JPS63275060A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS63275060A JPS63275060A JP11019987A JP11019987A JPS63275060A JP S63275060 A JPS63275060 A JP S63275060A JP 11019987 A JP11019987 A JP 11019987A JP 11019987 A JP11019987 A JP 11019987A JP S63275060 A JPS63275060 A JP S63275060A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光学的記録に用いる光磁気記録媒体に関する
。
。
（従来の技術とその問題点）
光メモリー素子の中でも追加記録、消去が可能な、イレ
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合
的な特性から見て、希土類、遷移金属薄膜が最も優れて
いるが、致命的欠陥として耐食性に欠けるという欠点が
挙げられる。
ーザブル型メモリーは、光磁気記録方式が最も実用化に
近い段階にいる。光磁気記録媒体の記録層としては総合
的な特性から見て、希土類、遷移金属薄膜が最も優れて
いるが、致命的欠陥として耐食性に欠けるという欠点が
挙げられる。
すなわち、腐食に伴ない高密度記録の必要条件である保
磁力の低下や、高Ｓ／Ｎ比の必要条件であるカー回転角
の減少、誤り率の増加など多くの欠陥を露呈する事とな
る。
磁力の低下や、高Ｓ／Ｎ比の必要条件であるカー回転角
の減少、誤り率の増加など多くの欠陥を露呈する事とな
る。
従来、その対策としては２つの方法がとられてきた。即
ち、 （ｉ）記録層に添加物を添加して耐食性を向上する。
ち、 （ｉ）記録層に添加物を添加して耐食性を向上する。
（ｉｉ）記録層の両側に保護層を設は耐食性を向上する
。
。
本発明は、保護層を用いる方法に注目してなされたもの
である。
である。
すなわち、本発明の光磁気記録媒体は基本的に基板−保
護層一記録層一保護層の構成とされたものである。
護層一記録層一保護層の構成とされたものである。
以降の説明の便宜上基板と記録層との間の保護層を中間
保護層、記録層の基板と反対側に設けられた保護層を保
護層と呼ぶこととする。
保護層、記録層の基板と反対側に設けられた保護層を保
護層と呼ぶこととする。
保護層や中間保護層としてはＡ １ ｇ０３等の高融点
酸化物やＳｉＮやＡｆＮ等の高融点チッ化物等が提案さ
れている。
酸化物やＳｉＮやＡｆＮ等の高融点チッ化物等が提案さ
れている。
しかしながら、これらの物質には、夫々問題点があり、
中間保護層と保護層の両層を構成するに満゛足なものは
見出されていない。 ゛これは、中間保護層として必要
な物性は、記録層と反応しないこと、基板との密着性が
良いこと、透明性に優れること、屈折率の大きいこと、
ガスバリヤ−性に優れること等であるのに対し、保護層
としての必要物性は、記録層と反応しないこと、ガスバ
リヤ−性に優れること等は共通するが、透明性や屈折率
は要件とせず、むしろ熱伝導率の低いことがより重要と
なり、必要物性が夫々異なるためである。
中間保護層と保護層の両層を構成するに満゛足なものは
見出されていない。 ゛これは、中間保護層として必要
な物性は、記録層と反応しないこと、基板との密着性が
良いこと、透明性に優れること、屈折率の大きいこと、
ガスバリヤ−性に優れること等であるのに対し、保護層
としての必要物性は、記録層と反応しないこと、ガスバ
リヤ−性に優れること等は共通するが、透明性や屈折率
は要件とせず、むしろ熱伝導率の低いことがより重要と
なり、必要物性が夫々異なるためである。
本発明者等はこれらの保護層及び中間保護層に関し、種
々検討を行なった結果、中間保護層と保護層を特定の物
質で構成することにより記録感度が高く、ノイズの少な
い、また経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得られる
ことを見出した。
々検討を行なった結果、中間保護層と保護層を特定の物
質で構成することにより記録感度が高く、ノイズの少な
い、また経時安定性に優れた光磁気記録媒体が得られる
ことを見出した。
本発明の要旨は、基板上に中間保護層、光磁気記録層お
