JPS63253644A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に素子領域等の電極間を
金属配線により接続する構造の半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体装置は、第３図に示すように、金
属配線４が、単層、多層及び集積度等にかかわらず同一
種類の金属材料で構成されていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の半導体装置は、金属配線４が、単層、多
層及び集積度にかかわらず同一種類の金属材料で形成さ
れているので、とくに電流集中が生じる箇所においては
、エレクトロマイグレーションにより配線寿命が低下し
製品の保証ができないという問題点がある。

また、エレクトロマイグレーション耐量の優れた金属を
金属配線４全体に使用すると、動作速度を重視する部分
では電気的特性が劣化するという欠点がある。

すなわち、単一種類の金属材料で全金属配線４を形成し
た場合には、エレクトロマイグレーション耐量呼び動作
速度等を含む電気付特性を同時に満足することができな
いという欠点がある。

本発明の目的は、エレクトロマイクレージョン耐量及び
動作速度等の電気的特性３同時に満足することができる
半導体装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板
に形成された素子領域と、前記半導体板上に絶縁膜を介
して形成され前記素子領域の所定の電極と接続する金属
配線とを有する半導体装置において、前記金属配線が、
エレクトロマイグレーション耐量及び動作速度を含む電
気的特性に応じ部分的に異なる材質の金属材料で形成さ
れた構造を有している。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
の断面図及び平面図である。

半導体基板１には拡散等により素子領域２が形成され、
この素子領域２を含む半導体基板１の表面には絶縁膜３
が形成されている。

この絶縁膜３」−に、素子領域２の電極の部分の絶縁膜
３を開孔し、この素子領域２の電極と接続する金属配線
４ａと、この金属配線４ａとつながりかつ金属配線４ａ
とは材質が異なる金属配線４ｂとが形成されている。

これら金属配線４ａ、４ｂの材質は、エレクトロマイグ
レーション耐量及び動作速度等の電気的特性により決定
される。

例えば、外部端子とボンディング接続するボンディング
部４１の周辺の金属配線４ｂは、電流が集中するので他
の部分の金属配線４ａの材料Ａｆｆとは異なり、Ａｅ中
にＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｇ等を添加してエレクトロマイ
グレーション耐量を向上させた金属材料で形成されてい
る。

第２図は本発明の第２つ実施例を示す断面図である。

この実施例は、金属配線４ｃ〜４ｆが二層構造になって
おり、それぞれの電気的特性に合せて４種類の金属材料
が使用されている。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、金属配線をエレクトロマ
イグレーション耐量、動作速度等の電気的特性に応じて
部分的に異なる材質の金属材料で形成することにより、
エレクトロマイグレーション耐量及び動作速度等の電気
的特性を同時に満足することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
の断面図及び平面図、第２図は本発明の第２の実施例を
示す断面図、第３図は従来の半導体装置の一例の断面図
である。 １・・・半導体基板、２・・・素子領域、３．３ａ。 ３ｂ・・・絶縁膜、４．４ａ〜４ｆ・・・金属配線、５
゜５ａ・・・表面保護膜、４１・・・ボンディング部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板と、この半導体基板に形成された素子領域
   と、前記半導体板上に絶縁膜を介して形成され前記素子
   領域の所定の電極と接続する金属配線とを有する半導体
   装置において、前記金属配線が、エレクトロマイグレー
   ション耐量及び動作速度を含む電気的特性に応じ部分的
   に異なる材質の金属材料で形成されたことを特徴とする
   半導体装置。