JPS63239403A - 光学基板内における導波路均一性の向上方法 - Google Patents
光学基板内における導波路均一性の向上方法Info
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- JPS63239403A JPS63239403A JP63003943A JP394388A JPS63239403A JP S63239403 A JPS63239403 A JP S63239403A JP 63003943 A JP63003943 A JP 63003943A JP 394388 A JP394388 A JP 394388A JP S63239403 A JPS63239403 A JP S63239403A
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1342—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using diffusion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の背景）
［発明の属する技術分野］
本発明は光学基板内に形成する導波路の均一性の向上方
法、特に光学基板を、予め決定された一定組成を持つ表
面層を形成する為に、予め焼きなおす場合における導波
路均一性の向上方法に関する。
法、特に光学基板を、予め決定された一定組成を持つ表
面層を形成する為に、予め焼きなおす場合における導波
路均一性の向上方法に関する。
Ｃ従来技術の説明〕
光学基板上に形成された集積光部品は、光通信分野にお
いて急速に一般化しており、そして将来更に一般化する
ことが予想される。これらの部品は能動素子構造の部品
として、基板内に拡散によって得られる先導波路を最も
よく利用している。
いて急速に一般化しており、そして将来更に一般化する
ことが予想される。これらの部品は能動素子構造の部品
として、基板内に拡散によって得られる先導波路を最も
よく利用している。
他の物質を導波路、基板双方に用いることもできるが特
に先導波路は、通常、ニオブ酸リチウム（ｌｊｔｈｌｕ
ｒａｎｉｏｂａｔｅ）製の光学基板内に拡散するチタン
断片から成る。この型の導波路構造の形成については、
合衆国特許（Ｕ、Ｓ、Ｐａｔｅｎｔ）４．２８４．０８
３号に記載されている。これに発表されている様にチタ
ン導波路は金属イオンを選択的に結晶内に拡散させ、結
晶の表面部分の屈折率を増加させることによって形成さ
れる。拡散した金属イオンは基板の上層部の平常、異状
屈折率（ｎ。
に先導波路は、通常、ニオブ酸リチウム（ｌｊｔｈｌｕ
ｒａｎｉｏｂａｔｅ）製の光学基板内に拡散するチタン
断片から成る。この型の導波路構造の形成については、
合衆国特許（Ｕ、Ｓ、Ｐａｔｅｎｔ）４．２８４．０８
３号に記載されている。これに発表されている様にチタ
ン導波路は金属イオンを選択的に結晶内に拡散させ、結
晶の表面部分の屈折率を増加させることによって形成さ
れる。拡散した金属イオンは基板の上層部の平常、異状
屈折率（ｎ。
とｎ ）の一方又は両方を増す為に役立ち、その基板上
では、関連する拡散パラメータを適当に調節することに
よって、必要な伝送を行う為に、表面の導波路特性を制
御できる。
では、関連する拡散パラメータを適当に調節することに
よって、必要な伝送を行う為に、表面の導波路特性を制
御できる。
集積光素子の形成において、現在存在する限界は、異な
る基板上に取付られた同じ型の素子から、再現性のある
動作を得ることが困難であるということである。この困
難のおもな原因はニオブ酸リチウム結晶の結晶棒毎の間
の組成変動に関連しており、ニオブ酸リチウムにおいて
は結晶組成が与えられた結晶棒の長さに伴なって変化す
るということもまた示されている。このようにチタンの
拡散率が使用する光学基板に依存しない確固たる方法に
は、なお達成されるべき必要条件が残されている。
る基板上に取付られた同じ型の素子から、再現性のある
動作を得ることが困難であるということである。この困
難のおもな原因はニオブ酸リチウム結晶の結晶棒毎の間
の組成変動に関連しており、ニオブ酸リチウムにおいて
は結晶組成が与えられた結晶棒の長さに伴なって変化す
るということもまた示されている。このようにチタンの
拡散率が使用する光学基板に依存しない確固たる方法に
は、なお達成されるべき必要条件が残されている。
