JPS63247357A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPS63247357A JPS63247357A JP8236387A JP8236387A JPS63247357A JP S63247357 A JPS63247357 A JP S63247357A JP 8236387 A JP8236387 A JP 8236387A JP 8236387 A JP8236387 A JP 8236387A JP S63247357 A JPS63247357 A JP S63247357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation
- vapor deposition
- deposited
- substrates
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 55
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は合金あるいは化合物の薄膜を形成する成膜装置
に関する。
に関する。
従来、合金膜あるいは化合物膜の形成において、それら
の組成の制御性及び再現性の良い成膜方法の一つに、合
金あるいは化合物の構成元素をそれぞれ独立制御の可能
な複数個の蒸着源から同時に蒸着する方法がある。この
ような方法は例えばアール・エイチ・ハモンド（Ｒ，Ｈ
，Ｈａｍ＋ａｏｎｄ）によって１９７８年に発行された
ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・
テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５
ｃｉｅｎｃｅ ｊｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の第１
５巻第２号３８２〜３８５頁の論文に記載されている。
の組成の制御性及び再現性の良い成膜方法の一つに、合
金あるいは化合物の構成元素をそれぞれ独立制御の可能
な複数個の蒸着源から同時に蒸着する方法がある。この
ような方法は例えばアール・エイチ・ハモンド（Ｒ，Ｈ
，Ｈａｍ＋ａｏｎｄ）によって１９７８年に発行された
ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・
テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５
ｃｉｅｎｃｅ ｊｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）の第１
５巻第２号３８２〜３８５頁の論文に記載されている。
しかしながら、リフトオフ法によってこの薄膜のパター
ンを形成する場合、この方法では複数個の蒸着源の位置
の差が基板への各蒸着源からの蒸発物の入射角の差とな
って表れ、パターンエツジにおいて所望の組成が得られ
ないという欠点があった・ そこで、それに代る方法として、各蒸着源を遮蔽板で仕
切り、基板を順次各蒸着源の上に移動せしめて各蒸着物
質の極薄膜を周期的に積層形成することで前記同時蒸着
膜と同等の合金膜あるいは化合物膜を得る方法がある。
ンを形成する場合、この方法では複数個の蒸着源の位置
の差が基板への各蒸着源からの蒸発物の入射角の差とな
って表れ、パターンエツジにおいて所望の組成が得られ
ないという欠点があった・ そこで、それに代る方法として、各蒸着源を遮蔽板で仕
切り、基板を順次各蒸着源の上に移動せしめて各蒸着物
質の極薄膜を周期的に積層形成することで前記同時蒸着
膜と同等の合金膜あるいは化合物膜を得る方法がある。
第２図（ａ）はこのような方法による成膜装置の構成を
説明するための断面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
平面図である。
説明するための断面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
平面図である。
第２図（ａ）、 （ｂ）に示す成膜装置においては、基
板４を基板ホルダー３に装着し、真空容器１の内部を真
空排気装置２で真空排気し、次に基板ホルダー回転機構
５によって基板ホルダー３を回転させ。
板４を基板ホルダー３に装着し、真空容器１の内部を真
空排気装置２で真空排気し、次に基板ホルダー回転機構
５によって基板ホルダー３を回転させ。
第１の蒸着源６の蒸着物質の蒸発量を第１の蒸着制御器
８で、また第２の蒸着源７の蒸着物質の蒸発量を第２の
蒸着制御器９でそれぞれ制御して、所望の組成比に対応
