JPS63255855A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS63255855A JPS63255855A JP9036987A JP9036987A JPS63255855A JP S63255855 A JPS63255855 A JP S63255855A JP 9036987 A JP9036987 A JP 9036987A JP 9036987 A JP9036987 A JP 9036987A JP S63255855 A JPS63255855 A JP S63255855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective layer
- magneto
- layer
- optical recording
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関する
。
。
（従来の技術とその問題点）
光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能な、イレ
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体としては総合的な特性
から見て、希土類、遷移金属薄膜が最も優れているが、
致命的欠陥として耐食性に欠けるという欠点が挙げられ
る。
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体としては総合的な特性
から見て、希土類、遷移金属薄膜が最も優れているが、
致命的欠陥として耐食性に欠けるという欠点が挙げられ
る。
すなわち、腐食に伴ない高密度記録の必要条件である保
磁力の低下や高Ｓ／Ｎ比の必要条件であるカー回転角の
減少、誤り率の増加など多くの欠陥を露呈する事となる
。
磁力の低下や高Ｓ／Ｎ比の必要条件であるカー回転角の
減少、誤り率の増加など多くの欠陥を露呈する事となる
。
従来、その対策としては２つの方法がとられてきた。即
ち、 （ｉ）記録層に添加物を添加して耐食性を向上する。
ち、 （ｉ）記録層に添加物を添加して耐食性を向上する。
（ｉｉ ）記録層の両側に保護層を設は耐食性を向上す
る。
る。
本発明は、保護層を用いる方法に注目してなされたもの
である。
である。
すなわち、本発明の光磁気記録媒体は基本的に基板−保
護層一記録層一保護層の構成とされたものである。
護層一記録層一保護層の構成とされたものである。
以降の説明の便宜上基板と記録層との間の保護層を中間
保護層、記録層の基板と反対側に設けられた保護層を保
護層と呼ぶこととする。
保護層、記録層の基板と反対側に設けられた保護層を保
護層と呼ぶこととする。
保護層や中間保護層としてはへ２□０３等の高融点酸化
物やＳｔＮやＡｆＮ等の高融点チッ化物等が提案されて
いる。
物やＳｔＮやＡｆＮ等の高融点チッ化物等が提案されて
いる。
しかしながら、これらの物質には、夫々問題点があり、
中間保ａｍと保護層の両層を構成するに満足なものは見
出されていない。
中間保ａｍと保護層の両層を構成するに満足なものは見
出されていない。
これは、中間保護層として必要な物性は、記録層と反応
しないこと、基板との密着性が良いこと、透明性に優れ
ること、屈折率の大きいこと、ガスバリヤ−性に優れる
こと等であるのに対し、保護層としての必要物性は、記
録層と反応しないこと、ガスバリヤ−性に優れること等
は共通するが、透明性や屈折率は要件とせず、むしろ熱
伝導率の低いことがより重要となり、必要物性が夫々異
なるためである。
しないこと、基板との密着性が良いこと、透明性に優れ
ること、屈折率の大きいこと、ガスバリヤ−性に優れる
こと等であるのに対し、保護層としての必要物性は、記
録層と反応しないこと、ガスバリヤ−性に優れること等
は共通するが、透明性や屈折率は要件とせず、むしろ熱