（発明の概要）
本発明によると従来技術に残されている問題点が解決さ
れるが、 本発明は、光学基板内に拡散した導波路均一性の向上方
法、特に基板を、予め焼きなおして既知の一定組成を持
つ表面層を形成する導波路均一性の向上方法に関する。
れるが、 本発明は、光学基板内に拡散した導波路均一性の向上方
法、特に基板を、予め焼きなおして既知の一定組成を持
つ表面層を形成する導波路均一性の向上方法に関する。
本発明によれば、全てのニオブ酸リチウム（Ｉｆｔｈｉ
ｕｉ ｎ１ｏｂａｔｅ ）結晶は素子形成に先立ち、既
知のリチウム／ニオブ（Ｌｉ／Ｎｂ）比を持つ表面層を
形成する為に予め焼きなます。この比は導波路物質の結
晶内への拡散率が結晶棒毎に変動しないことを確実にす
る。もちろん、表面層は、拡散される全導波路の最深部
分より深い部分まで均一でなければならない。
ｕｉ ｎ１ｏｂａｔｅ ）結晶は素子形成に先立ち、既
知のリチウム／ニオブ（Ｌｉ／Ｎｂ）比を持つ表面層を
形成する為に予め焼きなます。この比は導波路物質の結
晶内への拡散率が結晶棒毎に変動しないことを確実にす
る。もちろん、表面層は、拡散される全導波路の最深部
分より深い部分まで均一でなければならない。
（実施例の説明）
ニオブ酸リチウム（ｌｉｔｈｉｕｍ ｎ１ｏｂａｔｅ
）基板上に取付られたスイッチと変調器は光波通信ネッ
トワークの重要な部品である。ニオブ酸リチウム技術を
製品へ導入することの厳しい限界は異なる基板上に取付
けられた素子が再現性よく動作することが困難であるこ
とであった。これには多くの理由があり、そのいくつか
は既に引用した従来技術によって解決されている。ニオ
ブ酸リチウム＜ＬｉＮｂ０ｓ）の構造欠陥の化学現象を
注意深く研究すると、更に重要な原因−物質そのものの
基本的な成長特性から生じてくる原因−あげられる。理
想的には素子に適用するための結晶は、４８．４５モル
パーセントの酸化リチウム（Ｌ ｌ ２０）を含む一定
組成の溶融物からチョクラルスキ法によって成長した結
晶棒から切り取る。しかしながら。異なる結晶棒から切
り取った受入側の結晶の組成と均一度の変化は、再現性
のない光学特性の原因となりうる。
）基板上に取付られたスイッチと変調器は光波通信ネッ
トワークの重要な部品である。ニオブ酸リチウム技術を
製品へ導入することの厳しい限界は異なる基板上に取付
けられた素子が再現性よく動作することが困難であるこ
とであった。これには多くの理由があり、そのいくつか
は既に引用した従来技術によって解決されている。ニオ
ブ酸リチウム＜ＬｉＮｂ０ｓ）の構造欠陥の化学現象を
注意深く研究すると、更に重要な原因−物質そのものの
基本的な成長特性から生じてくる原因−あげられる。理
想的には素子に適用するための結晶は、４８．４５モル
パーセントの酸化リチウム（Ｌ ｌ ２０）を含む一定
組成の溶融物からチョクラルスキ法によって成長した結
晶棒から切り取る。しかしながら。異なる結晶棒から切
り取った受入側の結晶の組成と均一度の変化は、再現性
のない光学特性の原因となりうる。
ニオブ酸リチウム内へのチタン拡散は、［Ｎｂ’、、ｊ
’］ ［Ｖ’ Ｌｉｌで表されるニオブ酸リチウム結
晶の欠陥濃度に強く関連している。第１図は欠陥生成物
の関数として、チタンの拡散性をプロットしたものであ
る。以前の研究で予想されたように、化学量論的ニオブ
酸リチウム量の部分から４８．３モルパーセントの酸化
リチウム（Ｌ ｌ ２０ ）を含む組成付近までは、プ
ロットは直線的である。
’］ ［Ｖ’ Ｌｉｌで表されるニオブ酸リチウム結
晶の欠陥濃度に強く関連している。第１図は欠陥生成物
の関数として、チタンの拡散性をプロットしたものであ
る。以前の研究で予想されたように、化学量論的ニオブ
酸リチウム量の部分から４８．３モルパーセントの酸化
リチウム（Ｌ ｌ ２０ ）を含む組成付近までは、プ
ロットは直線的である。
酸化リチウムが４８．３モルパーセントより少ない組成
では、拡散性は物質中の欠陥の複合化によって急激に増
加する。電気−光学素子は、上述したように一定の融解
組成（４８，４５モルパーセントの酸化リチウム（Ｌ
１２０）を含む）付近の組成範囲内で取付けられる。第
１図によるとこの領域はまだ、カーブの直線部分に属し
ている。しかしながら結晶中の酸化リチウム含量のほん
の０．２モルバ−セントの変化がチタン拡散性（ＤＴｌ
）の２０バーセントの上昇につながる。この結果は、４
８．４０モルパーセントと４８．８０パーセントの酸化