する第１の蒸着源６の蒸着物質と第２の蒸着源７の蒸着
物質の極薄膜が交互に積層された膜を基板４上に形成す
るものである。
８で、また第２の蒸着源７の蒸着物質の蒸発量を第２の
蒸着制御器９でそれぞれ制御して、所望の組成比に対応
する第１の蒸着源６の蒸着物質と第２の蒸着源７の蒸着
物質の極薄膜が交互に積層された膜を基板４上に形成す
るものである。
この膜は基板回転速度と各蒸着物質の蒸着速度の選択に
よって各積層膜厚を数人と小さくすること、あるいは蒸
着後熱処理を行うことで前記同時蒸着膜と同等の合金膜
あるいは化合物膜となる。
よって各積層膜厚を数人と小さくすること、あるいは蒸
着後熱処理を行うことで前記同時蒸着膜と同等の合金膜
あるいは化合物膜となる。
ところで、リフトオフパターンの微細化に伴いパターン
精度の向上及びリフトオフ歩留りの低下防止の点から蒸
着物質の基板への入射角が垂直に近いことの要求が増大
する。
精度の向上及びリフトオフ歩留りの低下防止の点から蒸
着物質の基板への入射角が垂直に近いことの要求が増大
する。
そこで、入射角の垂直性の要求を満足するために、各蒸
着源６，７の近傍に遮蔽板１０を設けて蒸着源６，７か
ら斜め方向に飛び出す蒸着物質を遮蔽し、基板４が蒸着
源の上方にきたときのみ蒸着されるようにする方法があ
る。ところが、この方法によれば、−蒸着物質の極薄膜
が形成されてから次の蒸着物質の蒸着が開始されるまで
の基板の移動時間に一蒸着物質の極薄膜表面は真空容器
１内の残留ガスにさらされる。ここで、極薄膜が酸化さ
れやすい物質の場合、表面に自然酸化膜が形成されるこ
とになり、合金膜あるいは化合物膜の品質を低下させる
原因となるという欠点があった。この欠点を除去する方
法としては真空容器内の真空度を超高真空に高めるとい
うことが考えられるが、装置の価格上昇や構造上の制約
等の問題があり実用的でない。
着源６，７の近傍に遮蔽板１０を設けて蒸着源６，７か
ら斜め方向に飛び出す蒸着物質を遮蔽し、基板４が蒸着
源の上方にきたときのみ蒸着されるようにする方法があ
る。ところが、この方法によれば、−蒸着物質の極薄膜
が形成されてから次の蒸着物質の蒸着が開始されるまで
の基板の移動時間に一蒸着物質の極薄膜表面は真空容器
１内の残留ガスにさらされる。ここで、極薄膜が酸化さ
れやすい物質の場合、表面に自然酸化膜が形成されるこ
とになり、合金膜あるいは化合物膜の品質を低下させる
原因となるという欠点があった。この欠点を除去する方
法としては真空容器内の真空度を超高真空に高めるとい
うことが考えられるが、装置の価格上昇や構造上の制約
等の問題があり実用的でない。
本発明の目的はこのような従来の欠点を除去し、蒸着物
質の入射角の垂直性及び膜品質を維持しつつ、組成比制
御性℃よい成膜装置を提供することにある。
質の入射角の垂直性及び膜品質を維持しつつ、組成比制
御性℃よい成膜装置を提供することにある。
本発明は同一円周上に一定間隔で隣接して配置され互い
に遮蔽板によって仕切られた一群の複数個の蒸着源と、
前記蒸着源に対向して置かれ前記円周の中心位置に回転
軸が一致する回転機構を備えた基板ホルダーとを真空容
器内に有し、基板ホルダーの回転方向に沿って配列した
前記一群の複数個の蒸着源のうち前段の蒸着源に充填し
た蒸着物質に比べて酸化されにくい蒸着物質を後段の蒸
着源に充填したことを特徴とする成膜装置である。
に遮蔽板によって仕切られた一群の複数個の蒸着源と、
前記蒸着源に対向して置かれ前記円周の中心位置に回転
軸が一致する回転機構を備えた基板ホルダーとを真空容
器内に有し、基板ホルダーの回転方向に沿って配列した
前記一群の複数個の蒸着源のうち前段の蒸着源に充填し
た蒸着物質に比べて酸化されにくい蒸着物質を後段の蒸
着源に充填したことを特徴とする成膜装置である。
次に本発明の作用を図面に従って説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を説明するための薄膜
形成装置の断面図である。また、第１図（ｂ）は第１図
（ａ）の平面図である。
形成装置の断面図である。また、第１図（ｂ）は第１図
（ａ）の平面図である。
この装置を用いた薄膜形成工程は次のようになる。
まず、基板４を基板ホルダー３の下面に装着し、真空排
気装置２によって真空容器１の内部を真空排気する６次
に基板ホルダー回転機構５によって基板ホルダー３を回
転し、第１の蒸着源６の蒸着物質の蒸発量を第１の蒸着
制御器８で、また第２の蒸着源７の蒸着物質の蒸発量を
第２の蒸着制御器９でそれぞれ制御することで所望の組
成比の合金膜又は化合物膜を基板４上に形成する。
気装置２によって真空容器１の内部を真空排気する６次
に基板ホルダー回転機構５によって基板ホルダー３を回
