JPS61105802A - サーミスタ素子の製造方法 - Google Patents
サーミスタ素子の製造方法Info
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- JPS61105802A JPS61105802A JP22843784A JP22843784A JPS61105802A JP S61105802 A JPS61105802 A JP S61105802A JP 22843784 A JP22843784 A JP 22843784A JP 22843784 A JP22843784 A JP 22843784A JP S61105802 A JPS61105802 A JP S61105802A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はサーミスタ素子に係如、特にセンサとして使用
されるガラス封止型サーミスタ素子及びその製造方法に
関するものである。
されるガラス封止型サーミスタ素子及びその製造方法に
関するものである。
サーミスタは温度が変化するとその電気抵抗が著しく変
化する特性を有する。特に温度が上昇するにつれて電気
抵抗が減少する負の温度係数を持ツＮＴＣ（Ｎｅｇａｔ
ｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｅｎ
ｔ）サーミスタは各方面に使用されているが、その用途
の１つに温度測定用として使用されている。
化する特性を有する。特に温度が上昇するにつれて電気
抵抗が減少する負の温度係数を持ツＮＴＣ（Ｎｅｇａｔ
ｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｅｎ
ｔ）サーミスタは各方面に使用されているが、その用途
の１つに温度測定用として使用されている。
従来の測定用サーミスタとして９例えば特公昭５２−７
５３５号公報に記載されているように、サーミスタ・チ
ップの両面に耐熱導電性塗料を焼付けて電極を設けると
ともに金属リード線の基部をこれ壕だ耐熱導電性塗料で
前記電極に接続し、これをガラス中に封止している。
５３５号公報に記載されているように、サーミスタ・チ
ップの両面に耐熱導電性塗料を焼付けて電極を設けると
ともに金属リード線の基部をこれ壕だ耐熱導電性塗料で
前記電極に接続し、これをガラス中に封止している。
） この場合、第３図（ａ）〜ｆｃｌに示す如く、サー
ミスり・チップ１００表面に耐熱導電性塗料（Ａｇ 、
ＰｄＡｇ 、 Ｐｔ 、 Ａ、ｕ 等）によシ厚膜電
極１１．１１を構成したのち、これに金属リード線１２
．１２を同じく耐熱導電性塗料１３で固定している。
ミスり・チップ１００表面に耐熱導電性塗料（Ａｇ 、
ＰｄＡｇ 、 Ｐｔ 、 Ａ、ｕ 等）によシ厚膜電
極１１．１１を構成したのち、これに金属リード線１２
．１２を同じく耐熱導電性塗料１３で固定している。
しかし、耐熱導電性塗料に含まれているガラスフリット
によシサーミスターチツブ１０と厚膜電極１１との間に
はオーミック特性が得られに＜＜。
によシサーミスターチツブ１０と厚膜電極１１との間に
はオーミック特性が得られに＜＜。
そのため測定素子として必要な電圧・電流依存特性が良
くな（、Ｂ定数、抵抗値等特性のバラツキがあった。
くな（、Ｂ定数、抵抗値等特性のバラツキがあった。
しかもこのサーミスタ・チップ１０上に厚膜電極１１を
形成するためにＡｌｌやｐｔといった貴金属系の比較的
高価な電極材料を厚膜状態で多量に使用しなければなら
ず、高価なものとならざるを得なかった。
形成するためにＡｌｌやｐｔといった貴金属系の比較的
高価な電極材料を厚膜状態で多量に使用しなければなら
ず、高価なものとならざるを得なかった。
また耐熱導電性塗料焼付は時においてサーミスタ材料が
熱影響を受け、Ｂ定数、抵抗値等の特性バラツキを生じ
る。
熱影響を受け、Ｂ定数、抵抗値等の特性バラツキを生じ
る。
前記の如き問題点を解決するために本発明ではサーミス
タ・チップに蒸着薄膜電極を形成してオーミック接触性
の電極を構成し、これにリード線を耐熱導電材で接触さ
せ、これらをガラスで被覆した。
タ・チップに蒸着薄膜電極を形成してオーミック接触性
の電極を構成し、これにリード線を耐熱導電材で接触さ
せ、これらをガラスで被覆した。
これによりオーミック接触性の電極をガラスフリットの
含有しない蒸着薄膜電極で構成したので良好なオーミッ
ク特性が得られ、電圧（電流）依存特性を大幅に改善す
ることが可能となる。
含有しない蒸着薄膜電極で構成したので良好なオーミッ
ク特性が得られ、電圧（電流）依存特性を大幅に改善す
ることが可能となる。
本発明の一実施例を第１図にもとづき説明する。
第１図（ａ）は本発明により構成されたガラス封止型の
サーミスタ素子、同ｉｂｌはその断面図、同ｔｃ＋はサ
ーミスタ・チップと蒸着薄膜電極との拡大図である。
サーミスタ素子、同ｉｂｌはその断面図、同ｔｃ＋はサ
ーミスタ・チップと蒸着薄膜電極との拡大図である。
第１図において、サーミスタ・チップ１０両面には蒸着
薄膜電極２が形成されている。サーミスタ・チップ１と
しては例えばＭｎ −Ｎｉ−Ｃｏ系のものが使用される
。蒸着薄膜電極２の表面にはリード線３が耐熱導電材４
により接着されている。そ、してこれらの部分がガラス
５によシ被覆される。
薄膜電極２が形成されている。サーミスタ・チップ１と
