JPS63237492A - 半導体レ−ザ - Google Patents

半導体レ−ザ

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JPS63237492A
JPS63237492A JP62072565A JP7256587A JPS63237492A JP S63237492 A JPS63237492 A JP S63237492A JP 62072565 A JP62072565 A JP 62072565A JP 7256587 A JP7256587 A JP 7256587A JP S63237492 A JPS63237492 A JP S63237492A
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曽根　春雄
Isao Umezawa
梅沢　勇雄
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修 米山
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以Ｆの順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野 Ｂ９発明の概要 Ｃ０従来技術［第３図］ Ｄ１発明が解決しようとする問題点 ［第４図、第５図］ Ｅ１問題点を解決するための手段 Ｆ１作用 Ｇ、実施例［第１図、第２図］ Ｈ９発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明は半導体レーザ、特にモニター用フォトダイオー
ド付き半導体レーザに関する。
（Ｂ、発明の概要） 本発明は、モニター用フォトダイオード付き半導体レー
ザにおいて、 ｑｔ−電源でレーザダイオードには順方向電圧を、モニ
ター用フォトダイオードには一逆方向電圧を与えること
ができるようにするため、レーザダイオード及びモニタ
ー用フォトダイオードのうちの一方のアノードと他方の
カソードを互いに接続した共通端子を得るようにしてな
るものである。
（Ｃ，従来技術）［第３図］ コンパクトディスクプレイヤー、レーザディスクプレイ
ヤー等に信号読取り用として用いられる半導体レーザは
、レーザ光を発生するレーザダイオードのほかに、その
レーザ光の強さを一定に保つコントロールのためにレー
ザ光をモニターするフォトダイオードを備えているのが
許通である。
第３図（Ａ）、（Ｂ）はそのような半導体レーザの従来
例を示すものであり、同図（Ａ）は断面図、同図（Ｂ）
は回路図である。同図において、ａはＳｉからなるＮ０
型半導体基板、ｂは該基板ａの上に形成されたＮ型エピ
タキシャル成長層、Ｃは該エピタキシャル成長層す表面
部に選択的に形成されたＰ型拡散層で、フォトダイオー
ドＰＤのアノードを成す。ｄはエピタキシャル成長層す
の表面部に選択的に形成されたＰ型拡散層、ｅは該Ｐ型
拡散層ｄの表面部に選択的に形成されたＮ型拡散層、ｆ
は半導体表面に形成された酸化膜で、該酸化ＰＩ！２ｆ
に選択的にエツチングにより２つの窓が形成されている
。ｇは上記窓の一つを通してＰ型拡故層Ｃに接続された
電極である。
ｈは他の窓を通して上記Ｎ型拡散層ｅに接続された電極
であり、レーザダイオードＬＤのアノード電極を成す。
該電極り上にレーザダイオードＬＤが接着されている。
ｉは該レーザダイオードＬＤのＰ側半導体層、ｊは活性
層、ｋはＮ型の基板側、２は電極である。該電極λは半
導体基板１に電気的に接続（具体的にはＮ型エビタキャ
ル成長層す表面の酸化膜ｆの窓を介して接続）されてい
る。
この半導体レーザは第２図（Ｂ）に示すようにレーザダ
イオードＬＤとフォトダイオードＰＤのカッ−、ドどつ
し接続された回路構成を有していた。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）［第４図、第５
図］ ところで、レーザダイオードＬＤを発光させるにはそれ
に順方向電圧を印加させる必要があり、また、フォトダ
イオードＰＤにレーザダイオードＬＤからのレーザを受
光させるには逆方向電圧の電圧をかけるのが好ましい。
しかし、従来の半導体レーザは第３図（Ｂ）に示すよう
にレーザダイオードＬＤとフォトダイオードＰＤのカソ
ードどうしが互いに接続された回路構成なので、単一電
源ではレーザダイオードＬＤには順方向電圧を、フォト
ダイオードＰＤには逆方向電圧をそれぞれ印加するよう
にすることは不可能である。
そのため、単一電源で駆動する場合、従来においてはレ
ーザダイオードＬＤに順方向電圧を印加するけれどもフ
ォトダイオードＰＤには逆方向電圧を印加することなく
