JPS63253600A - メモリ・セルの欠陥検出回路 - Google Patents
メモリ・セルの欠陥検出回路Info
- Publication number
- JPS63253600A JPS63253600A JP62088020A JP8802087A JPS63253600A JP S63253600 A JPS63253600 A JP S63253600A JP 62088020 A JP62088020 A JP 62088020A JP 8802087 A JP8802087 A JP 8802087A JP S63253600 A JPS63253600 A JP S63253600A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- port
- latch
- latch circuit
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はメモリ・セルの欠陥検出回路、特に書込みと読
出しが独立にできる2つのポートを有するメモリ回路(
−最にデュアルポート・メモリと云う)におけるメモリ
・セルの欠陥検出回路に関する。
出しが独立にできる2つのポートを有するメモリ回路(
−最にデュアルポート・メモリと云う)におけるメモリ
・セルの欠陥検出回路に関する。
従来、この種のメモリ・セルの欠陥検出回路は、1つの
アドレスの複数のメモリ・セルに対してそれぞれ任意の
値を書込むことを全アドレスに対して行ない、その後1
アドレスことに全アドレスに亘って読み出し、書き込ん
だ値と読み出した値とが一致するかを比較するように構
成されている。
アドレスの複数のメモリ・セルに対してそれぞれ任意の
値を書込むことを全アドレスに対して行ない、その後1
アドレスことに全アドレスに亘って読み出し、書き込ん
だ値と読み出した値とが一致するかを比較するように構
成されている。
しかし、上述した従来のメモリ・セルの欠陥検出回路は
、全アドレスに亘って書き込みを行ない、その後に全ア
ドレスに亘ってメモリ・セルの内容を読み出すというシ
リアルな動作によってテストを行なっているので、長時
間を要し、特に、大きな記憶容量をもっているメモリの
製品検査において、不良セルのないことを判定するため
に莫大なテスト時間がかかるので製品のコストを上昇さ
せると云う問題点を有している。
、全アドレスに亘って書き込みを行ない、その後に全ア
ドレスに亘ってメモリ・セルの内容を読み出すというシ
リアルな動作によってテストを行なっているので、長時
間を要し、特に、大きな記憶容量をもっているメモリの
製品検査において、不良セルのないことを判定するため
に莫大なテスト時間がかかるので製品のコストを上昇さ
せると云う問題点を有している。
本発明の目的は、デュアルポート・メモリにおいて書込
みを行ないつつ、別のアドレスの読出しを行なうことに
よりテスト時間を半減できるメモリ・セルの欠陥検出回
路を提供することにある。
みを行ないつつ、別のアドレスの読出しを行なうことに
よりテスト時間を半減できるメモリ・セルの欠陥検出回
路を提供することにある。
本発明のメモリ・セルの欠陥検出回路は、データの書込
みを行なう第1のポートと、このポートとは独立に読出
しを行なう第2のポートとを有するメモリ・セルをアレ
イ状に配列したメモリ回路の試験回路において、ライト
・アクセスしているアドレス情報を保持する第1のラッ
チ回路と、第1のラッチ回路のアドレス情報を受けてリ
ード・アクセクする第2のラッチ回路と、ライト・アク
セス中に前記第1のラッチ回路にラッチ信号を送出し、
次のライト・アクセス中に前記第2のラッチ回路にラッ
チ信号を送出するタイミング回路とを有して構成される
。
みを行なう第1のポートと、このポートとは独立に読出
しを行なう第2のポートとを有するメモリ・セルをアレ
イ状に配列したメモリ回路の試験回路において、ライト
・アクセスしているアドレス情報を保持する第1のラッ
チ回路と、第1のラッチ回路のアドレス情報を受けてリ
ード・アクセクする第2のラッチ回路と、ライト・アク
セス中に前記第1のラッチ回路にラッチ信号を送出し、
次のライト・アクセス中に前記第2のラッチ回路にラッ
チ信号を送出するタイミング回路とを有して構成される
。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明′の一実施例のブロック図で、メモリ回
路1と第1のデコーダ2と第2のデコーダ5と第1のラ
ッチ回路3と第2のラッチ回路4とタイミング回路6と
により構成されている。なおメモリ回路1は第1のデコ
ーダ2によって指定されたアドレス上のメモリ・セルに
データを書込むための第1のポート7、および第2のデ
コーダ5によって指定されたアドレス上のメモリ・セル
から第1のポート7とは独立してデータを読出すことの
できる第2のポート8を有している。
路1と第1のデコーダ2と第2のデコーダ5と第1のラ
ッチ回路3と第2のラッチ回路4とタイミング回路6と
により構成されている。なおメモリ回路1は第1のデコ
ーダ2によって指定されたアドレス上のメモリ・セルに
データを書込むための第1のポート7、および第2のデ
コーダ5によって指定されたアドレス上のメモリ・セル
から第1のポート7とは独立してデータを読出すことの
できる第2のポート8を有している。
第2図は第1のラッチ回路3および第2のラッチ回路4
のそれぞれに対するラッチ信号12および13の発生の