しては例えばＭｎ −Ｎｉ−Ｃｏ系のものが使用される
。蒸着薄膜電極２の表面にはリード線３が耐熱導電材４
により接着されている。そ、してこれらの部分がガラス
５によシ被覆される。
蒸着薄膜電極としては、 Ｗ、Ｍｏ 、 Ｔｉ 、 Ｔ
ａ 、 Ｃｕ 。
ａ 、 Ｃｕ 。
Ａｇ 、 Ａ、ｕ 、 Ｐｔ 、 Ｐｄ 等を使用する
。すなわち、これらの（責）金属のうち少くとも１種の
ものによシなる電極材料を真空室中でサーミスタ基板上
に加熱蒸着することにより良好なオーミック接触を有す
る薄膜電極を構成できる。
。すなわち、これらの（責）金属のうち少くとも１種の
ものによシなる電極材料を真空室中でサーミスタ基板上
に加熱蒸着することにより良好なオーミック接触を有す
る薄膜電極を構成できる。
前記材料が適当である理由は、第１表に示す如き金属材
料で蒸着薄膜電極を構成してその特性を測定したところ
、これらのものがオーミック接触の電極を構成すること
ができた。なおこのときサーミスタの基板温度は２００
℃〜４００℃であった。
料で蒸着薄膜電極を構成してその特性を測定したところ
、これらのものがオーミック接触の電極を構成すること
ができた。なおこのときサーミスタの基板温度は２００
℃〜４００℃であった。
第１表
これにより前記各材料が適当であることがわかる０
このようにして形成した薄膜電極２，２の外側にリード
線３，３を耐熱導電材４によシミ気的接触させる。この
リード線３は、芯線としてＦｅ−Ｎｉ合金を使用しこれ
にＣｕ被覆したジュメット線である。
線３，３を耐熱導電材４によシミ気的接触させる。この
リード線３は、芯線としてＦｅ−Ｎｉ合金を使用しこれ
にＣｕ被覆したジュメット線である。
そしてこれらをガラス５によシ被覆する。このガラス５
はＳ １ｏ２− ＰｂＯ−Ｋ、０系あるいは５ｉ０２−
ＰｂＯ−Ｋ２Ｏ−Ｎａ、Ｏ系のものが使用される。この
ようにして第１図に示すガラス封止型のサーミスタ素子
を構成することができる。
はＳ １ｏ２− ＰｂＯ−Ｋ、０系あるいは５ｉ０２−
ＰｂＯ−Ｋ２Ｏ−Ｎａ、Ｏ系のものが使用される。この
ようにして第１図に示すガラス封止型のサーミスタ素子
を構成することができる。
次にこのサーミスタ素子の製造方法について。
第２図によシ説明する。
■ まず遷移金属酸化物（Ｍｎ −Ｎｉ −Ｃｏ −Ａ
−１１−Ｆｅ −Ｃｕ などの酸化物）を所定の金属
モル比で秤量・調合する。
−１１−Ｆｅ −Ｃｕ などの酸化物）を所定の金属
モル比で秤量・調合する。
■ この秤量・調合したものをボールミルポットに酸化
物材料・純水を加え、一定時間混合する。
物材料・純水を加え、一定時間混合する。
■ この混合材料を脱水し乾燥する。
■ 乾燥した材料を８００°Ｃ〜１０００℃の温度で仮
焼成する。
焼成する。
■ 振動ミル容器に、この仮焼成済み材料を入れてこれ
に純水を加え所定時間粉砕し、これを微粉末とする。
に純水を加え所定時間粉砕し、これを微粉末とする。
■ 乳鉢にこの微粉末材料を入れ、水またはＰＶＡ（ポ
リビニルアルコール）のような適当なバインダーを加え
、混合後所定寸法に成型する。
リビニルアルコール）のような適当なバインダーを加え
、混合後所定寸法に成型する。
■ 成型後にこれをＡｉｒ雰囲気で１２００℃〜１４０
０℃の温度にて本焼成を行う。
０℃の温度にて本焼成を行う。
■ 本焼成によシ得られた焼結材料（インゴット）をス
ライス加工し、ウェハー状に切シ出す。
ライス加工し、ウェハー状に切シ出す。
そして精密平面ラップ盤にてウェハーを所定の厚さく例
えば０．１５〜０．５０ａｉ）に仕上げる。
えば０．１５〜０．５０ａｉ）に仕上げる。
■ このようにして精密表面加工されて仕上げだウェハ
ーを洗浄したのち、高真空蒸着装置内に取り付け、ウェ
ハー基板温度を２００℃〜４００℃にし、真空度を１０
−’ ＴＯＲＲ以上にして、金属材料の蒸着を行う。金
属材料としては前記の如く。
ーを洗浄したのち、高真空蒸着装置内に取り付け、ウェ
ハー基板温度を２００℃〜４００℃にし、真空度を１０
−’ ＴＯＲＲ以上にして、金属材料の蒸着を行う。金
属材料としては前記の如く。
（貴）全域よシ選択される。かくしてウェハーの両面に
蒸着薄膜電極が形成される。
蒸着薄膜電極が形成される。
［相］ このようにして蒸着薄膜電極が形成されたウェ
ハーをダイシング加工によ多切断し、チップ化してサー
ミスタ・チップを得る。
ハーをダイシング加工によ多切断し、チップ化してサー
ミスタ・チップを得る。
■ このサーミスタ慟チップの薄膜電極部分に芯線がＦ
ｅ−Ｎｉ合金でＣｕ被覆されたジュメット線よりなるリ
ード線の端部を耐熱導電材で付着し乾燥接着する。
ｅ−Ｎｉ合金でＣｕ被覆されたジュメット線よりなるリ
ード線の端部を耐熱導電材で付着し乾燥接着する。
０ それからガラス封着機によりこのリード線の接着さ
れたチップ全体をガラス被覆する。
れたチップ全体をガラス被覆する。
このようにして第１図に示す如きガラス封止型のサーミ
スタ素子を得ることができる。
スタ素子を得ることができる。
本発明によれば、すぐれたオーミック特性を有する蒸着
薄膜電極を形成できるので、非オーミツク接触にもとづ
き存在したサーミスタ素子の電圧（電流）依存特性が大
幅に改善され、特性のバラツキが改善され２選別歩留シ
を向上することかできる。しかも厚膜電極に比べ焼付は
工程がなく。
薄膜電極を形成できるので、非オーミツク接触にもとづ
き存在したサーミスタ素子の電圧（電流）依存特性が大