伝導率の低いことがより重要となり、必要物性が夫々異
なるためである。
本発明者等はこれらの保護層及び中間保護層に関し、種
々検討を行なった結果、中間保護層と保護層を特定の物
質で構成することにより記録感度が高く、ノイズの少な
い、また経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得られる
ことを見出した。
々検討を行なった結果、中間保護層と保護層を特定の物
質で構成することにより記録感度が高く、ノイズの少な
い、また経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得られる
ことを見出した。
一本発明の要旨は、基板上に中間保護層、光磁気記録層
および保護層を順次設けてなる光磁気記録媒体において
、中間保護層が（イ）アルミニウム酸化物、（ロ）タン
タル酸化物および（ハ）チッ化物からなる群から選択さ
れた少なくとも１つの化合物からなる層であり、保護層
がＳｉＯからなる層であることを特徴とする光磁気記録
媒体に存する。
および保護層を順次設けてなる光磁気記録媒体において
、中間保護層が（イ）アルミニウム酸化物、（ロ）タン
タル酸化物および（ハ）チッ化物からなる群から選択さ
れた少なくとも１つの化合物からなる層であり、保護層
がＳｉＯからなる層であることを特徴とする光磁気記録
媒体に存する。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹脂
を形成した基板等が挙げられる。
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹脂
を形成した基板等が挙げられる。
基板の厚みは１〜２１１１１１１程度が一般的である。
光磁気記録層としては、たとえば、ＴｂＦｅ、 ＴｂＦ
ｅＣｏ。
ｅＣｏ。
ＴｂＣｏ、 ＤｙＦｅＣｏなどの希土類と遷移金属の非
晶質磁性合金、及びＭｎＢ１． ＭｎＣｕＢ１などの多
結晶垂直磁化膜が用いられる。特に希土系の合金磁性膜
に用いて大変効果的である。光磁気記録層の膜厚は３０
０〜１５００人、好ましくは５００〜８００人である。
晶質磁性合金、及びＭｎＢ１． ＭｎＣｕＢ１などの多
結晶垂直磁化膜が用いられる。特に希土系の合金磁性膜
に用いて大変効果的である。光磁気記録層の膜厚は３０
０〜１５００人、好ましくは５００〜８００人である。
本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間にアル
ミニウム酸化物、タンタル酸化物またはチッ化物を含む
層を中間保護層として形成させる。
ミニウム酸化物、タンタル酸化物またはチッ化物を含む
層を中間保護層として形成させる。
アルミニウム酸化物としてはＡ ｆｆｉ ｚｏ３等、タ
ンタル酸化物としてはＴａ、０５等の酸化物単独あるい
はこれらの混合物、あるいはｌ／！ −Ｔａ−０の複合
酸化物等が挙げられる。また更にこれらに他の元素、例
えばＳｉ＋ Ｔｉ＋ Ｚｒ、 Ｉｔ４． Ｍｏ、 Ｙｂ
等が酸化物の形で単独あるいは＾４２．Ｔａと複合して
酸化物を形成していてもよい。これらのアルミニウム、
タンタルの酸化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入
を防ぎ、耐食性が貰く光磁気記録層との反応性も小であ
り、また、基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂
との密着性に優れる。
ンタル酸化物としてはＴａ、０５等の酸化物単独あるい
はこれらの混合物、あるいはｌ／！ −Ｔａ−０の複合
酸化物等が挙げられる。また更にこれらに他の元素、例
えばＳｉ＋ Ｔｉ＋ Ｚｒ、 Ｉｔ４． Ｍｏ、 Ｙｂ
等が酸化物の形で単独あるいは＾４２．Ｔａと複合して
酸化物を形成していてもよい。これらのアルミニウム、
