JPH0476511B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476511B2 JPH0476511B2 JP60135425A JP13542585A JPH0476511B2 JP H0476511 B2 JPH0476511 B2 JP H0476511B2 JP 60135425 A JP60135425 A JP 60135425A JP 13542585 A JP13542585 A JP 13542585A JP H0476511 B2 JPH0476511 B2 JP H0476511B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower electrode
- image sensor
- light
- upper electrode
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8057—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はイメージセンサに係り、特に隣接ビツ
ト間の相互干渉を抑制した高解像度の密着型イメ
ージセンサに関する。
ト間の相互干渉を抑制した高解像度の密着型イメ
ージセンサに関する。
［従来技術およびその問題点］
原稿と同一幅のセンサ部を有する長尺読み取り
素子を用いた密着型イメージセンサは、アモルフ
アスシリコン（ａ−Si）等のアモルフアス半導体
あるいは硫化カドミウム（CdS）−セレン化カド
ミウム（CdSe）等の多結晶薄膜等を光電変換層
として利用することにより、縮小光学系を必要と
しない大面積デバイスとしての使用が可能とな
り、小型の原稿読み取り装置等への幅広い利用が
注目されている。
素子を用いた密着型イメージセンサは、アモルフ
アスシリコン（ａ−Si）等のアモルフアス半導体
あるいは硫化カドミウム（CdS）−セレン化カド
ミウム（CdSe）等の多結晶薄膜等を光電変換層
として利用することにより、縮小光学系を必要と
しない大面積デバイスとしての使用が可能とな
り、小型の原稿読み取り装置等への幅広い利用が
注目されている。
このイメージセンサのセンサ部の基本構造の１
つとしてのサンドイツチ型センサがあげられる。
このサンドイツチ型センサは第６図に示す如く、
基板１０１上に形成された下部電極１０２と、透
光性の上部電極１０３とによつて光電変換器１０
４を挾んだもので、密着型イメージセンサにおい
ては、長尺基板上に、このサンドイツチ型センサ
が複数個（例えば、８ドツト／mmの場合日本工業
規格Ａ列４番用としては1728個、同規格Ｂ列４番
用としては2048個）並設されている。そして、正
確な読み取りを可能とするためには、これらのセ
ンサは互いに完全に独立であると共に、受光部の
面積も同一でなければならない。
つとしてのサンドイツチ型センサがあげられる。
このサンドイツチ型センサは第６図に示す如く、
基板１０１上に形成された下部電極１０２と、透
光性の上部電極１０３とによつて光電変換器１０
４を挾んだもので、密着型イメージセンサにおい
ては、長尺基板上に、このサンドイツチ型センサ
が複数個（例えば、８ドツト／mmの場合日本工業
規格Ａ列４番用としては1728個、同規格Ｂ列４番
用としては2048個）並設されている。そして、正
確な読み取りを可能とするためには、これらのセ
ンサは互いに完全に独立であると共に、受光部の
面積も同一でなければならない。
このため、長尺基板上における各センサの受光
面積の規定についてはいろいろな試みがなされて
いる。
面積の規定についてはいろいろな試みがなされて
いる。
例えば、最も基本的な密着型イメージセンサで
は第７図に示す如く下部電極１０２も光電変換層
１０４も各センサ毎に分割形成されると共に、透
光性の上部電極１０３も要部では分割形成され
て、下部電極１０２と透光性の上部電極１０３と
によつて光電変換層が挾まれた領域を受光面積
（センサ面積）として規定し、各センサを分離形
成している。
は第７図に示す如く下部電極１０２も光電変換層
１０４も各センサ毎に分割形成されると共に、透
光性の上部電極１０３も要部では分割形成され
て、下部電極１０２と透光性の上部電極１０３と
によつて光電変換層が挾まれた領域を受光面積
（センサ面積）として規定し、各センサを分離形
成している。
この構成では、下部電極の形成、光電変換層の
形成、上部電極の形成、これらすべてにフオトリ
ソエツチングプロセスを用いなければならず製造
工程が繁雑である上、パターンのずれ等により、
各センサの受光面積にばらつきが生じる等の不都