幅に改善され、特性のバラツキが改善され２選別歩留シ
を向上することかできる。しかも厚膜電極に比べ焼付は
工程がなく。
Ｂ定数、抵抗値特性のバラツキが少ないものを提供する
ことができる。
ことができる。
壕だ蒸着薄膜で電極を形成するので、従来のように高価
な貴金属を多量に使用する厚膜電極に比較して低床な電
極材料でローコストにこれを形成することができる。し
かも従来のものよシ信頼性の高い電極構成を容易に得る
ことができる。
な貴金属を多量に使用する厚膜電極に比較して低床な電
極材料でローコストにこれを形成することができる。し
かも従来のものよシ信頼性の高い電極構成を容易に得る
ことができる。
第１図は本発明の一実施例構成図、第２図は本発明のサ
ーミスタ素子の製造方法説明図、第３図は従来のサーミ
スタ素子を示す。 １・・・サーミスタ・チップ ２・・・蒸着薄膜電極３
・・・リード線 ４・・・耐熱導電材５・・
・ガラス 特許出願人 ティーディーケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 手続補正書（自発） １、事件の表示 昭和５９年特許願第２２８４３７号２
、発明の名称 サーミスタ素子およびその製造方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都中央区日本橋−丁目１３番１号氏 名
（３０６）ティーディーケイ株式会社代表者 大 歳
寛 ４、代理人 住 所 東京都千代田区神田淡路町１丁目１９番８号６
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の面補正の内容 １、明細書第１頁第５行〜第２頁第７行の特許請求の範
囲を下記の通り全文補正する。 「１．蒸着薄膜電極が形成されたサーミスタ・チップに
リード線端部と前記電極面とを耐熱導電材料にて電気的
接触を保ち、かつこれらをガラスで被覆したことを特徴
とするサーミスタ素子。 ２、前記蒸着薄膜電極としてＷ、Ｍｏ、Ｔｉ。 Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの少くとも１つを
使用したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
サーミスタ素子。 ３、粉末材料をディスク状に成型・焼結した後。 これをウェハー状に表面精密加工したサーミスタ材料基
板上に金属を蒸着して薄膜電極を形成した後に、これを
チップ加工してサーミスタ・チップとし、このサーミス
タ・チップの電極面にリード線を耐熱導電材にて電気的
接触を保持させ、その後このサーミスタ・チップとリー
ド線をガラスで被覆したことを特徴とするサーミスタ素
子の製造方法。 ４．前記薄腺電極としてＷ、Ｍｏ、Ｔ ｔ、Ｔａ。 Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの少くとも１つを使用し
たことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のサーミ
スタ素子の製造方法。」 以上
ーミスタ素子の製造方法説明図、第３図は従来のサーミ
スタ素子を示す。 １・・・サーミスタ・チップ ２・・・蒸着薄膜電極３
・・・リード線 ４・・・耐熱導電材５・・
・ガラス 特許出願人 ティーディーケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 手続補正書（自発） １、事件の表示 昭和５９年特許願第２２８４３７号２
、発明の名称 サーミスタ素子およびその製造方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都中央区日本橋−丁目１３番１号氏 名
（３０６）ティーディーケイ株式会社代表者 大 歳
寛 ４、代理人 住 所 東京都千代田区神田淡路町１丁目１９番８号６
、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の面補正の内容 １、明細書第１頁第５行〜第２頁第７行の特許請求の範
囲を下記の通り全文補正する。 「１．蒸着薄膜電極が形成されたサーミスタ・チップに
リード線端部と前記電極面とを耐熱導電材料にて電気的
接触を保ち、かつこれらをガラスで被覆したことを特徴
とするサーミスタ素子。 ２、前記蒸着薄膜電極としてＷ、Ｍｏ、Ｔｉ。 Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの少くとも１つを
使用したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
サーミスタ素子。 ３、粉末材料をディスク状に成型・焼結した後。 これをウェハー状に表面精密加工したサーミスタ材料基
板上に金属を蒸着して薄膜電極を形成した後に、これを
チップ加工してサーミスタ・チップとし、このサーミス
タ・チップの電極面にリード線を耐熱導電材にて電気的
接触を保持させ、その後このサーミスタ・チップとリー
ド線をガラスで被覆したことを特徴とするサーミスタ素
子の製造方法。 ４．前記薄腺電極としてＷ、Ｍｏ、Ｔ ｔ、Ｔａ。 Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの少くとも１つを使用し
たことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のサーミ