転し、第１の蒸着源６の蒸着物質の蒸発量を第１の蒸着
制御器８で、また第２の蒸着源７の蒸着物質の蒸発量を
第２の蒸着制御器９でそれぞれ制御することで所望の組
成比の合金膜又は化合物膜を基板４上に形成する。
第１図（ｂ）に□示すように、第１の蒸着源６と第２の
蒸着源７は回転軸１３を中心とする同一円周上に配置さ
れ、基板４は基板ホルダー３の回転によってほぼ同一の
円周上を移動する。このとき、第１の蒸着源６からの蒸
発物は基板４が第１の遮蔽板１０と第２の遮蔽板１１の
間の開口部Ａを通過するときのみ基板４に蒸着され、第
２の蒸着源７からの蒸発物は基板４が第２の遮蔽板１１
と第３の遮蔽板１２の間の開口部Ｃを通過するときのみ
基板４に蒸着される。従って、前記開口部Ａ、Ｃの幅を
選択することによって第１の蒸着源６からの蒸着物質及
び第２の蒸着源７からの蒸着物質の基板４への入射角の
垂直性を保つことができる。
蒸着源７は回転軸１３を中心とする同一円周上に配置さ
れ、基板４は基板ホルダー３の回転によってほぼ同一の
円周上を移動する。このとき、第１の蒸着源６からの蒸
発物は基板４が第１の遮蔽板１０と第２の遮蔽板１１の
間の開口部Ａを通過するときのみ基板４に蒸着され、第
２の蒸着源７からの蒸発物は基板４が第２の遮蔽板１１
と第３の遮蔽板１２の間の開口部Ｃを通過するときのみ
基板４に蒸着される。従って、前記開口部Ａ、Ｃの幅を
選択することによって第１の蒸着源６からの蒸着物質及
び第２の蒸着源７からの蒸着物質の基板４への入射角の
垂直性を保つことができる。
さらに、基板ホルダー３の回転方向をＥの方向にとれば
第１の蒸着源６からの蒸着膜表面が真空容器１内の残留
ガスにさらされるのは基板４がＢ領域を通過する時間で
あり、第２の蒸着源７からの蒸着膜表面が前記残留ガス
にさらされるのは基板４がＤ領域を通過する時間である
。本発明によれば、第１の蒸着源６の蒸着物質の方が第
２の蒸着物質に較べて酸化され易いものが置かれるが、
Ｂ領域は第２の遮蔽板１１の幅のみになるため、Ｂ領域
の通過時間を短くおさえることができ、第２の蒸着源７
からの蒸着の前に第１の蒸着源６からの蒸着膜の酸化を
きわめて小さく抑えることが可能となる。従って、膜品
質の低下を防ぐことができる。
第１の蒸着源６からの蒸着膜表面が真空容器１内の残留
ガスにさらされるのは基板４がＢ領域を通過する時間で
あり、第２の蒸着源７からの蒸着膜表面が前記残留ガス
にさらされるのは基板４がＤ領域を通過する時間である
。本発明によれば、第１の蒸着源６の蒸着物質の方が第
２の蒸着物質に較べて酸化され易いものが置かれるが、
Ｂ領域は第２の遮蔽板１１の幅のみになるため、Ｂ領域
の通過時間を短くおさえることができ、第２の蒸着源７
からの蒸着の前に第１の蒸着源６からの蒸着膜の酸化を
きわめて小さく抑えることが可能となる。従って、膜品
質の低下を防ぐことができる。
以上述べたように、本発明によれば組成比の制御が容易
で、かつ蒸着物質の入射角の垂直性と膜品質の維持がき
わめて容易に行える成膜装置が得られる。
で、かつ蒸着物質の入射角の垂直性と膜品質の維持がき
わめて容易に行える成膜装置が得られる。
なお、ここでは蒸着源が２個の場合について説明したが
、３個以上の場合にも同様の効果がある。
、３個以上の場合にも同様の効果がある。
次に本発明の一実施例を説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）に示すように、真空排気装置２に
よって内部を真空排気する真空容器１の上部に基板ホル
ダー回転機構５によって回転軸１３を中心に回転する基
板ホルダー３が設けられ、基板ホルダー３の下面には基
板４が下向きに取付けられる。
よって内部を真空排気する真空容器１の上部に基板ホル
ダー回転機構５によって回転軸１３を中心に回転する基
板ホルダー３が設けられ、基板ホルダー３の下面には基
板４が下向きに取付けられる。
真空容器１の下部には、第１の蒸着制御器８によって制
御される第１の蒸着源６と、第２の蒸着制御器９によっ
て制御される第２の蒸着源７が回転軸１３を中心とする
円周上に隣接して設けられ、その両者間は第２の遮蔽板
１１によって仕切られている。さらに、第１の遮蔽板１
０．第３の遮蔽板１２が設けられ、各蒸着源６，７から
斜方向に飛び出す蒸発物が基板４に付着するのを防いで
いる。
御される第１の蒸着源６と、第２の蒸着制御器９によっ
て制御される第２の蒸着源７が回転軸１３を中心とする
円周上に隣接して設けられ、その両者間は第２の遮蔽板
１１によって仕切られている。さらに、第１の遮蔽板１
０．第３の遮蔽板１２が設けられ、各蒸着源６，７から
斜方向に飛び出す蒸発物が基板４に付着するのを防いで
いる。
