JPS6046181B2 - 真空蒸着方法 - Google Patents
真空蒸着方法Info
- Publication number
- JPS6046181B2 JPS6046181B2 JP55078593A JP7859380A JPS6046181B2 JP S6046181 B2 JPS6046181 B2 JP S6046181B2 JP 55078593 A JP55078593 A JP 55078593A JP 7859380 A JP7859380 A JP 7859380A JP S6046181 B2 JPS6046181 B2 JP S6046181B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- present
- glow discharge
- vacuum
- base material
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光学分野、装飾分野、磁気記録分野等に供
せられる高分子成形物基材上に蒸着層を有する複合材を
連続して長尺て得る方法の改良に関するもので、特に帯
電による後述する諸幣害を有効に防止せんとするもので
、蒸着方法の改良に係るものである。
せられる高分子成形物基材上に蒸着層を有する複合材を
連続して長尺て得る方法の改良に関するもので、特に帯
電による後述する諸幣害を有効に防止せんとするもので
、蒸着方法の改良に係るものである。
従来、蒸着技術において利用されたグロー放電処理は
、蒸着層を付着させる表面層に係るもので、その主な目
的は、蒸着層の付着強度の改良にあつた。
、蒸着層を付着させる表面層に係るもので、その主な目
的は、蒸着層の付着強度の改良にあつた。
これらに関する提案は数多く、グロー放電の種類、放
電ガスの種類等について広範な検討がなされ、グロー放
電処理、プラズマ処理等の呼び名で知られ、広義には周
知のスパッタリング、イオンエッチングも含んでいる。
電ガスの種類等について広範な検討がなされ、グロー放
電処理、プラズマ処理等の呼び名で知られ、広義には周
知のスパッタリング、イオンエッチングも含んでいる。
しかし、これらの処理のいずれを採用しても、高分子
成形物層と蒸着層の接着強度には限りがあり、ブロッキ
ングにより蒸着層の剥離現象が基材がひきさかれる等の
問題があつた。 特に光学分野や磁気記録分野等で用い
られる表面性の優れた基材は長尺化し、控目することに
より上記トラブルの発生が目立ち、解決が待たれていた
。
成形物層と蒸着層の接着強度には限りがあり、ブロッキ
ングにより蒸着層の剥離現象が基材がひきさかれる等の
問題があつた。 特に光学分野や磁気記録分野等で用い
られる表面性の優れた基材は長尺化し、控目することに
より上記トラブルの発生が目立ち、解決が待たれていた
。
本発明は、このような問題解決のためになされたもの
で以下本発明を図面に沿つて詳述する。
で以下本発明を図面に沿つて詳述する。
第1図は、対象となる複合材の断面図で、高分子成形
物基材1の上に真空蒸着法で形成した薄膜層2を有する
構造体で、本発明に係る処理面はAで示される面である
。なお、本発明は真空蒸着法については、スパッタリン
グ、イオンブレーティング等の公知の薄膜形成法で真空
雰囲気を必要とするいずれの方法についても適用される
点、および薄膜層2の構成、材料についても何ら限定さ
れるものでないことは当然である。 第2図は、本発明
を実施するための装置の一例を示した構成図であるが、
後述するように本構成にこだわることなく多くの構成を
とることができるのは勿論であるが、必ず第1図でのA
面をグロー放電雰囲気にさらす構成をとらなくてはなら
ない。
物基材1の上に真空蒸着法で形成した薄膜層2を有する
構造体で、本発明に係る処理面はAで示される面である
。なお、本発明は真空蒸着法については、スパッタリン
グ、イオンブレーティング等の公知の薄膜形成法で真空
雰囲気を必要とするいずれの方法についても適用される
点、および薄膜層2の構成、材料についても何ら限定さ
れるものでないことは当然である。 第2図は、本発明
を実施するための装置の一例を示した構成図であるが、
後述するように本構成にこだわることなく多くの構成を
とることができるのは勿論であるが、必ず第1図でのA
面をグロー放電雰囲気にさらす構成をとらなくてはなら
ない。
また、好ましくは蒸着を終えて捲き取るまでの間て本発
明を実施するのが好結果を生むが、少なくとも一度はA
面をグロー放電雰囲気にさらす必要があり、従来公知の
表面グロー放電処理との組み合わせについても本発明の