タンタルの酸化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入
を防ぎ、耐食性が貰く光磁気記録層との反応性も小であ
り、また、基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂
との密着性に優れる。
チッ化物としては、具体的にはケイ素、アルミニウム、
ゲルマニウム等の金属のチッ化物あるいはこれらの２種
以上の複合チッ化物、又はこれらとニオブ、タンタル等
との複合チッ化物（ＳｉＮｂＮ。
ゲルマニウム等の金属のチッ化物あるいはこれらの２種
以上の複合チッ化物、又はこれらとニオブ、タンタル等
との複合チッ化物（ＳｉＮｂＮ。
５ｉＴａＮ等）が挙げられる。なかでもＳｉを含有する
チッ化物が良好な結果をもたらす。
チッ化物が良好な結果をもたらす。
チッ化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防ぎ、
それ自身が耐食性が高く光磁気記録層との反応性が小で
あり、また基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂
との密着性が高い。
それ自身が耐食性が高く光磁気記録層との反応性が小で
あり、また基板として樹脂基板を使用する場合にも樹脂
との密着性が高い。
光磁気記録層上にはＳｉＯからなる保護層を設けるが、
このＳｉ０層はＳｉＯ□より酸素が欠乏した状態のもの
である。このＳｉ０層は例えばスパッター法で作製する
場合ＳｉＯ（Ｓｔ ： ０ ＝約１：１）の焼結ターゲ
ットをＡｒ等の不活性ガスでスパッターするか、Ｓｔツ
タ−ットを通常ＳｉＯ□を得る条件よりＡｒ −０□混
合ガス中の０□量を少なくすることにより得られる。こ
のＳｉＯの生成は、同一製法で作成した場合ＳｉＯ□が
屈折率１．４〜１．５であるのに対しＳｉＯは１．８〜
２．３程度になることからも確認できる。具体的には、
Ａｒと０□のガス流量比Ｏｚ ／ Ａｒ ＋ Ｏｚ ＝
０．２〜０．５程度が一般的であるが作製する装置や
成膜速度にも大きく依存する。
このＳｉ０層はＳｉＯ□より酸素が欠乏した状態のもの
である。このＳｉ０層は例えばスパッター法で作製する
場合ＳｉＯ（Ｓｔ ： ０ ＝約１：１）の焼結ターゲ
ットをＡｒ等の不活性ガスでスパッターするか、Ｓｔツ
タ−ットを通常ＳｉＯ□を得る条件よりＡｒ −０□混
合ガス中の０□量を少なくすることにより得られる。こ
のＳｉＯの生成は、同一製法で作成した場合ＳｉＯ□が
屈折率１．４〜１．５であるのに対しＳｉＯは１．８〜
２．３程度になることからも確認できる。具体的には、
Ａｒと０□のガス流量比Ｏｚ ／ Ａｒ ＋ Ｏｚ ＝
０．２〜０．５程度が一般的であるが作製する装置や
成膜速度にも大きく依存する。
一般にＳｉＯの組成はＯが多ければ光磁気記録層と反応
し易く、少な過ぎるとクランクを生じ易いといった欠点
があるため、特にＯが０．５〜１．６程度が特に好まし
い範囲である。
し易く、少な過ぎるとクランクを生じ易いといった欠点
があるため、特にＯが０．５〜１．６程度が特に好まし
い範囲である。
基板上にアルミ酸化物、タンタル酸化物又はチッ化物の
保護層、光磁気記録層およびＳｉＯ保護層の各層を形成
するには、物理蒸着法（ＰＶＤ） 、プラズマＣＶＤの
ような化学蒸着法等が適用される。
保護層、光磁気記録層およびＳｉＯ保護層の各層を形成
するには、物理蒸着法（ＰＶＤ） 、プラズマＣＶＤの
ような化学蒸着法等が適用される。
ＰＶＤ法にて光磁気記録層やＳｉＯからなる保護層を成
膜形成するには、所定の組成をもったＳｉＯ焼結ターゲ
ット等を用いて電子ビーム蒸着またはスパッタリングに
より基板上に各層を堆積するのが通常の方法であるが、
電子ビーム蒸着の場合には高エネルギー粒子を膜に照射
しつつ蒸着するか、またスパッタリングの際にはＡｒガ
ス圧を低くすることにより膜の密度が上がり安定な膜が
得られるので好ましい。
