JPS63244894A - 半導体レ−ザ - Google Patents

半導体レ−ザ

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JPS63244894A
JPS63244894A JP62079934A JP7993487A JPS63244894A JP S63244894 A JPS63244894 A JP S63244894A JP 62079934 A JP62079934 A JP 62079934A JP 7993487 A JP7993487 A JP 7993487A JP S63244894 A JPS63244894 A JP S63244894A
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JP
Japan
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film
face
semiconductor laser
optical length
reflectance
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JP62079934A
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Inventor
Hitoshi Kagawa
仁志 香川
Akira Hattori
亮 服部
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Priority to FR888804296A priority patent/FR2613548B1/fr
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば光デイスクシステムに応用される半
導体レーザに関するものである。
〔従来の技術〕
光デイスクシステム等に応用される半導体レーザにおい
ては、記録媒体からレーザ光出射端面に戻る戻り光によ
って誘起される雑音がしばしば問題となっている。
このため、広範囲な戻り光領域において、安定したＳ／
Ｎ　（信号対雑音比）を得るために半導体レーザの前端
面の端面反射率を２１％±３％に制御することが提案さ
れており、第３図は端面反射率が２０％の場合の戻り先
車とＳ／Ｎの代表的な関係を示す図である。
また、第４図は半導体レーザの端面保護膜として一般に
用いられているＡｊ、０．の単層膜を用いた場合の端面
反射率と膜厚との関係を示す図であり、この図から明ら
かなように、端面反射率を所定の２１％±３％にするた
めには設定値ａにほぼ等しく膜厚を制御することが要求
される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の端面保８Ｉ膜は、２１％±３％の端
面反射率をＡｊ、Ｏ８の単層膜の膜厚制御のみにより実
現していたが、第４図に示したように、膜厚に対する端
面反射率の変化が著しいため、膜形成時における膜厚の
ばらつきにより目的とする２１％±３％の端面反射率が
得られないことがあるという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、容易に、かつ安定に２１％±３％の端面反射率を
実現できる戻り光の影響を受けにくい半導体レーザを得
ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザは、レーザ光の波長をλと
したとき、光学長がλ／４のＡＩ、０５ｆ４と、このＡ
ｊ、０８ｌｐＪ上に形成された光学長がλ／４の５ｉｎ
ｓ膜とから構成される端面保ｉ１膜をレーザ光出射端面
に設け、端面反射率を２１％±３％としたものである。
〔作用〕
この発明においては、端面反射率のピーク値が小さくな
るうえ、ピークが２１％±３％の範囲内に存在し、光学
長の変化に対する端面反射率の変化が小さい。
〔実施例〕
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例の構成を示
す断面図である。
この図において、１は導波路層、２は端面保護膜、３は
Ａｊ、Ｏ，膜、４はＳ１０．膜で、ＡＩ、０゜Ｍ３およ
び５ｉＯＪＱ４の膜厚は／＝ｎ−ｄ（ｎは屈折率、ｄは
膜厚）で求まる光学長がλ／４となるように設定しであ
る。
また、第２図は、第１図に示した端面保護膜２による端
面反射率と５ｉｏＪ鍵４の膜厚との関係を示す図であり
、この図において、曲線ＡはＡＩ。
０、膜３による光学長が所定のλ／４より約１０％減少
した場合、曲線ＢはＡｌ２Ｏ，膜３による光学長が所定
のλ／４となっている場合、曲線ＣはＡｌ２Ｏ３膜３に
よる光学長が所定のλ／４より約１０％増加した場合を
それぞれ示す。
なお、ここではＡ４’、Ｏ，膜３の屈折率ｎ１をｎ１＝
１．６３，５ｉＯ１膜４の屈折率ｎ２をｎ、＝１゜４５
、導波路層１の屈折率ｎＱをｎ０＝３，５Ｑとしている
。
すなわち、第２図から明らかなように、端面反射率のピ
ーク値が小さくなるうえ、各曲線Ａ−Ｃの勾配の小さい
