JPS63243957A

JPS63243957A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS63243957A
Application number: JP62076198A
Authority: JP
Inventors: Hideji Yoshizawa; 吉澤　秀二; Tatsuya Ikesue; 龍哉池末
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Priority date: 1987-03-31
Filing date: 1987-03-31
Publication date: 1988-10-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、帯電特性、１１ｇ減衰特性、光感度特性及び
耐環境性等が優れた電子写真感光体に関する。

（従来の技術）水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
−３ｉ：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として注目
されており、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメー
ジセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体に応用さ
れている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、Ｃｄ　Ｓ、Ｚｎ　Ｏ，Ｓｅ　、若しくは５ｅ−Ｔｅ等
の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣ
ｚ　）若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ＞等の
有機材料が使用されていた。

しかしながら、ａ−８ｉ　　：ｌ−１はこれらの無機材
料又は有機材料に比して、無公害物質であるため回収処
理の必要がないこと、可視光領域で＾い分光感度を有す
ること、並びに表面硬度が高く耐摩耗性及び耐ｍｓ性が
優れていること等の利点を有している。このため、ａ−
３ｉ：Ｈは電子写真プロセスの感光体材料として注目さ
れている。

このａ−８ｔ　　：Ｈは、カールソン方式に基づく感光
体材料として検討が進められているが、この場合、感光
体特性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。

しかしながら、この両特性を単一の感光体で満足させる
ことが困難であるため、光導電層と導電性支持体との間
に障壁層を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設
けた積層型の構造にすることにより、このような要求を
満足させている。

（発明が解決しようとする問題点）ところで、ａ−８ｉ：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法により形成されるが、この際に、
ａ−８ｉ：Ｈ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差によ
り電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−
８ｉ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると、光学的バ
ンドギャップが大きくなり、ａ−８ｉ　Ｈの抵抗が高く
なるが、それにともない、長波長光に対する光感度が低
下してしまうので、例えば、半導体レーザを搭載したレ
ーザビームプリンタに使用することが困難である。また
、ａ−８ｉ　ＨＩａ中の水素の含有量が多くなると、成
膜条件によって、（ＳｉＨｚ）ｎ及び５ｉｔ−１２等の
結合構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場
合がある。そうすると、ボイドが増加し、シリコンのダ
ングリングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し
、電子写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−８
ｉ：Ｈ中に取込まれる水素の澁が低下すると、光学的バ
ンドギャップが小さくなり、その抵抗が小さくなるが、
長波長光に対する光感度が増加する。しかし、水素含有
量が少ないと、シリコンのダングリングボンドと結合し
てこれを減少させるべき水素が少なくなる。このため、
発生するキャリアの移動度が低下し、寿命が短くなると
共に、光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光体と
して使用し難いものとなる。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−８
ｉ　　：ＨＩａのみで構成したのでは、ａ−８ｉ：ＨＩ
ａ５の製造条件によって特性が大きく変化し、望ましい
特性が得られないという問題がある。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘って感光が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供すること
を目的とする。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明者らは、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体
の光導電層に複数の半導体膜の積層即ち超格子構造の領
域を形成することにより、上記目的を達成し得ることを
見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体であって、前記光導電
層は、微結晶シリコン薄膜と、非晶質シリコン薄膜と、
炭素、酸素および窒素から選ばれた元素の少なくとも一
種を含む非晶質シリコン薄膜とを奏曇辷積層して構成さ
れてなる領域を有することを特徴とする。

前記非晶質シリコン薄膜中に含まれる炭素、酸素、窒素
のΩ度は、好ましくは０，１〜４０原子％、より好まし
くは０．５〜３０原子％である。

本発明において用いる微結晶シリコン（μＣ−３ｉ）は
、粒径が約数十オングストロームの微結晶化したシリコ
ンと非晶質シリコンとの混合相より形成されているもの
と考えられ、以下のような物性上の特徴を有している。

第一に、ｘ１１回折測定では２θが２８〜２８．５°付
近にある結晶回折パターンを示し、ハローのみが現れる
無定形のａ−３ｉから明確に区別される。第二に、μＣ
−３ｉの暗抵抗は１０１０Ω・α以上に調整することが
でき、暗抵抗が１０５０・１のポリクリスタリンシリコ
ンからも明確に区別される。