膜形成するには、所定の組成をもったＳｉＯ焼結ターゲ
ット等を用いて電子ビーム蒸着またはスパッタリングに
より基板上に各層を堆積するのが通常の方法であるが、
電子ビーム蒸着の場合には高エネルギー粒子を膜に照射
しつつ蒸着するか、またスパッタリングの際にはＡｒガ
ス圧を低くすることにより膜の密度が上がり安定な膜が
得られるので好ましい。
また、反応性イオンブレーティング、反応性スパッタリ
ングにおいてＳｉターゲットを用いる方法も考えられる
。
ングにおいてＳｉターゲットを用いる方法も考えられる
。
膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎれ
ば生産性に影響するので通常０．１人／ｓｅｃ〜１００
人／ｓｅｃ、好ましくは１人／ｓｅｃ〜２０人／ｓｅｃ
とされる。
ば生産性に影響するので通常０．１人／ｓｅｃ〜１００
人／ｓｅｃ、好ましくは１人／ｓｅｃ〜２０人／ｓｅｃ
とされる。
ＳｉＯからなる保護層の膜厚は１０人〜５０００人程度
、好ましくは５０人〜１０００人程度から選ばれる。
、好ましくは５０人〜１０００人程度から選ばれる。
本発明においてはＳｉＯ保護層のほかに、Ｓｉ０層のガ
スバリヤ−性を補強するためＳｉＯ□などのケイ酸ガラ
ス層を５０〜１０００人程度ＳｉＯ層上に積層したり、
更に樹脂などをコーティングしてもよい、またチッ化物
層を中間保護層として用いる場合にはチッ化物層と基板
との間に１００〜３００人程度のＡ２□０３＋ ＳｔＯ
□とテフロンの混合膜等を下引き層として設けて接着性
を高めるのもよい。
スバリヤ−性を補強するためＳｉＯ□などのケイ酸ガラ
ス層を５０〜１０００人程度ＳｉＯ層上に積層したり、
更に樹脂などをコーティングしてもよい、またチッ化物
層を中間保護層として用いる場合にはチッ化物層と基板
との間に１００〜３００人程度のＡ２□０３＋ ＳｔＯ
□とテフロンの混合膜等を下引き層として設けて接着性
を高めるのもよい。
〔実施例］
実施例１
ポリカーボネート基板を用い、５インチφＡ２□０゜焼
結ターゲット上に、Ｔａ、Ｏ，の厚さ１鵬、径９ＩＩＩ
ｌｎφの焼結ベレットを配置し、Ａｒガス中でＲＦスパ
ッターを行ない８００人の中間保護膜を形成した。中間
保護膜のＡｊ！：Ｔａ比（原子比）は２：８であった。
結ターゲット上に、Ｔａ、Ｏ，の厚さ１鵬、径９ＩＩＩ
ｌｎφの焼結ベレットを配置し、Ａｒガス中でＲＦスパ
ッターを行ない８００人の中間保護膜を形成した。中間
保護膜のＡｊ！：Ｔａ比（原子比）は２：８であった。
４インチφのＳｉＯターゲットと、Ｔｂ１０ｍ１口×１
ｍｍ ｔの小片をＦｅターゲット上に配置したターゲ
ットを設置し、３ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ以下まで排気
した。
ｍｍ ｔの小片をＦｅターゲット上に配置したターゲ
ットを設置し、３ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ以下まで排気
した。
基板とターゲットの距離９５ｍｍ、Ａｒ流量３０ＳＣＣ
Ｍとする。スパッターガス圧３ ｎ＋ｔｏｒｒでプレス
バッターの後、直流電力（ＤＣ） ３００ Ｗで１分間
スパッターＬ１００Ｏ人のＴｂＦｅ膜を作製し、続いて
同一真空中でＡｒ流ｔ ３０ ＳＣＣＭ％スパッター圧
力３ ｍｔｏｒｒ高周波（ＲＦ）電力２００ＷでＳｉＯ
ターゲットをスパッター１． ＳｉＯ（Ｓｉ ：Ｏ＝約
１：１）膜を８００人堆積した。尚ＳｉＯのスパッター
速度は７人／ｓｅｃと高速であり、基板の変質はなかっ
た。
Ｍとする。スパッターガス圧３ ｎ＋ｔｏｒｒでプレス
バッターの後、直流電力（ＤＣ） ３００ Ｗで１分間
スパッターＬ１００Ｏ人のＴｂＦｅ膜を作製し、続いて
同一真空中でＡｒ流ｔ ３０ ＳＣＣＭ％スパッター圧
力３ ｍｔｏｒｒ高周波（ＲＦ）電力２００ＷでＳｉＯ
ターゲットをスパッター１． ＳｉＯ（Ｓｉ ：Ｏ＝約
