JPH0644663B2 - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPH0644663B2 JPH0644663B2 JP62079934A JP7993487A JPH0644663B2 JP H0644663 B2 JPH0644663 B2 JP H0644663B2 JP 62079934 A JP62079934 A JP 62079934A JP 7993487 A JP7993487 A JP 7993487A JP H0644663 B2 JPH0644663 B2 JP H0644663B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- face
- semiconductor laser
- optical length
- reflectance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば光ディスクシステムに応用される半
導体レーザに関するものである。
導体レーザに関するものである。
光ディスクシステム等に応用される半導体レーザにおい
ては、記録媒体からレーザ光出射端面に戻る戻り光によ
って誘起される雑音がしばしば問題となっている。
ては、記録媒体からレーザ光出射端面に戻る戻り光によ
って誘起される雑音がしばしば問題となっている。
このため、広範囲な戻り光領域において、安定したＳ／
Ｎ（信号対雑音比）を得るために半導体レーザの前端面
の端面反射率を２１％±３％に制御することが提案され
ており、第３図は端面反射率が２０％の場合の戻り光率
とＳ／Ｎの代表的な関係を示す図である。
Ｎ（信号対雑音比）を得るために半導体レーザの前端面
の端面反射率を２１％±３％に制御することが提案され
ており、第３図は端面反射率が２０％の場合の戻り光率
とＳ／Ｎの代表的な関係を示す図である。
また、第４図は半導体レーザの端面保護膜として一般に
用いられているＡｌ２Ｏ３の単層膜を用いた場合の端面
反射率と膜厚との関係を示す図であり、この図から明ら
かなように、端面反射率を所定の２１％±３％にするた
めには設定値ａにほぼ等しく膜厚を制御することが要求
される。
用いられているＡｌ２Ｏ３の単層膜を用いた場合の端面
反射率と膜厚との関係を示す図であり、この図から明ら
かなように、端面反射率を所定の２１％±３％にするた
めには設定値ａにほぼ等しく膜厚を制御することが要求
される。
上記のような従来の端面保護膜は、２１％±３％の端面
反射率をＡｌ２Ｏ３の単層膜の膜厚制御のみにより実演
していたが、第４図に示したように、膜厚に対する端面
反射率の変化が著しいため、膜形成時における膜厚のば
らつきにより目的とする２１％±３％の端面反射率が得
られないことがあるという問題点があった。
反射率をＡｌ２Ｏ３の単層膜の膜厚制御のみにより実演
していたが、第４図に示したように、膜厚に対する端面
反射率の変化が著しいため、膜形成時における膜厚のば
らつきにより目的とする２１％±３％の端面反射率が得
られないことがあるという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、容易に、かつ安定に２１％±３％の端面反射率を
実現し、戻り光変化に対して安定したＳ／Ｎ特性を持つ
半導体レーザを得ることを目的とする。
ので、容易に、かつ安定に２１％±３％の端面反射率を
実現し、戻り光変化に対して安定したＳ／Ｎ特性を持つ
半導体レーザを得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、レーザ光の波長をλと
したとき、光学長がλ／４のＡｌ２Ｏ３膜と、このＡｌ
２Ｏ３膜上に形成された光学長がλ／４のＳｉＯ２膜と
から構成される端面保護膜をレーザ光出射端面に設け、
端面反射率を２１％±３％としたものである。
したとき、光学長がλ／４のＡｌ２Ｏ３膜と、このＡｌ
２Ｏ３膜上に形成された光学長がλ／４のＳｉＯ２膜と
から構成される端面保護膜をレーザ光出射端面に設け、
端面反射率を２１％±３％としたものである。
この発明においては、端面反射率のピーク値が２１％±
３％の範囲内に存在し、端面保護膜の光学長の変化に対
する端面反射率の変化が小さい。
３％の範囲内に存在し、端面保護膜の光学長の変化に対
する端面反射率の変化が小さい。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例の構成を示
す断面図である。
す断面図である。
この図において、１は導波路層、２は端面保護膜、３は
Ａｌ２Ｏ３膜、４はＳｉＯ２膜で、Ａｌ２Ｏ３膜３およ
びＳｉＯ２膜４の膜厚は＝ｎ・ｄ（ｎは屈折率，ｄは
膜厚）で求まる光学長がλ／４となるように設定してあ
る。
Ａｌ２Ｏ３膜、４はＳｉＯ２膜で、Ａｌ２Ｏ３膜３およ
びＳｉＯ２膜４の膜厚は＝ｎ・ｄ（ｎは屈折率，ｄは
膜厚）で求まる光学長がλ／４となるように設定してあ
る。
また、第２図は、第１図に示した端面保護膜２による端
面反射率とＳｉＯ２膜４の膜厚との関係を示す図であ
り、この図において、曲線ＡはＡｌ２Ｏ３膜３による光
学長が所定のλ／４より約１０％減少した場合、曲線Ｂ
はＡｌ２Ｏ３膜３による光学長が所定のλ／４となって
いる場合、曲線ＣはＡｌ２Ｏ３膜３による光学長が所定
のλ／４より約１０％増加した場合をそれぞれ示す。
面反射率とＳｉＯ２膜４の膜厚との関係を示す図であ
り、この図において、曲線ＡはＡｌ２Ｏ３膜３による光
学長が所定のλ／４より約１０％減少した場合、曲線Ｂ
はＡｌ２Ｏ３膜３による光学長が所定のλ／４となって
いる場合、曲線ＣはＡｌ２Ｏ３膜３による光学長が所定
のλ／４より約１０％増加した場合をそれぞれ示す。
なお、ここではＡｌ２Ｏ３膜３の屈折率ｎ１をｎ１＝
１．６３，ＳｉＯ２膜４の屈折率ｎ２をｎ２＝１．４
５，導波路層１の屈折率ｎ０をｎ０＝３．５０としてい
る。
１．６３，ＳｉＯ２膜４の屈折率ｎ２をｎ２＝１．４
