JPS63238441A - 半導体圧力センサおよびその製造方法 - Google Patents

半導体圧力センサおよびその製造方法

Info

Publication number
JPS63238441A
JPS63238441A JP63060161A JP6016188A JPS63238441A JP S63238441 A JPS63238441 A JP S63238441A JP 63060161 A JP63060161 A JP 63060161A JP 6016188 A JP6016188 A JP 6016188A JP S63238441 A JPS63238441 A JP S63238441A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure sensor
sensor chip
case
semiconductor
plastic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63060161A
Other languages
English (en)
Inventor
カールウルリツヒ、シユタイン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPS63238441A publication Critical patent/JPS63238441A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49103—Strain gauge making

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、圧電抵抗式ダイヤフラム部材を有してケース
内に配置された半導体材料製圧力センサチップを備え、
ケースが周囲圧力を圧力センサチップのダイヤフラム部
材に伝達するための開口部を有する半導体圧力センサお
よびその製造方法に関する。
〔従来の技術〕
圧力測定器の分野においては、半導体圧力センサがます
ます使用されるようになってきている。
この公知の圧力センサ、例えば相対圧センサにおいては
、ケイ素ダイヤフラムが構成要素の核心をなしており、
ケイ素ダイヤフラムにはイオン注入法によって抵抗パタ
ーンが作成される。ダイヤフラムに圧力が作用すると、
このダイヤフラムが変形する。これによって圧電抵抗効
果に基づく抵抗変化が生ずる。この圧電抵抗効果は物理
量の圧力をアナログ電気信号に変換するために利用され
る（「シーメンス・コンポーネント（ＳｉｅｍｅｎｓＣ
ｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）Ｊ第２３巻（１９８５年）、第２
号、第６４頁ないし第７４頁参照）。
その場合、圧力センサチップは好適には金属によって構
成されたケース内に組み込まれ、その蓋には周囲圧力を
感圧チップ表面に伝達するための開口部を有する。
〔発明が解決しようとする課題〕
この種のケースは比較的費用が掛かり、扱い難い、その
ために、圧力センサにおいては表面据付のためにテラス
チック製差込ケースおよびプラスチック製ミニチュアケ
ースを使用するように努められている。
本発明は、経済的でかつ価格的に手頃に製造および取付
可能でありさらにテスト中、取付中および回路での使用
中においても圧力センサを保護するケースを装備した半
導°体圧カセンサおよびこの半導体圧力センサの製造方
法を提供することを課題とする。
〔課題を解決するための手段〕
このような課題を解決するために、本発明による半導体
圧力センサにおいては、圧力センサチップはケースの構
成要素である条導体上に固定され、ケースは固形プラス
チックによって構成され、ケースの内部における圧力セ
ンサチップには少なくともダイヤフラム部材の領域に、
圧力伝達に適する軟質プラスチック材料から成るカバー
が設けられる。
さらに、本発明による半導体圧力センサの製造方法にお
いては、圧力センサチップが条導体上にろう付けによっ
て取り付けられ、圧力センサチップは条導体に電気的に
接続された後に軟質プラスチック、特にシリコーンゲル
から成るカバーが設けられ、その後ケースを形成するた
めにセンサの周囲に熱硬化性プラスチックが設けられ、
その際または熱硬化性プラスチックを設けた後に、周囲
圧力を前記カバーすなわちダイヤフラム部材に伝達する
ための開口部が形成される。
本発明の有利な実施ａ様は請求項２ないし５に記載され
ている。
〔作用および発明の効果〕
この種の圧力センサは特に絶対圧センサとして使用可能
である。というのは、この絶対圧センサにおいては、ケ
ースの周囲圧力だけが圧力センサチップの内部の真空と
比較して測定されるからである。
本発明によれば、圧力センサチップは有利に標準形プラ
スチック製差込ケースおよび標準形プラスチック製ミニ
チュアケースで包むことができ、周囲圧力は感圧チップ
表面に軟質プラスチックカバーを通して作用することが
できる。なお、軟質プラスチックカバーは硬質プラスチ
ックケースの開口部を通して周囲圧力に曝される。
ケースが特に使用可能な標準形ケースの１つのための機
構担持体として標準形条導体を含むことは有利である。
圧力センサチップはこの条導体上に通常の方法でろう付
けによって設けられる。圧力センサチップの電気的接続
が行われた後、圧力　。
センサチップは軟質プラスチックカバー、特にシリコー
ンゲルによって、半導体技術において知られているいわ
ゆる“滴下法”と同じようにして被覆される。その後で
熱硬化性プラスチックを周囲に設ける際または設けた後
、周囲圧力が軟質プラスチックカバーに作用することが
できるようにされる。このことは、軟質プラスチックカ
バーが熱硬化性プラスチックを周囲に設ける際に既に装
置の表面にまで達しているか、または、開口部が熱硬化
性プラスチックを周囲に設ける際に例えば装置内の小さ
なピンによって製作されるかまたは後からマスクもしく
は光線を用いたエツチングによって製作されるようにす
ることによって生ぜしめられる。
この原理は硬質ケースおよび軟質カバーの材料を適切に
選択することによって使用可能である。
即ち、例えば、軟質プラスチックカバーの材料を適切に
選択する際にも同様に、このカバーはエツチング方法ま
たは溶解方法によって少なくとも一部分を除去すること
ができる。
本発明による半導体圧力センサの特別な利点は、適切な
性質および適切な寸法を持つ軟質プラスチックカバーを
設ける補助的なステップだけによって、しかも標準技術
によって、絶対圧センサを製造することができることで
ある。
〔実施例〕
次に本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
図には圧力センサとして絶対圧センサが断面図にて示さ
れている。圧力センサチップ１は半導体材料、特にケイ
素によって構成され、圧電抵抗式ダイヤフラム部材４を
有している。ダイヤフラム部材４における抵抗ブリッジ
は特にイオン注入法によって作られ、半導体素子の圧電
抵抗特性に基づいて動作する。圧力センサチップ１はケ
ース３の構成要素である条導体２上に直接固定されてい
る。特にろう付けによって実施することのできる圧力セ
ンサチップ１の固定はこの実施例においては固定膜８に
よって行われている。ケース３は熱硬化性プラスチック
によって構成され、周囲圧力を圧力センサチップ１のダ
イヤフラム部材４に伝達するための開口部６を有してい
る。開口部６を通ってダイヤフラム部材４に作用する周
囲圧力の方向は矢印１０によって示されている。圧力セ
ンサチップ１のダイヤフラム部材４はワイヤ７、例えば
アルミニウムボンディングワイヤによって条導体２に電
気的に接続されている。この実施例においてはケース３
の内室全体には軟質プラスチック材料、特にシリコーン
ゲルから成るカバー５が充填されており、従って圧力セ
ンサチップ１はダイヤフラム部材４と共に完全に被覆さ
れている。
図示された圧力センサは絶対圧センサとして使用される
。このために圧力センサチップ１とそのダイヤフラム部
材４との間の中空室９は真空にされている。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示す概略断面図である。 １・・・圧力センサチップ ２・・・条導体 ３・・・ケース ４・・・ダイヤフラム部材 ５・・・カバー ６・・・開口部 ７・・・ワイヤ ８・・・固定膜 ９・・・中空室 １０・・・周囲圧力

