JPS63247367A - イオンビ−ムスパツタ装置 - Google Patents
イオンビ−ムスパツタ装置Info
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- JPS63247367A JPS63247367A JP8096387A JP8096387A JPS63247367A JP S63247367 A JPS63247367 A JP S63247367A JP 8096387 A JP8096387 A JP 8096387A JP 8096387 A JP8096387 A JP 8096387A JP S63247367 A JPS63247367 A JP S63247367A
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- ion beam
- ion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオンビームスパッタ装置に係り、特に、イオ
ン源からのイオンビームをターゲットに照射することに
よりスパッタされる粒子を基板に付着させて膜を形成す
るイオンビームスパッタ族はに関する。
ン源からのイオンビームをターゲットに照射することに
よりスパッタされる粒子を基板に付着させて膜を形成す
るイオンビームスパッタ族はに関する。
〔従来の技術〕
従来のイオンビームスパッタ装置は、例えば特開昭５２
−１４０４８０号公報に記載のように、イオン源からの
イオンビームをターゲットに照射し、そこから、四方に
飛散する粒子をターゲットの周囲を取り囲むように配置
された複数の基板に付着させる方法をとっていた。この
方法は、ターゲットの材料を無駄なく使用するという点
では効果がある。
−１４０４８０号公報に記載のように、イオン源からの
イオンビームをターゲットに照射し、そこから、四方に
飛散する粒子をターゲットの周囲を取り囲むように配置
された複数の基板に付着させる方法をとっていた。この
方法は、ターゲットの材料を無駄なく使用するという点
では効果がある。
しかしながら、一般にスパッタされた粒子の密度は、タ
ーゲットからの距離の２乗に逆比例して小さくなるため
、現在よく用いられている平行平板型のスパッタよりも
ターゲットと基板の距離を大きくしなければならないイ
オンビームスパッタでは、成膜速度が平行平枚型のスパ
ッタよりも遅くなるという問題がある。
ーゲットからの距離の２乗に逆比例して小さくなるため
、現在よく用いられている平行平板型のスパッタよりも
ターゲットと基板の距離を大きくしなければならないイ
オンビームスパッタでは、成膜速度が平行平枚型のスパ
ッタよりも遅くなるという問題がある。
即ち、上記従来技術は、成膜速度を高める手段について
配慮がされておらず、この技術で作成した膜が良好な特
性を示す場合でも、成膜速度が遅く、処理可能な面積が
小さいため、この技術を実際の製造プロセスで採用する
のが難しいという問題があった。
配慮がされておらず、この技術で作成した膜が良好な特
性を示す場合でも、成膜速度が遅く、処理可能な面積が
小さいため、この技術を実際の製造プロセスで採用する
のが難しいという問題があった。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、高速で、かつ、大面積の処理が可能なイオ
ンビームスパッタ装置を提供するにある。
るところは、高速で、かつ、大面積の処理が可能なイオ
ンビームスパッタ装置を提供するにある。
上記目的は、イオン源からのイオン照射によりスパッタ
される金属、絶縁物、半導体から選ばれた少なくとも１
つの粒子を放出するターゲットをイオン源側を底面とす
る円錐、又は多角錐の斜面の少なくとも一部となるよう
に複数個配置して形成し、このターゲットからスパッタ
される粒子を中心に集束することにより達成される。
される金属、絶縁物、半導体から選ばれた少なくとも１
つの粒子を放出するターゲットをイオン源側を底面とす
る円錐、又は多角錐の斜面の少なくとも一部となるよう
に複数個配置して形成し、このターゲットからスパッタ
される粒子を中心に集束することにより達成される。
通常、イオンビームがターゲットに照射されると、ター
ゲットの粒子が、スパッタリングと呼ばれる現象により
四方に放出される。しかし、スパッタされた粒子の多く
は、ターゲットから垂直、あるいは垂直からイオンビー
ムの入射方向に傾いて放出される。イオン源側を底面と
する円錐、又は多角錐の斜面の一部になるよう配置した
複数個のターゲットに、中心軸に平行にイオンビームを