合があつた。また、上部電極形成のためのフオト
リソエツチングプロセス等において、マスクとの
境界にあたる部分で光電変換層の端部が汚染され
損傷を受けて信頼性の低下、歩留りの低下を生じ
るという問題もあつた。
形成、上部電極の形成、これらすべてにフオトリ
ソエツチングプロセスを用いなければならず製造
工程が繁雑である上、パターンのずれ等により、
各センサの受光面積にばらつきが生じる等の不都
合があつた。また、上部電極形成のためのフオト
リソエツチングプロセス等において、マスクとの
境界にあたる部分で光電変換層の端部が汚染され
損傷を受けて信頼性の低下、歩留りの低下を生じ
るという問題もあつた。
また、ノンドープのアモルフアスシリコンを光
電変換層として用いた密着型イメージセンサでは
アモルフアスシリコン自体が高抵抗（暗時の抵抗
率〜109Ωcm）であること利用して隣接ビツト間
（隣接する各センサ間）の分離（アイソレーシヨ
ン）を省略し、第８図に示す如く、例えば下部電
極のみを分割形成し、光導電体層１０４および上
部電極１０３は一体的に形成している。かかる構
成においても上部電極と下部電極との重なりによ
つて受光面積が規定され、フオトリソエツチング
プロセスは、下部電極の形成時に用いられるのみ
で、上部電極の着膜は、メタルマスク等を介して
パツタリング法等により選択的に行なわれ、製造
工程は簡略化されるが、メタルマスクの端部にあ
たる部分も下地の光導電体層が損傷を受け、これ
が製造歩留りの低下につながつていた。
電変換層として用いた密着型イメージセンサでは
アモルフアスシリコン自体が高抵抗（暗時の抵抗
率〜109Ωcm）であること利用して隣接ビツト間
（隣接する各センサ間）の分離（アイソレーシヨ
ン）を省略し、第８図に示す如く、例えば下部電
極のみを分割形成し、光導電体層１０４および上
部電極１０３は一体的に形成している。かかる構
成においても上部電極と下部電極との重なりによ
つて受光面積が規定され、フオトリソエツチング
プロセスは、下部電極の形成時に用いられるのみ
で、上部電極の着膜は、メタルマスク等を介して
パツタリング法等により選択的に行なわれ、製造
工程は簡略化されるが、メタルマスクの端部にあ
たる部分も下地の光導電体層が損傷を受け、これ
が製造歩留りの低下につながつていた。
また、隣接ビツト間の明瞭な絶縁がなされにく
く信号の隣接もれが生じたり、下部電極による規
定面積以上に受光面積が拡大してしまう等の問題
もあつた。
く信号の隣接もれが生じたり、下部電極による規
定面積以上に受光面積が拡大してしまう等の問題
もあつた。
これらの問題を解決するため、第９図に示す如
く、センサの構成部材そのものによつて受光面積
を規定するものではなく、遮光膜１０５によつて
規定する方法も考えられている。
く、センサの構成部材そのものによつて受光面積
を規定するものではなく、遮光膜１０５によつて
規定する方法も考えられている。
その１例では、第９図に示す如く下部電極１０
２を大きめのパターンで形成しておき、まず、セ
ンサの形成された基板表面全体を表面保護膜１０
７で被覆した後、遮光膜１０５を形成したもの
で、遮光膜のみによつて受光面積を規定してい
る。この場合、遮光膜に形成される窓部０のパタ
ーニングは精度を要するため、フオトリソエツチ
ング法等によつて行なわれる。
２を大きめのパターンで形成しておき、まず、セ
ンサの形成された基板表面全体を表面保護膜１０
７で被覆した後、遮光膜１０５を形成したもの
で、遮光膜のみによつて受光面積を規定してい
る。この場合、遮光膜に形成される窓部０のパタ
ーニングは精度を要するため、フオトリソエツチ
ング法等によつて行なわれる。
この場合、プロセスは複雑となるが、一応解像
度は高められる。しかしながら、更に高解像化
（〜32ドツト／mm）をめざす場合には隣接ビツト
間隔が狭まるため、遮光膜下の暗部の光導電部の
抵抗率が109Ωcmと十分に高いにも関わらず信号
もれが増加してくる。これは、例えば、24ドツ
ト／mmのセンサの受光面積がセンサピツチＰ（＝
41.6μｍ）に対して、80％の辺長を有する正方面
積として、ビツト間隔はｄ≦8.3μｍ、また32ドツ
ト／mmのセンサの場合Ｐ＝31.25μｍに対して、ｄ
≦6.25μｍと、極めてビツト間隔が狭くなつてし
まうことによるためで、この隣接ビツト間の信号
もれが、更に高解像化をなすのをはばむ重大な問
題となつていた。
度は高められる。しかしながら、更に高解像化
（〜32ドツト／mm）をめざす場合には隣接ビツト
間隔が狭まるため、遮光膜下の暗部の光導電部の
抵抗率が109Ωcmと十分に高いにも関わらず信号
もれが増加してくる。これは、例えば、24ドツ
ト／mmのセンサの受光面積がセンサピツチＰ（＝
