JPS6324637A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6324637A JPS6324637A JP16873586A JP16873586A JPS6324637A JP S6324637 A JPS6324637 A JP S6324637A JP 16873586 A JP16873586 A JP 16873586A JP 16873586 A JP16873586 A JP 16873586A JP S6324637 A JPS6324637 A JP S6324637A
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- Japan
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- film
- contact hole
- insulating film
- resist
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特にコンタク
トホールの側壁に傾斜をつける方法に関するものである
。
トホールの側壁に傾斜をつける方法に関するものである
。
第２Ａ図および第２Ｂ図は、従来のレジスト後退法を用
いてコンタクトホールの側壁に傾斜をつける半導体装置
の製造方法を説明するための断面図である。
いてコンタクトホールの側壁に傾斜をつける半導体装置
の製造方法を説明するための断面図である。
この方法について説明すると、まず、導伝性膜１表面に
絶縁膜２を形成し、この後、絶縁Ｉｉ！２表面にレジス
ト膜パターン８を形成する。このとき、レジスト膜パタ
ーン８の側壁８Ｔが絶ａ膜２表面に対して傾斜するよう
にしておく（第２Ａ図）。
絶縁膜２を形成し、この後、絶縁Ｉｉ！２表面にレジス
ト膜パターン８を形成する。このとき、レジスト膜パタ
ーン８の側壁８Ｔが絶ａ膜２表面に対して傾斜するよう
にしておく（第２Ａ図）。
次に、レジスト膜パターン８をマスクとして絶縁１１２
を異方性エツチングしてこの絶縁ｇＩ２にコンタクトホ
ール１１を形成する。この異方性エツチング時レジスト
膜パターン８も同時にエツチングされ、レジスト膜パタ
ーン８は膜減り１０によってレジスト膜パターン８０の
ようになり、側壁８Ｔが側壁８０Ｔにまで後退すること
によってコンタクトホール１１の側壁が導伝性１１１表
面に対して傾斜するようになる。９はレジスト後退法を
用いずに通常の異方性エツチングによって得られるコン
タクトホールを参考的に示したものであり、この場合、
コンタクトホール９の側壁は導伝性膜１表面に対して垂
直になっている。
を異方性エツチングしてこの絶縁ｇＩ２にコンタクトホ
ール１１を形成する。この異方性エツチング時レジスト
膜パターン８も同時にエツチングされ、レジスト膜パタ
ーン８は膜減り１０によってレジスト膜パターン８０の
ようになり、側壁８Ｔが側壁８０Ｔにまで後退すること
によってコンタクトホール１１の側壁が導伝性１１１表
面に対して傾斜するようになる。９はレジスト後退法を
用いずに通常の異方性エツチングによって得られるコン
タクトホールを参考的に示したものであり、この場合、
コンタクトホール９の側壁は導伝性膜１表面に対して垂
直になっている。
第３図は、従来の、その側壁が垂直になっているコンタ
クトホールに導伝性膜をスパッタデポジションした場合
を示す断面図であり、１２ａおよび１２ｔｌはそれぞれ
絶縁ｌＩ２表面および導伝性膜１表面に形成された導伝
性膜を示している。この場合、導伝性膜はコンタクトホ
ール９のＩｌｌ！の下部領域には形成されず、１３の部
分で導伝性１１１２ａと導伝性膜１２ｂ、１とが断線し
てしまう。
クトホールに導伝性膜をスパッタデポジションした場合
を示す断面図であり、１２ａおよび１２ｔｌはそれぞれ
絶縁ｌＩ２表面および導伝性膜１表面に形成された導伝
性膜を示している。この場合、導伝性膜はコンタクトホ
ール９のＩｌｌ！の下部領域には形成されず、１３の部
分で導伝性１１１２ａと導伝性膜１２ｂ、１とが断線し
てしまう。
第４図は、従来の、その側壁が傾斜しているコンタクト
ホールに導伝性膜をスパッタデポジションした場合を示
す断面図であり、１４は絶縁ｌｌ１２表面およびコンタ
クトホール１１表面に形成された導伝性膜を示している
。この場合は、第３図のような断線の問題は解消され、
このことからフンタクトホールの側壁に傾斜を付けるこ
とは重要なことである。
ホールに導伝性膜をスパッタデポジションした場合を示
す断面図であり、１４は絶縁ｌｌ１２表面およびコンタ
クトホール１１表面に形成された導伝性膜を示している
。この場合は、第３図のような断線の問題は解消され、