リチウム組成を４８．８０モルパーセントの酸化リチウ
ムを含むグラフ上の組成と比較して図示した第２図に明
確に示される。
では、拡散性は物質中の欠陥の複合化によって急激に増
加する。電気−光学素子は、上述したように一定の融解
組成（４８，４５モルパーセントの酸化リチウム（Ｌ
１２０）を含む）付近の組成範囲内で取付けられる。第
１図によるとこの領域はまだ、カーブの直線部分に属し
ている。しかしながら結晶中の酸化リチウム含量のほん
の０．２モルバ−セントの変化がチタン拡散性（ＤＴｌ
）の２０バーセントの上昇につながる。この結果は、４
８．４０モルパーセントと４８．８０パーセントの酸化
リチウム組成を４８．８０モルパーセントの酸化リチウ
ムを含むグラフ上の組成と比較して図示した第２図に明
確に示される。
典型的なチタン拡散導波路の光モードサイズにおける対
応する変化は、組成変化の結果として生じるＤア、の変
化から計算で′きる。これは導波路作成パラメータ（ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ ｆ’ａｂｌｉｃａｔｉｏｎ ｐａｒ
ａｍｅｔｅｒｓ）から、ニオブ酸リチウム（Ｌ ｉ Ｎ
ｂ Ｏａ ）における光モードサイズを計算する為に
設計されたモデルプログラムを用いて達成できる。その
結果は第３．４図に示される。これらの図は３つの異な
る組成について、断片幅の関数としてのモードサイズ（
７Ｍ偏光（ＴＭ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ））のプロ
ットを図示している。第３図によって、初期断片幅の関
数としての光モード幅が、酸化リチウム（Ｌ ｌ ２０
）を４８．４モルパーセント、４８．６モルパーセント
、４８．８モルパーセント含む３つの組成について示さ
れる。これと等しい組成が第４図のグラフの作成にも用
いられ、酸化リチウムの様々なモル分率に対して、モー
ド深さの断片幅への依存が示されている。第３．４図両
方によって、組成の０．２モルパーセントの変化さえも
、モード幅及び深さの両方における０、５μｍの変化に
つながり得ることがわかる。これらの変化は、おそらく
は同じ動作を提供する為に取り付けられられた、方向性
結合器（ｄｌｒｅｃｔｌｏｎａｌ ｃｏｕｐｌｅｒ）型
の集積光スイッチ素子の重大な動作ばらつきにつながる
。スイッチ動作の差異が、隣接した導波路間の結合の差
異から起こる。
応する変化は、組成変化の結果として生じるＤア、の変
化から計算で′きる。これは導波路作成パラメータ（ｗ
ａｖｅｇｕｉｄｅ ｆ’ａｂｌｉｃａｔｉｏｎ ｐａｒ
ａｍｅｔｅｒｓ）から、ニオブ酸リチウム（Ｌ ｉ Ｎ
ｂ Ｏａ ）における光モードサイズを計算する為に
設計されたモデルプログラムを用いて達成できる。その
結果は第３．４図に示される。これらの図は３つの異な
る組成について、断片幅の関数としてのモードサイズ（
７Ｍ偏光（ＴＭ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ））のプロ
ットを図示している。第３図によって、初期断片幅の関
数としての光モード幅が、酸化リチウム（Ｌ ｌ ２０
）を４８．４モルパーセント、４８．６モルパーセント
、４８．８モルパーセント含む３つの組成について示さ
れる。これと等しい組成が第４図のグラフの作成にも用
いられ、酸化リチウムの様々なモル分率に対して、モー
ド深さの断片幅への依存が示されている。第３．４図両
方によって、組成の０．２モルパーセントの変化さえも
、モード幅及び深さの両方における０、５μｍの変化に
つながり得ることがわかる。これらの変化は、おそらく
は同じ動作を提供する為に取り付けられられた、方向性
結合器（ｄｌｒｅｃｔｌｏｎａｌ ｃｏｕｐｌｅｒ）型
の集積光スイッチ素子の重大な動作ばらつきにつながる
。スイッチ動作の差異が、隣接した導波路間の結合の差
異から起こる。
研究によって、０．０２モルパーセントの組成の不均一
性は、現行の４８．８０モルパーセントの酸化リチウム
を含む一定組成に近い溶融物から成長する結晶棒の長さ
方向にそって現われることが発見された。この不均一性
は更にり、１の２％の変化を表している。
性は、現行の４８．８０モルパーセントの酸化リチウム
を含む一定組成に近い溶融物から成長する結晶棒の長さ
方向にそって現われることが発見された。この不均一性
は更にり、１の２％の変化を表している。
従って、組成の均一性も、ニオブ酸リチウム結晶の初期