よび保護層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、
中間保護層を金属酸化物、又は金属チッ化物によって形
成し、保護層を波長８３０ｎｍの光で測定した反射率が
４０％以上の金属炭化物によって形成したことを特徴と
する光磁気記録媒体に存する。
よび保護層を順次設けてなる光磁気記録媒体において、
中間保護層を金属酸化物、又は金属チッ化物によって形
成し、保護層を波長８３０ｎｍの光で測定した反射率が
４０％以上の金属炭化物によって形成したことを特徴と
する光磁気記録媒体に存する。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、本発明において用いられる基板としては、ガラス
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹脂
を形成した基板等が挙げられる。
、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク、又はアルミニウム等の金属、ガラス上に溝つき樹脂
を形成した基板等が挙げられる。
基板の厚みは１〜２Ｍ程度が一般的である。
光磁気記録層としては、たとえば、ＴｂＰｅ。
ＴｂＦｅＣｏ、 ＴｂＣｏ、 ＤｙＦｅＣｏなどの希土
類と遷移金属の非晶質磁性合金、及びＭｎＢ１． Ｍｎ
ＣｕＢ１などの多結晶垂直磁化膜が用いられる。特に希
土系の合金磁性膜に用いて大変効果的である。光磁気記
録層の膜厚は３００〜１５００人、好ましくは５００〜
８００人である。
類と遷移金属の非晶質磁性合金、及びＭｎＢ１． Ｍｎ
ＣｕＢ１などの多結晶垂直磁化膜が用いられる。特に希
土系の合金磁性膜に用いて大変効果的である。光磁気記
録層の膜厚は３００〜１５００人、好ましくは５００〜
８００人である。
本発明においては、上記基板と光磁気記録層の間に金属
酸化物または金属チッ化物を含む層を中間保護層として
形成させる。金属酸化物としてはＡｆ２０３ 、Ｔａｇ
’ｓ等の金属酸化物単独あるいはこれらの混合物、ある
いはＡｊ！ −Ｔａ−０の複合酸化物等が挙げられる。
酸化物または金属チッ化物を含む層を中間保護層として
形成させる。金属酸化物としてはＡｆ２０３ 、Ｔａｇ
’ｓ等の金属酸化物単独あるいはこれらの混合物、ある
いはＡｊ！ −Ｔａ−０の複合酸化物等が挙げられる。
また更にこれらに他の元素、例えばＳｔ、 Ｔｉ、 Ｚ
ｒ、 Ｗ 、Ｍｏ、 Ｙｂ等が酸化物の形で単独あるい
はＡｊ！、Ｔａと複合して酸化物を形成していてもよい
。これらの金属酸化物は緻密で外部からの水分や酸素の
侵入を防ぎ、耐食性が高く光磁気記録層との反応性も小
であり、また、基板として樹脂基板を使用する場合にも
樹脂との密着性に優れる。
ｒ、 Ｗ 、Ｍｏ、 Ｙｂ等が酸化物の形で単独あるい
はＡｊ！、Ｔａと複合して酸化物を形成していてもよい
。これらの金属酸化物は緻密で外部からの水分や酸素の
侵入を防ぎ、耐食性が高く光磁気記録層との反応性も小
であり、また、基板として樹脂基板を使用する場合にも
樹脂との密着性に優れる。
金属チッ化物として、具体的にはケイ素、アルミニウム
、ゲルマニウム等の金属のチッ化物あるいはこれらの２
種以上の複合チッ化物又はこれらとニオブ、タンタルと
の複合チッ化物（例えば、５ｉＮｂＮ＋ ５ｉＴａＮ等
）が挙げられる。なかでもＳｉを含有するチッ化物が良
好な結果をもたらす。
、ゲルマニウム等の金属のチッ化物あるいはこれらの２
種以上の複合チッ化物又はこれらとニオブ、タンタルと
の複合チッ化物（例えば、５ｉＮｂＮ＋ ５ｉＴａＮ等
）が挙げられる。なかでもＳｉを含有するチッ化物が良
好な結果をもたらす。
金属チッ化物は緻密で外部からの水分や酸素の侵入を防
ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記録層との反応性
が小であり、また基板として樹脂基板を使用する場合に
は樹脂との密着性が高い。
ぎ、それ自身の耐食性が高く、光磁気記録層との反応性
が小であり、また基板として樹脂基板を使用する場合に
は樹脂との密着性が高い。
この中間保護層の膜厚は３００人〜１５００人程度が適
当である。
当である。
光磁気記録層上には金属炭化物からなる保護層を設ける
。金属炭化物としては、清浄で平坦な基板上に作成され
た膜厚２０００Å以上の薄膜に波長８３０ｎｍの可視光
