JPS6325915A - 気相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
気相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS6325915A JPS6325915A JP16926086A JP16926086A JPS6325915A JP S6325915 A JPS6325915 A JP S6325915A JP 16926086 A JP16926086 A JP 16926086A JP 16926086 A JP16926086 A JP 16926086A JP S6325915 A JPS6325915 A JP S6325915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- epitaxial growth
- growth layer
- reaction tube
- arrow mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明の気相エピタキシャル成長装置は、エピタキシャ
ル成長層を形成する基板の表裏反転操作を反応管内で行
い得る構成になっているので、基板の表裏両面にエピタ
キシャル成長層を形成する場合の工程が著しく簡略化さ
れ、特に外部汚染の可能性がないので高品質の結晶膜が
得られる。
ル成長層を形成する基板の表裏反転操作を反応管内で行
い得る構成になっているので、基板の表裏両面にエピタ
キシャル成長層を形成する場合の工程が著しく簡略化さ
れ、特に外部汚染の可能性がないので高品質の結晶膜が
得られる。
本発明はエピタキシャル成長装置の改良に係り、特に基
板の表裏両面にエピタキシャル成長層を形成させる装置
に関するものである。
板の表裏両面にエピタキシャル成長層を形成させる装置
に関するものである。
最近は基板の表裏両面にエピタキシャル成長層を形成さ
せる技術の研究開発が盛んに行われるようになってきた
。これは表面を能動素子（例えば赤外線検知素子）とし
て使用し、裏面を表面から透過した光の反射防止膜とし
て使用する等、応用範囲が広がってきたためである。
せる技術の研究開発が盛んに行われるようになってきた
。これは表面を能動素子（例えば赤外線検知素子）とし
て使用し、裏面を表面から透過した光の反射防止膜とし
て使用する等、応用範囲が広がってきたためである。
第４図は従来のエピタキシャル成長装置の構造例を示す
要部側断面図である。
要部側断面図である。
第４図に示すように、従来のエピタキシャル成長装置は
、内部にサセプタ４が設けられた反応管５と、該反応管
５の外側に配設されたヒータ２とによって構成され、サ
セプタ４上に載置された基板３に矢印方向から原料ガス
１を送ると共に、ヒータ２で加熱して該原料ガス１を熱
分解して基板３上にエピタキシャル成長層を形成させる
構成になっている。
、内部にサセプタ４が設けられた反応管５と、該反応管
５の外側に配設されたヒータ２とによって構成され、サ
セプタ４上に載置された基板３に矢印方向から原料ガス
１を送ると共に、ヒータ２で加熱して該原料ガス１を熱
分解して基板３上にエピタキシャル成長層を形成させる
構成になっている。
なお、基板３の両面にエピタキシャル成長層を形成させ
る場合は、先ず表面３ａ側に所定のエピタキシャル成長
層を形成させた後、−旦基板３を反応管５から取り出し
て裏返し、それを再度求応管５内に収めて裏面３ｂ側に
エピタキシャル成長層を形成させるといった方法がとら
れていた。
る場合は、先ず表面３ａ側に所定のエピタキシャル成長
層を形成させた後、−旦基板３を反応管５から取り出し
て裏返し、それを再度求応管５内に収めて裏面３ｂ側に
エピタキシャル成長層を形成させるといった方法がとら
れていた。
しかしながら、上記従来の方法は、基板を一旦反応管５
から取り出すので、外気による汚染の可能性があり、且
つ工程所要時間が長びくといった問題点があった。
から取り出すので、外気による汚染の可能性があり、且
つ工程所要時間が長びくといった問題点があった。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明のエピタキシャル成長装置は、第１図の原理図に
示すように、基板３の下方の端部を回転軸として支持す
る基板支持台８と、基板支持台８に隣接して配設された
軸受部１５により自在に回転できるように支持された基
板反転棒１０とによって基板３０表裏を反転させる基板
反転機構を構成している。
示すように、基板３の下方の端部を回転軸として支持す
る基板支持台８と、基板支持台８に隣接して配設された
軸受部１５により自在に回転できるように支持された基
板反転棒１０とによって基板３０表裏を反転させる基板
反転機構を構成している。
そして、基板反転棒１０を矢印Ａ方向へ回転することに
より、鉤型に形成されたアーム部１０ａの先端が矢印Ｂ
方向へ回転し、その先端部分で基板３を矢印Ｃ方向へ押
圧する。これにより、基板３は下方の端部を回転軸とし
て矢印Ｃ方向へ回転して傾斜方向を反転する。なお、左
右方向へ傾斜した基板３の上方の端部は、図示されない
一対の基板保持部によってそれぞれ支持される。
より、鉤型に形成されたアーム部１０ａの先端が矢印Ｂ
方向へ回転し、その先端部分で基板３を矢印Ｃ方向へ押
圧する。これにより、基板３は下方の端部を回転軸とし
て矢印Ｃ方向へ回転して傾斜方向を反転する。なお、左
右方向へ傾斜した基板３の上方の端部は、図示されない
一対の基板保持部によってそれぞれ支持される。
このように構成された基板反転機構を装備したエピタキ
