JPS63258670A - 薄膜の積層方法および装置 - Google Patents

薄膜の積層方法および装置

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JPS63258670A
JPS63258670A JP62090940A JP9094087A JPS63258670A JP S63258670 A JPS63258670 A JP S63258670A JP 62090940 A JP62090940 A JP 62090940A JP 9094087 A JP9094087 A JP 9094087A JP S63258670 A JPS63258670 A JP S63258670A
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JP
Japan
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thin film
substrate
base plate
film
ultra
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Pending
Application number
JP62090940A
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English (en)
Inventor
Takao Aoki
孝夫 青木
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Publication date
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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、a膜の積層方法に関するものであり、さらに
詳しくは、水面上に形成された薄膜を基板上に積層する
方法に関するものである。
[従来の技術] 近年、電子材料や光学材料の有機月料化に伴い、要素技
術としての超薄膜化技術の重要性が増大している。この
ような流れの中で、機能分子の単分子膜を水面上に形成
するLangmuir−Blodgett法(LB法)
が注目を集めている。この方法は水面上に目的とする超
薄膜を形成させて、その超薄膜を基板上に積層していく
ものである。超薄膜の積層方法としては、新実験化学講
座18巻「界面化学J pp498〜507(丸首)に
紹介されているように、垂直浸漬法や水平付着法、回転
円筒法などが考案されている。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、これらの方法では多数の基板へ超薄膜を
効率的に積層するにあたっては、基板の交換などの繁雑
な操作が必要である。
本発明は、かかる従来技術の欠点を解消しようとするも
のであり、多数の基板への連続的な積層プロセスへの適
応が可能な超薄膜の積層方法および装置を提供するもの
である。
[問題点を解決するための手段] 上記目的を達成するために本発明は下記の、構成からな
る。
すなわち、本発明は、 「(1)気体おにび液体から選ばれる1つと、液体との
間の界面に形成されたa膜を基板上へ積層する方法にお
いて、水平方向に保たれた基板を基板支持部の回転運動
によって薄膜へ密むさせることを特徴とする薄膜の積層
方法。
(2)気体および液体から選ばれる1つと、液体との間
の界面に形成された薄膜を形成する部分と、基板を水平
に保つための基板支持部、そして該基板支持部に薄膜面
と垂直な回転運動を与える部分を有する薄膜の積層装置
。」 に関する。
本発明において、気体および液体から選ばれる1つと、
液体との間の界面に形成された薄膜としては、Lang
mDir−BlOdqett法によって大気/水界面に
形成された超薄膜や、同様の手法を水/有機溶媒界面に
適応して形成された超薄膜で、膜厚200nm以下であ
ることが好ましい。薄膜の素材としでは、LB法によっ
て単分子膜を形成することのできる両親媒性物質が好ま
しい。
本発明において、超薄膜を積層する基板としては、とく
に限定されるものではないが、ごみ、はこり、よごれの
ない清浄表面を有するもので超薄膜を積層する場合に超
薄膜に対して膜構造の乱れやピンホールなどを与えない
ものが望ましい。具体的(は、高度に研磨した金属やガ
ラス、電極を蒸着したり、塗布したガラス板やフィルム
が電子材料用途には用いられ、分離膜の用途には、多孔
性フィルムなどが用いられる。また、基板と超薄膜との
