JPS63247349A - シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法 - Google Patents
シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法Info
- Publication number
- JPS63247349A JPS63247349A JP8176087A JP8176087A JPS63247349A JP S63247349 A JPS63247349 A JP S63247349A JP 8176087 A JP8176087 A JP 8176087A JP 8176087 A JP8176087 A JP 8176087A JP S63247349 A JPS63247349 A JP S63247349A
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- Japan
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- resin body
- silicon dioxide
- coating layer
- silicon
- silicon oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法に関する
。
。
真空蒸着法やイオンプレーティング法によってシリコン
酸化物の薄膜を形成することは従来公知である。たとえ
ば特開ｌ１８４９−６０３６９４ｉ！公報にはｌＸ１Ｏ
−５トール〜８Ｘ１、５×１０−４）−ルの酸素雰囲気
下に一酸化ケイ素を加熱してプラスチック上に二酸化ケ
イ素を真空蒸着する方法が記載され、ＶＡＣＵＵＭ
Ｖｏｌ。１４．３８５〜３９２ （１９６４）及びＪｏ
ｕｒｍａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｖｏｌ、３４．３４７〜３５１（１９６２）には真空蒸
着により一酸化ケイ素被膜を形成することが記載されて
いる。
酸化物の薄膜を形成することは従来公知である。たとえ
ば特開ｌ１８４９−６０３６９４ｉ！公報にはｌＸ１Ｏ
−５トール〜８Ｘ１、５×１０−４）−ルの酸素雰囲気
下に一酸化ケイ素を加熱してプラスチック上に二酸化ケ
イ素を真空蒸着する方法が記載され、ＶＡＣＵＵＭ
Ｖｏｌ。１４．３８５〜３９２ （１９６４）及びＪｏ
ｕｒｍａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｖｏｌ、３４．３４７〜３５１（１９６２）には真空蒸
着により一酸化ケイ素被膜を形成することが記載されて
いる。
シリコン酸化物薄膜が積層された樹脂体は絶縁体やメガ
ネなどの光学用途に使用されており、薄膜を硬質化する
ために薄膜を厚くすることが要求されでいる。
ネなどの光学用途に使用されており、薄膜を硬質化する
ために薄膜を厚くすることが要求されでいる。
しかしながら−酸化ケイ素は酸素や水蒸気等との反応性
が高く、−酸化ケイ素薄膜の応力は経時的に変化し、か
つ膜厚を厚くすれば残留応力が大きくなり、脱膜しやす
くなるので厚膜化することはできない。又、二酸化ケイ
素は一酸化ケイ素に比較して化学的活性が小さく、樹脂
体との密着性が悪いので、膜厚を厚くすれば脱膜しやす
くなる。
が高く、−酸化ケイ素薄膜の応力は経時的に変化し、か
つ膜厚を厚くすれば残留応力が大きくなり、脱膜しやす
くなるので厚膜化することはできない。又、二酸化ケイ
素は一酸化ケイ素に比較して化学的活性が小さく、樹脂
体との密着性が悪いので、膜厚を厚くすれば脱膜しやす
くなる。
本発明の目的は上記欠点に鑑み、３μｍ以上の厚膜のシ
リコン酸化物被膜が強固に密着した樹脂体の製造方法を
提供することにある。
リコン酸化物被膜が強固に密着した樹脂体の製造方法を
提供することにある。
以下、本発明のシリコン酸化物被覆１１ｍ体の製造方法
を図面を参照しで説明する。
を図面を参照しで説明する。
第１図は本発明の製造方法で用いられる装置の一例を示
す模式図である。図中１は真空槽であり、排気口２に連
結される排気装置ｉ！（図示せず）によって高真空に排
気されるようになされＣいる。真空槽１内には被蒸発物
質４．４１が供給された、加熱及び冷却装置付きの銅ハ
ース３．３１が配設されＣいる。尚、銅ハース３と３１
は任意に位置の交換が可能になされＣいる。銅ハース３
の上方には電極に接続されたイオン化電極５が設置され
、蒸発物質をイオン化できるようになされＣいる。又イ
