JPS63249367A - アモルフアスシリコンイメ−ジセンサ - Google Patents
アモルフアスシリコンイメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS63249367A JPS63249367A JP62083510A JP8351087A JPS63249367A JP S63249367 A JPS63249367 A JP S63249367A JP 62083510 A JP62083510 A JP 62083510A JP 8351087 A JP8351087 A JP 8351087A JP S63249367 A JPS63249367 A JP S63249367A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- light
- slit
- common electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明のアモルファスシリコンイメージセンサは、共通
電極の幅が極めて細いために生じる製造上の歩留まりの
低さと、個別電極間のリーク電流による画質劣化とを、
スリットを有する共通電極を用いることにより改善する
ように構成したものである。
電極の幅が極めて細いために生じる製造上の歩留まりの
低さと、個別電極間のリーク電流による画質劣化とを、
スリットを有する共通電極を用いることにより改善する
ように構成したものである。
本発明はアモルファスシリコンイメージセンサに係り、
特に受光素子の電極構造に関する。
特に受光素子の電極構造に関する。
近年、ファクシミリ等に用いられる画像読み取り装置を
小型化するために、密着型のイメージセンサの開発が行
われている。密着型のイメージセンサに用いられるアモ
ルファスシリコンイメージセンサは、原稿と同一幅に所
望の解像度で光検出素子を一列に配置し、原稿を接近さ
せて画像情報を読み取るものであって、イメージセンサ
の設置Ｊ、置を原稿面から数十ｍｎまで接近させること
ができる。゛ 〔従来の技術〕 第４図は、従来のアモルファスシリコンイメージセンサ
の構造図を示す。第４図（ａ）は平面図、第４図（ｂ）
は（８１図上の＾−Ａ゛断面図である。両図において、
基板１ （例えばガラス板で特に透明でなくともよい）
上に直線帯状の共通電極２を、クロムＣｒあるいはチタ
ンＴｉ等の部材を用いてスパッタリング法により厚み約
１０００人、幅約１００／ｆｆｉに成膜する。
小型化するために、密着型のイメージセンサの開発が行
われている。密着型のイメージセンサに用いられるアモ
ルファスシリコンイメージセンサは、原稿と同一幅に所
望の解像度で光検出素子を一列に配置し、原稿を接近さ
せて画像情報を読み取るものであって、イメージセンサ
の設置Ｊ、置を原稿面から数十ｍｎまで接近させること
ができる。゛ 〔従来の技術〕 第４図は、従来のアモルファスシリコンイメージセンサ
の構造図を示す。第４図（ａ）は平面図、第４図（ｂ）
は（８１図上の＾−Ａ゛断面図である。両図において、
基板１ （例えばガラス板で特に透明でなくともよい）
上に直線帯状の共通電極２を、クロムＣｒあるいはチタ
ンＴｉ等の部材を用いてスパッタリング法により厚み約
１０００人、幅約１００／ｆｆｉに成膜する。
その共通電極２に重ねて透明光導電膜としてアモルファ
スシリコン３の薄膜（厚み約ＩＪａ）を、モノシランガ
スのプラズマ化学気相成長法により成膜し、さらにその
上を共通電極２の長手方向に直交するようにアモルファ
スシリコン３を挟んで個別電極群４をすだれ状（１本の
厚み約１００ＯＡ、幅約１００ｍ）に列設する。
スシリコン３の薄膜（厚み約ＩＪａ）を、モノシランガ
スのプラズマ化学気相成長法により成膜し、さらにその
上を共通電極２の長手方向に直交するようにアモルファ
スシリコン３を挟んで個別電極群４をすだれ状（１本の
厚み約１００ＯＡ、幅約１００ｍ）に列設する。
この個別電極群４は、例えば酸化錫Ｓｎｕｇあるいはイ
ンジウム・スズ・オキサイド等の部材を用いて透明短冊
状に形成し、その短冊状の一端の所定寸法ｌが共通電極
２にそれぞれ重なるように配列したパターンで成膜形成
する。５はアモルファスシリコンイメージセンサを包む
ハウジングを示している。
ンジウム・スズ・オキサイド等の部材を用いて透明短冊
状に形成し、その短冊状の一端の所定寸法ｌが共通電極
２にそれぞれ重なるように配列したパターンで成膜形成
する。５はアモルファスシリコンイメージセンサを包む
ハウジングを示している。
以上の構成により、アモルファスシリコン３を挟む共通