無バイアスで動作させざるを得なかった。第４図はフォ
トダイオードＰＤを無バイアスで動作させる光検知回路
を示すものである。
この回路はフォトダイオードＰＤに抵抗Ｒを接続して閉
ループをつくり、フォトダイオードＰＤから抵抗Ｒに流
れる光電流■によって抵抗Ｒに生じる′？ニ圧降下をオ
ペアンプＯＰＡにより増幅して取り出すものである。。
ところで、フォトダイオードＰＤは第５図に示すような
電圧・電流特性を存し、光入力と出カフ「圧との関係が
リニアリティを有するリニア動作範囲は０．２Ｖ以下で
ある。従って、人力光に対して出力電圧が比例して変化
する範囲が狭く、レーザダイオードＬＤの出力を一定に
保つＡＰＣ（オートパワーコントロール）をスムーズに
行うようにすることが容易ではない。
しかも、第４図に示す光検知回路によって得られる光検
知電圧は０．２Ｖ程度あるいはそれ以下になるので、普
通のトランジスタ増幅回路では検知し増幅することがで
きない。増幅回路としてオペレーショナルアンプと称さ
れるかなり複雑で高性能のアンプＯＰＡを用いなけれは
ならなくなる。こねは半導体レーザを用いた光ピックア
ップの価格を高くすることになり好ましくない。
そして、ユーザー側はフォトダイオードＰＤを逆方向電
圧を印加して使用するものであると一般的に認識してい
るので無バイアスで使用することにとまどい、性能に疑
念を抱き、不安を訴えることも少なくなかった。
本発明はこのような問題点を解決すへく為されたもので
あり、単一電源でレーザダイオードには順方向電圧を、
フォトダイオードには逆方向電圧をそれぞれ印加するこ
とができる半導体レーザを提供することを目的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明半導体レーザは上記問題点を解決するため、レー
ザダイオード及びモニター用フォトダイオードのうちの
一方のアノードと他方のカソードを〃いに接続した共通
端子を得るようにしてなることを特徴とする。
（Ｆ、作用） 本発明半導体レーザによれば、レーデダイオードとモニ
ター用フォトダイオードの違った極どうしか７Ｅいに接
続されて共通端子とされているので、その共通９Ｘ＋、
−Ｆ、即ち、レーザダイオードとモニター用フォトダイ
オードとの接続点に電源の一方の棒（例えば陰極）を接
続し、レーザダイオードの反モニター用フォトダイオー
ド側の端子及びモニター用フォトダイオードの反レーザ
ダイオード側の端子に電源の他方の極（例えば陽極）側
の電位を学えることにより、単一電源でレーザダイオー
ドには順方向電圧を、フォトダイオードには逆方向電圧
をそれぞれ印加することができる。
（Ｇ、実施例）「第１図、第２図」 以下、本発明半導体レーザを図示実施例に従って詳細に
説明する。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明半導体レーザの第１の実
施例を示すものであり、同図（Ａ）は断面図である。図
面において、１はＰ＋型半導体基板、２は該基板１の表
面に形成されたＰ型エピタキシャル成長層、３は慈エピ
タキシャル成長層２の表面部に選択的に形成されたＮ型
拡散層で、フィトダイオードＰＤのカソードを成ず。４
は１該拡散槽３と同時に形成されたＮ型拡散層、５はエ
ピタキシャル成長層２表面部に形成された酸化１１衰、
６は該酸化膜５の窓７ａを通してＮ型拡散槽３に接続さ
れるように形成された電極膜、８は酸化ｊ摸５の窓７ｂ
を通して上記Ｎ型拡散層４に接続されるように形成され
た電極膜で、該電極膜８ＦにレーザダイオードＬＤがボ
ンディングされている。
９はレーザタイオードＬＤのＰ側部分で、レーザタイオ
ードＬＤはこのＰ側の部分にて上記電極Ｉ＋桑８にポン
ディングされる。１０は活性層、工１はＮ型基板側の部
分、１２はレーザダイオードＬＤの基板底面（ホンディ
ングされた状態では上面）上に形成された電極膜である
。該電極膜１２はコネクトワ、ｒヤ（図示しない）を介
してＰ型半導体基板１に電気的に接続されている。■体
的には、酸化膜５に形成した図面に現れない窓を通して
エピタキシャル成長層２と接する電極膜を形成し、該電
極１１ｑと上記電極Ｊｌ’１ｌ１２との間をコネクト線
で繋ぐことによってその′１「気的接続をしている。
このような半導体レーザは、第１図（Ｂ）に示すように
レーザダイオードＬＤのカソードと、モニター用フォト
ダイオードＰＤの７ノードとを接続した回路構成になる
。従って、レーザダイオードＬＤの電極膜８及びフォト
ダイオードＰＤの′１”「極１１！ｌ！　６にプラスの
電位（例えば＋５Ｖ）を与え、半導体基板１にそれより
もマイナスの電位を学えることにより、レーザダイオー
ドＬＤには順方向電圧を、フォトダイオードＰＤには逆