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）圧電抵抗式ダイヤフラム部材を有してケース内に配
    置された半導体材料製圧力センサチップを備え、前記ケ
    ースが周囲圧力を前記圧力センサチップのダイヤフラム
    部材に伝達するための開口部を有する半導体圧力センサ
    において、前記圧力センサチップ（１）は前記ケース（
    ３）の構成要素である条導体（２）上に固定され、前記
    ケース（３）は固形プラスチックによって構成され、前
    記ケース（３）の内部における前記圧力センサチップ（
    １）には少なくとも前記ダイヤフラム部材（４）の領域
    に、圧力伝達に適する軟質プラスチック材料から成るカ
    バー（５）が設けられることを特徴とする半導体圧力セ
    ンサ。 ２）圧力センサチップ（１）はケイ素から成り、そのダ
    イヤフラム部材（４）はイオン注入法によって与えられ
    た圧電抵抗特性を有することを特徴とする請求項１記載
    の半導体圧力センサ。 ３）軟質プラスチック材料はシリコーンゲルであること
    を特徴とする請求項１または２記載の半導体圧力センサ
    。 ４）固形プラスチックは熱硬化性プラスチックであるこ
    とを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の半導体
    圧力センサ。 ５）圧力センサチップ（１）はダイヤフラム部材（４）
    の領域における内部に真空化された中空室（９）を有し
    、絶対圧センサとして使用されることを特徴とする請求
    項１ないし４の１つに記載の半導体圧力センサ。 ６）圧力センサチップ（１）が条導体（２）上にろう付
    けによって取り付けられ、前記圧力センサチップ（１）
    は前記条導体（２）に電気的に接続された後に軟質プラ
    スチック、特にシリコーンゲルから成るカバー（５）が
    設けられ、その後ケース（３）を形成するためにセンサ
    の周囲に熱硬化性プラスチックが設けられ、その際また
    は熱硬化性プラスチックを設けた後に、周囲圧力を前記
    カバー（５）ないしダイヤフラム部材（４）に伝達する
    ための開口部（６）が形成されることを特徴とする請求
    項１ないし５の１つに記載の半導体圧力センサの製造方
    法。
JP63060161A 1987-03-18 1988-03-14 半導体圧力センサおよびその製造方法 Pending JPS63238441A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3708831.9 1987-03-18
DE3708831 1987-03-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63238441A true JPS63238441A (ja) 1988-10-04