電極２と個別電極群４との重なり部分の素子面積に対応
する単位光センサ群が一列に構成され、この単位光セン
サ群に沿って照射される光は、アモルファスシリコンイ
メージセンサによってイメージ信号として利用される。
電極２と個別電極群４との重なり部分の素子面積に対応
する単位光センサ群が一列に構成され、この単位光セン
サ群に沿って照射される光は、アモルファスシリコンイ
メージセンサによってイメージ信号として利用される。
従来のアモルファスシリコンイメージセンサに光が入射
されると、個別電極群４と共通電極２とが重なりあった
寸法ｌの部分は、光センサとして作用し素子毎に光電変
換された出力が個別電極群４の引き出し線を介して得ら
れる。
されると、個別電極群４と共通電極２とが重なりあった
寸法ｌの部分は、光センサとして作用し素子毎に光電変
換された出力が個別電極群４の引き出し線を介して得ら
れる。
ところが、共通電極２の幅が非常に細く、かつ長い（約
２２ｎｕｗ）ため、高抵抗となる上に製造工程で断線し
易い欠点がある。さらにアモルファスシリコン３を挟ん
で相隣接する個別電極間（図示する寸法りおよびＬ゛部
分に光が照射されるとアモルファスシリコン３が低抵抗
化するため、リーク電流が流れ、素子特性を劣化させる
原因となる。
２２ｎｕｗ）ため、高抵抗となる上に製造工程で断線し
易い欠点がある。さらにアモルファスシリコン３を挟ん
で相隣接する個別電極間（図示する寸法りおよびＬ゛部
分に光が照射されるとアモルファスシリコン３が低抵抗
化するため、リーク電流が流れ、素子特性を劣化させる
原因となる。
したがって、このリーク電流を排除するために寸法り部
分を遮光する必要がある。
分を遮光する必要がある。
従来の遮光のための技術は有機物質の膜、あるいは金属
性の膜を利用している。しかしながら、有機物質の膜は
光が若干透過する欠点があり、リーク電流の低減に限度
がある。
性の膜を利用している。しかしながら、有機物質の膜は
光が若干透過する欠点があり、リーク電流の低減に限度
がある。
金属性の膜を利用する場合は、まず絶縁膜を作りその上
に金属膜を成膜する必要があり、絶縁膜にピンホールな
どがあると、金属膜を介して個別電極４が短絡する欠点
があり、両者共にアモルファスシリコンイメージセンサ
の製造歩留まりを悪化させる欠点となる。
に金属膜を成膜する必要があり、絶縁膜にピンホールな
どがあると、金属膜を介して個別電極４が短絡する欠点
があり、両者共にアモルファスシリコンイメージセンサ
の製造歩留まりを悪化させる欠点となる。
本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、製造
歩留まりを向上せしめ、かつ光照射時の素子間リーク電
流の低減を行うための遮光手段の提供を目的とする。
歩留まりを向上せしめ、かつ光照射時の素子間リーク電
流の低減を行うための遮光手段の提供を目的とする。
本発明のアモルファスシリコンイメージセンサは第１図
〜第３図に示すように、基板１上にショットキバリア形
成用金属部材を用いたすだれ状の個別電極群４を成膜し
、該個別電極群４に重ねてアモルファスシリコン３を成
膜し、該アモルファスシリコン３の上に、前記各個別電
極４に直交する方向に所要幅を有する直線帯状の遮光性
金属膜からなる共通電極６を成膜し、かつ該共通電極６
の長手方向にスリット７を設け、該スリット７を通して
光を導入する構成を採用している。また、前記基板１に
透明部材を用いて透明基板１”を構成すると共に、前記
透明基板１゛上の積Ｎ薄膜の成膜順序を逆に形成し、前
記透明基板１′を介してスリット７に光を導入する構成
でもよい。
〜第３図に示すように、基板１上にショットキバリア形
成用金属部材を用いたすだれ状の個別電極群４を成膜し
、該個別電極群４に重ねてアモルファスシリコン３を成
膜し、該アモルファスシリコン３の上に、前記各個別電
極４に直交する方向に所要幅を有する直線帯状の遮光性
金属膜からなる共通電極６を成膜し、かつ該共通電極６
の長手方向にスリット７を設け、該スリット７を通して
光を導入する構成を採用している。また、前記基板１に
透明部材を用いて透明基板１”を構成すると共に、前記
透明基板１゛上の積Ｎ薄膜の成膜順序を逆に形成し、前
記透明基板１′を介してスリット７に光を導入する構成
でもよい。
本発明のアモルファスシリコンイメージセンサの構成に
よれば、共通電極６０幅Ｍを十分に大きくとることがで
きるので直流抵抗を低くでき製造が容易になる。また、
遮光性を有する共通電極６に設けたスリット７を通して
受光するため、必要領域のみ照射光を受けることができ