入射させると、スパッタされた粒子の多くは上記円錐、
又は多角錐の中心軸を向って飛来する。スパッタされた
粒子はターゲットから離れるにつれて、その密度が低く
なるが、中心軸に向って粒子が集束されるため密度の低
下を補償できる。そして、基板をターゲットを構成する
円錐、又は多角錐と中心軸を共有し、より小さい底面積
の円錐、又は多角錐の一部に配置すれば、従来例のイオ
ンビームスパッタ装置の場合よりも高速の成膜が可能で
ある。
ゲットの粒子が、スパッタリングと呼ばれる現象により
四方に放出される。しかし、スパッタされた粒子の多く
は、ターゲットから垂直、あるいは垂直からイオンビー
ムの入射方向に傾いて放出される。イオン源側を底面と
する円錐、又は多角錐の斜面の一部になるよう配置した
複数個のターゲットに、中心軸に平行にイオンビームを
入射させると、スパッタされた粒子の多くは上記円錐、
又は多角錐の中心軸を向って飛来する。スパッタされた
粒子はターゲットから離れるにつれて、その密度が低く
なるが、中心軸に向って粒子が集束されるため密度の低
下を補償できる。そして、基板をターゲットを構成する
円錐、又は多角錐と中心軸を共有し、より小さい底面積
の円錐、又は多角錐の一部に配置すれば、従来例のイオ
ンビームスパッタ装置の場合よりも高速の成膜が可能で
ある。
以下、図面の実施例に基づいて本発明の詳細な説明する
。
。
第１図に本発明のイオンビームスパッタ装置の一実施例
を示す。
を示す。
該図に示す如く、イオンビームを発生するターゲット照
射用イオン源１は、気密を保って真空容器６に装着され
、その真空容器６は真空ポンプ（図示せず）に接続され
ている。イオン源１は。
射用イオン源１は、気密を保って真空容器６に装着され
、その真空容器６は真空ポンプ（図示せず）に接続され
ている。イオン源１は。
陽極電極を兼ねる容器１２、熱電子を出すためのフィラ
メント３、放電により生ずるプラズマ（電離気体）の拡
散を抑えるための磁界をつくるＮ極。
メント３、放電により生ずるプラズマ（電離気体）の拡
散を抑えるための磁界をつくるＮ極。
Ｓ極が交互に配置された永久磁石２、プラズマからイオ
ンのみを引き出すための多数の穴の開いたイオン引き出
し電極５、並びに高電位となる容器壁１２と接地電位で
ある真空容器６の電気的絶縁をとるための絶縁物４とか
ら成っている。また、真空容器６中でイオン源１の下流
側には、底面がイオン源１に対向している正６角錐の斜
面の一部となるように、ターゲット７が配置されている
。
ンのみを引き出すための多数の穴の開いたイオン引き出
し電極５、並びに高電位となる容器壁１２と接地電位で
ある真空容器６の電気的絶縁をとるための絶縁物４とか
ら成っている。また、真空容器６中でイオン源１の下流
側には、底面がイオン源１に対向している正６角錐の斜
面の一部となるように、ターゲット７が配置されている
。
この正６角錐と中心軸を共有する別の正６角錐の斜面の
一部に、基板８が配置されている。この場合、ターゲッ
ト７が配置されている正６角錐の底面積は、基板８が配
置されている正６角錐の底面積よりも小さい、なお、基
板８（複数）はモータ９によって、上述した正６角錐の
中心軸のまわりに回転することができる。
一部に、基板８が配置されている。この場合、ターゲッ
ト７が配置されている正６角錐の底面積は、基板８が配
置されている正６角錐の底面積よりも小さい、なお、基
板８（複数）はモータ９によって、上述した正６角錐の
中心軸のまわりに回転することができる。
第２図は本実施例における動作を説明するためのもので
ある。まず、真空ポンプによりイオン源１、及び真空容
器６をＩ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ程度まで排気する。次
に、イオン源１にアルゴンガスを供給し、真空容器６の
側でＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ程度にする。
ある。まず、真空ポンプによりイオン源１、及び真空容
器６をＩ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒ程度まで排気する。次
に、イオン源１にアルゴンガスを供給し、真空容器６の
側でＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ程度にする。
フィラメント３を加熱して熱電子を出しながら、フィラ
メント３（陰極）と容器壁１２の間に５０Ｖの直流電圧
を印加すると、放電が起りプラズマが生成される。イオ
ン引き出し電極５には円環状に多数の小孔が開けられて
