JPS63255944A - 半導体集積回路装置用パツケ−ジ - Google Patents

半導体集積回路装置用パツケ−ジ

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Publication number
JPS63255944A
JPS63255944A JP62091153A JP9115387A JPS63255944A JP S63255944 A JPS63255944 A JP S63255944A JP 62091153 A JP62091153 A JP 62091153A JP 9115387 A JP9115387 A JP 9115387A JP S63255944 A JPS63255944 A JP S63255944A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
case
lead
integrated circuit
semiconductor integrated
package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62091153A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Noda
野田 雄二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP62091153A priority Critical patent/JPS63255944A/ja
Publication of JPS63255944A publication Critical patent/JPS63255944A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置用パッケージに関し、特に
高周波用の半導体集積回路装置用パッケージに関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体集積回路装置用パッケージは、第2図(a
)及び(b)に示すように、ベレット11を接地端子1
9のマウント面18にAu −Siなどのろ一材を使用
して固着し、ボンディングワイヤ13によりベレット1
1上のポンディングパッド12とケースリードのステッ
チ部14を電気的に接続していた。ここで、第2図はチ
ップキャリヤケースを使用した場合を示す。
第2図に示す半導体集積回路装置用パッケージを高周波
動作する半導体集積回路装置に使用した場合、ケースリ
ードの長さが問題となることがある。
いま、第2図(a)において、接地用ケースリード17
がマウント面18と同一電位となるべきケースリードで
あるとする。接地用ケースリード17のステッチ部14
とマウント面18間には、第2図(b)に示すように、
接地用ケースリード17と接地用ケースリードに接続す
るケースリード21.22の各リード長に相当するイン
ダクタンスが等価的に挿入されることになる。
一般に、ケースリードのインダクタンス値はケースリー
ド1 mm当り約1nHに相当することか多い。動作周
波数がIGHzの場合、1nHのインダクタンスに対応
するインピーダンスは約6Ωとなる。即ち、接地用ケー
スリード17とケースリード21.22の長さの合計が
約20mmの場合、接地用ケースリード17のステッチ
部14とマウント面18の間には720Ωのインピーダ
ンスのインダクタンスが挿入されたことになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体集積回路装置用パッケージは、高
周波動作回路に用いた場合、マウント面と同一電位とな
るべきケースリードのステッチ部とマウント面との間に
大きなインピーダンスのインダクタンスが挿入されるこ
とになるので、高周波回路の周波数特性の劣化や利得の
減少などの電気的特性の悪化や不安定動作の原因になる
という欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、マウント面に対し段差を設け高くしたステッ
チ部を有する半導体集積回路装置用パッケージにおいて
、任意のケースリートに対する前記ステッチ部と前記マ
ウント面との間の前記ステッチ部近傍の前記段差の壁面
に設けられ前記ケースリードと前記マウント面を接続す
る導電パターンを有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図< a )及び(b)はそれぞれ本発明の一実施
例の平面図及びA−A’線断面図である。
第1図(a)及び(b)に示すように、マウント面18
と同一電位とすべき接地用ケースリード16のステッチ
部14の近傍の段差部の壁面に導電パターン20を形成
している。
導電パターン20は金めつき法あるいは金ペーストの厚
膜印刷法などにより形成し、幅約0.5龍で長さ約1 
m+++どなる。従って、導体パターン20は約1nH
のインダクタンスに相当し、1GHzの動作周波数にお
いて約6Ωのインピーダンスとなり、第2図に示す前述
した従来の半導体集積回路装置用パッケージと比較し、
ケースリート21の長さに対応していて、約1/20の
低インピーダンスでステッチ部14とマウント面18間
を接続することかできる。
従って、接地端子19をマウント面18と一体の金属ブ
ロックで構成することにより、外部の接!!端子と接続
する際、容易に低インピーダンスで接続することが可能
となる。
更に、第1図(a)に示すように、信号用ケースリード
15間に接地用ケースリード16を設けることにより、
ケースリード間の高周波信号におけるアイソレーション
を改善できる。
なお、導電パターンでマウント面と接続されるケースリ
ードは、ベレット11の内部パターンの配置に応じて設
ければよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ケースリードのステッチ
部とマウント面の間のステッチ部近傍の段差の壁面に導
電パターンを形成しマウント面とステッチ部を短距離に
て接続することにより、直流及び高周波的に低抵抗及び
低インピータンスでケースリードのステッチ部とマウン
ト面を接続することかできるので、高周波回路において
周波数特性の改善や利得の増加など電気特性を向上し回
路安定動作ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)及び(b)はそれぞれ本発明の一実施例の
平面図及びA−A’線断面図、第2図(a)及び(b)
はそれぞれ従来の半導体集積回路装置用パッケージの一
例の平面図及びB−B’線断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  マウント面に対し段差を設け高くしたステッチ部を有
    する半導体集積回路装置用パッケージにおいて、任意の
    ケースリードに対する前記ステッチ部と前記マウント面
    との間の前記ステッチ部近傍の前記段差の壁面に設けら
    れ前記ケースリードと前記マウント面を接続する導電パ
    ターンを有することを特徴とする半導体集積回路装置用
    パッケージ。
JP62091153A 1987-04-13 1987-04-13 半導体集積回路装置用パツケ−ジ Pending JPS63255944A (ja)

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JP62091153A JPS63255944A (ja) 1987-04-13 1987-04-13 半導体集積回路装置用パツケ−ジ

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JP62091153A JPS63255944A (ja) 1987-04-13 1987-04-13 半導体集積回路装置用パツケ−ジ

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JPS63255944A true JPS63255944A (ja) 1988-10-24

Family

ID=14018567

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JP62091153A Pending JPS63255944A (ja) 1987-04-13 1987-04-13 半導体集積回路装置用パツケ−ジ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002190540A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60245259A (ja) * 1984-05-21 1985-12-05 Nec Corp 半導体集積回路装置用パツケ−ジ

Patent Citations (1)

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