、かつアモルファスシリコン３を挟んで相隣接する個別
電極群４の寸法りおよびＬ゛部分完全に遮光できるので
個別電極群４相互間のリーク電流の発生を防止できる。
よれば、共通電極６０幅Ｍを十分に大きくとることがで
きるので直流抵抗を低くでき製造が容易になる。また、
遮光性を有する共通電極６に設けたスリット７を通して
受光するため、必要領域のみ照射光を受けることができ
、かつアモルファスシリコン３を挟んで相隣接する個別
電極群４の寸法りおよびＬ゛部分完全に遮光できるので
個別電極群４相互間のリーク電流の発生を防止できる。
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
なお、構成、動作の説明を理解し易くするために全図を
通じて同一部分には同一符号を付してその重複説明を省
略する。
通じて同一部分には同一符号を付してその重複説明を省
略する。
第Ｆ図は本発明のアモルファスシリコンイメージセンサ
の平面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ’断面図を示す。図
において、基板１上にショットキバリア形成用金属部材
（例えば酸化１１ｓｎＯ□あるいはインジウム・スズ・
オキサイド等を用い、特に透明部材でなくともよい）を
用いたすだれ状の個別電極群４を厚み約１０００人、幅
ｌ＝約１１００Ｊ１を成膜し、該個別電極群４に重ねて
透明光導電膜となるアモルファスシリコン３を、モノシ
ランガスのプラズマ化学気相成長法により厚み約１−に
成膜する。
の平面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ’断面図を示す。図
において、基板１上にショットキバリア形成用金属部材
（例えば酸化１１ｓｎＯ□あるいはインジウム・スズ・
オキサイド等を用い、特に透明部材でなくともよい）を
用いたすだれ状の個別電極群４を厚み約１０００人、幅
ｌ＝約１１００Ｊ１を成膜し、該個別電極群４に重ねて
透明光導電膜となるアモルファスシリコン３を、モノシ
ランガスのプラズマ化学気相成長法により厚み約１−に
成膜する。
６は共通電極であって、例えば幅Ｍの直線帯状の遮光性
金属膜となるクロムＣｒあるいはチタンＴｉ等の部材を
用い、その共通電極６の長手方向に幅５１＝約１００μ
のスリット７を設け、該スリット７の方向が個別電極群
４にそれぞれ直交するように前記アモルファスシリコン
３に重ねてスパッタリング法により厚み約１０００人に
成膜している。
金属膜となるクロムＣｒあるいはチタンＴｉ等の部材を
用い、その共通電極６の長手方向に幅５１＝約１００μ
のスリット７を設け、該スリット７の方向が個別電極群
４にそれぞれ直交するように前記アモルファスシリコン
３に重ねてスパッタリング法により厚み約１０００人に
成膜している。
この構成において、共通電極６０幅Ｍは自由に設定でき
るので、共通電極６としての直流抵抗値を低減できるの
みならず、共通電極６を保護する図示しないハウジング
に設けた別のスリットを介して光をスリット７に入射せ
しめると、必要領域のみ照射させることができ、かつア
モルファスシリコン３を挟んで相隣接する個別電極間寸
法りおよびＬ゛部分完全に遮光できるため、個別電極群
４の相互間のリーク電流の発生を防止できる。
るので、共通電極６としての直流抵抗値を低減できるの
みならず、共通電極６を保護する図示しないハウジング
に設けた別のスリットを介して光をスリット７に入射せ
しめると、必要領域のみ照射させることができ、かつア
モルファスシリコン３を挟んで相隣接する個別電極間寸
法りおよびＬ゛部分完全に遮光できるため、個別電極群
４の相互間のリーク電流の発生を防止できる。
第３図は本発明の他の実施例の断面構造図を示す。図に
おいて、１゛は透明基板（例えば硝子板等を用いる）で
あって、この上に第１図の成膜順序とは逆にスリット７
を有する遮光性の共通電極６から成膜し、その上に透明
光導電膜となるアモルファスシリコン３をに成膜し、該
アモルファスシリコン３の上に、前記スリット７に直交
する方向に個別電極群４を成膜している。
おいて、１゛は透明基板（例えば硝子板等を用いる）で
あって、この上に第１図の成膜順序とは逆にスリット７
を有する遮光性の共通電極６から成膜し、その上に透明
光導電膜となるアモルファスシリコン３をに成膜し、該
アモルファスシリコン３の上に、前記スリット７に直交
する方向に個別電極群４を成膜している。
また、透明基板１°を挟んでスリット７に対応する位置
のハウジング５”に幅Ｎの別のスリット８を設け、光を
該スリット８と透明基板ｌ゛を介して共通電極６のスリ
