパターンの形成方法。
7. （７）上記パターン形成工程（Ａ）において、インキ層
   が照射線硬化型インキで形成されている特許請求の範囲
   第６項に記載のパターンの形成方法。
8. （８）上記パターンの形成工程（Ａ）が、基板にインキ
   層を所要のパターンに印刷する印刷工程（Ａ１）と、 この印刷工程（Ａ１）で基板に印刷されたインキ層を硬
   化させる硬化工程（Ａ２）、 からなる特許請求の範囲第６項又は第７項に記載のパタ
   ーンの形成方法。
9. （９）上記パターン形成工程（Ａ）が、基板のパターン
   形成面の全面にわたっで照射線硬化型インキからなるイ
   ンキ層を塗布する塗膜形成工程（Ａ３）、上記塗膜形成
   工程（Ａ３）により形成されたインキ層において所要の
   パターンを形成する部分に照射線を照射してこのパター
   ンを形成するインキ層の部分を硬化させるパターン硬化
   工程（Ａ４）、上記パターン硬化工程（Ａ４）において
   硬化させた部分を除くインキ層の部分を除去する工程（
   Ａ５）、 よりなる特許請求の範囲第６項又は第７項に記載のパタ
   ーンの形成方法。
10. （１０）照射線が自然光、紫外線又は電子線である特許
    請求の範囲第７項ないし第９項のいずれかに記載のパタ
    ーンの形成方法。
11. （１１）基板のパターン形成面に所要のパターンを有す
    る導電性インキ層を印刷するパターン形成工程（Ａ）、 パターン形成工程（Ａ）において印刷された導電性イン
    キ層の表面をエッチングにより粗荒面に形成して当該導
    電性インキ中の金属を露出させるエッチング工程（Ｂ）
    、 上記エッチング工程（Ｂ）で得られた基板に電解メッキ
    により導電性インキ中の金属と同種又は異種の金属を析
    出させる金属パターン形成工程（Ｃ）、よりなることを
    特徴とするパターンの形成方法。