このことからフンタクトホールの側壁に傾斜を付けるこ
とは重要なことである。
［発明が解決しようとする問題点］
従来はレジスト後退法を用いてコンタクトホールのＩｌ
ｌに傾斜を付けているが、この場合、レジスト膜パター
ンの膜減りの変化や変質、レジスト膜パターン中に発生
するピンホール、レジスト膜パターンのＩｌ！！！の傾
斜角のばらつきなどによって、コンタクトホールの側壁
の傾斜角がばらつくという問題点があった。
ｌに傾斜を付けているが、この場合、レジスト膜パター
ンの膜減りの変化や変質、レジスト膜パターン中に発生
するピンホール、レジスト膜パターンのＩｌ！！！の傾
斜角のばらつきなどによって、コンタクトホールの側壁
の傾斜角がばらつくという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、レジスト後退法を用いずに、コンタクトホー
ルの側壁に精度高く傾斜を付けることができる半導体装
置の製造方法を得ることを目的とする。
たもので、レジスト後退法を用いずに、コンタクトホー
ルの側壁に精度高く傾斜を付けることができる半導体装
置の製造方法を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明にかかる半導体装置の製造方法は、導伝性膜表
面に第１の絶Ｒ膜を形成し、第１の絶縁膜にコンタクト
ホールを形成し、コンタクトホール表面および第１の絶
縁膜表面に液体塗布形式の第２の絶縁膜を形成し、第１
の絶縁膜上のＪＴ２の絶縁膜表面にレジスト膜パターン
を形成し、レジスト膜パターンをマスクとして露出して
いる第２の絶縁膜を異方性エツチングして、コンタクト
ホール底面の中央領域にある第２の絶縁膜を除去して導
伝性膜を露出させるとともに、コンタクトホールの側壁
にその表面が導伝性膜表面に対して傾斜した第２の絶縁
膜の一部を残す方法である。
面に第１の絶Ｒ膜を形成し、第１の絶縁膜にコンタクト
ホールを形成し、コンタクトホール表面および第１の絶
縁膜表面に液体塗布形式の第２の絶縁膜を形成し、第１
の絶縁膜上のＪＴ２の絶縁膜表面にレジスト膜パターン
を形成し、レジスト膜パターンをマスクとして露出して
いる第２の絶縁膜を異方性エツチングして、コンタクト
ホール底面の中央領域にある第２の絶縁膜を除去して導
伝性膜を露出させるとともに、コンタクトホールの側壁
にその表面が導伝性膜表面に対して傾斜した第２の絶縁
膜の一部を残す方法である。
［作用］
この発明においては、第１のｌ８ｍｍのコンタクトホー
ル表面に形成された液体塗布形式の第２の絶縁膜を、第
１の絶縁膜上の第２の絶縁膜表面に形成されたレジスト
膜パターンをマスクとして異方性エツチングし、コンタ
クトホール底面の中央領域にある第２のＦ８縁膜を除去
して導伝性膜表面を露出させるとともに、コンタクトホ
ールのｌｌ第１ｇ！にその表面が導伝性膜表面に対【ノ
て傾斜した第２の絶縁膜の一部を残す。これによって、
レジスト後退法を用いずに、その側壁が導伝性膜表面に
対して傾斜したコンタクトホールを形成することができ
ろ。
ル表面に形成された液体塗布形式の第２の絶縁膜を、第
１の絶縁膜上の第２の絶縁膜表面に形成されたレジスト
膜パターンをマスクとして異方性エツチングし、コンタ
クトホール底面の中央領域にある第２のＦ８縁膜を除去
して導伝性膜表面を露出させるとともに、コンタクトホ
ールのｌｌ第１ｇ！にその表面が導伝性膜表面に対【ノ
て傾斜した第２の絶縁膜の一部を残す。これによって、
レジスト後退法を用いずに、その側壁が導伝性膜表面に
対して傾斜したコンタクトホールを形成することができ
ろ。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１Ａ図〜第１Ｆ図は、この発明の実施例であるコンタ
クトホールの側壁に傾斜を付ける半導体装置の製造方法
を説明するための断面図である。
クトホールの側壁に傾斜を付ける半導体装置の製造方法
を説明するための断面図である。
この方法について説明す為と、まず、導伝性膜１表面に
絶縁１１２を形成し、この絶縁第１Ｉ ２表面に写真製
版技術によりレジスト膜パターン３を形成する。この優
、レジスト膜パターン３をマスクとして絶縁膜２を異方
性エツチングしこの絶縁膜２にコンタク１〜ボール４を
形成するく第１Ａ図）。
絶縁１１２を形成し、この絶縁第１Ｉ ２表面に写真製
版技術によりレジスト膜パターン３を形成する。この優
、レジスト膜パターン３をマスクとして絶縁膜２を異方
性エツチングしこの絶縁膜２にコンタク１〜ボール４を
形成するく第１Ａ図）。
次に、レジスト膜パターン３を除去する（第１Ｂ図）。
次に、コンタクトホール４表面および絶縁１１２表面に
液体性のスピンオングラス（ＳＯＧ＞を塗布して絶縁膜
であるＳＯＧ膜５を形成する。