この実施例の装置で、具体的に砒化ガリウム（ｃａＡｓ
）基板にオーム性接触を得るための金ゲルマニウム（Ａ
ｕＧａ）合金膜を形成する場合、基板回転方向を第１図
（ｂ）に示すＥ方向とすると、隣接して設けられた２つ
の蒸着源６，７のうち回転方向に数えされ難い金（Ａｕ
）を入れ、第１の蒸着源６に酸化され易いゲルマニウム
（Ｇｅ）を入れる。尚、本実施例の蒸着源６，７は電子
ビーム蒸着源で構成する。また基板４としてＧａＡｓ基
板を装着表面を下に向けて装着し基板ホルダー３を回転
させる。続いて、各蒸着制御器８，９で蒸着源６，７を
それぞれ制御し、ＧｅとＡｕの蒸発量を所望の値に調整
することでＧｅとＡｕの極薄膜が交互に積層され所望ど
おりのＡｕとＧｅの組成比で形成される。このとき、蒸
着物の斜め方向成分は遮蔽板１０，１１．１２によって
遮られ、基板４に到達しないため、リフトオフパターニ
ングに適した蒸着が行われる。さらに、本実施例によれ
ばＧｅ極薄膜層の蒸着が終ってから次のＡｕ蒸着が始ま
るまでの時間は基板４が第１図（ｂ）の第２の遮蔽板１
１のＢ領域を通過する時間ですむためＧｅ層の品質は充
分維持される。さらにＡｕ極薄膜層の蒸着が終ってから
Ｇｅの蒸着が始まるまでの時間は第１図（ｂ）のＤ領域
を通過する時間であるが、Ａｕは残留ガスに対して安定
なため、Ａｕ膜の品質が充分維持される。
）基板にオーム性接触を得るための金ゲルマニウム（Ａ
ｕＧａ）合金膜を形成する場合、基板回転方向を第１図
（ｂ）に示すＥ方向とすると、隣接して設けられた２つ
の蒸着源６，７のうち回転方向に数えされ難い金（Ａｕ
）を入れ、第１の蒸着源６に酸化され易いゲルマニウム
（Ｇｅ）を入れる。尚、本実施例の蒸着源６，７は電子
ビーム蒸着源で構成する。また基板４としてＧａＡｓ基
板を装着表面を下に向けて装着し基板ホルダー３を回転
させる。続いて、各蒸着制御器８，９で蒸着源６，７を
それぞれ制御し、ＧｅとＡｕの蒸発量を所望の値に調整
することでＧｅとＡｕの極薄膜が交互に積層され所望ど
おりのＡｕとＧｅの組成比で形成される。このとき、蒸
着物の斜め方向成分は遮蔽板１０，１１．１２によって
遮られ、基板４に到達しないため、リフトオフパターニ
ングに適した蒸着が行われる。さらに、本実施例によれ
ばＧｅ極薄膜層の蒸着が終ってから次のＡｕ蒸着が始ま
るまでの時間は基板４が第１図（ｂ）の第２の遮蔽板１
１のＢ領域を通過する時間ですむためＧｅ層の品質は充
分維持される。さらにＡｕ極薄膜層の蒸着が終ってから
Ｇｅの蒸着が始まるまでの時間は第１図（ｂ）のＤ領域
を通過する時間であるが、Ａｕは残留ガスに対して安定
なため、Ａｕ膜の品質が充分維持される。
以上説明したように本発明の成膜装置を用いれば１組成
制御性がよく、高品質の合金膜が容易に得られ、しかも
蒸着物入射角の垂直性がよいため、リフトオフパターニ
ングにも適した合金膜を得ることができるものである。
制御性がよく、高品質の合金膜が容易に得られ、しかも
蒸着物入射角の垂直性がよいため、リフトオフパターニ
ングにも適した合金膜を得ることができるものである。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す断面図、第１図
（ｂ）は同平面図、第２図（ａ）は従来例を説明する断
面図、第２図（ｂ）は同平面図である。 １・・・真空容器 ２・・・真空排気装置３
・・・基板ホルダー ４・・・基板５・・・基板
ホルダー回転機構 ６・・・第１の蒸着源７・・・第２
の蒸着源 ８・・・第１の蒸着制御器９・・・第
２の蒸着制御器 １０・・・第１の遮蔽板１１・・・
第２の遮蔽板 １２・・・第３の遮蔽板１３・・
・回転軸
（ｂ）は同平面図、第２図（ａ）は従来例を説明する断
面図、第２図（ｂ）は同平面図である。 １・・・真空容器 ２・・・真空排気装置３
・・・基板ホルダー ４・・・基板５・・・基板
ホルダー回転機構 ６・・・第１の蒸着源７・・・第２
の蒸着源 ８・・・第１の蒸着制御器９・・・第
２の蒸着制御器 １０・・・第１の遮蔽板１１・・・
第２の遮蔽板 １２・・・第３の遮蔽板１３・・
・回転軸
Claims (1)
- （１）同一円周上に一定間隔で隣接して配置され互いに
遮蔽板によって仕切られた一群の複数個の蒸着源と、前
記蒸着源に対向して置かれ前記円周の中心位置に回転軸
が一致する回転機構を備えた基板ホルダーとを真空容器
内に有し、基板ホルダーの回転方向に沿って配列した前
記一群の複数個の蒸着源のうち前段の蒸着源に充填した
蒸着物質に比べて酸化されにくい蒸着物質を後段の蒸着