タイミング図である。
のそれぞれに対するラッチ信号12および13の発生の
タイミング図である。
次に、本発明のメモリ・セルの欠陥検出回路の動作を述
べると、まず、メモリ回路1に対して書き込みを行なう
、この書込みはライト・アクセスのアドレス情報9が第
1のデコーダ2に与えられてアドレスに対応する複数の
メモリ・セルが選ばれ、データバス14に指定された任
意の値が第1のポート7から与えられることにより行わ
れる。
べると、まず、メモリ回路1に対して書き込みを行なう
、この書込みはライト・アクセスのアドレス情報9が第
1のデコーダ2に与えられてアドレスに対応する複数の
メモリ・セルが選ばれ、データバス14に指定された任
意の値が第1のポート7から与えられることにより行わ
れる。
一方、この書き込み期間中に、タイミング回路6から第
2図に示すラッチ信号12が第1のラッチ回路3に与え
られ、その時のアドレス情報が第1のラッチ回路3にラ
ッチされる。続けて、メモリ回路1に対して書き込みを
行うと、前回と同様に、新しいライト・アクセスのアド
レス情報9が第1のデコーダ2に与えられて、新しいア
ドレスに対応するメモリ・セルが選ばれ、データバス1
4に指定された任意の値が前回と同様に第1のポート7
から与えられることにより行われる。その書き込み期間
中に、タイミング回路6から第2図に示すラッチ信号1
3が第2のラッチ回路4に対し与えられ、前の第1のラ
ッチ回路3にラッチされたアドレス情報が第2のラッチ
回路4にラッチされる。このラッチと同時にそのアドレ
ス情報をもとに第2のデコーダ5により前回に書き込ん
だアドレスのメモリ・セルを選び、書き込まれた値を第
2のポートからデータ出力15を介して読み出す。さら
に第1のラッチ回路3ではラッチ信号13によるラッチ
後、第2図に示すラッチ信号12が与えられ、その時の
ライト・アクセスのアドレス情報9を新しくラッチする
。
2図に示すラッチ信号12が第1のラッチ回路3に与え
られ、その時のアドレス情報が第1のラッチ回路3にラ
ッチされる。続けて、メモリ回路1に対して書き込みを
行うと、前回と同様に、新しいライト・アクセスのアド
レス情報9が第1のデコーダ2に与えられて、新しいア
ドレスに対応するメモリ・セルが選ばれ、データバス1
4に指定された任意の値が前回と同様に第1のポート7
から与えられることにより行われる。その書き込み期間
中に、タイミング回路6から第2図に示すラッチ信号1
3が第2のラッチ回路4に対し与えられ、前の第1のラ
ッチ回路3にラッチされたアドレス情報が第2のラッチ
回路4にラッチされる。このラッチと同時にそのアドレ
ス情報をもとに第2のデコーダ5により前回に書き込ん
だアドレスのメモリ・セルを選び、書き込まれた値を第
2のポートからデータ出力15を介して読み出す。さら
に第1のラッチ回路3ではラッチ信号13によるラッチ
後、第2図に示すラッチ信号12が与えられ、その時の
ライト・アクセスのアドレス情報9を新しくラッチする
。
このように、第1のポート7側から全アドレスのメモリ
・セルに対して連続的に書込みを行ない、一方ではポー
ト8側から1アクセス・サイクル遅れて前回書き込んだ
セルの内容を順次読出すことができ、書き込んだ値と読
み出した値とを比較することにより欠陥を検出すること
ができる。
・セルに対して連続的に書込みを行ない、一方ではポー
ト8側から1アクセス・サイクル遅れて前回書き込んだ
セルの内容を順次読出すことができ、書き込んだ値と読
み出した値とを比較することにより欠陥を検出すること
ができる。
そこで、実質上、テスト・サイクル数がほぼ半分になり
、試験時間が短縮できる。
、試験時間が短縮できる。
第3図は第1図の実施例に書込んだデータと読出したデ
ータとの比較回路を付加した場合のブロック図で、図中
1点鎖線で囲まれた部分は第1図と同じであるが、デー
タバス14の値をラッチするデータ用第1のラッチ回路
17とデータ用第2のラッチ回路18とコンパレータ1
9とが追加され、第1図のタイミング回路6にデータ用
第1および第2のラッチ回路17および18をラッチす
るラッチ信号20および21を有するタイミング図1i
1816が設けられている。
ータとの比較回路を付加した場合のブロック図で、図中
1点鎖線で囲まれた部分は第1図と同じであるが、デー
タバス14の値をラッチするデータ用第1のラッチ回路
17とデータ用第2のラッチ回路18とコンパレータ1
9とが追加され、第1図のタイミング回路6にデータ用
第1および第2のラッチ回路17および18をラッチす
るラッチ信号20および21を有するタイミング図1i
1816が設けられている。
第3図の動作について述べると、第1のポート7から書
込む任意の値をデータ用第1のラッチ回路17でラッチ
し、次のライト・サイクルでこのデータをデータ用第2
のラッチ回路18でラッチし、その後、新しい値をデー
タ用第1のラッチ回路17でラッチするように、ラッチ
信号20および21を発生している。そこで第2のラッ
チ回路18の出力23と第2のポートからのデータ出力
15とをコンパレータ19にかけることによって直ちに
欠陥検出結果が得られる。
込む任意の値をデータ用第1のラッチ回路17でラッチ
し、次のライト・サイクルでこのデータをデータ用第2
のラッチ回路18でラッチし、その後、新しい値をデー
タ用第1のラッチ回路17でラッチするように、ラッチ
信号20および21を発生している。そこで第2のラッ
