JPS6325805A - 複合型磁気ヘツド - Google Patents

複合型磁気ヘツド

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Publication number
JPS6325805A
JPS6325805A JP16798986A JP16798986A JPS6325805A JP S6325805 A JPS6325805 A JP S6325805A JP 16798986 A JP16798986 A JP 16798986A JP 16798986 A JP16798986 A JP 16798986A JP S6325805 A JPS6325805 A JP S6325805A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
thin film
amorphous alloy
alloy thin
single crystal
Prior art date
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Pending
Application number
JP16798986A
Other languages
English (en)
Inventor
Masatsugu Miura
正嗣 三浦
Yoshiharu Sato
佐藤 由春
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Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Denshi KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、高抗磁力磁気記録媒体に記録するのに適した
。非晶質合金薄膜をこれとは異なる透磁率をもつ単結晶
フェライト等の磁性材料と組合せ   ゛た複合型磁気
ヘッドに関し、特に、非晶質合金薄膜とこれと組合せた
磁性材料のかん合面が持つ費疑似的な磁気空隙により生
ずる電磁変換特性の影響を消失させるようにした複合型
磁気ヘッドに関するものである。
〔従来技術とその問題点〕
従来、高飽和磁束密度の磁性材料として非晶質合金薄膜
が使用されてきているが、これは高抗磁力磁気記録媒体
に記録しても磁気的に飽和しないようにするためである
。非晶質合金を周知の薄膜形成方法により積層した非晶
質合金薄膜をもって。
ヘッドテップの全体を構成した磁気ヘッドが考えられて
いるが、この磁気ヘッドでは製造上1個。
1個を突き合せるので生産性が低く特性のばらつきが大
きいという欠点があった。
そこで高抗磁力磁気記録媒体と接する部分のみを磁気的
に飽和しないよう飽和磁束密度の高い非晶質合金薄膜で
形成し、ヘッドチップの他の部分は実効透磁率の高い単
結晶フェライト等をもって構成した複合型磁気ヘッドも
考えられている。ところが特開昭56−169214号
公報にも記載されているように、この複合型磁気ヘッド
においては非晶質合金薄膜と単結晶フェライトとのかん
合面が磁気空隙と平行になっているために、非晶質合金
薄膜と単結晶フェライトとの実効透磁率が互いに異なっ
た値を有している場合には、磁気空隙を挾む2個の前記
かん合面が疑似的に磁気空隙として作用し、非晶質合金
薄膜の相互間に形成した本来の磁気空隙の作用と干渉し
て、望まない電磁変換特性を呈することになる。この干
渉を防ぐため前記公報では非晶質合金薄膜を形成する単
結晶フェライトにVやWの形状をした溝を施すことによ
り磁気空隙と非晶質合金薄膜−単結晶フェライトのかん
合面が平行にならないようにしている。
しかして、前記公報に記載の方法でもトラック幅が大き
い磁気ヘッドを製作しようとすると前記VやWの形状の
溝を深くする必要があり2周知の非晶質合金薄膜の形成
方法のスパッタリングでは非晶質合金薄膜が単結晶フェ
ライト面に対して均一に形成できないという欠点があっ
た。また、所定のトラック幅を得るためにはVやWの溝
上に形成された非晶質合金薄膜を研磨することが必要に
なり、研磨する精度が厳しく要求され生産歩留りの上か
ら問題があった。
〔目的〕
本発明の目的はこれらの欠点を除去し、単結晶フェライ
ト面上に種々の形状の溝を施すことなく。
非晶質合金薄膜を形成し、かつ非晶質合金薄膜と単結晶
フェライトとのかん合面が非晶質合金薄膜の相互間に生
ずる磁気空隙とが平行になることを防ぐことにより、非
晶質合金薄膜と単結晶フェライトとのかん合面の存在に
起因する特性の劣化を生ずることのない非晶質合金薄膜
フェライト複合型の磁気ヘッドを提供することにある。
上記目的を達成するため9本発明磁気ヘッドは磁気ヘッ
ド内の磁路を構成する磁性コアのうち磁気記録媒体に接