源に充填したことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8236387A JPS63247357A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8236387A JPS63247357A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63247357A true JPS63247357A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13772497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8236387A Pending JPS63247357A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63247357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02248392A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Nissin Electric Co Ltd | 分子線結晶成長装置 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP8236387A patent/JPS63247357A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02248392A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Nissin Electric Co Ltd | 分子線結晶成長装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63247357A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH06295903A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3311387B2 (ja) | 複合スパッタリング装置 | |
| EP0570618B1 (en) | Film forming method and apparatus | |
| JPS61235560A (ja) | マグネトロンスパツタ装置 | |
| JP3979745B2 (ja) | 成膜装置、薄膜形成方法 | |
| JPH0246667B2 (ja) | Hakumakujochakusochi | |
| JPS61227170A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH02107757A (ja) | アモルファス超格子合金の作製法 | |
| US6217723B1 (en) | Method of manufacturing a multilayer film | |
| JPS63266071A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPS59100270A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS59208074A (ja) | 枚葉式膜形成装置 | |
| JP2820471B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0633225A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH06293958A (ja) | レーザアブレーション法を用いた成膜方法 | |
| JPH01319673A (ja) | レーザビームスパッタ法 | |
| JPH0628727A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2009068075A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JPH01205071A (ja) | 多層膜形成装置 | |
| JPH0285364A (ja) | マグネトロン型スパッタリング装置 | |
| JPS5812336B2 (ja) | ジヨウチヤクマクアツソクテイホウホウ | |
| JPH0445265A (ja) | スパッタリング装置 | |
| WO2025086459A1 (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| JPH0567569A (ja) | スパツタ成膜装置 |