ピークが２１％±３％の範囲内に存在するため、第１図
に示した端面保護膜２を構成するＡＩ、０３膜３の膜厚
がばらついて、その光学長に所定のλ／４より約±１０
％のばらつきが生じた場合でも、端面反射率を目的とす
る２１％±３％とするためのＳ　ｉ　ＯｘｌｆＡ　４の
膜厚範囲が広範囲（１／１．４５Ｘλ／４に対して±２
０％以上）にわたって存在する。
特に、Ｓ　ｉ　Ｏｘ　Ｍ　４　ｆ）膜厚ＱＸＸテリタ１
　／　１　。
４５×λ／４に対して±２０％の範囲に設定すれば、約
１０％以内のＡＩ、０．膜３の膜厚のばらつきを確実に
補償でき、２１％±３％の端面反射率を容易に得ること
ができる。したがって、この発明の半導体レーザは安定
にレーザ発振動作を行う。
〔発明の効果〕
この発明は以上１ｉ！明したとおり、レーザ光の波長を
λとしたとき、光学長がλ／４のＡｊ、Ｏ，膜と、この
Ａｊ、Ｏ，膜上に形成された光学長がλ／４の５ｉｎｓ
膜とから構成される端面保護膜をレーザ光出射端面に設
け、端面反射率を２１％±３％としたので、最適な端面
反射率２１％±３％を容易に、かつ安定に実現でき、安
定にレーザ発振動作を行う半導体レーザが得られるとい
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例の構成を示
す断面図、第２図はこの発明における端面反射率を説明
するための図、第３図は戻り先車とＳ／Ｎの代表的な関
係を説明するための図、第４図は従来の端面保ｌ！膜に
おける膜厚と端面反射率との関係を示す図である。 図において、１は導波路層、２は端面保ＩＩｇ＊、３は
Ａｔ、Ｏ，膜、４は５ｉｆｔ膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 第２図 −膜厚 第３図 第４図 −膜厚 昭和　　年　　月　　日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ光の波長をλとしたとき、光学長がλ／４のＡｌ
    ＿２Ｏ＿３膜と、このＡｌ＿２Ｏ＿３膜上に形成された
    光学長がλ／４のＳｉＯ＿２膜とから構成される端面保
    護膜をレーザ光出射端面に設け、端面反射率を２１％±
    ３％としたことを特徴とする半導体レーザ。
JP62079934A 1987-03-31 1987-03-31 半導体レ−ザ Expired - Lifetime JPH0644663B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62079934A JPH0644663B2 (ja) 1987-03-31 1987-03-31 半導体レ−ザ
DE3810901A DE3810901A1 (de) 1987-03-31 1988-03-30 Halbleiterlaser
US07/175,278 US4852112A (en) 1987-03-31 1988-03-30 Semiconductor laser with facet protection film of selected reflectivity
FR888804296A FR2613548B1 (fr) 1987-03-31 1988-03-31 Laser a semiconducteur

Applications Claiming Priority (1)

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JP62079934A JPH0644663B2 (ja) 1987-03-31 1987-03-31 半導体レ−ザ

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JPS63244894A true JPS63244894A (ja) 1988-10-12
JPH0644663B2 JPH0644663B2 (ja) 1994-06-08

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ID=13704147

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US (1) US4852112A (ja)
JP (1) JPH0644663B2 (ja)
DE (1) DE3810901A1 (ja)
FR (1) FR2613548B1 (ja)

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Publication number Publication date
FR2613548A1 (fr) 1988-10-07
JPH0644663B2 (ja) 1994-06-08
FR2613548B1 (fr) 1992-08-07
DE3810901A1 (de) 1988-10-27
DE3810901C2 (ja) 1992-10-08
US4852112A (en) 1989-07-25

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