本発明で用いる上記μＣ−８ｉの光学的バンドギャップ
（Ｅｇ”　）は、例えば１．５５ＣＶとするのが望まし
い。しかし、一定の範囲で任意に設定することができる
。望ましいＥｇｏを得るため夫々に所定最の水素を添加
し、μｃ−８ｉ：Ｈとして使用するのが好ましい。これ
により、シリコンのダングリングボンドが補償され、暗
抵抗と明抵抗の調和がとれ、光導電特性が向、上する。

（作　用）本発明の電子写［！！光体では、光導電層に前記超格子
構造が設けられているため、この領域では発生したキャ
リアの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につ
いては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子
構造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによるｍ子効
果であることは疑いがな（、これは特に超格子効果とい
われる。

こうして光導電層でのキャリアの移動度が大きくなり、
またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感
光体の感度は著しく向上することになる。

また、本発明においてはａ−８ｉＷＪ膜に炭素、酸素、
窒素のうちの少なくとも一種を含有させているので、前
記のようにバンドギャップを調整するだけでなく、先導
ｉｌｌの抵抗を増大して表面のｉｔ荷保持能力を高める
ことができる。

（実施例）第１図は、本発明の一実施例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、１は導電性支持
体である。該導電性支持体の上には障壁層２が形成され
、その上には光Ｓ電層３が形成されている。更に、光導
電層３の上には表面層４が形成されている。

第２図は本発明の他の実施例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図で、この実施例では電荷発生層および電
荷輸送層からなる機能分離型の光導電層が設けられてい
る。即ち、導電性支持体１及び障壁ｍ２の上に電荷輸送
層５が形成され、該電荷輸送層の上に電荷発生層６が形
成されている。

更に、電荷発生層６の上には表面層４が形成されている
。

上記第１図および第２図の実施例における各部の詳細は
、次に説明する通りである。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はμｃ−８ｉやａ−８ｉ　　：Ｈを用イテ形成
してもよく、またａ−ＢＮ：）（（窒素および水素を添
加したアモルファス硼素）を使用してもよい。更に、絶
縁性の躾を用いてもよい。例えば、μｃ−８ｉ　　：　
Ｈ及びａ−３ｉ：＠に炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素Ｏから選
択された元素の一種以上を含有させることにより、高抵
抗の絶縁性障壁層を形成することができる。陣１！ＪＩ
２の膜厚は１００人〜１０μｍが好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と光導電層３（または
電荷発生１５）との間の電荷の流れを抑制することによ
り感光体表面の電荷保持機能を高め、感光体の帯電能を
高めるために形成されるものである。従って、半導体層
をｒａ壁層に用いてカ□−ルソン方式の感光体を構成す
る場合には、表面に帯電させた電荷の保持能力を低下さ
せないために、障壁ＷＪ２をＰ型またはＮ型とする。即
ち、感光体表面を正帯電させる場合には障壁層２をＰ型
とし、表面電荷を中和する電子が光導電層に注入される
のを防止する。逆に表面を負帯電させる場合には陣里層
２をＮ型とし、表面電荷を中和するホールが光導電層へ
注入されるのを防止する。障壁層２から注入されるキャ
リアは光の入射で光導ｆｆ１Ｗ３．６内に発生するキャ
リアに対してノイズとなるから、上記のようにしてキャ
リアの注入を防止することは感度の向上をもたらす。な
お、μｃ−８ｉ　　：　Ｈやａ−８ｉ：ＨをＰ型にする
ためには、周期律表の第■族に属する元素、例えば硼素
Ｂ１アルミニウムＡａ１ガリウムＧａ、インジウムＩｎ
、及びタリウム下２等をドーピングすることが好ましい
。また、μｃ−８ｉ　　：Ｈやａ−８ｉ　　：Ｈ４ｉ：
Ｎ型にするためには周期律表の第Ｖ族に属する元素、例
えば窒素、燐Ｐ１砒素Ａｓ、アンチモンＳｂ、及びビス
マス３ｉ等をドーピングすることを好ましい。

第１図に示す実施例においては、光導電層３は光の入射
によりキャリアを発生し、このキャリアは一方の極性の
ものが感光体表面の帯電電荷と中和し、他方のものが光
導電層３を導電性質支持体１まで走行する。また、機能
分離型の感光体（第２図）においては、光の入射により
、電荷発生層６にてキャリアが発生し、このキャリアの
一方は電荷輸送層５を走行して導電性支持体１まで到達
する。

