JPS63237401A - 負特性サ−ミスタ - Google Patents
負特性サ−ミスタInfo
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- JPS63237401A JPS63237401A JP7280687A JP7280687A JPS63237401A JP S63237401 A JPS63237401 A JP S63237401A JP 7280687 A JP7280687 A JP 7280687A JP 7280687 A JP7280687 A JP 7280687A JP S63237401 A JPS63237401 A JP S63237401A
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- thermistor
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- negative characteristic
- resistance
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- Pending
Links
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
童粟よ曳程几公…
本発明は、抵抗が温度上昇と共に著しく減少する負特性
サーミスタに関し、特にそのサーミスタ自体の構造の改
良に関する。
サーミスタに関し、特にそのサーミスタ自体の構造の改
良に関する。
ｌ米■及査
負特性サーミスタは、その特性からトランジスタ回路の
温度補償、温度測定、制御或いは通信機の自動利得調節
等に使用され、近年、益々その需要が増大している。
温度補償、温度測定、制御或いは通信機の自動利得調節
等に使用され、近年、益々その需要が増大している。
このような負特性サーミスタとして従来のものは、半導
体性を示す物質、例えばＭＯ，Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ等の遷
移金属酸化物の中から複数成分を配合したものを焼結し
た多結晶焼結体構造をしている。これら負特性サーミス
タの内、Ｍｎ−Ｎｉ系酸化物を主体としたものは低温測
定用に使用され、コランダム、ジルコニア系酸化物を主
体としたものは高温測定用に使用される。
体性を示す物質、例えばＭＯ，Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ等の遷
移金属酸化物の中から複数成分を配合したものを焼結し
た多結晶焼結体構造をしている。これら負特性サーミス
タの内、Ｍｎ−Ｎｉ系酸化物を主体としたものは低温測
定用に使用され、コランダム、ジルコニア系酸化物を主
体としたものは高温測定用に使用される。
しかし、いずれの負特性サーミスタとも特性的には熱時
定数が小さく、抵抗変化率の小さい安定性に優れたもの
が望まれるのであるが、上記した多結晶焼結体よりなる
負特性サーミスタは熱伝導性が悪く、熱時定数が大きく
て熱応答性が悪いという欠点がある。そこで、負特性サ
ーミスタをチップ化、小型化或いは薄膜化して、熱容量
を小さくし、熱応答性を向上させることが検討され、実
用化に至っている。
定数が小さく、抵抗変化率の小さい安定性に優れたもの
が望まれるのであるが、上記した多結晶焼結体よりなる
負特性サーミスタは熱伝導性が悪く、熱時定数が大きく
て熱応答性が悪いという欠点がある。そこで、負特性サ
ーミスタをチップ化、小型化或いは薄膜化して、熱容量
を小さくし、熱応答性を向上させることが検討され、実
用化に至っている。
−１１が”２ しようとするい 占
しかし、チップ化、小型化或いは薄膜化された負特性サ
ーミスタは、熱応答性は改善されたものの、機械的強度
が低（、製造時のバラフキが大きくなって、製品の信頼
性（良品率）が低下するという問題点があった。
ーミスタは、熱応答性は改善されたものの、機械的強度
が低（、製造時のバラフキが大きくなって、製品の信頼
性（良品率）が低下するという問題点があった。
本発明は上記のような問題点に鑑みなされたもので、機
械的強度が高く、バラツキがすくない状態で製造できる
と共に、熱時定数が小さく、熱応答性の高い信頼性に優
れた負特性サーミスタを提供することを目的としている
。
械的強度が高く、バラツキがすくない状態で製造できる
と共に、熱時定数が小さく、熱応答性の高い信頼性に優
れた負特性サーミスタを提供することを目的としている
。
間 壱をｒ′するための ｒ
上記目的を達成するために本発明は、熱伝導性及び電気