またはレーザー光を照射した際の反射率が４０％以上の
ものを使用する。
。金属炭化物としては、清浄で平坦な基板上に作成され
た膜厚２０００Å以上の薄膜に波長８３０ｎｍの可視光
またはレーザー光を照射した際の反射率が４０％以上の
ものを使用する。
このような金属炭化物としてはＴｉ、、Ｚｒ、 ｌｉｆ
、 Ｖ 。
、 Ｖ 。
Ｎｂ５Ｔａ、 Ｃｒ、 Ｍｏ、又はＷの炭化物が挙げら
れ、これらを単独で又は混合して使用する。かかる金属
炭化物としては、ＴｉＣ、、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＶＣｓ
ＮｂＣ。
れ、これらを単独で又は混合して使用する。かかる金属
炭化物としては、ＴｉＣ、、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＶＣｓ
ＮｂＣ。
ＴａＣ５ＣｒＣ（ＣｒｓＣｚ 、ＣｒｔＣｚ等） 、Ｍ
ｏＣ（ＭｏｚＣ等）、又は礼等が挙げられる。
ｏＣ（ＭｏｚＣ等）、又は礼等が挙げられる。
これらは一般に不透明で反射率が高い。
一方、半金属又は半導体の炭化物としては５ｉＣ１Ｂ、
Ｃがあるが、これらは透明ではあるが耐食性が充分では
ない。
Ｃがあるが、これらは透明ではあるが耐食性が充分では
ない。
上記の金属炭化物中、Ｔｉ、 Ｚｒ、 Ｔａ、 Ｃｒｓ
Ｍｏの炭化物が好ましく、中でも特にＴｉ、 Ｔａ、
Ｍｏの炭化物が良い。 これらの炭化物は非晶質のも
のがより好ましい。
Ｍｏの炭化物が好ましく、中でも特にＴｉ、 Ｔａ、
Ｍｏの炭化物が良い。 これらの炭化物は非晶質のも
のがより好ましい。
この保護層の厚さは１０人〜５０００人程度、好ましく
は５０人〜１０００人程度である。
は５０人〜１０００人程度である。
基板上に金属酸化物又は金属子フ化物の中間保護層、光
磁気記録層および金属炭化物からなる保護層等の各層を
形成するには、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶＤ
） 、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）等
が適用される。
磁気記録層および金属炭化物からなる保護層等の各層を
形成するには、スパッタリング等の物理蒸着法（ＰＶＤ
） 、プラズマＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）等
が適用される。
ＰＶＤ法にて光磁気記録層や保護層を成膜形成するには
、所定の組成をもったターゲットを用いて電子ビーム蒸
着またはスパッタリングにより基板上に各層を堆積する
のが通常の方法であるが、電子ビーム蒸着の場合には高
エネルギー粒子を膜に照射しつつ蒸着するか、また、ス
パッタリングの際には静ガス圧を低くして堆積すること
により膜の密度が轟くなり安定な膜が得られるので好ま
しい。
、所定の組成をもったターゲットを用いて電子ビーム蒸
着またはスパッタリングにより基板上に各層を堆積する
のが通常の方法であるが、電子ビーム蒸着の場合には高
エネルギー粒子を膜に照射しつつ蒸着するか、また、ス
パッタリングの際には静ガス圧を低くして堆積すること
により膜の密度が轟くなり安定な膜が得られるので好ま
しい。
また、反応性イオンブレーティング、反応性スパッタリ
ングを用いる方法も考えられる。
ングを用いる方法も考えられる。
膜の堆積速度は早すぎると膜応力を増加させ、遅すぎれ
ば生産性に影響するので通常０．１人／ｓｅｃ〜１００
人／ｓｅｃ、好ましくは１人／ｓｅｃ〜２０人／ｓｅｃ
とされる。
ば生産性に影響するので通常０．１人／ｓｅｃ〜１００
人／ｓｅｃ、好ましくは１人／ｓｅｃ〜２０人／ｓｅｃ
とされる。
本発明においては金属炭化物保護層に加え、ＳｉＯや５
ｉ０２などのケイ素酸化物層を５０〜２０００人程度好
ましくは１００〜１０００人程度、金属ケイ化物層上に
積層するのべ良い。ＳｉＯ□系の保護層としては例えば
コーニング社製蒸着用ガラス７０５９や７７４０を用い
れば良い。
ｉ０２などのケイ素酸化物層を５０〜２０００人程度好
ましくは１００〜１０００人程度、金属ケイ化物層上に
積層するのべ良い。ＳｉＯ□系の保護層としては例えば
コーニング社製蒸着用ガラス７０５９や７７４０を用い
れば良い。
実施例１
ポリカーボネート基板を用い、５インチφＡｎｔ’ｓ焼
結ターゲット上に、Ｔａ２０５の厚さ１ＩＩＩ１１、径