方向電圧を（ｆＬ−電源で印加することができる。従っ
て、逆方向電圧を受けるフォトダイオードＰＤがら充分
な大きさの光検知出力を得ることができ、増幅にオペア
ンプＯＰＡを使用する必要もない。
また、第１図（Ａ）に示す半導体レーザにおいてはＰ型
エピタキシャル成長層２の表面に形成する拡散層はＮ型
拡散層３と４のみで済み、しかも、この２つの拡散層３
と４は同時に形成することができる。従って、第３図（
Ａ）に示す従来の半導体レーザに比較して製造工程数が
少なくて済む。しかして、製造コストの低減を図ること
ができるという利点もある。
第２図は本発明半導体レーザの第２の実施例を示す断面
図である。この半導体レーザはレーザダイオードＬＤと
して基板かＰ型のものを用いたものであり、エピタキシ
ャル成長層２のレーザダイオードＬＤがボンディングさ
れる領域にはＮ型の拡散層が設けられておらず、代わり
にＰ＋型拡散層２ａが形成されている。但し、この拡散
層２ａは必ずしも必要としない。
この半導体レーザはレーザダイオードＬＤの電極Ｉｌ！
２１２は勿論半導体基板１側とは接続されず、独立した
アノード電極を成す。
本発明半導体レーザは第２図に示す態様でも実施するこ
とができる。
（Ｈ，発明の効果） 以上に述べたように、本発明半導体レーザは、レーザダ
イオードと該レーザダイオードの出力光を検出するモニ
ター用フォトダイオードとを備え、上記レーザダイオー
ド及びモニター用フォトタイオードのうちの一方のアノ
ードと他方のカソードとが互いに接続されて一つの端子
とされ、該端子と、上記レーザダイオードの反モニター
用フォトダイオード側の端子と、上記モニター用フす！
・ダイオードの反レーザダイオード側の端子の３つの端
子を備えたことを特徴とするものである。
従って、本発明半導体レーザによれば、レーザダイオー
ドとモニター用フォトダイオードの違った極どうしが互
いに接続されているので、レーザダイオードとモニター
用フォトダイオードの接続点に電源の一方の極（例えば
陰極）を接続し、レーザダイオードの反モニター用フォ
トダイオード側の端子及びモニター用フォトダイオード
の反レーザダイオード側の端子に電源の他方の＆（例え
ば陽極）側の電位を学えることにより、Ｃ１−電源でレ
ーザダイオードには順方向電圧を、フォトダイオードに
は逆方向電圧をそれぞれ印加することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明半導体レーザの第１の実施例を示すもの
で、同図（Ａ）は断面図、同図（Ｂ）は回路図、第２図
は本発明半導体レーザの第２の実施例を示す断面図、第
３図は従来例を示すもので、同図（Ａ）は断面図、同図
（Ｂ）は回路図、第４図及び第５図は発明が解決しよう
とす乞問題点を説明するためのもので、第４図は従来モ
ニター用フォトダイオードによる光検知に用いざるを４
！Ｉなかった光検知回路の回路図、第５図フォトダイオ
ードの７に圧・電流特性図である。 符号の説明 ＬＤ・　・　・レーザダイオード、 ＰＤ・・・フォトダイオード。 （Ａ） 回路図 （Ｂ） 第１の実施例 第１図 （Ａ）（Ｂ） 従来汝杯デ　　。 光検知回路図 第４図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）レーザダイオードと該レーザダイオードの出力光
    を検出するモニター用フォトダイオードとを備え、 上記レーザダイオード及びモニター用フォトダイオード
    のうちの一方のアノードと他方のカソードとが互いに接
    続されて一つの端子とされ、上記端子と、上記レーザダ
    イオードの反モニター用フォトダイオード側の端子と、
    上記モニター用フォトダイオードの反レーザダイオード
    側の端子の３つの端子を備えた ことを特徴とする半導体レーザ
JP62072565A 1987-03-25 1987-03-25 半導体レ−ザ Expired - Lifetime JP2540850B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980059952A (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 구자홍 서브마운트 및 그 제조방법과 그를 이용한 레이저 다이오드 패키징방법
US7777234B2 (en) 2000-09-29 2010-08-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-receiving element and photonic semiconductor device provided therewith