Family

ID=6323399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63060161A Pending JPS63238441A (ja) 1987-03-18 1988-03-14 半導体圧力センサおよびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4823605A (ja)
EP (1) EP0286867A1 (ja)
JP (1) JPS63238441A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102401715A (zh) * 2010-08-23 2012-04-04 霍尼韦尔国际公司 压力传感器
CN102815174A (zh) * 2011-06-07 2012-12-12 无锡华润安盛科技有限公司 压力传感器、汽车轮胎压力监测系统和压力传感器制造方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4993143A (en) * 1989-03-06 1991-02-19 Delco Electronics Corporation Method of making a semiconductive structure useful as a pressure sensor
US4945769A (en) * 1989-03-06 1990-08-07 Delco Electronics Corporation Semiconductive structure useful as a pressure sensor
US5225373A (en) * 1990-03-07 1993-07-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor pressure sensor device with two semiconductor pressure sensor chips
JP2719448B2 (ja) * 1991-01-24 1998-02-25 三菱電機株式会社 半導体圧力検出装置
KR0163443B1 (ko) * 1991-07-04 1999-03-30 나까오 다께시 압력측정장치
US5333505A (en) * 1992-01-13 1994-08-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor pressure sensor for use at high temperature and pressure and method of manufacturing same
JPH05203522A (ja) * 1992-01-23 1993-08-10 Mitsubishi Electric Corp モールドパッケージ半導体圧力センサおよびその製造方法
US5581038A (en) * 1994-04-04 1996-12-03 Sentir, Inc. Pressure measurement apparatus having a reverse mounted transducer and overpressure guard
US6254815B1 (en) 1994-07-29 2001-07-03 Motorola, Inc. Molded packaging method for a sensing die having a pressure sensing diaphragm
US6148673A (en) * 1994-10-07 2000-11-21 Motorola, Inc. Differential pressure sensor and method thereof
WO1996026424A1 (en) * 1995-02-24 1996-08-29 Lucas Novasensor Pressure sensor with transducer mounted on a metal base
US6229427B1 (en) * 1995-07-13 2001-05-08 Kulite Semiconductor Products Inc. Covered sealed pressure transducers and method for making same
US5600071A (en) * 1995-09-05 1997-02-04 Motorola, Inc. Vertically integrated sensor structure and method
JPH1078448A (ja) * 1996-09-03 1998-03-24 Tokai Rika Co Ltd ヨーレートセンサ及び角速度検出方法
DE19700393C2 (de) 1997-01-08 2002-03-14 Infineon Technologies Ag Gehäuse mit einer Halbleiter-Sensoranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE19724025A1 (de) * 1997-06-06 1998-12-10 Siemens Ag Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE19724026A1 (de) * 1997-06-06 1998-12-10 Siemens Ag Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
ES2137850B1 (es) * 1997-06-13 2000-08-16 Consejo Superior Investigacion Tecnica de encapsulacion para microsensores de presion entre ambientes humedos.
DE10058593A1 (de) * 2000-11-25 2002-06-06 Bosch Gmbh Robert Verpacktes elektronisches Bauelement und Verfahren zur Verpackung eines elektronischen Bauelements
DE10111657A1 (de) * 2001-03-09 2003-01-02 Heraeus Electro Nite Int Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für Sensorelemente, sowie Sensor, insbesondere Temperatur-Sensor
US7060216B2 (en) * 2001-05-11 2006-06-13 Melexis, Nv Tire pressure sensors and methods of making the same
US6762077B2 (en) * 2001-05-11 2004-07-13 Melexis Nv Integrated sensor packages and methods of making the same
EP1357509A1 (en) * 2002-04-24 2003-10-29 Masao Katsuya Position indicator for office automation equipment
DE10324139B4 (de) * 2003-05-26 2005-07-21 Infineon Technologies Ag Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
ITTO20030444A1 (it) * 2003-06-13 2004-12-14 Olivetti Jet Spa Sensore di pressione a struttura integrata.
US7270012B2 (en) * 2004-10-01 2007-09-18 Hitachi, Ltd. Semiconductor device embedded with pressure sensor and manufacturing method thereof
GB0504379D0 (en) * 2005-03-03 2005-04-06 Melexis Nv Low profile overmoulded semiconductor package with transparent lid
EP1860694A1 (en) * 2005-03-16 2007-11-28 Yamaha Corporation Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and cover frame
EP1707931B1 (en) * 2005-03-31 2013-03-27 STMicroelectronics Srl Analog data-input device provided with a microelectromechanical pressure sensor
DE102005036955A1 (de) * 2005-08-05 2007-02-22 Robert Bosch Gmbh Gemoldeter mikromechanischer Kraft-/Druckwandler sowie ein entsprechendes Herstellungsverfahren
EP1762925B1 (en) * 2005-09-09 2016-12-21 STMicroelectronics Srl Analog input device with integrated pressure sensor and electronic apparatus equipped with said input device.
US7808004B2 (en) * 2006-03-17 2010-10-05 Edison Opto Corporation Light emitting diode package structure and method of manufacturing the same
TWI341014B (en) * 2007-05-30 2011-04-21 Ind Tech Res Inst A device structure with preformed ring and method therefor
ITMI20072099A1 (it) * 2007-10-30 2009-04-30 St Microelectronics Srl Metodo di fabbricazione di un dispositivo elettronico comprendente dispositivi mems incapsulati per stampaggio
JP2013515949A (ja) * 2009-12-23 2013-05-09 エプコス アーゲー 圧力センサおよび圧力センサの製造方法
DE102012021413B4 (de) * 2012-10-30 2016-06-02 Infineon Technologies Ag Sensor mit Maskierung
CN104362144B (zh) * 2014-09-22 2017-05-17 广东合微集成电路技术有限公司 胎压监测系统的封装结构及其封装方法
US10353503B2 (en) * 2015-10-29 2019-07-16 Texas Instruments Incorporated Integrated force sensing element
US10549982B2 (en) 2016-02-15 2020-02-04 Stmicroelectronics S.R.L. Pressure sensor encapsulated in elastomeric material, and system including the pressure sensor
ITUA20163990A1 (it) * 2016-05-31 2017-12-01 St Microelectronics Srl Dispositivo sensore di carico miniaturizzato con ridotta sensibilita' a stress termo-meccanico di incapsulamento, in particolare sensore di forza e di pressione
US11745549B2 (en) * 2017-08-21 2023-09-05 Sram. Llc Pressure sensing assembly for a bicycle wheel