オン化電極５のさらに上方には、樹脂体７を固定するた
めの基板６が設けられ、基板６は電極に接続されている
。
す模式図である。図中１は真空槽であり、排気口２に連
結される排気装置ｉ！（図示せず）によって高真空に排
気されるようになされＣいる。真空槽１内には被蒸発物
質４．４１が供給された、加熱及び冷却装置付きの銅ハ
ース３．３１が配設されＣいる。尚、銅ハース３と３１
は任意に位置の交換が可能になされＣいる。銅ハース３
の上方には電極に接続されたイオン化電極５が設置され
、蒸発物質をイオン化できるようになされＣいる。又イ
オン化電極５のさらに上方には、樹脂体７を固定するた
めの基板６が設けられ、基板６は電極に接続されている
。
尚、８はガス導入口である。
本発明においＣは、真空槽ｌの威圧度が小さいと一酸化
ケイ素を真空蒸着もしくはイオンプレーティングした際
に、残存酸素によって一酸化ケイ素が二酸化ケイ素に変
化し、コーティング層の二酸化ケイ素の比率が高くなっ
て密着力が低下するので５Ｘ１０ トール以下に減圧
される。尚、この減圧の範囲内であれば槽１円に窒素や
水蒸気を注入しでもよい。そして、銅ハース３に被蒸発
物質４としＣ−酸化ケイ素を供給し、銅ハース３を加熱
して一酸化ケイ素を蒸発させ樹脂体７上に厚さ０．０５
〜３μｍのコーティング層を形成する。この際、イオン
プレーティング法によってコーティングするにはイオン
化電極に直流電圧を印加し、アーク放電を発生させで蒸
発した一酸化ケイ素の一部をイオン化すればよく、さら
に基板６にも負の直流電圧を印加しでもよい。尚、この
印加電圧は基板６の温度上昇をまねくので、樹脂体７の
樹脂の耐熱性によって適宜決定される。
ケイ素を真空蒸着もしくはイオンプレーティングした際
に、残存酸素によって一酸化ケイ素が二酸化ケイ素に変
化し、コーティング層の二酸化ケイ素の比率が高くなっ
て密着力が低下するので５Ｘ１０ トール以下に減圧
される。尚、この減圧の範囲内であれば槽１円に窒素や
水蒸気を注入しでもよい。そして、銅ハース３に被蒸発
物質４としＣ−酸化ケイ素を供給し、銅ハース３を加熱
して一酸化ケイ素を蒸発させ樹脂体７上に厚さ０．０５
〜３μｍのコーティング層を形成する。この際、イオン
プレーティング法によってコーティングするにはイオン
化電極に直流電圧を印加し、アーク放電を発生させで蒸
発した一酸化ケイ素の一部をイオン化すればよく、さら
に基板６にも負の直流電圧を印加しでもよい。尚、この
印加電圧は基板６の温度上昇をまねくので、樹脂体７の
樹脂の耐熱性によって適宜決定される。
次に、被蒸発物ｊ［４１として二酸化ケイ素が供給され
た銅ハース３１と銅ハース３の位置を交代させ、銅ハー
ス３１を加熱して二酸化ケイ素を蒸発させ、コーＰ４ン
グ層上に二酸化ケイ素層を形成する。コーティング層は
一酸化ケイ素を主体とするものであるから、酸素に接触
すると容易に酸化されるのでコーティング層を形成後、
真空槽１の減圧状態を維持し、ひき続いて二酸化ケイ素
層を形成するのが好ましい。
た銅ハース３１と銅ハース３の位置を交代させ、銅ハー
ス３１を加熱して二酸化ケイ素を蒸発させ、コーＰ４ン
グ層上に二酸化ケイ素層を形成する。コーティング層は
一酸化ケイ素を主体とするものであるから、酸素に接触
すると容易に酸化されるのでコーティング層を形成後、
真空槽１の減圧状態を維持し、ひき続いて二酸化ケイ素
層を形成するのが好ましい。
上記コーティング層は５Ｘ１Ｇ’）−ル以下の減圧状態
で一酸化ケイ素が真空蒸着もしくはイオンプレーティン
グ法によって形成された層であるから、少量の二酸化ケ
イ素を含む一酸化ケイ素よりなる層である。従っＣコー
ティング層の厚みが薄くなると二酸化ケイ素の比率が高
くなり密着性が低下するので、コーティング層はａ、０
５〜３μｍに形成される。
で一酸化ケイ素が真空蒸着もしくはイオンプレーティン
グ法によって形成された層であるから、少量の二酸化ケ
イ素を含む一酸化ケイ素よりなる層である。従っＣコー
ティング層の厚みが薄くなると二酸化ケイ素の比率が高
くなり密着性が低下するので、コーティング層はａ、０
５〜３μｍに形成される。
又、二酸化ケイ素層の厚みは上記コーティング層と二酸
化ケイ素層の合計厚みが３μｍ以上になるように決定さ
れればよいが、コーティング層の厚みより厚くされるの
が好ましく、より好ましくは３〜２０μｍである１、 〔発明の効果〕 本発明のシリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法の構成は
上述の通りであり、厚みが３μｍ以上の厚膜のシリコン