９ｍａ＋φの焼結ペレットを配置し、Ａｒガス中でＲＦ
スパッターを行ない８００人の中間保護膜を形成した。
結ターゲット上に、Ｔａ２０５の厚さ１ＩＩＩ１１、径
９ｍａ＋φの焼結ペレットを配置し、Ａｒガス中でＲＦ
スパッターを行ない８００人の中間保護膜を形成した。
中間保護膜のＡ１５Ｔａ比（原子比）は２：８であった
。
。
４インチφのＭＯ□Ｃターゲットと、Ｔｂ１Ｏ園口×１
ｗｔの小片をＦｅターゲット上に配置したターゲットを
設置し、３ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ以下まで排気した。
ｗｔの小片をＦｅターゲット上に配置したターゲットを
設置し、３ Ｘ １０−’ｔｏｒｒ以下まで排気した。
基板とターゲットの距離９５ ａｍ、 ＡｒｔＪｉ量３
０３ＣＣＭとする。スパッターガス圧３ ｍｔｏｒｒで
プレスバッターの後、直流電力（ＤＣ） ３００ Ｗで
１分間スパッターＬ１００Ｏ人のＴｂＦｅ膜を作製し、
続いて同一真空中でＡｒ流量３０ ＳＣＣＭ、スパッタ
ー圧力３ ｍｔｏｒｒ直流電力（ＤＣ） ３００ Ｗで
ＭＯ□Ｃターゲットをスパッターし８００人堆積した。
０３ＣＣＭとする。スパッターガス圧３ ｍｔｏｒｒで
プレスバッターの後、直流電力（ＤＣ） ３００ Ｗで
１分間スパッターＬ１００Ｏ人のＴｂＦｅ膜を作製し、
続いて同一真空中でＡｒ流量３０ ＳＣＣＭ、スパッタ
ー圧力３ ｍｔｏｒｒ直流電力（ＤＣ） ３００ Ｗで
ＭＯ□Ｃターゲットをスパッターし８００人堆積した。
この光磁気記録媒体をＡＰＤ （アバランシェホトダイ
オード）非差動検出器をもった、動特性検出器により記
録感度、Ｃ／Ｎ比を測定した。記録感度は、２次歪みが
最小のところの記録パワーとした。
オード）非差動検出器をもった、動特性検出器により記
録感度、Ｃ／Ｎ比を測定した。記録感度は、２次歪みが
最小のところの記録パワーとした。
記録条件：ＣＬＶ（定線速度）４ｍ／ｓ半径５３閣位置
、溝間記録 記録周波数１． Ｑ ＭＨｚ ｄｕｔｙ５０％ 再生条件：ＣＬＶ４ｍ／Ｓ 再生パワー０．８１ １６回の平均値 本実施例では記録感度２．３ｍＷ、 Ｃ／Ｎ比３９ｄＢ
であり、本実施例では後記比較例１に比べ記録パワーが
２０％向上し、Ｃ／Ｎ比は４ｄＢ改善された。
、溝間記録 記録周波数１． Ｑ ＭＨｚ ｄｕｔｙ５０％ 再生条件：ＣＬＶ４ｍ／Ｓ 再生パワー０．８１ １６回の平均値 本実施例では記録感度２．３ｍＷ、 Ｃ／Ｎ比３９ｄＢ
であり、本実施例では後記比較例１に比べ記録パワーが
２０％向上し、Ｃ／Ｎ比は４ｄＢ改善された。
なお静特性としては、カー回転角測定においてカー回転
角０．２０°、反射率４２％、抗磁力２．５ＫＧのＴｂ
リッチ組成のヒステリシスをもっていた。
角０．２０°、反射率４２％、抗磁力２．５ＫＧのＴｂ
リッチ組成のヒステリシスをもっていた。
また、記録層をＸ線回折により分析したところ非晶質で
あった。
あった。
尚この構成の媒体を通常雰囲気中に４０日間、更に７０
°Ｃ８５％ＲＨの高温高湿器に２００時間保持したが光
学観察及び静特性上は劣化が認められなかった。
°Ｃ８５％ＲＨの高温高湿器に２００時間保持したが光
学観察及び静特性上は劣化が認められなかった。
又、ガラス基板上に作成した膜厚５０００人のＭｏ、Ｃ
膜に外気側から光（波長８３０ｎｍのレーザー光）を入
射させて測定した所６０％の反射率を示した。
膜に外気側から光（波長８３０ｎｍのレーザー光）を入
射させて測定した所６０％の反射率を示した。
比較例１
実施例１と同様にＴｂＦｅ層までを作製し、次に中間保
護膜と同じ組成の保護層を８００人形成した。
護膜と同じ組成の保護層を８００人形成した。
実施例１と同一の条件にて記録感度、Ｃ／Ｎ比を測定し
た所、記録感度２．８５ ｄ、Ｃ／Ｎ比３５ｄＢであっ
た。（尚ＡＰＤ非差動系のかわりに、差動光学系で再生
した場合、ＰＣＲでは一般に１０ｄＢのＣ／Ｎ比が向上
することが実験的にわかっている。）実施例２ 実施例１と同様にＭｏ２Ｃ膜までを作成しついで同一条
件下高周波（ＲＦ）電力１００ＷでＳｉＯ□を４５０人
形成した。この記録媒体につき実施例工と同一の条件に
て記録感度、Ｃ／Ｎ比を測定した所、記録感度２．Ｑｍ
Ｗ、Ｃ／Ｎ比３９ｄＢであった０本実施例では比較例１
に比べ記録パワーが２４％向上し、Ｃ／Ｎ比は４ｄＢ改
善された。
た所、記録感度２．８５ ｄ、Ｃ／Ｎ比３５ｄＢであっ