範囲である。 第2図において、真空槽3の内部4は排
気装置5により実用的には10−”〜10−5TorT
範囲に保たれる。勿論スパッタリング、イオンブレーテ
ィング等の場合はこの限りではない。しかし、通常の蒸
着条件範囲では、内部4とグロー室6とはなんらかの手
段により差圧が保持されるように構成される。7は隔壁
を模式的に示すが、ガイドローラ8とのシール方法等に
ついては公知の手法のいずれによつてもいいのは勿論で
ある。
明を実施するのが好結果を生むが、少なくとも一度はA
面をグロー放電雰囲気にさらす必要があり、従来公知の
表面グロー放電処理との組み合わせについても本発明の
範囲である。 第2図において、真空槽3の内部4は排
気装置5により実用的には10−”〜10−5TorT
範囲に保たれる。勿論スパッタリング、イオンブレーテ
ィング等の場合はこの限りではない。しかし、通常の蒸
着条件範囲では、内部4とグロー室6とはなんらかの手
段により差圧が保持されるように構成される。7は隔壁
を模式的に示すが、ガイドローラ8とのシール方法等に
ついては公知の手法のいずれによつてもいいのは勿論で
ある。
真空槽3内には、移動する高分子成形物基材1と蒸発源
9が対向して配設される。図では蒸発源9として電子ビ
ーム加熱方式を模式的に示しているが、勿論、公知のい
ずれの加熱方式をとることは何ら差し支えない。水冷銅
ハース10に装填された蒸発物質9″に電子源11より
発生させた電子ビームを加速衝撃させて、加熱蒸発させ
る仕組みになつている。蒸発源9に対向して移動する高
分子成形物基材1は捲き出し軸12より、捲き取り軸1
3へ矢印方向に捲き取られる間で、目的に応じた蒸着工
程を通る。蒸着された複合材は、捲き取られる以前にグ
ロー放電雰囲気に蒸着面と反対の面がさらされることに
より本発明の効果が発揮される。第2図て、14,15
は絶縁された電極を示すが、例えば外部よりグロー室6
に積極的に導入した酸素、窒素、アルゴン等の気体を適
当な圧力に保持しながら、交番電圧を電極14,15間
に印加することにより容易に目的を達することができる
。以下本発明の具体的実施例について説明する。実施例
1基 材:ポリエステルフイルム (厚さ5μ〜12μ) 蒸着物質:CO(500A) 加熱方法:電子ビーム16KW フィルム移動速度:257TL/Min 真空度:6×10−5T0rr の条件で、グロー放電処理ありの場合となしの場合のブ
ロッキング現象を調べたところ、下表のようであつた。
9が対向して配設される。図では蒸発源9として電子ビ
ーム加熱方式を模式的に示しているが、勿論、公知のい
ずれの加熱方式をとることは何ら差し支えない。水冷銅
ハース10に装填された蒸発物質9″に電子源11より
発生させた電子ビームを加速衝撃させて、加熱蒸発させ
る仕組みになつている。蒸発源9に対向して移動する高
分子成形物基材1は捲き出し軸12より、捲き取り軸1
3へ矢印方向に捲き取られる間で、目的に応じた蒸着工
程を通る。蒸着された複合材は、捲き取られる以前にグ
ロー放電雰囲気に蒸着面と反対の面がさらされることに
より本発明の効果が発揮される。第2図て、14,15
は絶縁された電極を示すが、例えば外部よりグロー室6
に積極的に導入した酸素、窒素、アルゴン等の気体を適
当な圧力に保持しながら、交番電圧を電極14,15間
に印加することにより容易に目的を達することができる
。以下本発明の具体的実施例について説明する。実施例
1基 材:ポリエステルフイルム (厚さ5μ〜12μ) 蒸着物質:CO(500A) 加熱方法:電子ビーム16KW フィルム移動速度:257TL/Min 真空度:6×10−5T0rr の条件で、グロー放電処理ありの場合となしの場合のブ
ロッキング現象を調べたところ、下表のようであつた。
グロー放電の条件については、圧力範囲:10−1〜1
0−4T0rT′周波数 :直流〜44MHz 電圧:10■〜3KVp−9 電流密度:1〜600μA/電極単位面積ガスの種類:
残留気体,酸素,アルゴン,窒 素,二酸
化炭素等について調べたが、裏面をグロー放電処理する
ことが基本的に重要であり、その条件については、フィ
ルムの移動速度に応じて電流密度を増加させる点に留意
すればよく、特別な条件による有意性はないので、最も
実用に供し易い商用周波数・で残留気体雰囲気てのグロ
ー放電を用いて他の基材、蒸着条件についても本発明の
効果を確かめた。
0−4T0rT′周波数 :直流〜44MHz 電圧:10■〜3KVp−9 電流密度:1〜600μA/電極単位面積ガスの種類:
残留気体,酸素,アルゴン,窒 素,二酸
化炭素等について調べたが、裏面をグロー放電処理する