ット７に入射せしめると、第１図の場合と同様に必要領
域のみ照射させることができ、かつアモルファスシリコ
ン３を挟゛んで相隣接する個別電極間寸法りおよびＬ゛
部分完全に遮光できるため、個別電極群４の相互間のリ
ーク電流の発生を防止できる。
のハウジング５”に幅Ｎの別のスリット８を設け、光を
該スリット８と透明基板ｌ゛を介して共通電極６のスリ
ット７に入射せしめると、第１図の場合と同様に必要領
域のみ照射させることができ、かつアモルファスシリコ
ン３を挟゛んで相隣接する個別電極間寸法りおよびＬ゛
部分完全に遮光できるため、個別電極群４の相互間のリ
ーク電流の発生を防止できる。
以上詳細に説明したように本発明のアモルファスシリコ
ンイメージセンサによれば、アモルファスシリコンを挟
んで相隣接する個別電極間の不要照射部分は完全に遮光
できるため、個別電極群の相互間のリーク電流の発生を
防止でき、かつ共通電極の断線を低減する効果がある。
ンイメージセンサによれば、アモルファスシリコンを挟
んで相隣接する個別電極間の不要照射部分は完全に遮光
できるため、個別電極群の相互間のリーク電流の発生を
防止でき、かつ共通電極の断線を低減する効果がある。
第１図は本発明のアモルファスシリコンイメージセンサ
の平面構成図、 第２図は第１図のＢ−８’断面構成図、第３図は本発明
の他の実施例の断面構成図、第４図は従来のアモルファ
スシリコンイメージセンサの構造図を示す。 第１図〜第３図において、１は基板、１°は透明基板、
３はアモルファスシリコン、４は個別電極、６は共通電
極、７はスリットをそれぞれ示す。
の平面構成図、 第２図は第１図のＢ−８’断面構成図、第３図は本発明
の他の実施例の断面構成図、第４図は従来のアモルファ
スシリコンイメージセンサの構造図を示す。 第１図〜第３図において、１は基板、１°は透明基板、
３はアモルファスシリコン、４は個別電極、６は共通電
極、７はスリットをそれぞれ示す。
Claims (2)
- （１）基板（１）上にショットキバリア形成用金属部材
を用いたすだれ状の個別電極群（４）、アモルファスシ
リコン（３）が順次成膜され、さらに該アモルファスシ
リコン（３）の上に、前記各個別電極に直交する方向に
所要幅を有する直線帯状の遮光性金属膜からなる共通電
極（６）が成膜され、かつ該共通電極（６）の長手方向
にスリット（７）が設けられ、該スリット（７）を通し
て光が導入されるように構成されていることを特徴とす
るアモルファスシリコンイメージセンサ。 - （２）前記基板（１）は透明部材を用いた透明基板（１
′）であると共に、前記透明基板（１′）上の積層薄膜
の成膜順序を逆に形成し前記透明基板（１′）を介して
前記スリット（７）が光を導入するように構成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のア
モルファスシリコンイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083510A JPS63249367A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | アモルフアスシリコンイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083510A JPS63249367A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | アモルフアスシリコンイメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63249367A true JPS63249367A (ja) | 1988-10-17 |
Family
ID=13804481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62083510A Pending JPS63249367A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | アモルフアスシリコンイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63249367A (ja) |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP62083510A patent/JPS63249367A/ja active Pending
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