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5921495B2 (ja) * 1977-12-15 1984-05-21 株式会社豊田中央研究所 細管型圧力計
US4322980A (en) * 1979-11-08 1982-04-06 Hitachi, Ltd. Semiconductor pressure sensor having plural pressure sensitive diaphragms and method
DE3142459C2 (de) * 1981-10-27 1986-07-17 Institut Dr. Friedrich Förster Prüfgerätebau GmbH & Co KG, 7410 Reutlingen Wirbelstromgeberanordnung
DE3200448C2 (de) * 1982-01-09 1986-03-06 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Druckwandleranordnung
US4658651A (en) * 1985-05-13 1987-04-21 Transamerica Delaval Inc. Wheatstone bridge-type transducers with reduced thermal shift
US4732042A (en) * 1986-04-22 1988-03-22 Motorola Inc. Cast membrane protected pressure sensor

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102401715A (zh) * 2010-08-23 2012-04-04 霍尼韦尔国际公司 压力传感器
CN102401715B (zh) * 2010-08-23 2015-09-02 霍尼韦尔国际公司 压力传感器
CN102815174A (zh) * 2011-06-07 2012-12-12 无锡华润安盛科技有限公司 压力传感器、汽车轮胎压力监测系统和压力传感器制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4823605A (en) 1989-04-25
EP0286867A1 (de) 1988-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4823605A (en) Semiconductor pressure sensor with casing and method for its manufacture
US4293768A (en) Infrared radiation detecting apparatus and method of manufacturing
JP3725296B2 (ja) 測定抵抗体を有する温度センサ
US5604363A (en) Semiconductor pressure sensor with package
JP2004513339A (ja) 圧力センサモジュール
JP2011519041A (ja) 圧力センサ
US6313514B1 (en) Pressure sensor component
JPH1038730A (ja) 圧力センサ並びに圧力センサを用いた圧力検出装置
JPH0850142A (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法
JP2002168713A (ja) 圧力センサ及びその製造方法
JPH1114485A (ja) 圧力センサ
JPH10209469A (ja) 半導体圧力センサ
JP2695643B2 (ja) 圧力センサユニットの製造方法
JPH0738122A (ja) センサ用パッケージ
JPH1130560A (ja) 圧力センサ
JP2695642B2 (ja) 圧力センサユニット
JPH10170379A (ja) 圧力センサ
JPH10213500A (ja) 半導体圧力センサ
JP3508390B2 (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
JPH07218364A (ja) 半導体圧力計
JP2694710B2 (ja) 焦電素子及びその製造方法
JPS6154267B2 (ja)
JP2838914B2 (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JPH0749275A (ja) 圧力センサ用の出力回路装置
JPS61145428A (ja) 圧力測定装置