JPS63247351A - シリコン化合物被覆樹脂体の製造方法 - Google Patents
シリコン化合物被覆樹脂体の製造方法Info
- Publication number
- JPS63247351A JPS63247351A JP8176187A JP8176187A JPS63247351A JP S63247351 A JPS63247351 A JP S63247351A JP 8176187 A JP8176187 A JP 8176187A JP 8176187 A JP8176187 A JP 8176187A JP S63247351 A JPS63247351 A JP S63247351A
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- Japan
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- resin body
- silicon compound
- coated resin
- water vapor
- manufacturing silicon
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン化合物被ｆｆｌ樹脂体の製造方法に関
する５、 〔従来の技術〕 真空蒸着法やイオンプレーティング法によりてシリコン
酸化物の薄膜を形成することは従来公知である、たとえ
ばＶＡＣＵＵＭ Ｍｏ１．１４．３８５〜３９２ （１
９６４）やＪｏｕｒｍａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓＶｏＬ ３４．３４７〜３５１ （１９６
２）には真空蒸着により一酸化ケイ素被膜を形成するこ
とが記載されている。
する５、 〔従来の技術〕 真空蒸着法やイオンプレーティング法によりてシリコン
酸化物の薄膜を形成することは従来公知である、たとえ
ばＶＡＣＵＵＭ Ｍｏ１．１４．３８５〜３９２ （１
９６４）やＪｏｕｒｍａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐ
ｈｙｓｉｃｓＶｏＬ ３４．３４７〜３５１ （１９６
２）には真空蒸着により一酸化ケイ素被膜を形成するこ
とが記載されている。
一般に樹脂体表面にセラミックスを被覆した場合、セラ
ミックス層の膜厚が厚いほど、表面硬度、耐摩耗性、耐
擦傷性等が侵れているが、一酸化ケイ素の蒸着層は膜厚
を厚くすると残留応力が大きくなり、クラックが発生し
たり、膜剥離が発生し、連続膜が得られないという欠点
があった。
ミックス層の膜厚が厚いほど、表面硬度、耐摩耗性、耐
擦傷性等が侵れているが、一酸化ケイ素の蒸着層は膜厚
を厚くすると残留応力が大きくなり、クラックが発生し
たり、膜剥離が発生し、連続膜が得られないという欠点
があった。
本発明の目的は上記欠点に艦み、厚膜のシリコン化合物
の被膜が、クラックを発生したり、剥離したりすること
なく強固にＷ！看した樹脂体の製造方法を提供すること
にある。
の被膜が、クラックを発生したり、剥離したりすること
なく強固にＷ！看した樹脂体の製造方法を提供すること
にある。
以下、本発明のシリコン化合物被覆樹脂体の製造方法を
９面を参照して説明する。
９面を参照して説明する。
第１図は本発明で用いられる装置の一例を示す模式図で
ある。図中１は真空槽であり、排気口２に連結される排
気装置１（図示せず）によって高真空に排気されるよう
になされている。真空槽１内１こは一酸化ケイ素４が供
給された、加熱及び冷却装置付きの銅ハース３が設けら
れでいる。銅ハース３の上方には電極に接続されたイオ
ン化電極５が設置され、蒸発した一酸化ケイ素をイオン
化できるようになされている。又、イオン化電極５のさ
らに上方には樹脂体７を固定するための基板６が設けら
れ、基板６は電極に接続されている。又８はガス導入口
であり、水蒸気や窒素ガスを導入できるようになされて
いる。
ある。図中１は真空槽であり、排気口２に連結される排
気装置１（図示せず）によって高真空に排気されるよう
になされている。真空槽１内１こは一酸化ケイ素４が供
給された、加熱及び冷却装置付きの銅ハース３が設けら
れでいる。銅ハース３の上方には電極に接続されたイオ
ン化電極５が設置され、蒸発した一酸化ケイ素をイオン
化できるようになされている。又、イオン化電極５のさ
らに上方には樹脂体７を固定するための基板６が設けら
れ、基板６は電極に接続されている。又８はガス導入口
であり、水蒸気や窒素ガスを導入できるようになされて
いる。