第１図に示す光導電層３および第２図に示す電荷発生層
６は、３種類の薄層を交互に積層して構成されている。

これらＩＪＩは光学的バンドギャップが相通し、それぞ
れ厚みが３０〜５００人の範囲にある。

以上説明したように、光学的バンドギャップが相互に異
なるＩＩＮを積層することによって、光学的バンドギャ
ップの大きさ自体に拘りなく、光学的バンドギャップが
小さい膜を基準にして光学的バンドギャップが大きな膜
がバリアとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超
格子構造が形成される。この超格子構造においては、バ
リアｒ１４１ＪＩが極めて薄いので、ＮｇＩにおけるキ
ャリアのトンネル効果により、キャリアはバリアを通過
して超格子構造中を走行する。また、このような超格子
構造においては、光の入射により発生するキャリアの数
が多い。従って、光感度が高い。なお、超格子構造の薄
膜のバンドギャップと膜厚を変更することにより、ヘテ
ロ接合超格子構造を有する層のみかけのバンドギャップ
を自由に調整することができる。

本発明の電子写真感光体において、光導電層を構成する
ａ−８ｉ：Ｈ１μｃ−３ｉ：Ｈ等における水素の含有量
は、０．０１〜３０原子％が好ましく、１〜２）原子％
がより好ましい。このような水素の含有量により、シリ
コンのダングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗
とが調和のとれたものとなり、光導電特性が向上する。

ａ−８ｉ　　：Ｈ１１２をグロー放電分解法により成膜
するには、原料としてＳｉＨ＋及び３ｉ２Ｈｓ等のシラ
ン類ガスを反応室に導入し、高周波によりグロー放電す
ることによりＷＪ層中にＨを添加することができる。必
要に応じて、シラン類のキャリアガスとして水素又はヘ
リウムガスを使用することができる。一方、Ｓｉ　Ｆ４
ガス及び３ｉ　Ｃ（１＋ガス等のハロゲン化ケイ素を原
料ガスとして使用することができる。また、シラン類ガ
スとハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反応させても
、同様にＨを含有するａ−８ｉ：Ｈを成膜することがで
きる。なお、グロー放電分解法によらず、例えば、スパ
ッタリング等の物理的な方法によってもこれ等の薄膜を
形成することができる。

μｃ−８ｉ層も、ａ−８ｔ：Ｈと同様に、高周波グロー
放電分解法により、シランガスを原料として、成膜する
ことができる。この場合に、支持体の温度をａ−８ｉ　
　：Ｈを形成する場合よりも高く設定し、高周波電力も
ａ−８ｉ：Ｈの場合よりも高く設定すると、μｃ−８ｉ
ｘＨを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波
電力を高くすることより、シランガスなどの原料ガスの
流曾を増大させることができ、その結果、成膜速度を早
くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ＋及び５
ｉ２Ｈｓ等の高次のシランガスを水素で希釈したガスを
使用することにより、μＣ−８ｉ：Ｈを一層高効率で形
成することができる。

μｃ−８ｉ　　：　Ｈ及びａ−３ｉ　　：）ｌをｐ型に
するためには、周期律表の第■族に属する元素１例えば
、ホウ素Ｂ１アルミニウム八β、ガリウムＱａ。

インジウムＩｎ、及びタリウム下２等をドーピングする
ことが好ましく、μｃ−８ｉ：Ｈ及びａ　−ｓｒ　　：
Ｈをｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族に属する元
素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素Ａｓ、アンチモンＳ
ｂ、及びビスマス８１等をドーピングすることが好まし
い。このｐ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより
、支持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止さ
れる。一方、μｃ−８ｉ　　：　ｌ−１及びａ−８ｉ　
　：ｌ−（に、炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素Ｏから選択され
た少なくとも１Ｐｌｉの元素を含有させることにより、
高抵抗とし、表面電荷保持能力を増大させることができ
る。

光導電層３又は電荷発生層６の上に表面！！！４が設け
られている。光１［１１！！１３又は電荷発生１１６の
ａ−８ｉ：Ｈ等は、その屈折率が３乃至３．４と比較的
大きいため、表面での光反射が起きやすい。