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5233580A (en) * 1988-12-19 1993-08-03 Rohm Co., Ltd. Laser diode unit welded to a mounting member by laser light
US5029297A (en) * 1989-10-13 1991-07-02 At&T Bell Laboratories Optical amplifier-photodetector device
US4995049A (en) * 1990-05-29 1991-02-19 Eastman Kodak Company Optoelectronic integrated circuit
US5294815A (en) * 1991-07-29 1994-03-15 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitting device with terraced structure
SE501156C2 (sv) * 1993-04-21 1994-11-28 Ellemtel Utvecklings Ab Referenssignal sammansatt av klocksignal och synkroniseringssignal, anordning och förfarande för synkronisering m.h.a. referenssignal
US6185239B1 (en) * 1997-01-22 2001-02-06 Sony Corporation Semiconductor laser device
JP3689637B2 (ja) * 2000-12-25 2005-08-31 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4217414B2 (ja) * 2002-03-01 2009-02-04 株式会社東芝 光半導体センサ
JP2004221274A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Rohm Co Ltd 半導体装置
US20040231682A1 (en) * 2003-05-20 2004-11-25 Richard Stoltz Scanned small spot ablation with a high-rep-rate
US7361171B2 (en) 2003-05-20 2008-04-22 Raydiance, Inc. Man-portable optical ablation system
US9022037B2 (en) 2003-08-11 2015-05-05 Raydiance, Inc. Laser ablation method and apparatus having a feedback loop and control unit
US8173929B1 (en) 2003-08-11 2012-05-08 Raydiance, Inc. Methods and systems for trimming circuits
US8135050B1 (en) 2005-07-19 2012-03-13 Raydiance, Inc. Automated polarization correction
US8232687B2 (en) 2006-04-26 2012-07-31 Raydiance, Inc. Intelligent laser interlock system
US8189971B1 (en) 2006-01-23 2012-05-29 Raydiance, Inc. Dispersion compensation in a chirped pulse amplification system
US9130344B2 (en) 2006-01-23 2015-09-08 Raydiance, Inc. Automated laser tuning
US7444049B1 (en) 2006-01-23 2008-10-28 Raydiance, Inc. Pulse stretcher and compressor including a multi-pass Bragg grating
US7822347B1 (en) 2006-03-28 2010-10-26 Raydiance, Inc. Active tuning of temporal dispersion in an ultrashort pulse laser system
US7903326B2 (en) 2007-11-30 2011-03-08 Radiance, Inc. Static phase mask for high-order spectral phase control in a hybrid chirped pulse amplifier system
US8125704B2 (en) 2008-08-18 2012-02-28 Raydiance, Inc. Systems and methods for controlling a pulsed laser by combining laser signals
US8498538B2 (en) 2008-11-14 2013-07-30 Raydiance, Inc. Compact monolithic dispersion compensator
WO2012037465A1 (en) 2010-09-16 2012-03-22 Raydiance, Inc. Laser based processing of layered materials
US10239160B2 (en) 2011-09-21 2019-03-26 Coherent, Inc. Systems and processes that singulate materials

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5147665U (ja) * 1974-10-05 1976-04-08

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2542174C3 (de) * 1974-09-21 1980-02-14 Nippon Electric Co., Ltd., Tokio Halbleiterlaservorrichtung
JPS58200583A (ja) * 1982-05-19 1983-11-22 Hitachi Ltd 絶縁型信号伝送素子
JPS60198885A (ja) * 1984-03-23 1985-10-08 Toshiba Corp 集積化半導体レ−ザ装置
JPH067627B2 (ja) * 1985-03-09 1994-01-26 ソニー株式会社 半導体レ−ザ装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5147665U (ja) * 1974-10-05 1976-04-08

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980059952A (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 구자홍 서브마운트 및 그 제조방법과 그를 이용한 레이저 다이오드 패키징방법
US7777234B2 (en) 2000-09-29 2010-08-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-receiving element and photonic semiconductor device provided therewith

Also Published As

Publication number Publication date
JP2540850B2 (ja) 1996-10-09
EP0284212A2 (en) 1988-09-28
KR880011964A (ko) 1988-10-31
EP0284212A3 (en) 1990-08-22
US4847846A (en) 1989-07-11

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