絶縁性に優れた結晶粒子の粒界部に、負の抵抗温度係数
を持ち且つ半導体性を示す物質が介在している多結晶体
構造であることを特徴としている。
絶縁性に優れた結晶粒子の粒界部に、負の抵抗温度係数
を持ち且つ半導体性を示す物質が介在している多結晶体
構造であることを特徴としている。
昨二−−−里
上記構成によれば、負特性サーミスタの熱伝導性は結晶
粒子に依存して優れ、且つ該結晶粒子は負の抵抗温度係
数を持つ半導体に覆われた状態となっているので、サー
ミスタ素子としては半導体の性質を示す。
粒子に依存して優れ、且つ該結晶粒子は負の抵抗温度係
数を持つ半導体に覆われた状態となっているので、サー
ミスタ素子としては半導体の性質を示す。
去−施一斑
第１図は、本発明の一実施例にかかる負特性サーミスタ
の斜視図である。図において、１は例えば０．５ ｍｍ
Ｘ０．５ ｍｍ角、厚さ０．３ ｍｍのサーミスタ素子
で、その表裏両面には各々ｐｔ主電極、５が焼き付けら
れている。６．７は各々該電極４，５に半田接続された
直径０．５ φのｐｔリード端子である。
の斜視図である。図において、１は例えば０．５ ｍｍ
Ｘ０．５ ｍｍ角、厚さ０．３ ｍｍのサーミスタ素子
で、その表裏両面には各々ｐｔ主電極、５が焼き付けら
れている。６．７は各々該電極４，５に半田接続された
直径０．５ φのｐｔリード端子である。
前記サーミスタ素子１は、第２図に示す如く、熱伝導性
及び電気絶縁性に優れた結晶粒子２・・・の粒界部に、
負の抵抗温度係数を持ち且つ半導体性を示す物質３が介
在している多結晶焼結体構造をしている。本実施例では
、結晶粒子２・・・に例えばＡＮＮを使用し、物質３に
は例えばＹへｌ Ｏｚ 。
及び電気絶縁性に優れた結晶粒子２・・・の粒界部に、
負の抵抗温度係数を持ち且つ半導体性を示す物質３が介
在している多結晶焼結体構造をしている。本実施例では
、結晶粒子２・・・に例えばＡＮＮを使用し、物質３に
は例えばＹへｌ Ｏｚ 。
Ｙ３ Ａ Ｎ５０１２． Ｍｎ Ｏｚからなる半導体を
使用している。
使用している。
本実施例では、サーミスタ素子１に対する結晶粒子２・
・・の占有率を、９０％前後としている。
・・の占有率を、９０％前後としている。
このような構成の負特性サーミスタは、例えば以下の如
く製造する。
く製造する。
原料であるＡｉＮ粉末とＹｚ Ｏ３，Ａ ｊ！ ２０ｙ
及びＭｎＯ□粉末をポリポットで混合して後、バインダ
ーを添加して加圧成形する。次に、Ｎ２雰囲気中で１８
００°Ｃで３時間焼成し、サーミスタ素子の焼結体を形
成する。該焼結体を厚さ０．５ ｍｍにスライスして後
、厚さ０．３ ｍｍになるまで研磨して、その両面にＰ
ｔ電極を焼き付け、上記の大きさにグイシングし、リー
ド端子を接続して負特性サーミスタを得る。
及びＭｎＯ□粉末をポリポットで混合して後、バインダ
ーを添加して加圧成形する。次に、Ｎ２雰囲気中で１８
００°Ｃで３時間焼成し、サーミスタ素子の焼結体を形
成する。該焼結体を厚さ０．５ ｍｍにスライスして後
、厚さ０．３ ｍｍになるまで研磨して、その両面にＰ
ｔ電極を焼き付け、上記の大きさにグイシングし、リー
ド端子を接続して負特性サーミスタを得る。
この負特性サーミスタの熱時定数（ｓｅｃ）及び５００
’Ｃ，１００ＯＨｒにおける抵抗変化率（６８％）を
測定し、従来の負特性サーミスタと比較した。但し、従
来のものはＭｎ−Ｎｉ系のサーミスタ素子を使用し、そ
の他の構成は上記実施例と同様である。
’Ｃ，１００ＯＨｒにおける抵抗変化率（６８％）を
測定し、従来の負特性サーミスタと比較した。但し、従
来のものはＭｎ−Ｎｉ系のサーミスタ素子を使用し、そ
の他の構成は上記実施例と同様である。
この測定結果を下表に記す。
（以下、余白）
上記表の測定結果から、本発明の負特性サーミスタは熱
時定数が従来品の半分以下（本発明の２゜０に対して従
来品は５．０） と小さく、抵抗変化率も１．０％と頗
る良好な特性を呈していることがわかる。
時定数が従来品の半分以下（本発明の２゜０に対して従
来品は５．０） と小さく、抵抗変化率も１．０％と頗
る良好な特性を呈していることがわかる。
このことは、負特性サーミスタの熱伝導性が、結晶粒子
に依存し、且つ、負特性サーミスタとしては、半導体の
性質を示すことに起因する。
に依存し、且つ、負特性サーミスタとしては、半導体の
性質を示すことに起因する。
また、熱応答性に優れているので、負特性サーミスタを
チップ化、小型化或いは薄膜化して、熱容量を小さくす
る必要がなくなる。従って、負特性サーミスタの機械的
強度が確保でき、製造時のバラツキが少な（なる。
チップ化、小型化或いは薄膜化して、熱容量を小さくす