41.6μｍ）に対して、80％の辺長を有する正方面
積として、ビツト間隔はｄ≦8.3μｍ、また32ドツ
ト／mmのセンサの場合Ｐ＝31.25μｍに対して、ｄ
≦6.25μｍと、極めてビツト間隔が狭くなつてし
まうことによるためで、この隣接ビツト間の信号
もれが、更に高解像化をなすのをはばむ重大な問
題となつていた。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、
下部電極と上部電極とによつて光電変換層を挾ん
だサンドイツチ形のイメージセンサにおいて、下
部電極と上部電極との重なり合う部分の幅が光入
射量制御用の遮光体に形成される窓の幅よりも小
さくなるように構成している。
下部電極と上部電極とによつて光電変換層を挾ん
だサンドイツチ形のイメージセンサにおいて、下
部電極と上部電極との重なり合う部分の幅が光入
射量制御用の遮光体に形成される窓の幅よりも小
さくなるように構成している。
望ましくは、下部電極が遮光膜の窓端部よりも
約15μｍ縮小された幅となるようにする。
約15μｍ縮小された幅となるようにする。
［作用］
本発明者らは、種々の実験の結果例えば、下部
電極を分割電極とした場合、下部電極面積よりも
大きな範囲で光電流を取り出すことができる、す
なわち、有効センサ面積は、下部電極面積以上に
拡大されているという事実を確認した。
電極を分割電極とした場合、下部電極面積よりも
大きな範囲で光電流を取り出すことができる、す
なわち、有効センサ面積は、下部電極面積以上に
拡大されているという事実を確認した。
この実験は、第２図ａおよびｂ（第２図ｂは第
２図ａのＢ−Ｂ断面図）に示すように、絶縁性の
基板１１上にクロム薄膜パターンからなる下部電
極１２、膜厚1μｍの水素化アモルフアスシリコ
ン層からなる光電変換層１３、酸化インジウム錫
（ITO）からなる上部電極１４を順次積層せしめ
てなるサンドイツチ形のイメージセンサを形成
し、下部電極の先端から距離ｄだけ離間した点〜
Ｐに対し、光照射を行ない光電流を測定するもの
で、このときの距離ｄ（μｍ）と単位面積・単位
照度下で収集可能な光電流量（10-16A／1x・μ
m2）との関係をプロツトしたものを第３図に示
す。ここで、横軸は下部電極端から測定点までの
距離ｄ、縦軸は単位面積・単位照度下で収集可能
な光電流量を示すものである。ここで点線ａは、
非サンドイツチ部（下部電極の存在しない部分す
なわちｄ＞０の部分）から流れ込む電流の90％が
取り込まれる境界距離dmagまでの平均電流−
6.50×10-16A／1x・μm2を示す。
２図ａのＢ−Ｂ断面図）に示すように、絶縁性の
基板１１上にクロム薄膜パターンからなる下部電
極１２、膜厚1μｍの水素化アモルフアスシリコ
ン層からなる光電変換層１３、酸化インジウム錫
（ITO）からなる上部電極１４を順次積層せしめ
てなるサンドイツチ形のイメージセンサを形成
し、下部電極の先端から距離ｄだけ離間した点〜
Ｐに対し、光照射を行ない光電流を測定するもの
で、このときの距離ｄ（μｍ）と単位面積・単位
照度下で収集可能な光電流量（10-16A／1x・μ
m2）との関係をプロツトしたものを第３図に示
す。ここで、横軸は下部電極端から測定点までの
距離ｄ、縦軸は単位面積・単位照度下で収集可能
な光電流量を示すものである。ここで点線ａは、
非サンドイツチ部（下部電極の存在しない部分す
なわちｄ＞０の部分）から流れ込む電流の90％が
取り込まれる境界距離dmagまでの平均電流−
6.50×10-16A／1x・μm2を示す。
この図からも明らかなように、約15μｍ程度下
部電極端から離間している点からも担当の光電流
を取り込み得ることが確認された。
部電極端から離間している点からも担当の光電流
を取り込み得ることが確認された。
そこで、本発明者らは、第４図にその模式図を
示す如く上記と同様に膜厚1μｍの水素化アモル
フアスシリコン層を光電変換層として用いたサン
ドイツチ形のイメージセンサを形成し、この上層
に窓２１を有する遮光膜２２を形成したものを用
い、窓２１の端からサンドイツチ部ｓまでの距離
（すなわち、非サンドイツチ部の距離）をｒとし、
このｒを変化させたとき、このイメージセンサの
単位面積あたり単位照度下で流れる光電流IP（P
Ａ／lx・μm2）を測定した。この結果を第５図に
示す。この図は、窓の端部からサンドイツチ部ま
での距離ｒ（μｍ）を横軸に、このイメージセン
サの単位面積、単位照度下で流れる電流IP（PＡ／
lx・μm2）を縦軸にとつたものである。
示す如く上記と同様に膜厚1μｍの水素化アモル
フアスシリコン層を光電変換層として用いたサン
ドイツチ形のイメージセンサを形成し、この上層