ことが基本的に重要であり、その条件については、フィ
ルムの移動速度に応じて電流密度を増加させる点に留意
すればよく、特別な条件による有意性はないので、最も
実用に供し易い商用周波数・で残留気体雰囲気てのグロ
ー放電を用いて他の基材、蒸着条件についても本発明の
効果を確かめた。
実施例2
基 材:ポリイミドフイルム(厚さ25μ)蒸着物質
:T1(400A)加熱方法:電子ビーム16KW フィルム移動速度:16rn,/Min 真空度 :1.5×10−5T0rr 実施例3 基 材:ポリプロピレンフイルム (厚さ4μ〜10μ)蒸着物質:A
1(500〜1000A) 加熱方法:誘導加熱6KW フィルム移動速度:60T1./Min 真空度 :8×10−5T0rr 実施例4 基 材:ポリエステルフイルム (厚さ5μ〜12μ)蒸着物質:
NlCr(600A)蒸 着:スパツタリング蒸着 (Ar,lO−2T0rr,1KW)フィル
ム移動速度:16m/Min上記いずれの実施例でも、
表面性が良くなる(およそ平均粗さで0.1μ以下)と
、生じてきたブロッキングの現象が本発明により解決さ
れることが明白になつた。
:T1(400A)加熱方法:電子ビーム16KW フィルム移動速度:16rn,/Min 真空度 :1.5×10−5T0rr 実施例3 基 材:ポリプロピレンフイルム (厚さ4μ〜10μ)蒸着物質:A
1(500〜1000A) 加熱方法:誘導加熱6KW フィルム移動速度:60T1./Min 真空度 :8×10−5T0rr 実施例4 基 材:ポリエステルフイルム (厚さ5μ〜12μ)蒸着物質:
NlCr(600A)蒸 着:スパツタリング蒸着 (Ar,lO−2T0rr,1KW)フィル
ム移動速度:16m/Min上記いずれの実施例でも、
表面性が良くなる(およそ平均粗さで0.1μ以下)と
、生じてきたブロッキングの現象が本発明により解決さ
れることが明白になつた。
これは表面上のよい基材ほど顕著な剥離帯電現象の緩和
により、フィルム捲回時の軸に直角な方向の圧力緩和に
つながることが主原因と考えられるが、帯電そのものは
一時的なものであれ、永久的なものであれ、その効果は
同様であることを確認しており、帯電のメカニズムを問
わナに適用できるものであり、近年要求の高まつてきて
いる光学,装飾,磁気記録分野等における表面の平滑度
の高い基材への各種材料の蒸着、スパッタリング等にお
いて、その効果をいかんなく発揮するものである。
により、フィルム捲回時の軸に直角な方向の圧力緩和に
つながることが主原因と考えられるが、帯電そのものは
一時的なものであれ、永久的なものであれ、その効果は
同様であることを確認しており、帯電のメカニズムを問
わナに適用できるものであり、近年要求の高まつてきて
いる光学,装飾,磁気記録分野等における表面の平滑度
の高い基材への各種材料の蒸着、スパッタリング等にお
いて、その効果をいかんなく発揮するものである。
以上のように本発明の真空蒸着方法によれば、帯電によ
る種々の弊害を除去した部材を提供することができるも
のであり、各種分野への応用価値は大なるものである。
る種々の弊害を除去した部材を提供することができるも
のであり、各種分野への応用価値は大なるものである。
図面の簡単な説明第1図は本発明の真空蒸着方法を適用
できる複合材の一例の断面図、第2図は本発明の真空蒸
着方法を実施するために使用する装置の一実施例の断面
正面図てある。
できる複合材の一例の断面図、第2図は本発明の真空蒸
着方法を実施するために使用する装置の一実施例の断面
正面図てある。
1・・・・・・高分子成形物基材、2・・・・・・薄膜
層、3・・・・・・真空槽、6・・・・・・グロー室、
9・・・・・・蒸発源、14,15・・・・・電極。
層、3・・・・・・真空槽、6・・・・・・グロー室、
9・・・・・・蒸発源、14,15・・・・・電極。
Claims (1)
- 1 真空雰囲気内を移動する高分子成形物基材に連続し
て薄膜を形成する前または後に、前記高分子成形物基材
の薄膜形成側の面と反対側の面をグロー放電雰囲気に露
呈することを特徴とする真空蒸着方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55078593A JPS6046181B2 (ja) | 1980-06-10 | 1980-06-10 | 真空蒸着方法 |
| DE8181302513T DE3172124D1 (en) | 1980-06-10 | 1981-06-05 | A method of vacuum depositing a layer on a plastics film substrate |
