JPS63228783A - ガスレ−ザ装置 - Google Patents

ガスレ−ザ装置

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Publication number
JPS63228783A
JPS63228783A JP6125587A JP6125587A JPS63228783A JP S63228783 A JPS63228783 A JP S63228783A JP 6125587 A JP6125587 A JP 6125587A JP 6125587 A JP6125587 A JP 6125587A JP S63228783 A JPS63228783 A JP S63228783A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage circuit
switching element
circuit
thyratron
high voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6125587A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Uchida
裕 内田
Saburo Sato
三郎 佐藤
Tatsumi Goto
後藤 達美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP6125587A priority Critical patent/JPS63228783A/ja
Publication of JPS63228783A publication Critical patent/JPS63228783A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0971Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明はレーザ媒質としてのガスを放電エネルギで励
起し【レーザ光を光(辰させるがスレーザ装置に関する
(従来の技術) ガスレーザ装置には大気圧あるいは高気圧槙bt 電励
起形の−r EΔCO2レーザやエキシマレ−11など
があることよく知られている。
このようなガスレーザ装置は、CO2、N2、HOなど
を混合したレーザガスやエキシマ用し−ljガスが循環
さけられる放電管内に一対の主電極を離間対向させて設
け、これら主電極間で発生するIIi?ffエネルギに
よって上記レーデガスを励起してレーザ光を発振させる
ようになっている。
ところで、上記一対の主電極間のtli電を制御する放
電制御回路としては、放′11開始時に高電圧を印加し
、放電を維持するときには中電圧を印加することかでき
るようにするため、高電圧回路と中電圧回路とからなる
、いわゆるスパイカー/サスブナ一方式が用いられてい
る。
従来、上記スパイカー/サスナナ一方式においては、高
電圧回路と中電圧回路とにスイッチング素子としてそれ
ぞれギャップスイッチが用いられていた。
しかしながら、スイッチング素子としてギャップスイッ
チを用いると、レーザ光の発振の繰返し動作を高めよう
としても、上記ギャップスイッチ自体の能力によってそ
の繰返し速度を高速化することができないという問題が
あった。ちなみに、ギャップスイッチを用いた場合には
、約1kHzが限度であった。
(発明が解決しようとする問題点) この発明は上記事情にもとずきなされたもので、その目
的とするところは、スイッチング素子をギャップスイッ
チから他のものに変えることによって高繰返し動作を可
能にしたスパイカー/サスナナ一方式の放電制御回路を
持つガスレーザ装置を提供することにある。
[発明の構成コ (問題点を解決するための手段及び作用)上記問題点を
解決するためにこの発明は、放電管と、この放電管内に
離間対向して設けられた一対の主電極と、これら一対の
主電極に接続された放電開始用の高電圧回路および放電
維持用の中電圧回路と、上記高電圧回路に設けられたこ
の回路を開閉するためのサイラトロンと、上記中電圧回
路に設けられたこの回路を開閉するための半導体スイッ
チング素子とを具備する。そして、上記サイラトロンと
半導体スイッチング素子とによって高繰返し動作に必要
なスパイカー/サスナナ一方式の放電制御回路とする。
(実施例) 以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
図中1はガスレーザ装置の放電管である。この11i電
管1内には一対の主電極2が離間対向して配設されてい
る。これら一対の主電極2にはスパイカー/サスナナ一
方式のスパイカーを形成する高電圧回路3と、サステナ
ーを形成する中電圧回路4とが接続されている。上記高
電圧回路3には、この回路3に30KV程度の高電圧を
印加する高電圧パルス電源5が接続されているとともに
、この高電圧パルス電源5と並列にスパイカー用コンデ
ンサ6aおよびスイッチング素子としてのサイラトロン
6が接続されている。上記中電圧回路4にはこの回路4
に3KV程度の中電圧を印加する中電圧パルス電源7が
接続されているとともに、この中電圧パルス電源7と並
列にサスデノーー用コンデンリ8とスイッチング素子と
してのサイリスタなどの半導体スイッチング素子9とが
接続されている。
ところで、上記スパイカー/サスナナ一方式にJ′3い
て、高電圧回路3としては電圧波形の立上がりが速く、
高電圧に耐えられることが要求される。
したがって、この高電圧回路3にスイッチング素子とし
て用いられるサイラトロン6は高耐圧性を備えているか
ら、高電圧回路3として要求される性能を発揮すること
ができる。
一方、上記中電圧回路6としては電圧波形の立、上がり
や耐電圧性は中程度でよいが大電流に耐えられなければ
ならない。この中電圧回路4に用いられている半導体ス
イッチング素子9は大きな1流に耐えることができるか
ら、中電圧回路4に要求される性能を十分に維持するこ
とができる。
すなわら、上記サイラトロン6は高電圧回路3の小電流
領域で使用されるから、非常に高い繰返し動作が可能に
なり、およそ6 K Hzでの繰返し動作させることが
できる。
また、上記半導体スイッチング素子っは10K Hz以
上での繰返し動作が可能であり、その繰返し寿命として
も1010シコツ1〜以上が保障されている。
したがって、これらのことにより放電回路自体の繰返し
動作能力としては、およそ6 K Hlが可能となり、
注入エネルギも1パルス当り数1000ジユールが可能
となり、従来に比べて大幅に向上する。
[発明の効果1 以上述べたようにこの発明は、スパイカー/サスナナ一
方式の放電制御回路を備えたがスレーザ装置において、
スイッチング素子として高電圧回路にはサイラトロンを
用い、中電圧回路には半導体スイッチング素子を用いた
。したがって、スイッチング素子としてギャップスイッ
チを用いた従来に比ベレーザ発掘を高繰返しで行なうこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
図面はこの究明の一実施例を示す回路図である。 1・・・放電管、2・・・主電極、3・・・高電圧回路
、4・・・中電圧回路、6・・・サイラトロン、9・・
・半導体スイッチング素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 放電管と、この放電管内に離間対向して設けられた一対
    の主電極と、これら一対の主電極に接続された放電開始
    用の高電圧回路および放電維持用の中電圧回路と、上記
    高電圧回路に設けられたこの回路を開閉するためのサイ
    ラトロンと、上記中電圧回路に設けられたこの回路を開
    閉するための半導体スイッチング素子とを具備したこと
    を特徴とするガスレーザ装置。
JP6125587A 1987-03-18 1987-03-18 ガスレ−ザ装置 Pending JPS63228783A (ja)

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JP6125587A JPS63228783A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 ガスレ−ザ装置

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JP6125587A JPS63228783A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 ガスレ−ザ装置

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JPS63228783A true JPS63228783A (ja) 1988-09-22

Family

ID=13165943

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6125587A Pending JPS63228783A (ja) 1987-03-18 1987-03-18 ガスレ−ザ装置

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JP (1) JPS63228783A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04177776A (ja) * 1990-11-09 1992-06-24 Mitsubishi Electric Corp 繰返し発振エキシマレーザ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04177776A (ja) * 1990-11-09 1992-06-24 Mitsubishi Electric Corp 繰返し発振エキシマレーザ装置

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