チ回路18の出力23と第2のポートからのデータ出力
15とをコンパレータ19にかけることによって直ちに
欠陥検出結果が得られる。
以上説明したように本発明は、データの書込みと読み出
しとを行なう第1のポート側で、連続に書込みを行う動
作と、1アクセス・サイクル遅れてその値を連続して読
取る第2のポート側での動作とを同時に行うことにより
、従来のテスト・サイクル数がほぼ半分となり、試験時
間を約半分に短縮できる効果がある。
しとを行なう第1のポート側で、連続に書込みを行う動
作と、1アクセス・サイクル遅れてその値を連続して読
取る第2のポート側での動作とを同時に行うことにより
、従来のテスト・サイクル数がほぼ半分となり、試験時
間を約半分に短縮できる効果がある。
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図はラッ
チ信号のタイミング図、第3図は第1に比較回路を付加
したブロック図である。 1・・・メモリ回路、2・・・第1のデコーダ、3・・
・第1のラッチ回路、4・・・第2のラッチ回路、5・
・・第2のデコーダ、6,16・・・タイミング回路、
7・・・第1のポート、8・・・第2のポート、17・
・・データ用第1のラッチ回路、18・・・データ用第
2のラッチ回路、19・・・コンパレータ。
チ信号のタイミング図、第3図は第1に比較回路を付加
したブロック図である。 1・・・メモリ回路、2・・・第1のデコーダ、3・・
・第1のラッチ回路、4・・・第2のラッチ回路、5・
・・第2のデコーダ、6,16・・・タイミング回路、
7・・・第1のポート、8・・・第2のポート、17・
・・データ用第1のラッチ回路、18・・・データ用第
2のラッチ回路、19・・・コンパレータ。
Claims (1)
- データの書込みを行なう第1のポートと、このポート
とは独立に読出しを行なう第2のポートとを有するメモ
リ・セルをアレイ状に配列したメモリ回路の試験回路に
おいて、ライト・アクセスしているアドレス情報を保持
する第1のラッチ回路と、第1のラッチ回路のアドレス
情報を受けてリード・アクセクする第2のラッチ回路と
、ライト・アクセス中に前記第1のラッチ回路にラッチ
信号を送出し、次のライト・アクセス中に前記第2のラ
ッチ回路にラッチ信号を送出するタイミング回路とを有
することを特徴とするメモリ・セルの欠陥検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088020A JPH0668918B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | メモリ・セルの欠陥検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088020A JPH0668918B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | メモリ・セルの欠陥検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63253600A true JPS63253600A (ja) | 1988-10-20 |
| JPH0668918B2 JPH0668918B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=13931151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088020A Expired - Lifetime JPH0668918B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | メモリ・セルの欠陥検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668918B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04268298A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体記憶装置のテスト回路 |
| JP2013097827A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Fujitsu Ltd | 集積回路,試験回路,試験装置,及び試験方法 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP62088020A patent/JPH0668918B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04268298A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体記憶装置のテスト回路 |
| JP2013097827A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Fujitsu Ltd | 集積回路,試験回路,試験装置,及び試験方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0668918B2 (ja) | 1994-08-31 |
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