液体性のスピンオングラス（ＳＯＧ＞を塗布して絶縁膜
であるＳＯＧ膜５を形成する。
このとき、ＳＯＧは粘性があるため、コンタクトホール
４の側壁に塗布された５ＯＧＩ１５の表面５Ｓは導伝性
膜１表面に対して傾斜を持つようになる（第１Ｃ図）６
次に、絶縁１１２上のＳＯＧＩｇ５表面に写真製版技術
によりレジスト膜パターン６を形成する（第１Ｄ＆）。
４の側壁に塗布された５ＯＧＩ１５の表面５Ｓは導伝性
膜１表面に対して傾斜を持つようになる（第１Ｃ図）６
次に、絶縁１１２上のＳＯＧＩｇ５表面に写真製版技術
によりレジスト膜パターン６を形成する（第１Ｄ＆）。
次に、レジスト膜パターン６をマスクとして５ンタクＩ
−ホール４内の露出した８００ｍ５を異方性エツチング
し、コンタクトホール４底面の中央領域にある５ＯＧ第
１５を除去するとともに、コンタクトホール４の側壁に
その表面が導伝性１１１表面に対して傾斜したＳＯＧ膜
５０ａを残す。５０ｂは絶縁ｌｌｌＩ２とレジスト膜パ
ターン６間に残ったＳＯＧ膜を示す。またこのとき、レ
ジスト膜パターン６がエツチングされない条件で異方性
エツチングするものとする。このようにして、レジスト
後退法を用いずに、その側壁が導伝性１１１表面に対し
て傾斜したコンタクトホールを形成することができ、こ
の＃壁の傾斜角は精度の高いものとなる（１１ ＥＨ）
。次に、レジスト膜パターン６を除去するＣ１１Ｆ図）
。
−ホール４内の露出した８００ｍ５を異方性エツチング
し、コンタクトホール４底面の中央領域にある５ＯＧ第
１５を除去するとともに、コンタクトホール４の側壁に
その表面が導伝性１１１表面に対して傾斜したＳＯＧ膜
５０ａを残す。５０ｂは絶縁ｌｌｌＩ２とレジスト膜パ
ターン６間に残ったＳＯＧ膜を示す。またこのとき、レ
ジスト膜パターン６がエツチングされない条件で異方性
エツチングするものとする。このようにして、レジスト
後退法を用いずに、その側壁が導伝性１１１表面に対し
て傾斜したコンタクトホールを形成することができ、こ
の＃壁の傾斜角は精度の高いものとなる（１１ ＥＨ）
。次に、レジスト膜パターン６を除去するＣ１１Ｆ図）
。
ｖ！４１Ｇ図は、この発明の池の実施例であるコンタク
１〜ホールの側壁に傾斜を付ける半導体装置の製造方法
の一工程を示す断面図である。
１〜ホールの側壁に傾斜を付ける半導体装置の製造方法
の一工程を示す断面図である。
第１Ｄ図ではレジスト膜パターン６を松緑ｌＩ２上のＳ
ＯＧ膜５企表面に形成しているが、この実ｍ例では、Ｓ
ＯＧｍ５０ｂ表面に形成されたレジスト膜パターン７の
側壁がコンタクトホール４の側壁の外側に位１４するよ
うになっている。この場合には、第１Ｄ図の場合よりも
レジスト膜のバターニングのマスク合せ精度が容易にな
る。
ＯＧ膜５企表面に形成しているが、この実ｍ例では、Ｓ
ＯＧｍ５０ｂ表面に形成されたレジスト膜パターン７の
側壁がコンタクトホール４の側壁の外側に位１４するよ
うになっている。この場合には、第１Ｄ図の場合よりも
レジスト膜のバターニングのマスク合せ精度が容易にな
る。
なお、上記実ｍ例では５ＯＧ第１Ｉをコンタクトホール
に塗布する場合について示したが、塗布する膜としては
液体塗布形式の絶縁膜であればどのようなものでもよい
。
に塗布する場合について示したが、塗布する膜としては
液体塗布形式の絶縁膜であればどのようなものでもよい
。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、第１の絶縁膜のコンタ
クトホール表面に形成された液体塗布形式の第２の絶ａ
膜を、ｊｉｌの絶縁膜上の第２の絶縁膜表面に形成され
たレジスト膜パターンをマスクとして異方性エツチング
し、コンタクトホール底面の中央領域による第２の絶縁
膜を除去して導伝性膜表面を露出させるとともに、コン
タクトホールの側壁にその表面が導伝性膜表面に対して
傾斜した第２の絶縁膜の一部を残すようにしたので、レ
ジスト後退法を用いずに、コンタクトホールの側壁に精
度高く傾斜を付けることができる半導体装置の製造方法
を得ることができる。
クトホール表面に形成された液体塗布形式の第２の絶ａ
膜を、ｊｉｌの絶縁膜上の第２の絶縁膜表面に形成され
たレジスト膜パターンをマスクとして異方性エツチング
し、コンタクトホール底面の中央領域による第２の絶縁
膜を除去して導伝性膜表面を露出させるとともに、コン
タクトホールの側壁にその表面が導伝性膜表面に対して
傾斜した第２の絶縁膜の一部を残すようにしたので、レ
ジスト後退法を用いずに、コンタクトホールの側壁に精
度高く傾斜を付けることができる半導体装置の製造方法
を得ることができる。
第１Ａ図〜第１Ｆ図は、この発明の実施例であるフンタ
クトホールの側壁に傾斜を付ける半導体装置の製造方法