組成も素子取付は前には確実にはわからない為、本発明
における予め焼きなます技術により、素子取付は前の結
晶の均一性を確実にする。
組成も素子取付は前には確実にはわからない為、本発明
における予め焼きなます技術により、素子取付は前の結
晶の均一性を確実にする。
本発明に従って、この確証は、次の少なくとも２つの異
なる方法よっておニーなわれる。
なる方法よっておニーなわれる。
（１）全ての受入物質を分析的に確認した一定組成のニ
オブ酸リチウム（Ｌ ｉＮ ｂ Ｏａ ）の予め反応し
たカレット（または結晶くず）を含む気相平衡（ＶＰＥ
ｑ）るつぼ内で、予め平衡状態にする方法、又は （２）ニオブ酸リチウム（Ｌ ｓ Ｎ ｂ Ｏａ ）の
とニオブ酸三リチウム（Ｌ ｉＮ ｂ Ｏ４）の二相粉
末床（ｔｗｏ−ｐｈａｓｅ ｐｏｗｄｅｒ ｂｅｄ）内
で、酸化リチウムを多く含む（Ｌ ｉ ２Ｏ−ｒｉｃｈ
）相境界に至るまで全ての受入れ結晶を予め平衡状態に
する方法である。
オブ酸リチウム（Ｌ ｉＮ ｂ Ｏａ ）の予め反応し
たカレット（または結晶くず）を含む気相平衡（ＶＰＥ
ｑ）るつぼ内で、予め平衡状態にする方法、又は （２）ニオブ酸リチウム（Ｌ ｓ Ｎ ｂ Ｏａ ）の
とニオブ酸三リチウム（Ｌ ｉＮ ｂ Ｏ４）の二相粉
末床（ｔｗｏ−ｐｈａｓｅ ｐｏｗｄｅｒ ｂｅｄ）内
で、酸化リチウムを多く含む（Ｌ ｉ ２Ｏ−ｒｉｃｈ
）相境界に至るまで全ての受入れ結晶を予め平衡状態に
する方法である。
第１の方法は原理的には比較的簡単であるかいくつかの
固育の困難を持つ。特に予め反応したカレットの組成を
、それが十分量の酸化リチウムを保有していることを確
証する為にモニターしなければならない。一度カレッド
に酸化リチウムが無くなると、予め焼きなますプロセス
を停止しカレットを取り換えなければならない。
固育の困難を持つ。特に予め反応したカレットの組成を
、それが十分量の酸化リチウムを保有していることを確
証する為にモニターしなければならない。一度カレッド
に酸化リチウムが無くなると、予め焼きなますプロセス
を停止しカレットを取り換えなければならない。
（具体的な実施例１）
方向性結合器素子は、ニオブ酸リチウム集積光学基板に
おいて光スィッチを達成するために適している。極めて
近接した二つの整合した導波路からなる素子は、伝達す
る光学場の分布（ｏｐｔｉｃａｌｆ’１ｅｌｄ ｄｉｓ
ｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）の端部によるひとつの導波路から
その近隣の導波路への寿命の短い結合によって機能して
いる。これらの素子の設計は、基板、及び導波路が拡散
されている領域の屈折率の微妙な変化にも敏感である。
おいて光スィッチを達成するために適している。極めて
近接した二つの整合した導波路からなる素子は、伝達す
る光学場の分布（ｏｐｔｉｃａｌｆ’１ｅｌｄ ｄｉｓ
ｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）の端部によるひとつの導波路から
その近隣の導波路への寿命の短い結合によって機能して
いる。これらの素子の設計は、基板、及び導波路が拡散
されている領域の屈折率の微妙な変化にも敏感である。
屈折率とモードの制限はリチウム／ニオブ（Ｌｉ／Ｎｂ
）比及び導波路領域内の導波路ドーパントの拡散特性と
強い相関があるため、等しい動作電位で動作する素子の
大量生産は基板横方向及びウェーハ毎の基板組成の制御
に依存している。
）比及び導波路領域内の導波路ドーパントの拡散特性と
強い相関があるため、等しい動作電位で動作する素子の
大量生産は基板横方向及びウェーハ毎の基板組成の制御
に依存している。
いくつかのキー設計パラメータのバリエーションを表す
多数の方向性結合器を含む校正パターンは、物質あ巨大
結晶棒から切取った一連の結晶上における標準的な光リ
ソグラフィー法によって取付けられた。４つの結晶は切
取りそして研磨してそのまま用い一方２つは、切取り研
磨し、そして分析的方法で確認した一定組成の予め反応
したカレットを含むるつぼ内で予め平衡した。予め平衡
にする焼きなましは１０５０度Ｃ（”Ｃ）で１００時間
行われた。１０５０℃で６時間、チタンを拡散させた後
、結晶の端面を磨き、■、３及び１．５μｍにおける光
学特性を調べた。主に興味深いことは、各結晶上の同等
の結合器の結合長（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｌｅｎｇｔｈ）
であった。２つの組の最も大きな差異は、光モードサイ
ズと結合長であり、平衡にした結晶片では結果のばらつ
きが目立って少なかった。
多数の方向性結合器を含む校正パターンは、物質あ巨大
結晶棒から切取った一連の結晶上における標準的な光リ
ソグラフィー法によって取付けられた。４つの結晶は切
取りそして研磨してそのまま用い一方２つは、切取り研
磨し、そして分析的方法で確認した一定組成の予め反応
したカレットを含むるつぼ内で予め平衡した。予め平衡
にする焼きなましは１０５０度Ｃ（”Ｃ）で１００時間
行われた。１０５０℃で６時間、チタンを拡散させた後
、結晶の端面を磨き、■、３及び１．５μｍにおける光
学特性を調べた。主に興味深いことは、各結晶上の同等
の結合器の結合長（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｌｅｎｇｔｈ）
であった。２つの組の最も大きな差異は、光モードサイ
ズと結合長であり、平衡にした結晶片では結果のばらつ
きが目立って少なかった。
（具体的な実施例２）
一連の結晶を例１と同じ結晶棒より切取り、研磨し、そ
して酸化リチウムを多く含む相境界に達するまで、１１
００℃の温度で５００時間平衡状態にした。酸化リチウ
ムを多く含む相境界はこの温度において、化学量論的組
成（すなわちＬｉ／Ｎｂ−１，０）に非常に近く一致す
る。例１で用いたと同じ方向性結合器パターンをこれら
の結晶片上に取付そして同じ手順を行った。 結晶を１
０５０℃で６時間、るつぼで拡散させ、端面を磨き、光
モードサイズと結合測定を行った。その結果、化学量論
的ニオブ酸リチウムにおける画期的な低い挿入損失の導
波路が初めて証明された。ニオブ酸リチウム強誘電性の
キュリ一温度（Ｃｕｒｌｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
は酸化リチウム含量に伴ない直線的に増加するため、導
波路は、化学量論的物質中において、一定組成物質中よ
りも高い温度、そして短い時間で設置される。（普通、
導波路は単磁区（ｓｆｎｇｌｅ ｄｏｍａｉ ｎ）物質
の達成のため極比を排除するためにキュリ一温度より低
い温度で設置される。）更に、化学量論的結晶の低い欠
陥濃度のため、（光学測定と同様、伝送電子顕微鏡法や
エックス線回折研究によって証明されるように）素子動
作の再現性はより簡単に達成できる。より低い欠陥位置
濃度はまた、ポテンシャル的損傷となる低温結晶学的転
移が、より起こりにくいことを意味している。
して酸化リチウムを多く含む相境界に達するまで、１１
００℃の温度で５００時間平衡状態にした。酸化リチウ
ムを多く含む相境界はこの温度において、化学量論的組
成（すなわちＬｉ／Ｎｂ−１，０）に非常に近く一致す
る。例１で用いたと同じ方向性結合器パターンをこれら
の結晶片上に取付そして同じ手順を行った。 結晶を１
０５０℃で６時間、るつぼで拡散させ、端面を磨き、光
モードサイズと結合測定を行った。その結果、化学量論
的ニオブ酸リチウムにおける画期的な低い挿入損失の導
波路が初めて証明された。ニオブ酸リチウム強誘電性の
キュリ一温度（Ｃｕｒｌｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
は酸化リチウム含量に伴ない直線的に増加するため、導
波路は、化学量論的物質中において、一定組成物質中よ
りも高い温度、そして短い時間で設置される。（普通、
導波路は単磁区（ｓｆｎｇｌｅ ｄｏｍａｉ ｎ）物質
の達成のため極比を排除するためにキュリ一温度より低
い温度で設置される。）更に、化学量論的結晶の低い欠
陥濃度のため、（光学測定と同様、伝送電子顕微鏡法や
エックス線回折研究によって証明されるように）素子動
作の再現性はより簡単に達成できる。より低い欠陥位置
濃度はまた、ポテンシャル的損傷となる低温結晶学的転
移が、より起こりにくいことを意味している。
第１図は、種々の酸化リチウムのモル分率について欠陥
濃度の関数としてのチタン拡散性のプロットを示す図、 第２図は、酸化リチウムのモル分率が４８．１０パーセ
ントから４９．９５パーセントの範囲の第１図の拡大図
、 第３図は基板結晶中の異なる酸化リチウムのモル分率に
ついて、モード幅のチタン断片幅への依存性を示す図、 第４図は基板結晶中の異なる酸化リチウムのモル分率に
ついて、モード深さのチタン断片幅への依存性を示す図