に窓２１を有する遮光膜２２を形成したものを用
い、窓２１の端からサンドイツチ部ｓまでの距離
（すなわち、非サンドイツチ部の距離）をｒとし、
このｒを変化させたとき、このイメージセンサの
単位面積あたり単位照度下で流れる光電流IP（P
Ａ／lx・μm2）を測定した。この結果を第５図に
示す。この図は、窓の端部からサンドイツチ部ま
での距離ｒ（μｍ）を横軸に、このイメージセン
サの単位面積、単位照度下で流れる電流IP（PＡ／
lx・μm2）を縦軸にとつたものである。
この図からも明らかなように遮光体の窓端部よ
り下部電極の幅が約15μｍ縮小せしめられるよう
にしても実効センサ面積は窓の面積すなわち受光
面積となる。
り下部電極の幅が約15μｍ縮小せしめられるよう
にしても実効センサ面積は窓の面積すなわち受光
面積となる。
本発明は、この事実に着目してなされたもの
で、上述の如く構成することにより、実際の下部
電極の電極間距離すなわち間隙長をより大きくと
ることができるため、隣接ビツト間の相互干渉を
大幅に低減することができ、高解像度の密着型イ
メージセンサの形成が可能となる。
で、上述の如く構成することにより、実際の下部
電極の電極間距離すなわち間隙長をより大きくと
ることができるため、隣接ビツト間の相互干渉を
大幅に低減することができ、高解像度の密着型イ
メージセンサの形成が可能となる。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を参照しつ
つ詳細に説明する。
つ詳細に説明する。
本発明実施例の密着型イメージセンサは、第１
図ａおよびｂ（第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ断面
図）に示す如く、絶縁性のガラス基板１上にピツ
チＰ＝41.6μｍ、間隔ｒ＝28.2μｍ、ストライプ幅
Ｗ＝13.4μｍで多数個（24ドツト／mm）並設され
たストライプ状のクロム薄膜パターンからなる下
部電極２と、その上層に夫々帯状をなして順次積
層せしめられた膜厚1μｍの水素化アモルフアス
シリコン層からなる光電変換層３、酸化インジウ
ム錫層からなる透光性の上部電極４と、該上部電
極上に形成された保護膜５と、該保護膜上に前記
下部電極２のパターンが夫々中央にくるように穿
孔せしめられる１辺の長さａ＝33.3μｍの窓７を
有する酸化シリコン層からなる遮光膜６とから構
成されている。
図ａおよびｂ（第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ断面
図）に示す如く、絶縁性のガラス基板１上にピツ
チＰ＝41.6μｍ、間隔ｒ＝28.2μｍ、ストライプ幅
Ｗ＝13.4μｍで多数個（24ドツト／mm）並設され
たストライプ状のクロム薄膜パターンからなる下
部電極２と、その上層に夫々帯状をなして順次積
層せしめられた膜厚1μｍの水素化アモルフアス
シリコン層からなる光電変換層３、酸化インジウ
ム錫層からなる透光性の上部電極４と、該上部電
極上に形成された保護膜５と、該保護膜上に前記
下部電極２のパターンが夫々中央にくるように穿
孔せしめられる１辺の長さａ＝33.3μｍの窓７を
有する酸化シリコン層からなる遮光膜６とから構
成されている。
この密着型イメージセンサは、遮光膜６に形成
された窓７の１辺の長さａ＝33.3μｍの一辺から
10μｍずつ縮小された幅Ｗ＝13.4μｍ下部電極を用
いて構成されており、下部電極間の間隙も大であ
るため、24ドツト／mmのイメージセンサとして、
隣接ビツト間の相互干渉もなく高解像度で信頼性
の高いものとなつている。
された窓７の１辺の長さａ＝33.3μｍの一辺から
10μｍずつ縮小された幅Ｗ＝13.4μｍ下部電極を用
いて構成されており、下部電極間の間隙も大であ
るため、24ドツト／mmのイメージセンサとして、
隣接ビツト間の相互干渉もなく高解像度で信頼性
の高いものとなつている。
また、下部電極面積が減少するため、ほぼ、下
部電極面積に比例するように生じる暗時の電流値
が減少し、実効的な明暗出力比を増大することが
できる。
部電極面積に比例するように生じる暗時の電流値
が減少し、実効的な明暗出力比を増大することが
できる。
なお、実施例では、下部電極のパターンをスト
ライプ状としたが、必ずしもこれに限定されるこ
となく適宜選択可能である。
ライプ状としたが、必ずしもこれに限定されるこ
となく適宜選択可能である。
また、実施例においては、下部電極を分割電極
とし、透光性の上部電極を帯状の共通電極とした
ものについて述べたが、必ずしもこの構造に限定
されることなく、透光性の上部電極を分割電極と
し、下部電極を共通電極とした構造をはじめ、他