酸化物が被覆された樹脂体を容易に製造することができ
、得られた樹脂体には表面硬度が高く、耐擦傷性のすぐ
れたシリコン酸化物層が強固に密着しでおり、プラスチ
ックレンズ、窓ガラス、その他表面硬化プラスチック製
品として好適に使用できる。
化ケイ素層の合計厚みが３μｍ以上になるように決定さ
れればよいが、コーティング層の厚みより厚くされるの
が好ましく、より好ましくは３〜２０μｍである１、 〔発明の効果〕 本発明のシリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法の構成は
上述の通りであり、厚みが３μｍ以上の厚膜のシリコン
酸化物が被覆された樹脂体を容易に製造することができ
、得られた樹脂体には表面硬度が高く、耐擦傷性のすぐ
れたシリコン酸化物層が強固に密着しでおり、プラスチ
ックレンズ、窓ガラス、その他表面硬化プラスチック製
品として好適に使用できる。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１〜４、比較例３．４
第１図に示した装置において樹脂体７としてポリエーテ
ルサルフオンフイルムを設置し、第１表に示した所定圧
力まで減圧し、イオン化亀１ｉ５１こ５０ｖ印加し、基
板６はアース状態にして、被蒸発物質４としで一酸化ケ
イ素が供給された銅ハース３を加熱しＣ１イオンプレー
ティフグ法により一酸化ケイ素のコーティング層を形成
し、引続いＣ，イオン化ｍｔｉｆｆｉ５及び基板６をア
ース状態にし、被蒸発杓寅４１として二酸化ケイ素が供
給された銅ハース３１を銅ハース３と置換えた後加熱し
て真空蒸着法によって、コーティング層上に二酸化ケイ
素層を積層した。
ルサルフオンフイルムを設置し、第１表に示した所定圧
力まで減圧し、イオン化亀１ｉ５１こ５０ｖ印加し、基
板６はアース状態にして、被蒸発物質４としで一酸化ケ
イ素が供給された銅ハース３を加熱しＣ１イオンプレー
ティフグ法により一酸化ケイ素のコーティング層を形成
し、引続いＣ，イオン化ｍｔｉｆｆｉ５及び基板６をア
ース状態にし、被蒸発杓寅４１として二酸化ケイ素が供
給された銅ハース３１を銅ハース３と置換えた後加熱し
て真空蒸着法によって、コーティング層上に二酸化ケイ
素層を積層した。
コーティング層及び二酸化ケイ素層の厚みを測定し第１
表に示した。又、表面硬度試ｍ（ヌープ硬度、荷重２５
ｇで測定）及びヒートサイクルテスト（−２０σ１時間
保持と１００σ１時間保持を１００回緑返した後光学顕
微鏡で表面状態を観察）を行い結果を第１表に示した。
表に示した。又、表面硬度試ｍ（ヌープ硬度、荷重２５
ｇで測定）及びヒートサイクルテスト（−２０σ１時間
保持と１００σ１時間保持を１００回緑返した後光学顕
微鏡で表面状態を観察）を行い結果を第１表に示した。
尚ポリエーデルサルフォンフイルムのヌープ硬度は２０
Ｋｆ／−であった。
Ｋｆ／−であった。
実施例５〜８
真空槽内を１Ｘ１、５×１０−４）−ルまで減圧した後
、第１表に示したガスを注入しｒ２Ｘ１、５×１０−４
トールにした以外は実施例１で行ったと同様にしてコー
ディング層及び二酸化ケイ素層を積層し、各種の厚みを
第１表に示した。又、表面硬度試験及びヒートサイクル
テストを行い、結果を篤１表に示した。
、第１表に示したガスを注入しｒ２Ｘ１、５×１０−４
トールにした以外は実施例１で行ったと同様にしてコー
ディング層及び二酸化ケイ素層を積層し、各種の厚みを
第１表に示した。又、表面硬度試験及びヒートサイクル
テストを行い、結果を篤１表に示した。
比較例１
実施例１においで、−酸化ケイ素のコーティング層を形
成することなく真空蒸着法によって厚さ１３μｍの二酸
化ケイ素層をｍ層したところ、二酸化ケイ素層は一部膜
剥離し〔いた。
成することなく真空蒸着法によって厚さ１３μｍの二酸
化ケイ素層をｍ層したところ、二酸化ケイ素層は一部膜
剥離し〔いた。
比較例２
真空槽内を１×１０ トールまで減圧した後窒素ガスを
導入して２Ｘ１、５×１０−４トールにし、実施例１で
行ったと同様にして厚さ６μｍの一酸化ケイ素のコーテ
ィング層を形成したところ、コーティング層は一部膜剥
離しＣいた。
導入して２Ｘ１、５×１０−４トールにし、実施例１で
行ったと同様にして厚さ６μｍの一酸化ケイ素のコーテ
ィング層を形成したところ、コーティング層は一部膜剥
離しＣいた。
以下余白
第 １ 表
第１図は本発明の製造方法で用いられる装置の一例を示
す模式図である。 １・・・真空槽、２・・・排気口、３，３１・・・銅Ｉ
・−ス、４．４１・・・被蒸発物質、５・・・イオン化
電極、６・・・基板、７・・・楕詣体