| EP81302513A EP0041850B2 (en) | 1980-06-10 | 1981-06-05 | A method of vacuum depositing a layer on a plastics film substrate |
| US06/272,119 US4393091A (en) | 1980-06-10 | 1981-06-10 | Method of vacuum depositing a layer on a plastic film substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55078593A JPS6046181B2 (ja) | 1980-06-10 | 1980-06-10 | 真空蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS573830A JPS573830A (en) | 1982-01-09 |
| JPS6046181B2 true JPS6046181B2 (ja) | 1985-10-15 |
Family
ID=13666200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55078593A Expired JPS6046181B2 (ja) | 1980-06-10 | 1980-06-10 | 真空蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046181B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016191104A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリング成膜方法およびそれを用いた金属化樹脂フィルムの製造方法ならびにスパッタリング成膜装置 |
| KR20170101796A (ko) * | 2016-02-29 | 2017-09-06 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 성막 방법 및 이것을 이용한 적층체 기판의 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120355B2 (ja) * | 1972-06-21 | 1976-06-24 | ||
| JPS6011372B2 (ja) * | 1976-09-28 | 1985-03-25 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS5385403A (en) * | 1977-01-07 | 1978-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
| JPS5840250B2 (ja) * | 1977-03-18 | 1983-09-05 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JPS54137073A (en) * | 1978-04-17 | 1979-10-24 | Daicel Chem Ind Ltd | Antistatic treatment of plastic molded article having abrasion resistant coating |
-
1980
- 1980-06-10 JP JP55078593A patent/JPS6046181B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016191104A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリング成膜方法およびそれを用いた金属化樹脂フィルムの製造方法ならびにスパッタリング成膜装置 |
| KR20170101796A (ko) * | 2016-02-29 | 2017-09-06 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 성막 방법 및 이것을 이용한 적층체 기판의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS573830A (en) | 1982-01-09 |
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