スタ素子の製造方法。」 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、蒸着薄膜電極が形成されたサーミスタ・チップにリ
ード線端部と前記電極面とを耐熱導電材にて電気的接触
を保ち、かつこれらをガラスで被覆したことを特徴とす
るサーミスタ素子。 ２、前記蒸着薄膜電極としてＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの少くとも１つを使用した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーミス
タ素子。 ３、粉末材料をディスク状に成型・焼結した後、これを
ウェハー状に表面精密加工したサーミスタ材料基板上に
金属を蒸着して薄膜電極を形成した後に、これをチップ
加工してサーミスタ・チップとし、このサーミスタ・チ
ップの電極面にリード線を耐熱導電材にて電気的接触を
保持させ、その後このサーミスタ・チップとリード線を
ガラスで被覆したことを特徴とするサーミスタ素子の製
造方法。 ４、前記薄膜電極としてＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐａの少くとも１つを使用したこと
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載のサーミスタ素
子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22843784A JPS61105802A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | サーミスタ素子の製造方法 |
| US06/792,456 US4712085A (en) | 1984-10-30 | 1985-10-29 | Thermistor element and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22843784A JPS61105802A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | サーミスタ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105802A true JPS61105802A (ja) | 1986-05-23 |
| JPH0344402B2 JPH0344402B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=16876473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22843784A Granted JPS61105802A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | サーミスタ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0291306U (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-19 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913300A (ja) * | 1972-05-17 | 1974-02-05 | ||
| JPS5228238A (en) * | 1975-08-29 | 1977-03-03 | Hitachi Ltd | Offering report circuit |
| JPS5443560A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Ishizuka Denshi Kk | Electrode drawing structure for thermistor |
| JPS5636102A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Tdk Electronics Co Ltd | Temperature detector and method of manufacturing same |
| JPS5911602A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-21 | ティーディーケイ株式会社 | 負特性サ−ミスタ及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP22843784A patent/JPS61105802A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913300A (ja) * | 1972-05-17 | 1974-02-05 | ||
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0291306U (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344402B2 (ja) | 1991-07-05 |
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