し、磁気空隙を構成するコア部分を他の部分を形成する
コアよりも飽和磁束密度の高い豐爽轡妄弁脅≠磁性材料
で構成するとともに磁気空隙を構成する磁性コアと他の
部分を形成する磁性コアのかん合面を磁気空隙に対して
斜交させることによって、磁気空隙と前記かん合面が斜
交するようにしたことを特徴とするものである。
〔実施例〕
以下2本発明の実施例を第1図により説明する。
第1図において(a)は斜視図、(b)は側面図、(C
)は正面図で、1は単結晶フェライト、2は捲線溝、3
はトラック幅制御溝、4は単結晶フェライト上に形成さ
れた非晶質合金薄膜を示す。
単結晶フェライト基板上に非晶質合金を任意の角度を設
けて薄膜形成することは不可能であり。
かつ普通使用されている単結晶フェライトは15關程度
の長さのため非晶質合金薄膜に15度の角度を設けるに
は約4m以上の厚さにする必要があり実際上不可能であ
る。そこで本発明では、まず既知の方法により第1図(
a)のように単結晶フェライト1の基板上に捲線溝2と
トラック幅制御側3を施し、この上に周知の薄膜形成法
により非晶質合金薄膜を形成し、側面図として示す第1
図(b)のベッドコアを得る。この後、ヘントチツブ完
成後トラック幅になる部分を所望の角度(この角度がヘ
ッドチップ完成後磁気空隙と非晶質合金薄膜単結晶フェ
ライトかん合面の斜交角度になる。)に加工したブレー
ドを装着した高速ダイサー等でトラックピッチ毎に非晶
質合金薄膜を研削し第1図(C)の正面図として示すヘ
ッドコアを得る。この時、磁気空隙を形成する部分に非
晶質金薄膜が残るように研削深さを決定するのは当然で
ある。磁気空隙と単結晶フェライト−非晶質合金かん合
面の斜交する角度は15度以上あれば実用上はとんど問
題がないことが理論上証明されている。製作上の誤差を
考慮しても前記の斜交角度は20度あれば十分であり、
この時の非晶質合金の薄膜厚さはトラック幅が0.02
ff1mであれば最大値でQ、Qlm、最小値でQ、9
33mm)ラック幅が0.13flであれば最大値でQ
、Q 5 wn 、最小値で0.003 fiになる。
この薄膜厚さは周知の薄膜形成法で十分形成できる。(
この後。
捲線溝を施したいわゆるCコアと捲線溝を施さないいわ
ゆるIコアそれぞれに磁気空隙となるSin。
薄膜を形成し、電気炉等でガラスボンディングすること
により所望のヘッドチップを得ることができる。) なお、ヘッドコアの切断は第1図(C)の破線Aのよう
に非晶質合金4の表面と直角に行う。
第2図に本発明によるヘッドチップの完成図を示す。(
a)は平面図、(b)は側面図である。Sは通常充填さ
れる充填ガラス、5はエコアとCコアの非晶質合金薄膜
同志により形成された磁気空隙である。別の実施例とし
ては、捲線溝、トラック幅制御溝を設ける前に非晶質合
金薄膜を形成し、かかる後に捲線溝、トラック幅制御溝
および磁気空隙と非晶質合金−単結晶フェライトかん合
面が斜交するための加工を施しても同様のへラドチップ
を得ることができる。
〔効果〕
本発明によれば、実効透磁率の異なる二種の磁性材料の
かん合面な磁気空隙近傍に有する複合型磁気ヘッドにお
いて生じていた特性の劣化をなくするとともに、生産性
よく、かつ歩留りよ(製作でき、また前述のようにトラ
ック幅が0.13M程度であっても精度よく生産できる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の(a)斜視図(b)側面図と
(C)正面図、第2図は本発明による複合型磁気ヘッド
の完成図の(a)正面図と(b)側面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、磁気ヘッド内の磁路を構成する磁性材料のうち磁気
    空隙を構成する部分に他の部分の磁性材料よりも飽和磁
    束密度の高い磁性材料を使用する複合型磁気ヘッドにお
    いて、前記飽和磁束密度の高い磁性材料と前記他の部分
    の磁性材料のかん合面に対して、前記飽和磁束密度の高
    い磁性材料の他の面を斜めに研磨することにより前記磁
    気空隙を形成した際、前記磁気空隙と、前記飽和磁束密
    度の高い磁性材料と前記他の部分の磁性材料のかん合面
    とが斜交するようにしたことを特徴とする複合型磁気ヘ
    ッド。
JP16798986A 1986-07-18 1986-07-18 複合型磁気ヘツド Pending JPS6325805A (ja)

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JPS6325805A true JPS6325805A (ja) 1988-02-03

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