いるから、中空のイオンビームを引き出すことができる
。我々の実験では、２キロ電子ボルトのアルゴンイオン
を、２．５ｍＡ／ａｄ（垂直入射換算）の電流密度で引
き出せた。このイオンビームを、例えばアルミナのター
ゲット７に照射すると、ターゲット７からスパッタされ
る（弾出される）スパッタ粒子１１のうち、大半は上述
した正６角錐の中心軸に向って集束するように飛び出す
、基板８（例えばガラス）は、ターゲット７と中心軸の
間に置かれることになり、飛来するスパッタ粒子１１を
付着し膜が生成される。
メント３（陰極）と容器壁１２の間に５０Ｖの直流電圧
を印加すると、放電が起りプラズマが生成される。イオ
ン引き出し電極５には円環状に多数の小孔が開けられて
いるから、中空のイオンビームを引き出すことができる
。我々の実験では、２キロ電子ボルトのアルゴンイオン
を、２．５ｍＡ／ａｄ（垂直入射換算）の電流密度で引
き出せた。このイオンビームを、例えばアルミナのター
ゲット７に照射すると、ターゲット７からスパッタされ
る（弾出される）スパッタ粒子１１のうち、大半は上述
した正６角錐の中心軸に向って集束するように飛び出す
、基板８（例えばガラス）は、ターゲット７と中心軸の
間に置かれることになり、飛来するスパッタ粒子１１を
付着し膜が生成される。
第３図を用いて、ターゲット７からスパッタされた粒子
が中心軸に向って集束される様子を説明する。わかり易
くするために、ターゲット７のなす正６角錐と基板８の
なす正６角錐の斜面と中心軸がほぼ平行な場合について
述べる。同図（Ａ）は本実施例の場合を示し、同図（Ｂ
）は従来例の１ターゲツト１基板の場合をそれぞれ示し
ている。
が中心軸に向って集束される様子を説明する。わかり易
くするために、ターゲット７のなす正６角錐と基板８の
なす正６角錐の斜面と中心軸がほぼ平行な場合について
述べる。同図（Ａ）は本実施例の場合を示し、同図（Ｂ
）は従来例の１ターゲツト１基板の場合をそれぞれ示し
ている。
図中、Ｔｉ、Ｓｉ （ｉ＝１〜６）は、それぞれ１番目
のターゲット、基板を表わしている。第３図（Ｂ）の場
合は、ターゲットＴ１から基板Ｓ１に飛来するスパッタ
粒子のみで成膜されるが、第３図（Ａ）の場合は、基板
Ｓ工にはターゲットＴｔばかりでなく、Ｔ２．ＴＢら飛
来するスパッタ粒子によっても成膜される。従って、第
３図（Ａ）の場合のほうが、第３図（Ｂ）の場合よりも
高速で成膜される。
のターゲット、基板を表わしている。第３図（Ｂ）の場
合は、ターゲットＴ１から基板Ｓ１に飛来するスパッタ
粒子のみで成膜されるが、第３図（Ａ）の場合は、基板
Ｓ工にはターゲットＴｔばかりでなく、Ｔ２．ＴＢら飛
来するスパッタ粒子によっても成膜される。従って、第
３図（Ａ）の場合のほうが、第３図（Ｂ）の場合よりも
高速で成膜される。
我々の行なった実験によれば、本実施例のようにターゲ
ット７と基板８を正６角錐の斜面に配置したほうが、従
来例の１ターゲツト１基板で成膜するより６５％程高い
成膜速度が得られた。前者の場合、生成された膜の均一
性ま±８％で、後者と同程度であった。
ット７と基板８を正６角錐の斜面に配置したほうが、従
来例の１ターゲツト１基板で成膜するより６５％程高い
成膜速度が得られた。前者の場合、生成された膜の均一
性ま±８％で、後者と同程度であった。
尚、基板８を上述した正６角錐の中心軸のまわりに回転
させたり、あるいは、６つの基板８のそれぞれを自転さ
せることで、生成された膜の均一性を向上させることも
できる。また、均一性を更に向上させる手段としては、
基板８を基板支持体に対して首振り運動をさせたり、あ
るいは基板全体を上下に運動させる方法もある。
させたり、あるいは、６つの基板８のそれぞれを自転さ
せることで、生成された膜の均一性を向上させることも
できる。また、均一性を更に向上させる手段としては、
基板８を基板支持体に対して首振り運動をさせたり、あ
るいは基板全体を上下に運動させる方法もある。
本実施例では６枚の基板８に成膜しているが、更にイオ
ン源１の径を大きくし、それに応じてターゲット７を配
置すれば、更に多量の基板８に同時に成膜できる。また
、本実施例では、ターゲット８は平面状であるが、凹面
状に成形したターゲットを使用しても、スパッタ粒子を
集束する効果は平面状とほぼ同様である。
ン源１の径を大きくし、それに応じてターゲット７を配
置すれば、更に多量の基板８に同時に成膜できる。また
、本実施例では、ターゲット８は平面状であるが、凹面
状に成形したターゲットを使用しても、スパッタ粒子を
集束する効果は平面状とほぼ同様である。