本発明においては、真空槽ｌの減圧度が小さいと一酸化
ケイ素を真空蒸着又はイオンプレーティングする際に残
存酸素によって一酸化ケイ素が二酸化ケイ素になり、密
着性が低下するので、最初に１×１０−５ ）−ル以
下に減圧し、しかる後水蒸気又は窒素ガスを導入する。
ケイ素を真空蒸着又はイオンプレーティングする際に残
存酸素によって一酸化ケイ素が二酸化ケイ素になり、密
着性が低下するので、最初に１×１０−５ ）−ル以
下に減圧し、しかる後水蒸気又は窒素ガスを導入する。
水蒸気又は窒素ガスの導入量は多くなると一酸化ケイ素
と水蒸気又は窒素との反応物の急が多くなり、シリコン
化合物の層の残留応力が大きくなってクラックが発生し
やすくなるので、水蒸気分圧又は窒素分圧が５×ｌＯ〜
５ｘｌＯトールになるように導入する。
と水蒸気又は窒素との反応物の急が多くなり、シリコン
化合物の層の残留応力が大きくなってクラックが発生し
やすくなるので、水蒸気分圧又は窒素分圧が５×ｌＯ〜
５ｘｌＯトールになるように導入する。
本発明においては上記減圧状態で、銅ハース３を加熱し
て、銅ハース３に供給された一酸化ケイ素４を蒸発させ
樹脂体７上にシリコン化合物層を形成する。
て、銅ハース３に供給された一酸化ケイ素４を蒸発させ
樹脂体７上にシリコン化合物層を形成する。
この際、イオンプレーティング法によって被覆するには
イオン化電極５に直流電圧を印加し、＾−り放電を発生
させて蒸発した一酸化ケイ素の一部をイオン化すればよ
く、さらに基板６にも負の直流電圧を印加してもよい。
イオン化電極５に直流電圧を印加し、＾−り放電を発生
させて蒸発した一酸化ケイ素の一部をイオン化すればよ
く、さらに基板６にも負の直流電圧を印加してもよい。
尚、この印加電圧は基板６の温度上昇をまねくので、樹
脂体７の樹脂の耐熱性によって適宜決定される。
脂体７の樹脂の耐熱性によって適宜決定される。
又、真空蒸着法によって被覆するにはイオン化電極５及
び基板７をアース状態番こし、それ以外はイオンプレー
ティング法と同様に行なえばよい。
び基板７をアース状態番こし、それ以外はイオンプレー
ティング法と同様に行なえばよい。
本発明の構Ｔ！ｔＦｉ上述の通りであり、真空槽内を１
ｘ １０−’ ）−ル以下に減圧した後水蒸気又は窒
素ガスを水蒸気分圧又は窒素分圧が５Ｘ１０’〜５Ｘ１
０’）−ルに々るように導入し、その状態で一酸化グイ
素を真空蒸着法又はイオンプレーティング法によって樹
脂体に被覆するのであるから、被覆されたシリコン化合
物の層は大部分の一酸化グイ素と、一部の一酸化ケイ素
と水蒸気又は窒素との反応物によって形成されており、
残留応力が小さく、膜厚を厚くしてもクラックが発生し
たり、膜剥離が発生することがない。従って、膜厚の厚
いシリコン化合物層が強固に密着された樹脂体を得るこ
とができ、得られた樹脂体Ｆｉ表面硬度、耐摩耗性、耐
擦傷性等がすぐれており、プラスチックレンズ、窓ガラ
ス、その他表面硬化プラスチック製品として好適に使用
できる。
ｘ １０−’ ）−ル以下に減圧した後水蒸気又は窒
素ガスを水蒸気分圧又は窒素分圧が５Ｘ１０’〜５Ｘ１
０’）−ルに々るように導入し、その状態で一酸化グイ
素を真空蒸着法又はイオンプレーティング法によって樹
脂体に被覆するのであるから、被覆されたシリコン化合
物の層は大部分の一酸化グイ素と、一部の一酸化ケイ素
と水蒸気又は窒素との反応物によって形成されており、
残留応力が小さく、膜厚を厚くしてもクラックが発生し
たり、膜剥離が発生することがない。従って、膜厚の厚
いシリコン化合物層が強固に密着された樹脂体を得るこ
とができ、得られた樹脂体Ｆｉ表面硬度、耐摩耗性、耐
擦傷性等がすぐれており、プラスチックレンズ、窓ガラ
ス、その他表面硬化プラスチック製品として好適に使用
できる。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１〜１１．比較例１〜６
第１図に示した装置ＩＩこおいて４１１脂体７としてポ
リエーテルサルフオンフイルムを設置し、８×１０ ト
ールまで減圧した後、第１表に示したガスを導入し、導
入ガス分圧を第１表に示す通り維持した。イオン化電極
５に４０Ｖの直流電圧を印加し、基板６はアース状態に
し、銅ハース３を加熱することにより一酸化ケイ素を蒸
発させ、イオンプレーティング法により、シリコン化合
物層が被覆されたポリエーテルサルフオンフイルムを得
た。シリコン化合物層の厚みを測定し第１表に示した。
リエーテルサルフオンフイルムを設置し、８×１０ ト
ールまで減圧した後、第１表に示したガスを導入し、導
入ガス分圧を第１表に示す通り維持した。イオン化電極