を説明するための断ｉ！ｌ図である。 第１Ｇ図は、この発明の他の実施例であるコンタクトホ
ールの側壁に傾斜を付ける半導体装置の製造方法の一工
程を示す断面図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は、従来のレジスト後退法を用
いてコンタクトホールの側壁に傾斜を付ける半導体装置
の製造方法を説明するための断面図である。 第３図は、従来の、その側壁が垂直になっているコンタ
クトホールに導伝性膜をスパッタデポジションした場合
を示す断面図である。 ｍ４図は、従来の、そのａｌｌが傾斜しているコンタク
トホールに導伝性膜をスパッタデポジションした場合を
示す断面図である。 図において，１は導伝性膜，２は絶縁膜、３。 ６、７はレジスト膜パターン、４はフンタクトホール、
５．５０ａ 、５０ｂ ｌ；ｔｓＯＧｊｌＦあ６。 なお、各図中同一符Ｒは同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１Ａ図 第１８因 第１Ｃ図 第１Ｄ図 ６： レジ゛スト月茨ノヴーン ” 第１Ｆ図 第１Ｇ図 第２Ａ図 第２８図 第３図 第４図
クトホールの側壁に傾斜を付ける半導体装置の製造方法
を説明するための断ｉ！ｌ図である。 第１Ｇ図は、この発明の他の実施例であるコンタクトホ
ールの側壁に傾斜を付ける半導体装置の製造方法の一工
程を示す断面図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は、従来のレジスト後退法を用
いてコンタクトホールの側壁に傾斜を付ける半導体装置
の製造方法を説明するための断面図である。 第３図は、従来の、その側壁が垂直になっているコンタ
クトホールに導伝性膜をスパッタデポジションした場合
を示す断面図である。 ｍ４図は、従来の、そのａｌｌが傾斜しているコンタク
トホールに導伝性膜をスパッタデポジションした場合を
示す断面図である。 図において，１は導伝性膜，２は絶縁膜、３。 ６、７はレジスト膜パターン、４はフンタクトホール、
５．５０ａ 、５０ｂ ｌ；ｔｓＯＧｊｌＦあ６。 なお、各図中同一符Ｒは同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１Ａ図 第１８因 第１Ｃ図 第１Ｄ図 ６： レジ゛スト月茨ノヴーン ” 第１Ｆ図 第１Ｇ図 第２Ａ図 第２８図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）導伝性膜表面に第１の絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と
、 前記コンタクトホール表面および前記第１の絶縁膜表面
に液体塗布形式の第２の絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜上の前記第２の絶縁膜表面にレジスト
膜パターンを形成する工程と、 前記レジスト膜パターンをマスクとして露出している前
記第２の絶縁膜を異方性エッチングして、前記コンタク
トホール底面の中央領域にある前記第２の絶縁膜を除去
して前記導伝性膜を露出させるとともに、前記コンタク
トホールの側壁にその表面が前記導伝性膜表面に対して
傾斜した前記第２の絶縁膜の一部を残す工程とを備えた
半導体装置の製造方法。 - （２）前記第２の絶縁膜はスピンオングラス膜である特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16873586A JPS6324637A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16873586A JPS6324637A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324637A true JPS6324637A (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=15873444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16873586A Pending JPS6324637A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6324637A (ja) |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP16873586A patent/JPS6324637A/ja active Pending
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