このように本実施例によれば、ターゲット７からスパッ
タされた粒子を集束させることができ。
タされた粒子を集束させることができ。
基板８上には従来例よりも高速で成膜でき、かつ、多数
枚の基板に同時に成膜できるという効果がある。また、
スパッタされた粒子のうち、基板８に付着できなかった
粒子の多くは、他のターゲット７に戻るため、ターゲッ
ト７の利用効率が従来例より良い。更に、イオン源１か
ら中空のイオンビームを引き出しているので、不用な所
をスパッタして膜に不純物を混入させることが少ないと
いう利点がある。
枚の基板に同時に成膜できるという効果がある。また、
スパッタされた粒子のうち、基板８に付着できなかった
粒子の多くは、他のターゲット７に戻るため、ターゲッ
ト７の利用効率が従来例より良い。更に、イオン源１か
ら中空のイオンビームを引き出しているので、不用な所
をスパッタして膜に不純物を混入させることが少ないと
いう利点がある。
なお、本実施例では、６つのターゲットに同じ材質のも
のを使用したが、各ターゲットに異なるターゲットを配
置し、基板を上述した正６角錐の中心軸のまわりに回転
させ、又、必要に応じて停止させることにより多層膜を
成膜できる。
のを使用したが、各ターゲットに異なるターゲットを配
置し、基板を上述した正６角錐の中心軸のまわりに回転
させ、又、必要に応じて停止させることにより多層膜を
成膜できる。
第４図に本発明の第２の実施例を示す。該図の本実施例
では容器壁１２、永久磁石２、フィラメント３、絶縁物
４、イオンビーム引き出し電極５から成るイオン源１が
、真空ポンプに結合した真空容器６に装着され、この真
空容器６中に正６角錐の斜面の一部にターゲット７が配
置され、これと中心軸を共有した別の正６角錐の斜面の
一部に基板８が配置され、それがモータ９で中心軸のま
わりに回転できるのは第１図に示した実施例と同じであ
る。第１図に示した実施例と違っているのは、基板８に
対向する位置に基板照射用のイオン源１０が気密を保っ
て装着されている点である。
では容器壁１２、永久磁石２、フィラメント３、絶縁物
４、イオンビーム引き出し電極５から成るイオン源１が
、真空ポンプに結合した真空容器６に装着され、この真
空容器６中に正６角錐の斜面の一部にターゲット７が配
置され、これと中心軸を共有した別の正６角錐の斜面の
一部に基板８が配置され、それがモータ９で中心軸のま
わりに回転できるのは第１図に示した実施例と同じであ
る。第１図に示した実施例と違っているのは、基板８に
対向する位置に基板照射用のイオン源１０が気密を保っ
て装着されている点である。
この基板照射用イオン源１０の構造と動作は、第１図に
示した実施例で説明したターゲット７の照射用のイオン
源１と同じである。
示した実施例で説明したターゲット７の照射用のイオン
源１と同じである。
次に第５図を用いて本実施例の動作を説明する。
まず、２キロ電子ボルト程度のアルゴンビームの照射に
よりターゲット７からスパッタされた粒子１１は基板８
に付着する。それと同時に、基板照射用のイオン源１０
で発生したイオンビームで基板８を照射することにより
成膜する０例えば、ターゲット７としてシリコンを、基
板照射用のイオン源１０で発生するイオンビームを、３
００電子ボルト程度の窒素分子イオンを用いると窒化シ
リコンが生成される。
よりターゲット７からスパッタされた粒子１１は基板８
に付着する。それと同時に、基板照射用のイオン源１０
で発生したイオンビームで基板８を照射することにより
成膜する０例えば、ターゲット７としてシリコンを、基
板照射用のイオン源１０で発生するイオンビームを、３
００電子ボルト程度の窒素分子イオンを用いると窒化シ
リコンが生成される。
基板８に照射されるイオンビームは、一度基板８に付着
した膜の一部をスパッタすることもあるが、基板８に到
達した粒子の表面移動する促し、成膜を助ける効果もあ
る。成膜速度は、概略単位時間に基板８に到達するスパ
ッタ粒子１１の粒子数で決まるから、スパッタ粒子を上
述した正６角錐の中心軸に集束させる本実施例における
成膜速度は、従来例の１ターゲツト１基板の場合よりも
５０％程高くなる。また、本実施例では多数枚同時成膜
が容易であるのは第１図の実施例と同様である。
した膜の一部をスパッタすることもあるが、基板８に到
達した粒子の表面移動する促し、成膜を助ける効果もあ
る。成膜速度は、概略単位時間に基板８に到達するスパ
ッタ粒子１１の粒子数で決まるから、スパッタ粒子を上
述した正６角錐の中心軸に集束させる本実施例における
成膜速度は、従来例の１ターゲツト１基板の場合よりも
５０％程高くなる。また、本実施例では多数枚同時成膜