シャル成長装置においては、基板３の表面３ａにエピタ
キシャル成長層を形成した後、基板反転棒１０を回転す
るという簡単な操作によって基板３の傾斜方向を反応管
５内で反転させることができる。
シャル成長装置においては、基板３の表面３ａにエピタ
キシャル成長層を形成した後、基板反転棒１０を回転す
るという簡単な操作によって基板３の傾斜方向を反応管
５内で反転させることができる。
以下実施例図に基づいて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例を示す要部側断面図であるが
、前記第１図、第４図と同一部分には同一符号を付して
いる。
、前記第１図、第４図と同一部分には同一符号を付して
いる。
第２図に示すように、本発明の気相エピタキシャル成長
装置は、基板３の下方の端部を回転軸として支持する基
板支持台８と、基板３の上方の端部を支持する一対の基
板保持部７と、基板支持台８と隣接して配設された軸受
部１５によって自在に回転できるように支持された基板
反転棒１０とによって構成された基板反転機構（第１図
の原理図参照）が反応管５の内部に装備され、該反応管
５の外側には基板３の表裏両面と対向状態で、且つ個別
に動作する一対のヒータ２が配設された構成になってい
る。
装置は、基板３の下方の端部を回転軸として支持する基
板支持台８と、基板３の上方の端部を支持する一対の基
板保持部７と、基板支持台８と隣接して配設された軸受
部１５によって自在に回転できるように支持された基板
反転棒１０とによって構成された基板反転機構（第１図
の原理図参照）が反応管５の内部に装備され、該反応管
５の外側には基板３の表裏両面と対向状態で、且つ個別
に動作する一対のヒータ２が配設された構成になってい
る。
そして、矢印り方向から供給される原料ガス１によって
基板３の表面３ａ側に所定のエピタキシャル成長層を形
成した後、基板反転棒１０を矢印Ａ方向に回動して鉤型
に形成されたアーム部１０ａの先端部で基板３を矢印Ｂ
方向へ押圧し、基板３を矢印Ｃ方向へ反転させる。この
操作によって基板３の裏面３ｂ側に原料ガス１が当たる
ようになり、裏面３ｂ上に所望のエピタキシャル成長層
が形成される。基板反転棒１０は次回の操作に備えて元
の位置へ復帰させておく。
基板３の表面３ａ側に所定のエピタキシャル成長層を形
成した後、基板反転棒１０を矢印Ａ方向に回動して鉤型
に形成されたアーム部１０ａの先端部で基板３を矢印Ｂ
方向へ押圧し、基板３を矢印Ｃ方向へ反転させる。この
操作によって基板３の裏面３ｂ側に原料ガス１が当たる
ようになり、裏面３ｂ上に所望のエピタキシャル成長層
が形成される。基板反転棒１０は次回の操作に備えて元
の位置へ復帰させておく。
なお、ヒータ２は基板３の表面３ａ、裏面３ｂを別々に
加熱することができるように分離操作可能に構成されて
いる。
加熱することができるように分離操作可能に構成されて
いる。
本実施例では、基板３が長方形になっているが、例えば
円形の場合等は、基板支持台８に適当な補助板を附加す
れば良い。
円形の場合等は、基板支持台８に適当な補助板を附加す
れば良い。
次に第３図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃｌを用いて基板反
転機構の動作を説明する。
転機構の動作を説明する。
０１表面に成長層を形成する場合〔第３図（ａ）〕表面
３ａ側にエピタキシャル成長層を形成する場合は、鉤型
に形成されたアーム部１０ａは紙背から紙面方向を向く
位置にあって基板３には作用しないため、基板３の表面
３ａは斜め上方を向いた位置に在る。そして矢印り方向
から供給される原料ガス１により、表面３ａ上にエピタ
キシャル成長層（図示せず）が形成される。
３ａ側にエピタキシャル成長層を形成する場合は、鉤型
に形成されたアーム部１０ａは紙背から紙面方向を向く
位置にあって基板３には作用しないため、基板３の表面
３ａは斜め上方を向いた位置に在る。そして矢印り方向
から供給される原料ガス１により、表面３ａ上にエピタ
キシャル成長層（図示せず）が形成される。
■、成長面の表裏反転操作〔第３図（ｂ）〕成長面の表
裏反転時は、基板反転棒１０を矢印Ａ方向に回転してア
ーム部１０ａの先端部で基板３の裏面３ｂを押圧し、基
板３を矢印Ｃ方向へ反転させる。
裏反転時は、基板反転棒１０を矢印Ａ方向に回転してア
ーム部１０ａの先端部で基板３の裏面３ｂを押圧し、基
板３を矢印Ｃ方向へ反転させる。
■、裏面に成長層を形成する場合〔第３図（Ｃ）〕上記
操作により、これまでは下方に向けられていた基板３の
裏面３ｂが上方を向く。そして矢印り方向から供給され
る原料ガス１により、裏面３ｂ上に所望のエピタキシャ
ル成長層が形成される。
操作により、これまでは下方に向けられていた基板３の
裏面３ｂが上方を向く。そして矢印り方向から供給され
る原料ガス１により、裏面３ｂ上に所望のエピタキシャ
ル成長層が形成される。
Ｃ発明の効果〕
本発明によれば、一連のエピタキシャル成長プロセスで
もって基板の表裏両面にエピタキシャル層を成長させる
ことができるので、汚染の可能性が少なくなり、且つ所
要時間も短縮される。
もって基板の表裏両面にエピタキシャル層を成長させる
ことができるので、汚染の可能性が少なくなり、且つ所
要時間も短縮される。
第１図は本発明の基板反転機構の原理を示す要部斜視図
、 第２図は本発明の一実施例を示す要部側断面図、第３図
（ａｌ、 （ｂｌ、 （ｃｌは本発明の基板反転機構の