５，導波路層１の屈折率ｎ０をｎ０＝３．５０としてい
る。
すなわち、第２図から明らかなように、各曲線Ａ〜Ｃの
勾配の小さいピークが２１％±３％の範囲内に存在する
ため、第１図に示した端面保護膜２を構成するＡｌ２Ｏ
３膜３の膜厚がばらついて、この光学長に所定のλ／４
より約±１０％のばらつきが生じた場合でも、端面反射
率を目的とする２１％±３％とするためのＳｉＯ２膜４
の膜厚範囲が広範囲（１／１．４５×λ／４に対して％
２０％以上）にわたって存在する。
勾配の小さいピークが２１％±３％の範囲内に存在する
ため、第１図に示した端面保護膜２を構成するＡｌ２Ｏ
３膜３の膜厚がばらついて、この光学長に所定のλ／４
より約±１０％のばらつきが生じた場合でも、端面反射
率を目的とする２１％±３％とするためのＳｉＯ２膜４
の膜厚範囲が広範囲（１／１．４５×λ／４に対して％
２０％以上）にわたって存在する。
特に、ＳｉＯ２膜４の膜厚をＸで示した１／１．４５×
λ／４に対して±２０％の範囲に設定すれば、約１０％
以内のＡｌ２Ｏ３膜３の膜厚のばらつきを確実に補償で
き、２１％±３％の端面反射率を容易に得ることができ
る。したがって、この発明の半導体レーザは安定したＳ
／Ｎ特性を示す。
λ／４に対して±２０％の範囲に設定すれば、約１０％
以内のＡｌ２Ｏ３膜３の膜厚のばらつきを確実に補償で
き、２１％±３％の端面反射率を容易に得ることができ
る。したがって、この発明の半導体レーザは安定したＳ
／Ｎ特性を示す。
この発明は以上説明したとおり、レーザ光の波長をλと
したとき、光学長がλ／４のＡｌ２Ｏ３膜と、このＡｌ
２Ｏ３膜上に形成された光学長がλ／４のＳｉＯ２膜と
から構成される端面保護膜をレーザ光出射端面に設け、
端面反射率を２１％±３％としたので、最適な端面反射
率２１％±３％を容易に、かつ安定に実現でき、安定し
たＳ／Ｎ特性をもつ半導体レーザが得られるという効果
がある。
したとき、光学長がλ／４のＡｌ２Ｏ３膜と、このＡｌ
２Ｏ３膜上に形成された光学長がλ／４のＳｉＯ２膜と
から構成される端面保護膜をレーザ光出射端面に設け、
端面反射率を２１％±３％としたので、最適な端面反射
率２１％±３％を容易に、かつ安定に実現でき、安定し
たＳ／Ｎ特性をもつ半導体レーザが得られるという効果
がある。
第１図はこの発明の半導体レーザの一実施例の構成を示
す断面図、第２図はこの発明における端面反射率を説明
するための図、第３図は戻り光率とＳ／Ｎの代表的な関
係を説明するための図、第４図は従来の端面保護膜にお
ける膜厚と端面反射率との関係を示す図である。 図において、１は導波路層、２は端面保護膜、３はＡｌ
２Ｏ３膜、４はＳｉＯ２膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
す断面図、第２図はこの発明における端面反射率を説明
するための図、第３図は戻り光率とＳ／Ｎの代表的な関
係を説明するための図、第４図は従来の端面保護膜にお
ける膜厚と端面反射率との関係を示す図である。 図において、１は導波路層、２は端面保護膜、３はＡｌ
２Ｏ３膜、４はＳｉＯ２膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】レーザ光の波長をλとしたとき、光学長が
λ／４のＡｌ２Ｏ３膜と、このＡｌ２Ｏ３膜上に形成さ
れた光学長がλ／４のＳｉＯ２膜とから構成される端面
保護膜をレーザ光出射端面に設け、端面反射率を２１％
±３％としたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079934A JPH0644663B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体レ−ザ |
| US07/175,278 US4852112A (en) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Semiconductor laser with facet protection film of selected reflectivity |
| DE3810901A DE3810901A1 (de) | 1987-03-31 | 1988-03-30 | Halbleiterlaser |
| FR888804296A FR2613548B1 (fr) | 1987-03-31 | 1988-03-31 | Laser a semiconducteur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079934A JPH0644663B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244894A JPS63244894A (ja) | 1988-10-12 |
| JPH0644663B2 true JPH0644663B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=13704147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62079934A Expired - Lifetime JPH0644663B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 半導体レ−ザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4852112A (ja) |
| JP (1) | JPH0644663B2 (ja) |
| DE (1) | DE3810901A1 (ja) |
| FR (1) | FR2613548B1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750814B2 (ja) * | 1988-09-27 | 1995-05-31 | 三菱電機株式会社 | 多点発光型半導体レーザ装置 |