が容易であるのは第１図の実施例と同様である。
このように本実施例によれば、ターゲット７と同じ、又
は異なった組成の膜を、従来例よりも高速で成膜でき、
かつ、多数の基板８に同時に成膜できるという効果があ
る。なお、本実施例では、基板照射用のイオン［１０と
して中空のビームを引き出すイオン源を用いているため
、不用な所をスパッタして不純物を発生することが少な
いため、良好な膜特性が得られる。なお、同時に成膜す
る基板８の数を多くする時は、基板照射用のイオン源１
０の口径を大きくすればよい。
は異なった組成の膜を、従来例よりも高速で成膜でき、
かつ、多数の基板８に同時に成膜できるという効果があ
る。なお、本実施例では、基板照射用のイオン［１０と
して中空のビームを引き出すイオン源を用いているため
、不用な所をスパッタして不純物を発生することが少な
いため、良好な膜特性が得られる。なお、同時に成膜す
る基板８の数を多くする時は、基板照射用のイオン源１
０の口径を大きくすればよい。
第６図に本発明の第３の実施例を示す。該図に示す本実
施例では容器壁１２、永久磁石２、フィラメント３、絶
縁物４．イオンビーム引き出し電極５からなるイオン源
１が、真空ポンプに結合した真空容器６に装着され、こ
の真空容器６中にターゲット７が正６角錐の斜面の一部
になるよう配置されているのは、第１図に示した実施例
と同じである。第１図に示した実施例と違っているのは
、上述した正６角錐と中心軸を共有する別の正６角錐の
底面上に基板８を配置している点である。また、基板８
に対向して、基板照射用イオン源１０が装着されている
点は、第４図の実施例と同じである。
施例では容器壁１２、永久磁石２、フィラメント３、絶
縁物４．イオンビーム引き出し電極５からなるイオン源
１が、真空ポンプに結合した真空容器６に装着され、こ
の真空容器６中にターゲット７が正６角錐の斜面の一部
になるよう配置されているのは、第１図に示した実施例
と同じである。第１図に示した実施例と違っているのは
、上述した正６角錐と中心軸を共有する別の正６角錐の
底面上に基板８を配置している点である。また、基板８
に対向して、基板照射用イオン源１０が装着されている
点は、第４図の実施例と同じである。
このような本実施例の構成においてターゲット７、例え
ばシリコンに、２キロ電子ボルトのアルゴンイオンを照
射すると、シリコンのスパッタ粒子は、上述した正６角
錐の中心軸に向って飛ぶ。
ばシリコンに、２キロ電子ボルトのアルゴンイオンを照
射すると、シリコンのスパッタ粒子は、上述した正６角
錐の中心軸に向って飛ぶ。
本実施例の場合、１つのターゲット７から基板８に飛来
する粒子の密度は１両者がほぼ平行に配置されている時
に比較して小さくなるが、６つのターゲット７からスパ
ッタ粒子１１が飛来するため、基板照射用のイオン源１
０から窒素イオンを照射した場合の、窒化シリコンの成
膜速度は、従来例の１ターゲツト１基板の場合の３倍程
度となる。
する粒子の密度は１両者がほぼ平行に配置されている時
に比較して小さくなるが、６つのターゲット７からスパ
ッタ粒子１１が飛来するため、基板照射用のイオン源１
０から窒素イオンを照射した場合の、窒化シリコンの成
膜速度は、従来例の１ターゲツト１基板の場合の３倍程
度となる。
このように本実施例によれば、ターゲット７からスパッ
タされる粒子を中心軸に集束させることで、高速成膜が
できるという効果がある。
タされる粒子を中心軸に集束させることで、高速成膜が
できるという効果がある。
第７図は、本発明の第４の実施例を示す。該図に示す本
実施例ではイオン源１が真空容器６に装着され、この真
空容器６中に正６角錐の斜面の一部になるようターゲッ
ト７が配置されているのは。
実施例ではイオン源１が真空容器６に装着され、この真
空容器６中に正６角錐の斜面の一部になるようターゲッ
ト７が配置されているのは。
第１図に示した実施例と同じである。第１図に示した実
施例と違っているのは、ターゲット照射用のイオン源が
中空のビームを出すイオン源ではなく、円形のビームを
発生する小型のイオン源１３を６つ、円周上にほぼ等間
隔で配置している点である。
施例と違っているのは、ターゲット照射用のイオン源が
中空のビームを出すイオン源ではなく、円形のビームを
発生する小型のイオン源１３を６つ、円周上にほぼ等間
隔で配置している点である。
このような本実施例の構成において、２キロ電子ボルト
のアルゴンイオンで、アルミナのターゲット７を照射し
、ガラスの基板８に成膜すると、従来例の１ターゲツト
１基板の場合に比較して、５５％程高いアルミナ膜の成
膜速度が得られた。