１：１）膜を８００人堆積した。尚ＳｉＯのスパッター
速度は７人／ｓｅｃと高速であり、基板の変質はなかっ
た。
この光磁気記録媒体をＡＰＤ （アバランシェホトダイ
オード）非差動検出器をもった、動特性検出器により記
録感度、Ｃ／Ｎ比を測定した。記録感度は、２次歪みが
最小のところの記録パワーとした。
オード）非差動検出器をもった、動特性検出器により記
録感度、Ｃ／Ｎ比を測定した。記録感度は、２次歪みが
最小のところの記録パワーとした。
記録条件：ＣＬＶ（定線速度）４ｍ／ｓ半径５３ｍ位置
、溝間記録 記録周波数１．０ ＭＨｚ ｄｕｔｙ５０％ 再生条件： ＣＬＶ ４ ｍ／ ｓ 再生パワー０．８ｍＷ １６回の平均値 本実施例では記録感度２．３５ｍＷ、Ｃ／Ｎ比３４ｄＢ
であり、本実施例では比較例１に比べ記録パワーが２０
％向上し、Ｃ／Ｎ比は１ｄＢの低下にとどまった。
、溝間記録 記録周波数１．０ ＭＨｚ ｄｕｔｙ５０％ 再生条件： ＣＬＶ ４ ｍ／ ｓ 再生パワー０．８ｍＷ １６回の平均値 本実施例では記録感度２．３５ｍＷ、Ｃ／Ｎ比３４ｄＢ
であり、本実施例では比較例１に比べ記録パワーが２０
％向上し、Ｃ／Ｎ比は１ｄＢの低下にとどまった。
なお静特性としては、カー回転角測定においてカー回転
角０．１５°、反射率４４％、抗磁力２．４ＫＧのＴｂ
リッチ組成のヒステリシスをもっていた。
角０．１５°、反射率４４％、抗磁力２．４ＫＧのＴｂ
リッチ組成のヒステリシスをもっていた。
尚この構成の媒体を７０°Ｃ８５％ＲＨの高温高湿器に
２日問いれても剥離等の発生はなかった。
２日問いれても剥離等の発生はなかった。
比較例１
実施例１と同様にＴｂＦｅ層までを作製し、次に中間係
護膜と同じ組成の保護層を８００人形成した。
護膜と同じ組成の保護層を８００人形成した。
実施例１と同一の条件にて記録感度、Ｃ／Ｎ比を測定し
た所、記録感度２．８５ｍＷ、Ｃ／Ｎ比３５ｄＢであっ
た。（ＡＰＤ非差動系のかわりに差動光学系で再生した
場合、ＰＣＲでは一般に１０ｄＢのＣ／Ｎ比が向上する
ことが実験的にわかっている。）実施例２ ポリカーボネート（ＰＣＲ）基板上に、Ｓｉターゲット
をＡｒ ： Ｎ、流量比１：５で反応性スパッターする
ことによりＳｉＮ膜を８００人設け、次にＴｂＦｅＣｏ
膜１０００人、さらにＳｉＯ焼結ターゲットをＡｒガス
圧３＋＊ｔｏｒｒでスパッターして５ｉｎ（Ｓｉ： ０
＝約１：１）膜を８００人設けた。ここでＴｂＦｅＣｏ
膜中Ｔｂ量は約２５ａｔ％、Ｃｏ量はＦｅＣｏ中１０ａ
ｔ％であった。
た所、記録感度２．８５ｍＷ、Ｃ／Ｎ比３５ｄＢであっ
た。（ＡＰＤ非差動系のかわりに差動光学系で再生した
場合、ＰＣＲでは一般に１０ｄＢのＣ／Ｎ比が向上する
ことが実験的にわかっている。）実施例２ ポリカーボネート（ＰＣＲ）基板上に、Ｓｉターゲット
をＡｒ ： Ｎ、流量比１：５で反応性スパッターする
ことによりＳｉＮ膜を８００人設け、次にＴｂＦｅＣｏ
膜１０００人、さらにＳｉＯ焼結ターゲットをＡｒガス
圧３＋＊ｔｏｒｒでスパッターして５ｉｎ（Ｓｉ： ０
＝約１：１）膜を８００人設けた。ここでＴｂＦｅＣｏ
膜中Ｔｂ量は約２５ａｔ％、Ｃｏ量はＦｅＣｏ中１０ａ
ｔ％であった。
この光磁気記録媒体をＰＩＮ差動検出器を備えた動特性
測定機によりＣ／Ｎ比、記録感度を測定した。
測定機によりＣ／Ｎ比、記録感度を測定した。
記録感度は２次歪が最小のところの記録パワーとした。
記録条件：ＣＡＶ（定角速度）１８００ｒｐｍ半径３０
ＩｎＩ＋１位置、溝間記録 記録周波数０．５ ＭＨｚ ｄｕｔｙ５０％ 再生条件：ＣＡＶ １８００ｒｐｍ 再生パワー１．５ｍＷ この時Ｃ／Ｎ比５３ｄＢ、記録感度５．６ｍＷであり、
Ｃ／Ｎ比はＳｉＮとほぼ同等で記録感度が１０％向上し
た。
ＩｎＩ＋１位置、溝間記録 記録周波数０．５ ＭＨｚ ｄｕｔｙ５０％ 再生条件：ＣＡＶ １８００ｒｐｍ 再生パワー１．５ｍＷ この時Ｃ／Ｎ比５３ｄＢ、記録感度５．６ｍＷであり、