の構造にも適用可能である。
とし、透光性の上部電極を帯状の共通電極とした
ものについて述べたが、必ずしもこの構造に限定
されることなく、透光性の上部電極を分割電極と
し、下部電極を共通電極とした構造をはじめ、他
の構造にも適用可能である。
更に、光電変換層、下部電極、上部電極を構成
する物質の材質について適宜変更可能である。
する物質の材質について適宜変更可能である。
加えて、実施例の如く、24ドツト／mmと高密度
のイメージセンサのみならず低密度のものへの展
開も可能ではあるが、例えば光電変換層として水
素化アモルフアスシリコンを用いた場合でサンド
イツチ部分の縮小効果があるのはせいぜい15μｍ
であるため、あまり効果的ではない。
のイメージセンサのみならず低密度のものへの展
開も可能ではあるが、例えば光電変換層として水
素化アモルフアスシリコンを用いた場合でサンド
イツチ部分の縮小効果があるのはせいぜい15μｍ
であるため、あまり効果的ではない。
［効果］
以上説明してきたように、本発明によれば、上
部電極と下部電極とによつて光電変換層を挾んだ
サンドイツチ形のイメージセンサにおいて、下部
電極と上部電極との重なり合う部分が、窓の大き
さよりも小さくなるように光入射量制御用の遮光
体を形成しているため、隣接ビツト間の間隙を大
きくし、相互干渉をなくし、高解像度であつてか
ら信頼性の高いイメージセンサを提供することが
可能となる。
部電極と下部電極とによつて光電変換層を挾んだ
サンドイツチ形のイメージセンサにおいて、下部
電極と上部電極との重なり合う部分が、窓の大き
さよりも小さくなるように光入射量制御用の遮光
体を形成しているため、隣接ビツト間の間隙を大
きくし、相互干渉をなくし、高解像度であつてか
ら信頼性の高いイメージセンサを提供することが
可能となる。
また、暗電流が低減されるため、実効的な明暗
出力比を増大することができる。
出力比を増大することができる。
第１図ａおよびｂは、本発明実施例の密着型イ
メージセンサを示す図（第１図ｂは第１図ａのＡ
−Ａ断面図）、第２図ａおよびｂは、測定に用い
たイメージセンサと光照射位置との関係を示す
図、第３図は、第２図ａおよびｂに示したイメー
ジセンサの光照射点から下部電極の先端までの距
離ｄと単位面積・単位照度下で収集可能な光電流
量Ｉとの関係を示す図、第４図は、遮光膜に形成
される窓の端部からサンドイツチ部ｓまでの距離
ｒを示す模式図、第５図は、第４図のｒとこのイ
メージセンサの単位面積・単位照度下で流れる光
電流IPとの関係を示す図、第６図乃至第９図は
夫々、従来例のイメージセンサを示す図である。 １０１……基板、１０２……下部電極、１０３
……上部電極、１０４……光電変換層、１０５…
…遮光膜、１０７……表面保護膜、１１……基
板、１２……下部電極、１３……光電変換層、１
４……上部電極、Ｐ……光照射点、１……ガラス
基板、２……下部電極、３……光電変換層、４…
…上部電極、５……保護膜、６……遮光膜、７…
…窓。
メージセンサを示す図（第１図ｂは第１図ａのＡ
−Ａ断面図）、第２図ａおよびｂは、測定に用い
たイメージセンサと光照射位置との関係を示す
図、第３図は、第２図ａおよびｂに示したイメー
ジセンサの光照射点から下部電極の先端までの距
離ｄと単位面積・単位照度下で収集可能な光電流
量Ｉとの関係を示す図、第４図は、遮光膜に形成
される窓の端部からサンドイツチ部ｓまでの距離
ｒを示す模式図、第５図は、第４図のｒとこのイ
メージセンサの単位面積・単位照度下で流れる光
電流IPとの関係を示す図、第６図乃至第９図は
夫々、従来例のイメージセンサを示す図である。 １０１……基板、１０２……下部電極、１０３
……上部電極、１０４……光電変換層、１０５…
…遮光膜、１０７……表面保護膜、１１……基
板、１２……下部電極、１３……光電変換層、１
４……上部電極、Ｐ……光照射点、１……ガラス
基板、２……下部電極、３……光電変換層、４…
…上部電極、５……保護膜、６……遮光膜、７…
…窓。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上部電極と下部電極とによつて光電変換層と
してのアモルフアス半導体層を挾むと共に、該上
部電極上に受光面積を規定するための窓を有する
遮光体を具えたサンドイツチ形のイメージセンサ
において、 前記下部電極と上部電極との重なり合う部分
が、前記窓よりも小さくなるようにしたことを特
徴とするイメージセンサ。 ２ 前記アモルフアス半導体層が水素化アモルフ
アスシリコン層であつて、前記重なり合う部分の
幅方向の端部が前記窓の端部から最大15μｍ内側
にくるようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のイメージセンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135425A JPS61292961A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | イメ−ジセンサ |
| US06/875,411 US4739178A (en) | 1985-06-21 | 1986-06-17 | Image sensor having over-sized window |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60135425A JPS61292961A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292961A JPS61292961A (ja) | 1986-12-23 |
| JPH0476511B2 true JPH0476511B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15151429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60135425A Granted JPS61292961A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | イメ−ジセンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4739178A (ja) |
| JP (1) | JPS61292961A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894700A (en) * | 1985-04-09 | 1990-01-16 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor |
| US4855802A (en) * | 1986-10-20 | 1989-08-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Contact type image sensor |
| DE3903699A1 (de) * | 1988-02-08 | 1989-08-17 | Ricoh Kk | Bildsensor |
| GB9301405D0 (en) * | 1993-01-25 | 1993-03-17 | Philips Electronics Uk Ltd | An image sensor |
| TWI600125B (zh) * | 2015-05-01 | 2017-09-21 | 精材科技股份有限公司 | 晶片封裝體及其製造方法 |
| US11559216B1 (en) * | 2016-08-12 | 2023-01-24 | Apple Inc. | Integrated photodiode |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4141024A (en) * | 1975-09-25 | 1979-02-20 | Sony Corporation | Solid state image sensing device |
| US4354104A (en) * | 1980-05-06 | 1982-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup device |
| US4607168A (en) * | 1982-07-09 | 1986-08-19 | Hitachi, Ltd. | Photosensor array devices |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP60135425A patent/JPS61292961A/ja active Granted
-
1986
- 1986-06-17 US US06/875,411 patent/US4739178A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61292961A (ja) | 1986-12-23 |
| US4739178A (en) | 1988-04-19 |
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