のアルゴンイオンで、アルミナのターゲット７を照射し
、ガラスの基板８に成膜すると、従来例の１ターゲツト
１基板の場合に比較して、５５％程高いアルミナ膜の成
膜速度が得られた。
ただし、ターゲット７の利用効率は、第１図の実施例よ
りもやや低くなる。
りもやや低くなる。
このような本実施例においても、ターゲット７からスパ
ッタされる粒子を中心軸に集束させることにより、基板
８上に高速成膜でき、多数の基板に同時に成膜できると
いう効果がある。なお、本実施例における６枚のターゲ
ット７の材質を変えることも可能である。その際、円形
のビームを出すイオン源１３のそれぞれから、異なった
イオンエネルギーとイオン電流を引き出し、基板８を中
心軸のまわりに回転させることにより、各層の厚さが十
分制御された多層膜を生成できる。
ッタされる粒子を中心軸に集束させることにより、基板
８上に高速成膜でき、多数の基板に同時に成膜できると
いう効果がある。なお、本実施例における６枚のターゲ
ット７の材質を変えることも可能である。その際、円形
のビームを出すイオン源１３のそれぞれから、異なった
イオンエネルギーとイオン電流を引き出し、基板８を中
心軸のまわりに回転させることにより、各層の厚さが十
分制御された多層膜を生成できる。
以上の実施例では、ターゲット７及び基板８を。
正６角錐の一部に配置する場合について説明したが、正
６角錐のかわりに円錐の一部に配置しても同様の効果が
ある。また、ターゲット照射用のイオン源１，１３．基
板照射用のイオン源１０として電子衝撃型のイオン源を
用いて説明したが、高周波放電やマイクロ波放電でプラ
ズマを発生させる高周波イオン源、マイクロ波イオン源
を用いても同様の効果がある。
６角錐のかわりに円錐の一部に配置しても同様の効果が
ある。また、ターゲット照射用のイオン源１，１３．基
板照射用のイオン源１０として電子衝撃型のイオン源を
用いて説明したが、高周波放電やマイクロ波放電でプラ
ズマを発生させる高周波イオン源、マイクロ波イオン源
を用いても同様の効果がある。
以上説明した本発明のイオンビームスパッタ装置によれ
ば、イオン源からのイオン照射によりスパッタされた粒
子を放出するターゲットをイオン源側を底面とする円錐
又は多角錐の斜面の少なくとも一部となるように複数個
配置したものであるから、ターゲットからスパッタされ
る粒子を中心に集束できるため、高速で、大面積の処理
が可能なイオンビームスパッタ装置を得ることができる
。
ば、イオン源からのイオン照射によりスパッタされた粒
子を放出するターゲットをイオン源側を底面とする円錐
又は多角錐の斜面の少なくとも一部となるように複数個
配置したものであるから、ターゲットからスパッタされ
る粒子を中心に集束できるため、高速で、大面積の処理
が可能なイオンビームスパッタ装置を得ることができる
。
第１図は本発明のイオンビームスパッタ装置の一実施例
を断面して示す斜視図、第２図は第１図の断面図、第３
図（Ａ）は本実施例におけるターゲットからスパッタさ
れた粒子の集束される様子を示す図、第３図（Ｂ）は従
来例におけるスパッタされた粒子の集束される様子を示
す図、第４図は本発明の第２の実施例を断面図して示す
斜視図、第５図は第４図の断面図、第６図は本発明の第
３の実施例を断面して示す斜視図、第７図は本発明め第
４の実施例を真空容器を断面して示す斜視図である。 １．１３・・・ターゲット照射用のイオン源、６・・・
真空容器、７・・・ターゲット、８・・・基板、１０・
・・基板第１ 図 ！ 第４Ｌｉ７Ｉ ！ 第５ 口 ！ 第６０ 第７図
を断面して示す斜視図、第２図は第１図の断面図、第３
図（Ａ）は本実施例におけるターゲットからスパッタさ
れた粒子の集束される様子を示す図、第３図（Ｂ）は従
来例におけるスパッタされた粒子の集束される様子を示
す図、第４図は本発明の第２の実施例を断面図して示す
斜視図、第５図は第４図の断面図、第６図は本発明の第
３の実施例を断面して示す斜視図、第７図は本発明め第
４の実施例を真空容器を断面して示す斜視図である。 １．１３・・・ターゲット照射用のイオン源、６・・・
真空容器、７・・・ターゲット、８・・・基板、１０・
・・基板第１ 図 ！ 第４Ｌｉ７Ｉ ！ 第５ 口 ！ 第６０ 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部にプラズマを生成するイオン源と、該イオン源
と気密を保つたまま装着される真空容器と、該真空容器
内に配置され、前記イオン源からのイオンビームの照射
によりスパッタされた粒子を放出するターゲットと、該
ターゲットからの粒子により膜が生成される基板とを備