親和性を向上させ密着性を高めるために、予め基板表面
に表面処理を行ってもよい。
本発明の具体例を図面を用いて説明する。第1図、第2
図は本発明の実施に適した鋳型的な方法例を示す断面図
である。しかし、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。
第1図、第2図において基板4は、基板支持部5に薄膜
積層面を下方に向けて固定されている。
また、基板支持部5は第2図に示すように回転ロール6
に支持棒7を介して固定されているが、基板支持部5は
、支持棒7を中心にして自由に回転できる構造を有して
いるものとする。このため回転ロール6を第1図の矢印
方向に回転させても、基板5は重力の作用により常に水
平に保たれ、薄膜積層面を下方に向けて運動することに
なる。一方、水槽1には、水2が入れられており、ta
ngmuir−BIOd(lett法の製膜に必要な機
構(膜素材溶液の注入装置や表面圧の制御機構など)が
、備えられているものとする。(図面には図示されてお
らず、また、8は浮板である)。このとき、基板4の薄
膜積層面の最低位置と水2の表面位置を合せておくこと
により、水面上に形成された超薄膜3は基板4が回転ロ
ール6の回転にしたがって最低位置に来た時に薄膜積層
面と密着し、その復、超薄膜と一体化した基板4は、回
転ロール6の回転に従って上昇し水面からはがされるこ
とになる。
したがって、この基板の密着−上昇の操作が回転ロール
6の回転によって容易に達成できる。また、これまでの
ラックピニオンとリミットスイッチを用いた基板の上下
動装置に比べて繰返しの位置精度も極めて良いものとな
る。このため、製膜一回転ロールへの基板および基板支
持部の装着一回転−密着−上昇一基板および基板支持部
の脱着の操作を一定のタイミングで制御することによっ
てこれまで自動化が困難であった水面上での超薄膜の形
成と複合化が連続的なプロセスとして成立可能になった
。また、水面展開膜のように連続的に形成される薄膜に
対しては、基板の周囲に、余分な膜を取除く機構や、連
続的に膜を引出していく装置を加えることによって容易
に対応可能になる。
本発明において、基板の回転速度は積層する超薄膜の種
類に応じて適宜実験的に定めれば良いが、一般的には基
板の中央部で0.01〜1.0m/min程度が積層を
行う際に膜に対して無理な力がかからず超薄膜を破壊し
たり、積層が不均一になったりすることが少ない。また
、回転ロールまたは回転ロールを駆動するモーター等に
エンコーダーをとりつけて回転速度や回転角度の検知が
可能になれば超薄膜の積層を効率的かつ精密に行うこと
ができる。また、基板の動きは薄膜の形成および積層の
工程において必要に応じて、停止させてもよい。
また、基板の最低位置と水面との位置関係も積層する超
薄膜の種類に応じて適宜実験的に定めれば良いが、形成
された超薄膜がこわれやすいものについては水面と基板
の最低位置を精密に一致させる必要がある。また、高分
子の水面展開膜のようにある程度機械的強度のあるもの
については、基板の最低位置を水面よりもQ、5mm程
度低くして基板を超薄膜におしつけるようにすると基板
と超薄膜の密着性が向上する。
本発明における薄膜の積層装置とは、気体および液体か
ら選ばれる1つと、液体との間に薄膜を形成する部分と
基板を水平に保つための基板支持部、そして該基板支持
部に簿膜面と垂直な回転運動を与える部分を有する装置
である。
気体および液体から選ばれる1つと、液体との間に薄膜
を形成する部分とは、一般にLangmu i r−B
10d(lett法による薄膜の製造を具現化する装置
であればとくに限定されるものではない。具体的には、
新実験化学講座18巻「界面化学J pp439〜51
6(丸首)に紹介されている方法などがとくに好ましい
。また、市販のLB膜製造装置を用いてもかまわない。
基板を水平に保つための基板支持部としては、前述のよ
うに一端を自由に回転可能な支持棒で支えることによっ
て重力によって基板を水平に保つようにするのが最も容
易であるが、基板の形状等によりバランスのとりにくい
場合には、回転ロールの回転にしたがって常に基板が水
平を保っているような機構を用いてもよい。
基板支持部に薄膜面と垂直な回転運動を与える部分とし
ては、第1図に記載のように回転ロールをモーター等で
駆動するのが最も容易であるが、とくにこの方法に限定
されるものではない。また、この回転運動は出来るかぎ
り円滑なものが望ましく、震動などによって薄膜の積層
が不均一にならないようなものが好ましい。
また、装置全体は出来るかぎりクリーンな状態に保たれ
