JPS63250213A - ドライブ回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は電力変換装置における自己消弧形素子のドラ
イブ回路に関するものである。

〔従来の技術〕

第３図は例えば電気学会技術報告（１１部）第１６２号
電力変換装置における自己消弧形素子応用の技術動向（
昭和５９年１月２０日電気学会発行）ｐＨ３，１９図を
要約して示した従来のドライブ回路の回路図である。図
において、１，２゜３はトランジスタで、トランジスタ
１はトランジスタ２をオンする信号を与えるためのもの
であシ、トランジスタ３はトランジスタ２をオフする時
、トランジスタ２のベース−エミッタ間に逆バイアスを
与えるためのものでらる。４，５は直流電源。

６は抵抗器である。

次に動作について説明する。自己消弧形素子であるトラ
ンジスタ２をオンする時は第２の半導体スイッチング素
子である。トランジスタ３はオフの状態にしておき、第
１の半導体スイッチング素子であるトランジスタ１をオ
ンにして、直流電源４によシ抵抗器５を通じてトランジ
スタ２にベース電流を流す。また、トランジスタ２をオ
フする時はターンオフ時間を短くするため、トランジス
タ１をオフすると共にトランジスタ３をオンにして直流
電源５よシトランジスタ２のベース一二ミツタ間に逆バ
イアスをかけ、残留蓄積キャリアを短時間に消滅させて
いる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のドライブ回路では、トランジスタ２をオフさせる
ときに逆バイアス回路の電線路が長い場合、電線路の浮
遊インダクタンスとトランジスタ２のベース−エミッタ
間のキャパシタンスとで逆バイアス電流が振動して正方
向のベース電流となることがあり、トランジスタ２が誤
点弧する恐れがあった。そこで振動を押えるために大き
な制動抵抗器を入れると、充分な逆バイアス電流が流れ
ずターンオフ時間が長くかかるなどの問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、逆バイアス電流の振動を押えて誤点弧を防止
するとともに充分な逆バイアス電流を流して自己消弧形
素子のターンオフ時間を短くすることができるドライブ
回路を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するだめの手段〕

この発明に係るドライブ回路は、逆バイアス回路に制動
抵抗器とダイオードを並列に接続し、逆バイアス′成流
がダイオードの順方向となるように接続したものである
。

〔作　用〕

この発明におけるドライブ回路は、逆バイアス電流に対
して順方向にダイオードが接続されているので、光分な
電流を流すことができるため残留蓄積キャリアを速く消
滅させてターンオフ時間を短縮させることができ、また
振動で電流が反転した場合はダイオードは逆方向となり
電流を阻止し、並列に接続されている制動抵抗器に流れ
て振動を押えて誤点弧を防止する。

〔実施例」 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す回路図で、第１図におい
て第３図と同一構成部分には同一符号を付してその説明
を省略する。

図において、７は振動を押える制動抵抗器、８は逆バイ
アス電流をバイパスさせるダイオードで、上記制動抵抗
器７に対して並列に接続されている。

次に動作について説明する。

トランジスタ２をオンさせる時はトランジスタ３をオフ
の状態にしておき、トランジスタ１をオンにして直流電
源４により抵抗器６を介してトランジスタ２にベース電
流を流す。また、トランジスタ２をオフさせる時はトラ
ンジスタ１をオフするとともにトランジスタ３をオンさ
せて直流電源５によりダイオード８に逆バイアス環流を
流す。

これによりトランジスタ２のベース−エミッタ間に逆バ
イアスが掛り残留蓄積キャリアを速く消滅させてターン
オフ時間を短縮させる。この際、逆バイアス電流が電線
路の浮遊インダクタンスとトランジスタ２のベース−エ
ミッタ間のキャパシタンスとにより振動して反転した場
合、ダイオード８は逆方向となり制動抵抗器γに電流が
流れ振動を押えて誤点弧を防止する。

なお、上記実施例ではバイポーラトランジスタの場合に
ついて説明したが、第２図に示すように半導体スイッチ
ング素子としてのバイポーラトランジスタ１．３に代え
てＭＯＳＦＥＴ１０．１１を設けると共に、自己消弧形
素子としてのバイポーラトランジスタ２に代えてＢｉ−
ＭＯ８ダーリントントランジスタ９を設け、この１３１
−ＭＯ８ダーリントントランジスタ９のＭＯＳＦＥＴに
よるドライブ回路の逆バイアス回路に制動抵抗器Ｔを挿
入し、この制動抵抗器７に並列に逆バイアス電流をバイ
パスさせるダイオード８を接続した場合も同様の効果を
奏する。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、ドライブ回路の逆バ
イアス回路に抵抗とダイオードとを挿入すると共に、こ
の抵抗に並列に逆バイアス電流をバイパスさせるダイオ
ードを接続するように構成したので、ターンオフ時間を
短くするとともに逆バイアス電流の振動を押えて誤点弧
を防止し、自己消弧形素子を安定に動作させることがで
きるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるドライブ回路を示す
回路図、第２図はこの考案の他の実施例によるドライブ
回路を示す回路図、第３図は従来のドライブ回路を示す
回路図である。 １．２．３はトランジスタ、４，５は直流電源、６は抵
抗器、７は制動抵抗器、８はダイオード、９はＢ１−Ｍ
ＯＳダーリントントランジスタ、１０゜１１はＭ　ＯＳ
　Ｉ！’　Ｅ　Ｔ　０ なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 特許出願人　　三菱電機株式会社 （外２名） 第１図 １．２．３　：　トラレジスタ ７：智］動Ｉ版；几渚象 ８：クイ万一ト 第２図 １０．１１：ＭＯ５ＦＥＴ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１および第２の半導体スイッチング素子を直列に接続
   したバイアス回路に自己消弧形素子のベースを接続し、
   上記第１あるいは第２の半導体スイッチング素子を交互
   にオンさせることにより上記自己消弧形素子をオン・オ
   フさせるようにしたドライブ回路において、抵抗とダイ
   オードとの並列回路を、上記ダイオードが順方向になる
   ように逆バイアス回路に直列に接続し、上記自己消弧形
   素子の誤点弧をなくすと共にターンオフ時間を短縮させ
   たことを特徴とするドライブ回路。