えたイオンビームスパッタ装置において、前記ターゲッ
トは複数個から成り、それぞれのターゲットが前記イオ
ン源側を底面とする円錐、又は多角錐の斜面の少なくと
も一部で形成されるように配置されていることを特徴と
するイオンビームスパッタ装置。２、前記イオン源は、
放電により発生したプラズマを、永久磁石、あるいは電
磁石の作る磁界によつて閉じ込める電子衝撃型のイオン
源であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
イオンビームスパッタ装置。 ３、前記イオン源のプラズマを発生させる手段として高
周波放電、又はマイクロ波放電を用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のイオンビームスパッタ装
置。 ４、内部にプラズマを生成するイオン源と、該イオン源
と気密を保つたまま装着される真空容器と、該真空容器
内に配置され、前記イオン源からのイオンビームの照射
によりスパッタされた粒子を放出するターゲットを、該
ターゲットからの粒子により膜が生成される基板とを備
えたイオンビームスパッタ装置において、前記ターゲッ
トは複数個から成り、それぞれのターゲットが前記イオ
ン源側を底面とする円錐、又は多角錐の斜面の少なくと
も一部で形成されるように配置すると共に、前記基板を
前記各ターゲットと対向させて複数個配置したことを特
徴とするイオンビームスパッタ装置。 ５、前記基板は、前記ターゲットを構成する円錐、又は
多角錐の斜面よりもイオン源側で、かつ、ターゲットの
円錐、又は多角錐よりも小さい底面積をもつ別の円錐、
又は多角錐の斜面、あるいは底面の少なくとも一部とな
るように配置されていることを特徴とする特許請求の範
囲第４項記載のイオンビームスパッタ装置。 ６、内部にプラズマを生成するイオン源と、該イオン源
と気密を保つたまま装着される真空容器と、該真空容器
内に配置され、前記イオン源からのイオンビームの照射
によりスパッタされた粒子を放出するターゲットと、該
ターゲットからの粒子により膜が生成される基板とを備
えたイオンビームスパッタ装置において、前記ターゲッ
トは複数個から成り、それぞれのターゲットが前記イオ
ン源側を底面とする円錐、又は多角錐の斜面の少なくと
も一部で形成されるように配置すると共に、前記基板を
前記ターゲットのほぼ底面上に配置したことを特徴とす
るイオンビームスパッタ装置。 ７、内部にプラズマを生成するイオン源と、該イオン源
と気密を保つたまま装着される真空容器と、該真空容器
内に配置され、前記イオン源からのイオンビームの照射
によりスパッタされた粒子を放出するターゲットと、該
ターゲットからの粒子により膜が生成される基板とを備
えたイオンビームスパッタ装置において、前記ターゲッ
トは複数個から成り、それぞれターゲットが前記イオン
源側を底面とする円錐、又は多角錐の斜面の少なくとも
一部で形成されるように配置すると共に、このターゲッ
トを照射するイオン源とは別に、前記基板を照射するた
めのイオン源を前記真空容器に設けたことを特徴とする
イオンビームスパッタ装置。 ８、前記基板をターゲットと対向させて配置すると共に
、この基板を照射するイオン源として中空のイオンビー
ムを発生し得るイオン源を用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第７項記載のイオンビームスパッタ装置。 ９、内部にプラズマを生成するイオン源と、該イオン源
と気密を保つたまま装着される真空容器と、該真空容器
内に配置され、前記イオン源からのイオンビームの照射
によりスパッタされた粒子を放出するターゲットと、該
ターゲットからの粒子により膜が生成される基板とを備
えたイオンビームスパッタ装置において、前記ターゲッ
トは、前記イオン源からのイオン照射側が少なくとも開
口するよう複数のターゲットから構成され、そのターゲ
ットの開口側に前記基板を配置したことを特徴とするイ
オンビームスパッタ装置。 １０、内部にプラズマを生成するイオン源と、該イオン
源と気密を保つたまま装着された真空容器と、該真空容
器内に配置され、前記イオン源からのイオンビームの照
射によりスパッタされた粒子を放出するターゲットを、
該ターゲットからの粒子により膜が生成される基板とを
備えたイオンビームスパッタ装置において、前記ターゲ
ットを、該ターゲットに前記イオン源からのイオンビー
ムを照射することによりスパッタされて放出する粒子が
真空容器のほぼ中心軸近傍に集束するように複数個配置
したことを特徴とするイオンビームスパッタ装置。 １１、内部にプラズマを生成するイオン源と、該イオン