このような光反射が生じると、光導電層又は電荷発生層
に吸収される光量の割合いが低下し、光損失が大きくな
る。このため、表面層４を設けて反射を防止することが
好ましい。また、表面層４を設けることにより、光導Ｎ
層３又は電荷発生Ｍ６が損傷から保護される。さらに、
表面層を形成することにより、帯電能が向上し、表面に
電荷がよくのるようになる。表面層を形成する材料とし
ては、ａ−８ｉ　Ｎ　：　Ｈ，ａ−３ｉ　Ｏ：Ｈｌ及び
ａ−８ｉＣ：ｔ−１等の無機化合物並びにポリ塩化ビニ
ル及びポリアミド等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５００■の正電圧で帯電させると、例えば
、第２図に示す機能分離型の電子写真感光体の場合には
、電荷発生層６にポテンシャルバリアが形成される。こ
の感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生１ｉ１６
の超格子構造で電子と正孔のキャリアが発生する。この
伝導帯の電子は、感光体中の電界により、表面Ｈ４側に
向けて加速され、正孔は導電性支持体１側に向けて加速
される。この場合に、光学的バンドギャップが相違する
薄膜の境界で発生するキャリアの数は、バルクで発生す
るキャリアの数よりも極めて多い。

このため、この超格子構造においては、光感度が＾い。

また、ポテンシャルの井戸層においては、量子効果のた
めに、超格子構造でない単一層の場合に比して、キャリ
アの寿命が５乃至１０倍と長い。更に、超格子構造にお
いては、バンドギャップの不連続性により、周期的なバ
リア層が形成されるが、キャリアはトンネル効果で容易
にバイアス層を通り抜けるので、キャリアの実効移動度
はバルクにおける移動度と同等であり、キャリアの走行
性が優れている。以上のごとく、光学的バンドギャップ
が相違する薄膜を積層した超格子構造によれば、高光導
電層特性を得ることができ、従来の感光体よりも鮮明な
画像を得ることができる。

以下に第３図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法により製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスボンベ２１．２２．２３．
２４には、例えば、夫々Ｓｉ　Ｈ４，８２Ｈ６、Ｈ２、
ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらガスボン
ベ内のガスは、流ｍ調整用のバルブ２６及び配管２７を
介して混合器２８に供給されるようになっている。各ボ
ンベには圧力計２）が設置されており、該圧力計２）を
監視しつつパルプ２６を調整することにより混合器２８
に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節できる。

混合器２８にて混合されたガスは反応容１１ｉ２９に供
給される。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が
鉛直方向の回りに回転可能に取付けられている。該回転
軸３０の上端に、円板状の支持台３２がその面を回転軸
３０に垂直にして固定されている。反応容器２９内には
、円筒状の電１ｆ１３３がその軸中心を回転軸３０の軸
中心と一致させて底部３１上に設置されている。

感光体のドラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を
回転軸３０の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３
５が配設されている。Ｎ極３３とドラム基体３４との間
には高周波ｉｔ源３６が接続されており、電極３３およ
びドラム基体３４間に＾周波電流が供給されるようにな
っている。回転軸３０はモータ３８により回転駆動され
る。反応容器２つ内の圧力は圧力計３７により監視され
、反応容器２つはゲートバルブ３８を介して真空ポンプ
等の適宜の排気手段に連結されている。

上記製造装置により感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ゲートバルブ
３９を開にして反応容器２９内を約０、Ｉ　Ｔ　ｏｒｒ
の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ２１．２２，２
３．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して
反応容器２９内に導入する。この場合に、反応容器２９
内に導入するガス流量は反応容器２９内の圧力が０．１
乃至１．ＯＴ　ｏｒｒになるように設定する。次いで、
モータ３８を作動させてドラム基体３４を回転させ、ヒ
ータ３５によりドラム基体３４を一定温度に加熱すると
共に、＾周波電源３６により電橿３３とドラム基体３４
との間に高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を
形成する。これにより、ドラム基体３４上にａ−８ｉ：
＠が堆積する。なお、Ｗｎガス中にＮ２０．ＮＨ３、Ｎ
Ｏ２、Ｎ２　。

ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、
これらの元素をａ−８ｉ：Ｈ等に含有させることができ
る。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

次に、この発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

試験例１必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０麿、幅が
３５０ａｍのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に
装着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気した
。ドラム基体を２）０℃に加熱し、１０ｒｏｍで自転さ
せつつ、ＳｉＨ＋ガスを５００ＳＣＣＭ、Ｂ２　Ｈｓガ
スを５ｉＨｓガスに対する流量比で１０−３という流量
で反応容器内に導入し、反応容器内の圧力を１トルに調
節した。そして、１３．５６　Ｍ　ＨＺの高周波電力を
印加してプラズマを生起させ、ドラム基体上にｐ型のａ
−８ｉＣ：Ｈからなる障壁層を形成した。