動作を示す要部側断面図、 第４図は従来装置の構造例を示す要部側断面図である。 図中、ｌは原料ガス、 ２はヒータ、 ３は基板、 ３ａは基板の表面、 ３ｂは基板の裏面、 ５は反応管、 ７は基板保持部、 ８は基板支持台、 １０は基板反転棒、 １０ａはアーム部、 １５は軸受部、 第１図 オ写ドｑの一娩ｆ！図 第２図
、 第２図は本発明の一実施例を示す要部側断面図、第３図
（ａｌ、 （ｂｌ、 （ｃｌは本発明の基板反転機構の
動作を示す要部側断面図、 第４図は従来装置の構造例を示す要部側断面図である。 図中、ｌは原料ガス、 ２はヒータ、 ３は基板、 ３ａは基板の表面、 ３ｂは基板の裏面、 ５は反応管、 ７は基板保持部、 ８は基板支持台、 １０は基板反転棒、 １０ａはアーム部、 １５は軸受部、 第１図 オ写ドｑの一娩ｆ！図 第２図
Claims (1)
- 反応管内に成長層を形成すべき基板（３）の下端を支
持する基板支持台（８）を配置するとともに、該支持台
（８）の上部両側に前記基板（３）の上端を保持する一
対の基板保持部（７）を設け、さらに前記基板支持台（
８）と一方の基板保持部（７）間に傾斜して載置された
基板（３）を、他方の基板保持部（７）側に反転傾斜さ
せる基板反転棒（１０）を回動自在に軸支する軸受部（
１５）を設けたことを特徴とする気相エピタキシャル成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16926086A JPH0687457B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16926086A JPH0687457B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325915A true JPS6325915A (ja) | 1988-02-03 |
| JPH0687457B2 JPH0687457B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=15883208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16926086A Expired - Lifetime JPH0687457B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687457B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005187114A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP16926086A patent/JPH0687457B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005187114A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0687457B2 (ja) | 1994-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02213477A (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| JPS6466929A (en) | Method of forming defect-free single crystal thin layer of semiconductor material | |
| JPH0687457B2 (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JP5005205B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JP3808244B2 (ja) | ターゲットホルダー構造 | |
| JP3184550B2 (ja) | 気相成長方法及びその装置 | |
| JPH04186823A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2530982Y2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0367062U (ja) | ||
| JPH03228322A (ja) | 常圧気相成長装置 | |
| TWI286811B (en) | Apparatus including susceptor assembly | |
| JPH02262331A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0527489Y2 (ja) | ||
| JPH01153634U (ja) | ||
| JP2584957Y2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS5832930Y2 (ja) | 熱転写装置 | |
| JPH0391923A (ja) | 液相エピタキシャル成長装置 | |
| JPH0465148B2 (ja) | ||
| JPH01136181U (ja) | ||
| JPH0627947Y2 (ja) | 薄膜気相成長装置における熱電対支持装置 | |
| JPH02180787A (ja) | 結晶連続引上用２重るつぼ | |
| JPH0548306B2 (ja) | ||
| JPH0526734Y2 (ja) | ||
| JPH02102193A (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
| JPH037149Y2 (ja) |