る必要がなくなる。従って、負特性サーミスタの機械的
強度が確保でき、製造時のバラツキが少な（なる。
尚１．ｌ！Ｎ粉末とＹｚ Ｏｚ 、 Ａ Ｉｔ ｚ Ｃ
）＋及びＭｎＯ□を混合して作成した焼結体が、ＡＩ！
Ｎの結晶粒子の粒界部をＹＡ Ｉ Ｏｗｌ 、Ｙｉ Ａ
ｉｓ Ｏ□。
）＋及びＭｎＯ□を混合して作成した焼結体が、ＡＩ！
Ｎの結晶粒子の粒界部をＹＡ Ｉ Ｏｗｌ 、Ｙｉ Ａ
ｉｓ Ｏ□。
Ｍｎ０ｚからなる半導体が充填された状態であることは
、データとしては示していないが、ＸＭＡ（Ｘ線マイク
ロアナライザー）やＸ線回折等の分析結果から明らかに
されている。
、データとしては示していないが、ＸＭＡ（Ｘ線マイク
ロアナライザー）やＸ線回折等の分析結果から明らかに
されている。
２貝□□□四来
以上説明したように、本発明の負特性サーミスタは、熱
伝導性及び電気絶縁性に優れた結晶粒子の粒界部に、負
の抵抗温度係数を持ち且つ半導体性を示す物質が介在し
ている多結晶体構造としたので、熱時定数及び抵抗変化
率が小さいという効果があると共に、チップ化、小型化
等して熱容量を小さくすることなく、機械的強度が確保
でき、それに伴い製造時のバラツキが減少するという効
果もある。
伝導性及び電気絶縁性に優れた結晶粒子の粒界部に、負
の抵抗温度係数を持ち且つ半導体性を示す物質が介在し
ている多結晶体構造としたので、熱時定数及び抵抗変化
率が小さいという効果があると共に、チップ化、小型化
等して熱容量を小さくすることなく、機械的強度が確保
でき、それに伴い製造時のバラツキが減少するという効
果もある。
第１図は本発明の一実施例にかかる負特性サーミスタの
斜視図、第２図は第１図の実施例の要部拡大断面図であ
る。 ■・・・サーミスタ素子、２・・・結晶粒子、３・・・
負の抵抗温度係数を持ち且つ半導体性を示す物質。 特許出願人 二 株式会社 村田製作所第１図 第２図
斜視図、第２図は第１図の実施例の要部拡大断面図であ
る。 ■・・・サーミスタ素子、２・・・結晶粒子、３・・・
負の抵抗温度係数を持ち且つ半導体性を示す物質。 特許出願人 二 株式会社 村田製作所第１図 第２図
Claims (1)
- 熱伝導性及び電気絶縁性に優れた結晶粒子の粒界部に
、負の抵抗温度係数を持ち且つ半導体性を示す物質が介
在している多結晶体構造であることを特徴とする負特性
サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280687A JPS63237401A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 負特性サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7280687A JPS63237401A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 負特性サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237401A true JPS63237401A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13500006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7280687A Pending JPS63237401A (ja) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | 負特性サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63237401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008306086A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | サーミスタ素子及びサーミスタ素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP7280687A patent/JPS63237401A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008306086A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | サーミスタ素子及びサーミスタ素子の製造方法 |
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