JPH0480760A - 照射装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の製造工程におけるウェハへの光照射を行う
照射装置に関し、 ウェハへの光照射の不均一性を減少させ、短時間処理を
図ることを目的とし、 被照射物に所定波長の光を照射するランプを備えた照射
装置において、前記被照射物とランプとの間に、回動可
能な複数個のルーツ１を、該ランプの照射面の全域に所
定間隔て設けるように構成し、また、該ルーバはランプ
の照射中に揺動するように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置の製造工程におけるウェハへの光
照射を行う照射装置に関する。

近年、半導体装置の製造工程において、ウエノλにレジ
スト塗布後にエツチングを行う場合、プラズマ等のドラ
イエツチングか行われてきている。

この場合、レジストの耐プラズマ性を向上させるために
、エツチング工程前にウェハに紫外線を照射することか
行われており、均一かつ短時間の処理か要求されている
。

〔従来の技術〕

ウェハのエツチング前に紫外線を照射することは、ウェ
ハに塗布されたレジストか硬化し、プラズマ等に曝され
てもレジスト焦げのような現象か生しにくい。

従来、ウェハに紫外線照射を行う場合、紫外線光を発す
る低圧水銀ランプを使用し、真空中のウェハに紫外線を
照射する。一般に上記水銀ランプ自体の照度ムラか約２
０％程度有することから、ある程度長い時間紫外線を照
射して、照射の不足部分の個所を補っていた。また、こ
のような紫外線をウェハに照射する場合、レジストの硬
化を促進させるために、予めウェハを加熱することか知
られている。

一方、紫外線照射に使用される水銀等のランプは、その
性質上、点灯、消灯を繰り返すと、ランプの寿命か短縮
することから、常時点灯させるのか一般的である。

〔発明か解決しようとする課題〕

しかし、上記ランプの特性により、ウェハ全面に均一の
紫外線を照射することかできず、所定の処理時間以外に
も紫外線か照射される。また、ランプは常時点灯してい
ることから、ウェハか処理室内に搬送された時点より紫
外線に曝されることとなり、ウェハを加熱してから紫外
線を照射することかできないという問題かある。

そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、ウェ
ハへの光照射の不均一を現象させ、短時間処理を図る照
射装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するだめの手段〕

第１図に本発明の原理説明図を示す。第１図における照
射装置１は、照明部２ａ内のランプ２は所定波長の光を
、処理部３内のステージ４上に載置される被照射物５に
照射する。そして、被照射物５とランプ２との間に、回
動可能な複数個のルーハロか該ランプ２の照射面の全域
に所定間隔て設けられる。

また、このルーバ６は、ランプ２の照射中に揺動する。

〔作用〕

第１図に示すように、ルーバ６は被照射物５とランプ２
との間に設けられる。すなわち、被照射物５の出し入れ
時にはルーバ６か全閉となってランプ２の照射光を遮っ
ている。これにより、被照射物５の必要な場合にのみ照
射することて、被照射物５の前処理等を行うことか可能
となり、全体として短時間で処理を行うことか可能とな
る。

また、ルーバ６は、ランプ２の照射中に揺動する。これ
により、ランプ２から照射される光路か常に変化し、ラ
ンプ２自体か有する照度ムラか被照射物５に反映されに
くくなり、被照射物５の全面て均一な照射か可能となる
。

〔実施例〕

第２図に、本発明の一実施例の構成図を示す。

第２図の照明装置ｌは半導体装置の製造工程で使用され
る場合のものである。

第２図において、照明部２ａ内にはランプ２が設けられ
、該ランプ２の直下に複数個のルーバ６か設けられる。

ランプ２は、紫外線光を発する低圧水銀ランプである。

また、ルーバ６は回動可能て、ランプ２の照射面の全域
に所定間隔て設けられる。

一方、照明部２ａの下方に配置される処理部３内に処理
室１０か形成されている。この処理室１０にはステージ
４か設けられ、ステージ４上に被照射物であるウェハ５
か載置される。なお、ステージ４は、ウェハ５を加熱す
る加熱体でもある。

また、処理室１０は、０リング１１を介在させて透明ガ
ラス］２により密閉される。

ここで、処理部３には、処理室ＩＯを真空状態とするた
めの排気系と、ガスを供給するための供給系か接続され
る。

このような照射装置ｌて処理されるウェハ５は、レジス
トか塗布された後、プラズマによるエッチンク前のもの
である。まず、ランプ２は点灯されているか、ルーハロ
は全閉状態である。このときに、ウェハ５か処理部３内
に搬送されて、ステージ４上に載置される。そして、ス
テージ４により例えは１５０°Ｃ程度に加熱され、加熱
後に供給系より処理室１０内に窒素ガス（Ｎ２）又は不
活性ガスか供給されると共に、排気系により圧力調整弁
等で真空状態とし、例えばｌ０Ｔｏｒｒ程度に減圧する
。

その後、ルーハロが全開状態となり、ランプ６からの紫
外線光かウェハ５のレジスト上に照射される。このとき
、ルーバ６は、例えは±５６／秒の割合で矢印の如く揺
動する。このルーバ６の揺動により、紫外線の光路かウ
ェハ５上で常に変化しランプ２自体の照射ムラを低減す
る。すなわち、紫外線光か均一に照射されたウェハ５の
レジストは、加熱及びＮ２ガスにより、より強固に硬化
する。従って、後にプラズマエッチンク処理を行った場
合にレンスト焦げ等を生しることなく、耐プラズマ性か
向上される。

このように、ウェハ５の紫外線処理前はルーハロか全開
状態となって加熱を行うことかでき、処理後は余分な紫
外線照射を排除できることから、全体の処理時間を短く
することかできる。また、紫外線照射中にルーハロを揺
動させることから、均一な紫外線処理を行うことかでき
る。

なお、上記実施例では、エッチンク処理前の場合につい
て説明したか、これに限らず、紫外線処理を行う場合で
あれば何れでも適用することかできるものである。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれは、被照射物とランプとの間
に回動可能なルーバを設け、また、このルーバを揺動さ
せることにより、ランプ自体の有する照射ムラを低減し
て均一な紫外線処理を行うことかでき、全体として短時
間処理を図ることかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図、 第２図は本発明の一実施例の構成図である。 図において、 ｌは照射装置、 ２はランプ、 ２ａは照明部、 ３は処理部、 ４はステージ、 ５は被照射物（ウェハ） ６はルーバ を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）被照射物（５）に所定波長の光を照射するランプ
   （２）を備えた照射装置において、 前記被照射物（５）とランプ（２）との間に、回動可能
   な複数個のルーバ（６）を、該ランプ（２）の照射面の
   全域に所定間隔で設けることを特徴とする照射装置。
2. （２）前記ルーバ（６）は、前記ランプ（２）の照射中
   に揺動することを特徴とする請求項（１）記載の照射装
   置。