| JPH04154185A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0484887B1 (en) * | 1990-11-07 | 1996-04-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Laser diode device having a protective layer on its light-emitting end face |
| US5590144A (en) * | 1990-11-07 | 1996-12-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| JPH0697570A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザー素子端面の反射鏡およびその製造方法 |
| JP3381073B2 (ja) * | 1992-09-28 | 2003-02-24 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| US5523590A (en) * | 1993-10-20 | 1996-06-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | LED array with insulating films |
| US5517039A (en) * | 1994-11-14 | 1996-05-14 | Hewlett-Packard Company | Semiconductor devices fabricated with passivated high aluminum-content III-V material |
| EP0792531A1 (en) * | 1995-09-14 | 1997-09-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor diode laser and method of manufacturing same |
| JPH1093193A (ja) | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置及び光源 |
| US5812580A (en) * | 1996-11-05 | 1998-09-22 | Coherent, Inc. | Laser diode facet coating |
| JP2001257413A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2002134827A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Tdk Corp | 半導体レーザ及びその製造方法並びにこれを用いた近接場光ヘッド |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4178564A (en) * | 1976-01-15 | 1979-12-11 | Rca Corporation | Half wave protection layers on injection lasers |
| JPS55115386A (en) * | 1979-02-26 | 1980-09-05 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser unit |
| US4280107A (en) * | 1979-08-08 | 1981-07-21 | Xerox Corporation | Apertured and unapertured reflector structures for electroluminescent devices |
| JPS5814590A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| US4731792A (en) * | 1983-06-29 | 1988-03-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device with decreased light intensity noise |
| JPS61207091A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62079934A patent/JPH0644663B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-03-30 US US07/175,278 patent/US4852112A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-30 DE DE3810901A patent/DE3810901A1/de active Granted
- 1988-03-31 FR FR888804296A patent/FR2613548B1/fr not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3810901C2 (ja) | 1992-10-08 |
| JPS63244894A (ja) | 1988-10-12 |
| FR2613548B1 (fr) | 1992-08-07 |
| DE3810901A1 (de) | 1988-10-27 |
| FR2613548A1 (fr) | 1988-10-07 |
| US4852112A (en) | 1989-07-25 |
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