５に４０Ｖの直流電圧を印加し、基板６はアース状態に
し、銅ハース３を加熱することにより一酸化ケイ素を蒸
発させ、イオンプレーティング法により、シリコン化合
物層が被覆されたポリエーテルサルフオンフイルムを得
た。シリコン化合物層の厚みを測定し第１表に示した。
又、表面硬度試験（ヌープ硬度、荷［２５ｇで測定）及
びヒートサイクルテスト（−２０Ｃ％ １時間保持と１
００σ１時間保持を１００回繰返した後光学顕微鏡で表
面を観察）を行い結果を第１表に示した。尚、ポリエー
テルサルフォンフイルムのスープ硬度−は２０ＫＩＩ／
ｄであった。
びヒートサイクルテスト（−２０Ｃ％ １時間保持と１
００σ１時間保持を１００回繰返した後光学顕微鏡で表
面を観察）を行い結果を第１表に示した。尚、ポリエー
テルサルフォンフイルムのスープ硬度−は２０ＫＩＩ／
ｄであった。
第 １ 表
ｅＥ１図は本発明の製造方法で用いられる装置の一例を
示す模式図である。
示す模式図である。
Claims (1)
- １、真空蒸着法又はイオンプレーティング法により、一
酸化ケイ素を樹脂体に被覆するに際し、真空槽内を１×
１０＾−＾５トール以下に減圧した後水蒸気又は窒素ガ
スを導入し、水蒸気分圧又は窒素分圧を５×１０＾−＾
５〜５×１０＾−＾４トールに維持しながら一酸化ケイ
素を加熱し、樹脂体に被覆することを特徴とするシリコ
ン化合物被覆樹脂体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8176187A JPS63247351A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | シリコン化合物被覆樹脂体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8176187A JPS63247351A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | シリコン化合物被覆樹脂体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63247351A true JPS63247351A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13755435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8176187A Pending JPS63247351A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | シリコン化合物被覆樹脂体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63247351A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5334474A (en) * | 1976-09-11 | 1978-03-31 | Nippon Chemical Ind | Method of making colored opaque photomask blank material by ion plating method |
| JPS5558230A (en) * | 1978-10-24 | 1980-04-30 | Asahi Glass Co Ltd | Method of forming cured siox coating film |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP8176187A patent/JPS63247351A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5334474A (en) * | 1976-09-11 | 1978-03-31 | Nippon Chemical Ind | Method of making colored opaque photomask blank material by ion plating method |
| JPS5558230A (en) * | 1978-10-24 | 1980-04-30 | Asahi Glass Co Ltd | Method of forming cured siox coating film |
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