次いで、Ｈ２ガスを３００８ＣＣＭ１８２　Ｈ６ガスを
ＳｉＨ＋ガスに対する流ｍ比で１０−６という流量で反
応容器内に導入し、高周波電力を印加して、２０μｍの
厚さのａ−８ｉ：Ｈからなる電荷輸送層を形成した。

次に、ＣＨ４ガスの流量を３０ＳＣＣＭとし、４０ｏＷ
の高周波電力を印加して、５０人のａ　−３ｉＣ薄膜を
形成した。次いで、電荷輸送層形式の際と同様の条件で
、５０人のａ−８ｉ　ｌ膜を形成した。次いで、ＳｉＨ
＋ガスの流量を５０ＳＣＣＭ、Ｈ２ガスの流量を５００
３ＣＣＭとし、ＩＫＷの高周波電力を印加して、１００
人のμＣ−８ｉ　　：ＨｌｗＡを形成した。このような
操作を繰返して５μｍの超格子構造の電荷発生層を形成
した。

最後に、０．５．ｃｚｍのａ−８ｉＣ：Ｈからなる表面
層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で８品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及
び安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。

このようにして製造された感光体は、半導体レーザの発
振波長である７８０乃至７９０　ｎｌの長波長光に対し
ても高い感度を有する。この感光体を半導体レーザプリ
ンタに搭載してカールソンプロセスにより画像を形成し
たところ、感光体表面の露光量が２）ｅｒｌＪｃｊであ
る場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることができた
。

試験例２ａ−８ｉ　ＣＷＩｍ、μｃ−８ｉｌｌｌｌ、ａ３ｉｆｉ
膜の順に成膜して電荷発生層を形成したことを除き、試
験例１と同様の方法で電子写真感光体を製造した。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例３ａ−８ｉＣ薄１１ｍの代わりに、ａ−８ｉ　Ｎｌ膜を形
成したことを除き、試験例１と同様の方法で電子写真感
光体を製造した。なお、ａ−８ｉＮ薄躾は、５ｉ）−１
＋ガスを５００８ＣＣＭ、Ｈ２ガスを３００８ＣＣＭ、
Ｎ２ガスを１２０８ＣＣＭ導入することにより得られた
。

試験例４ａ−８ｉＮＩＪＩｌ、μ（：、−３ｉＷＩ！ＩＩ、ａ−
３ｉＷｊ躾の順に成膜して電荷発生層を形成したことを
除き、試験例３と同様の方法で電子写真感光体を製造し
た。

［発明の効果］この発明によれば、光導電層の一部又は全部に、超格子
構造を使用しているので、可視光から近赤外光の広い波
長領域に亘って高感度であり、キャリアの走行性が高い
と共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写真感光体を得
ることができる。

特に、この発明においては、Ｉｌｌを形成する材料を適
宜組み合わせることにより、任意の波長帯の光に対して
最適の光導電特性を有する感光体を得ることができると
いう利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図は同じく他の実施例に係る電子写真感光
体を示す断面図、第３図は、この発明の実施例に係る電
子写真感光体の製造装置を示１図である。１：導電性支持体、２：Ｉｉ壁層、３：光導電層、４：
表面層、５：電荷輸送層、６：電荷発生層。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性支持体と光導電層とを有する電子写真感光
体において、前記光導電層は、微結晶シリコン薄膜と、
非晶質シリコン薄膜と、炭素、酸素および窒素から選ば
れた元素の少なくとも一種を含む非晶質シリコン薄膜と
を積層して構成されてなる領域を有することを特徴とする電子写真感光
体。
（２）前記薄膜の膜厚は、３０〜５００Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
。
（３）前記光導電層は、周期律表第III族および第Ｖ族
に属する元素から選ばれた少なくとも一種を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電子写真
感光体。
（４）前記微結晶シリコン薄膜は、炭素、酸素、および
窒素から選ばれた元素の少なくとも一種を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１〜３項のうちのいずれか１
項記載の電子写真感光体。
（５）前記導電性支持体と前記光導電層との間に、非晶
質材料又はその少なくとも一部が微結晶化した半導体材
料からなる障壁層が形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
（６）前記障壁層は、周期律表第III族および第Ｖ族に
属する元素から選ばれた少なくとも１種を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第５項記載の電子写真感光体。
（７）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素から選ばれ
た元素の少なくとも一種を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第５又は６項記載の電子写真感光体。
（８）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光
体。