Ｃ／Ｎ比はＳｉＮとほぼ同等で記録感度が１０％向上し
た。
比較例２
実施例２と同条件下に、ＴｂＦｅＣｏ記録層の両面にＳ
ｉＮ層を設けたものについて、実施例と同一条件で動特
性を測定した。Ｃ／Ｎ比は５３．５ｄＢ、記録感度は６
．４ｍＷであった。
ｉＮ層を設けたものについて、実施例と同一条件で動特
性を測定した。Ｃ／Ｎ比は５３．５ｄＢ、記録感度は６
．４ｍＷであった。
比較例３
比較例２と同条件下にＳｉＮ層に替え記録層の両面をＳ
ｉターゲットをＡｒ１０□のガス中で反応性スパッター
することにより得たＳｉＯ，、（ｘ ＝約０．７）とし
たものについて動特性を測定した。Ｃ／Ｎ比は５２ｄＢ
、記録感度は５．２１であった。
ｉターゲットをＡｒ１０□のガス中で反応性スパッター
することにより得たＳｉＯ，、（ｘ ＝約０．７）とし
たものについて動特性を測定した。Ｃ／Ｎ比は５２ｄＢ
、記録感度は５．２１であった。
〔発明の効果］
本発明の光磁気記録媒体は光磁気記録層の耐食性が充分
改良され耐久性が良く、且つ記録感度も良好で、また生
産性にも優れる。
改良され耐久性が良く、且つ記録感度も良好で、また生
産性にも優れる。
出 願 人 三菱化成工業株式会社代理人 弁理士
長谷用 − （ほか１名）
長谷用 − （ほか１名）
Claims (2)
- （１）基板上に中間保護層、光磁気記録層および保護層
を順次設けてなる光磁気記録媒体において、中間保護層
が（イ）アルミニウム酸化物、（ロ）タンタル酸化物お
よび（ハ）チッ化物からなる群から選択された少なくと
も１つの化合物からなる層であり、保護層がＳｉＯから
なる層であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）チッ化物が含ケイ素チッ化物である特許請求の範
囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9036987A JPS63255855A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9036987A JPS63255855A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63255855A true JPS63255855A (ja) | 1988-10-24 |
Family
ID=13996639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9036987A Pending JPS63255855A (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63255855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192626A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| US5560998A (en) * | 1990-03-27 | 1996-10-01 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP9036987A patent/JPS63255855A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5192626A (en) * | 1988-12-14 | 1993-03-09 | Teijin Limited | Optical recording medium |
| US5560998A (en) * | 1990-03-27 | 1996-10-01 | Teijin Limited | Magneto-optical recording medium |
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