た。（尚ＡＰＤ非差動系のかわりに、差動光学系で再生
した場合、ＰＣＲでは一般に１０ｄＢのＣ／Ｎ比が向上
することが実験的にわかっている。）実施例２ 実施例１と同様にＭｏ２Ｃ膜までを作成しついで同一条
件下高周波（ＲＦ）電力１００ＷでＳｉＯ□を４５０人
形成した。この記録媒体につき実施例工と同一の条件に
て記録感度、Ｃ／Ｎ比を測定した所、記録感度２．Ｑｍ
Ｗ、Ｃ／Ｎ比３９ｄＢであった０本実施例では比較例１
に比べ記録パワーが２４％向上し、Ｃ／Ｎ比は４ｄＢ改
善された。
なお静特性としては、カー回転角測定においてカー回転
角０．１９°、反射率４６％、抗磁力２．２ＫＧのＴｂ
リッチ組成のヒステリシスをもっていた。
角０．１９°、反射率４６％、抗磁力２．２ＫＧのＴｂ
リッチ組成のヒステリシスをもっていた。
面この構成の媒体を７０℃８５％ＲＨの恒温恒湿槽に１
０００時間保持したが光学観察及び静特性上は劣化が認
められなかった 〔発明の効果〕 本発明の光磁気記録媒体は光磁気記録層の耐食性が充分
改良され耐久性が良く、且つ記録感度も良好で、また生
産性にも優れる。
０００時間保持したが光学観察及び静特性上は劣化が認
められなかった 〔発明の効果〕 本発明の光磁気記録媒体は光磁気記録層の耐食性が充分
改良され耐久性が良く、且つ記録感度も良好で、また生
産性にも優れる。
出 願 人 三菱化成工業株式会社代理人 弁理士
長谷用 − （ほか１名）
長谷用 − （ほか１名）
Claims (4)
- （１）基板上に中間保護層、光磁気記録層および保護層
を順次設けてなる光磁気記録媒体において、中間保護層
を金属酸化物、又は金属チッ化物によって形成し、保護
層を波長８３０ｎｍの光で測定した反射率が４０％以上
の金属炭化物によって形成したことを特徴とする光磁気
記録媒体。 - （２）金属炭化物がＴｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｃｒ、又はＭｏ
の炭化物である特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録
媒体。 - （３）金属炭化物がＴｉ、Ｔａ又はＭｏの炭化物である
特許請求の範囲第２項記載の光磁気記録媒体。 - （４）金属炭化物の上に更にケイ素酸化物保護層を設け
た特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11019987A JPS63275060A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11019987A JPS63275060A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63275060A true JPS63275060A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14529560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11019987A Pending JPS63275060A (ja) | 1987-05-06 | 1987-05-06 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63275060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023208763A1 (de) | 2022-04-29 | 2023-11-02 | Saint-Gobain Glass France | Projektionsanordnung umfassend eine verbundscheibe |
-
1987
- 1987-05-06 JP JP11019987A patent/JPS63275060A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023208763A1 (de) | 2022-04-29 | 2023-11-02 | Saint-Gobain Glass France | Projektionsanordnung umfassend eine verbundscheibe |
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