す模式図である。 １・・・真空槽、２・・・排気口、３，３１・・・銅Ｉ
・−ス、４．４１・・・被蒸発物質、５・・・イオン化
電極、６・・・基板、７・・・楕詣体
Claims (1)
- １、５×１０＾−＾４トール以下の減圧下に一酸化ケイ
素を加熱蒸発させ、真空蒸着法もしくはイオンプレーテ
ィング法によって樹脂体表面に０．０５〜３μｍのコー
ティング層を形成し、次に二酸化ケイ素を加熱蒸発させ
、真空蒸着法もしくはイオンプレーティング法によって
二酸化ケイ素層を形成して、前記コーティング層と二酸
化ケイ素層の合計厚みを３μｍ以上にすることを特徴と
するシリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081760A JPH0723533B2 (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62081760A JPH0723533B2 (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63247349A true JPS63247349A (ja) | 1988-10-14 |
| JPH0723533B2 JPH0723533B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=13755405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62081760A Expired - Lifetime JPH0723533B2 (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | シリコン酸化物被覆樹脂体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0723533B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113699490A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-26 | 琪锐彩光电科技(厦门)有限公司 | 一种高耐磨的镀膜树脂镜片镀膜方法、制备方法及高耐磨的镀膜树脂镜片 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110127A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Teijin Lens Kk | Preparation of plastic antireflection film |
| JPS56147830A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-17 | Asahi Glass Co Ltd | Formation of hard coating film |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP62081760A patent/JPH0723533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55110127A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Teijin Lens Kk | Preparation of plastic antireflection film |
| JPS56147830A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-17 | Asahi Glass Co Ltd | Formation of hard coating film |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113699490A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-26 | 琪锐彩光电科技(厦门)有限公司 | 一种高耐磨的镀膜树脂镜片镀膜方法、制备方法及高耐磨的镀膜树脂镜片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0723533B2 (ja) | 1995-03-15 |
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