ることが好ましく、製膜−積層−上昇の一連の過程にお
いて水面や超薄膜面にごみ、はこり、油分が付着するこ
とを極力避ける構造にすることが好ましい。
さらに、多数の基板に連続的に薄膜を積層していくため
に1個の回転ロールに複数の基板支持部を取付けたり、
自動的に基板の交換を行う機構を組入れることもとくに
限定されるものではない。
また、本発明は、水面展開法への適応も可能である。そ
の際、薄膜の素材としては、溶媒注型によつ実質的に無
孔性の薄膜を形成しえる任意の重合体が好ましい。また
、水面展開法においても、第1図、第2図を用いて説明
した方法によって、好ましく積層することができるが、
さらに、該方法のように連続的に形成される薄膜に対し
ては、基板周囲に、余分な、膜を取除く機構や、連続的
な膜を引出していく装置を加えることによって、容易に
対応可能になる。また、気体および液体から選ばれる1
つと、液体との間に薄膜を形成する部分としては、一般
に水面展開法による薄膜の製造を具現化する装置であれ
ばとくに限定されるものではないが、凸材によって「表
面J 、 vol123.no、1.pp8〜16で水
上延展法として紹介されている方法や特開昭58−92
526号公報、特願昭61−12502号公報記載の方
法がとくに好ましい。また、特開昭60−193537
号公報や特開昭60−193537号公報記載のように
水/有機溶媒界面に薄膜を形成する方法を用いてもよい
。
[実施例] 実施例によって更に説明に説明するが、本発明は、これ
らに限定されるものではない。
実施例1 製膜装置の展開槽部分は、Wilhe1my型の表面圧
測定装置とテフロン製仕切り棒による表面圧調整機構を
備えたテフロンコーテイング槽(50x 19x 1 
、5o(>を用いた。薄膜の積層部分は第1図、または
第2図に示した。モーター駆動の基板支持部を有するも
のを用いた。基板としてはクロムメッキを施した金属板
の上にステアリング酸バリウム層を形成させたものを用
いた。
膜素材としては、1.4−ごスーステアリルアミノアン
トラキノンのベンゼン溶液を用い、29.5dyn/c
mの表面圧で、基板上への単分子膜層の積層を繰り返し
た。積層は基板が単分子膜に接触したところで基板支持
部の駆動をとめて、ガラス製仕切り棒で基板周囲の薄膜
層を除いた後、再度基板支持部を駆動させることによっ
て行なった。形成された1、4−ビス−ステアリルアミ
ノアントラキノン層について積層回数に応じてエリプソ
メトリ法により膜厚測定を行なった。測定された膜厚は
積層回数の増加に伴ってほぼ直線的に増大し、薄膜の積
層が効果的に行なわれていることを示した。
[発明の効果] 本発明によれば、超薄膜の製造方法として有効なLan
gmLIir−BIOdClett法によって水面上に
形成された超薄膜を平面状の基板表面に効率的に積層可
能であり、多数の基板に対しても連続的な積層が可能と
なり、またその際に用いる装買を提供することができる
。
また、本発明は、水面展開法によって、形成された超薄
膜にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図、および第2図は本発明の1実施態様図であり、
第1図は横方向からの断面図でおり、第2図は、前方向
からの断面図で必る。 1・・・水槽 2・・・水 3・・・超薄膜 4・・・基板 5・・・基板支持部 6・・・回転ロール 7・・・支持棒 8・・・浮板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)気体および液体から選ばれる1つと、液体との間
    の界面に形成された薄膜を基板上へ積層する方法におい
    て、水平方向に保たれた基板を基板支持部の回転運動に
    よって薄膜へ密着させることを特徴とする薄膜の積層方
    法。
  2. (2)気体および液体から選ばれる1つと、液体との間
    の界面に形成された薄膜を形成する部分と、基板を水平
    に保つための基板支持部、そして該基板支持部に薄膜面
    と垂直な回転運動を与える部分を有する薄膜の積層装置
    。
JP62090940A 1987-04-15 1987-04-15 薄膜の積層方法および装置 Pending JPS63258670A (ja)

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JPS63258670A true JPS63258670A (ja) 1988-10-26

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