、 第５図は温度と酸化リチウムのモル分率に相関するニオ
ブ酸リチウムの組成を示す図である。 出 願 人：アメリカン テレフォン アンドテレグラ
フ カムバニー
濃度の関数としてのチタン拡散性のプロットを示す図、 第２図は、酸化リチウムのモル分率が４８．１０パーセ
ントから４９．９５パーセントの範囲の第１図の拡大図
、 第３図は基板結晶中の異なる酸化リチウムのモル分率に
ついて、モード幅のチタン断片幅への依存性を示す図、 第４図は基板結晶中の異なる酸化リチウムのモル分率に
ついて、モード深さのチタン断片幅への依存性を示す図
、 第５図は温度と酸化リチウムのモル分率に相関するニオ
ブ酸リチウムの組成を示す図である。 出 願 人：アメリカン テレフォン アンドテレグラ
フ カムバニー
Claims (5)
- （１）光学基板内における導波路均一性の向上方法にお
いて； 前記光学基板を形成する結晶物質を、光導波路を形成す
る前に予め決定した一定組成を持つ表面層を形成する為
に予め焼きなおすステップを含むことを特徴とする光学
基板内における導波路均一性の向上方法。 - （２）前記光学基板を、予め決定した一定組成の、予め
反応した光学基板物質を含む、気相平衡るつぼ内で、予
め平衡にすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の光学基板内における導波路均一性の向上方法。 - （３）光学基板が酸化リチウム（Ｌｉ＿２Ｏ）が４８．
６０モルパーセントと定められた一定組成を持つニオブ
酸リチウムであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の光学基板内における導波路均一性の向上方法
。 - （４）前記光学基板を二相粉末床内で、酸化リチウム（
Ｌｉ＿２Ｏ）を多く含む相境界まで、予め平衡にするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の光学基板
内における導波路均一性の向上方法。 - （５）二つの相が ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ＿３）とニオブ酸三リチ
ウム（Ｌｉ＿３ＮｂＯ＿４）であることを特徴とする特
許請求の範囲第４項に記載の光学基板内における導波路
均一性の向上方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US004014 | 1987-01-16 | ||
| US07/004,014 US4781743A (en) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Method of improving waveguide uniformity in optical substrate and product |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239403A true JPS63239403A (ja) | 1988-10-05 |
Family
ID=21708712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63003943A Pending JPS63239403A (ja) | 1987-01-16 | 1988-01-13 | 光学基板内における導波路均一性の向上方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
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Family Cites Families (10)
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- 1988-01-07 EP EP88300095A patent/EP0275149A3/en not_active Withdrawn
- 1988-01-13 JP JP63003943A patent/JPS63239403A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| EP0275149A2 (en) | 1988-07-20 |
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