源と気密を保つたまま装着される真空容器と該真空容器
内に配置され、前記イオン源からのイオンビームの照射
によりスパッタされた粒子を放出するターゲットと、該
ターゲットからの粒子により膜が生成される基板とを備
えたイオンビームスパッタ装置において、前記ターゲッ
トは材質の異る複数個から成り、それぞれのターゲット
が前記イオン源側を底面とする円錐、又は多角錐の斜面
の少なくとも一部で形成されるように配置されているこ
とを特徴とするイオンビームスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8096387A JPS63247367A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8096387A JPS63247367A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63247367A true JPS63247367A (ja) | 1988-10-14 |
| JPH0586476B2 JPH0586476B2 (ja) | 1993-12-13 |
Family
ID=13733168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8096387A Granted JPS63247367A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63247367A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2745010A1 (fr) * | 1996-02-20 | 1997-08-22 | Serole Michelle Paparone | Cible de pulverisation cathodique de forme tubulaire ou derivee, faite de plusieurs plaques longitudinales et sa methode de fabrication |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57174459A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-27 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | Formation of thin film |
| JPS6025212A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-08 | Hitachi Ltd | 磁性合金膜の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP8096387A patent/JPS63247367A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57174459A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-27 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | Formation of thin film |
| JPS6025212A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-08 | Hitachi Ltd | 磁性合金膜の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2745010A1 (fr) * | 1996-02-20 | 1997-08-22 | Serole Michelle Paparone | Cible de pulverisation cathodique de forme tubulaire ou derivee, faite de plusieurs plaques longitudinales et sa methode de fabrication |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0586476B2 (ja) | 1993-12-13 |
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