JPS63260131A - レジスト硬化装置 - Google Patents

レジスト硬化装置

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Publication number
JPS63260131A
JPS63260131A JP62093147A JP9314787A JPS63260131A JP S63260131 A JPS63260131 A JP S63260131A JP 62093147 A JP62093147 A JP 62093147A JP 9314787 A JP9314787 A JP 9314787A JP S63260131 A JPS63260131 A JP S63260131A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lamp
wafer
light
rays
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62093147A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Koike
博 小池
Toshiharu Kimoto
木本 敏春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP62093147A priority Critical patent/JPS63260131A/ja
Publication of JPS63260131A publication Critical patent/JPS63260131A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、ランプハウスの構造を改良した。半導体ウェ
ーハ上のレジスト硬化装置に関する。
(従来の技術) 半導体ウェーへのレジストをUV(紫外線)光で硬化す
る場合、 ウェーへ上に照射されるUv光量にムラが生
じたりUV光によるウェーハの温度上昇が生じてその温
度制御を難しくする等、ウェーハ上のレジスト硬化に悪
影響を与えることがあった。またUv光用のランプハウ
スが一体化しているため、内部のメインテナンスが容易
にできない問題がある。
(発明が解決しようとする問題点) このように、レジスト硬化上1種々の問題があるが、と
りわけウェーハ上におけるU■光量のムラが問題となる
したがって本発明の目的は、ウェーハ上に照射されるU
V光に光ムラが生じないようにしたランプハウスを有す
るレジスト硬化装置を提供することにある。
【発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明はランプから生じる紫外線によりウェーハ上のレ
ジストを硬化させる装置であって、前記ランプの周囲を
覆い、かつウェーハの照射面近くに開口するカバーを設
けたことを特徴とする。
(作 用) 本発明では、ウェーハ上の光量ムラを防止するために、
ウェーハ近くに開口する反射板を設けてランプから生じ
るUV光を反射させ、ウェーハ上に照射されるUv光量
を均一化し、光量ムラをなくしてレジスト硬化がシャー
プに出来るようにした。
(実施例) 以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図において、1は下面を開放し、全体をカバーする
フレームで、 その内側上部にはUV光を生じるランプ
、例えば高圧水銀ランプ2が3本設けられる。3はラン
プ冷却用水冷管(オゾンレス石英管)で、ランプ2の周
囲を覆って設けられ。
かつ水冷パイプ10と連通する。4はランプをホールド
するブラケット、5は上述したランプ全体をフレーム1
内に取付ける金具である。6は反射板で、例えば純Al
1表面を石英でコーティングしたものを用いる。ここで
、UV光反射率は、200〜30Qnm。
70〜80%である。
上記反射板6は、ランプ5の周囲、すなわち。
ランプ5の上面1両側面、前後面をそれぞれ覆い。
かつ下方に位置するウェーハ9の近くの下面を開放した
ものである。
7は水冷タンクで、フレーム1全体を水冷するべく構成
され、前記水冷パイプIOと連通ずる。8はフィルター
で前記反射板6の下面開放部と対向して設けられる。上
記フィルター8はUv光強度のムラをより一層少なくす
るもので、部面フィルターを用いている。
この部面のフィルタには、ダイクロイックフィルターを
使用する。すなわち、uv光を生じる前記高圧水銀ラン
プ2のエネルギー分布は、一般に紫外線14.6%、可
視光11.3%、紫外線45.5%、その他の熱28.
7%と言われている。このため、UV光でレジストを硬
化する場合、紫外線の輻射熱による異常温度上昇を防止
する必要があり、この面からもダイクロイックフィルタ
ーが最適である。なお今回のレジスト硬化装置でuv光
による温度上昇を測定した結果、フィルターなしの場合
は温度22.7℃→200℃迄上昇するのに時間は2時
間42分かかり、その後200℃をオーバし、どんどん
上昇した。
これに対し、フィルター8としてダイクロイツタフィル
ター(水冷無し)を入れた場合は、温度上昇は最高15
0℃迄で、それ以上は上昇しなかった。
またダイクロイックフィルターの周囲を水冷すればUV
光による温度上昇は水温程度に押えることができる。
11は水漏れ検知センサーで、何かの原因で水漏れが発
生した場合これを検知し、ランプ2の電源をOFFする
ようにシステムが組まれている。Aはランプの交換を容
易にするための穴で通常はカバーでかくれている。
第2図はレジスト硬化装置の外観図であり、前面操作形
に構成し、ランプハウス26を後方に開閉できるようk
して、メインテナンスを容易にしている。21は本体で
内部には、メインの制御回路、Uv光ランプ電源、各種
制御回路が内蔵されている。
22、23はウェーへのロード、アンロード、キャリア
で、アクリル製カバーを用いており、後方に開いてキャ
リアの設定操作が簡単にできるようになっている。24
はプラズマディスプレイで、ウェーハの予備加熱、uv
光の照射状況、 ウエーノ)の1位置等を表示する。こ
のプラズマディスプレイは。
後述するテンキーによるキーインがやりやすく、かつ画
面が見やすいように角度をつけている。5は上記テンキ
ーを有するキーボードで、引出式に構成されており、操
作時には、表に引き出してテンキーを設定し、使用後は
、後方に押して、本体内部に収納する。
前記ランプハウス26は前面から2本のシリンダーにて
本体21より後方向に開くことができるようにする。こ
のように構成すると、ランプの交換。
内部の清掃、またランプハウス26の下にある処理室(
チェンバー)内の清掃が簡単にできる。処理室は密封構
造になっており、最適ガスを封入し。
レジスト硬化を改善している。27は中継箱で、水、空
気、ガス等の配管、フロースイッチ、フローメータを収
納しており本体21に取付けている。このように構成す
ることにより、レジスト硬化装置全体はコンパクト化さ
れ、しかもレジスト硬化に必要なフル機能を収納できる
第4図はUvランプ(実効長250+ow) 2の強度
をUV強度計(波長254止受光径1 m +11 )
 3N:で、第3図で示した反射板6を有するランプ2
の長さ方向の強度を、反射板6の有無しの場合毎に、ラ
ンプ直下の距離100.200mの所を中心に測定した
もので、反射板6付き(有り)で距R200鴎では、6
インチ、8インチのウェーハサイズでもUv光強度が変
化せず、フラットな領域であることが分る。また距離1
00■のものに比し、υV光強度でも距離が2倍(従っ
て強度1/4反射板無しの場合)離れていても、特殊反
射板をランプの四方を囲むことにより、逆にUV強度が
倍になることが分る。
一方反射板が無い場合はランプ長手方向のUV強度が大
きく変化し、υV光硬化には適さない、下表は第3図で
示した配置にて実際のウェーハ(6インチ)上のUV強
度を反射板6の有無、 ランプからの距離100.20
0■について測定したものをまとめている。下表から明
らかなように1反射板6無しの場合、 ウェーハ9上の
Uv光強度ムラが大きく、UV硬化には不適である。
反射板6の前後端部6Aのみを取付けた場合は、ウェー
ハ9上の水平面強度にはあまり寄与しないし、強度ムラ
も大きい、一方反射板6を取付けた場合、ウェーハ9の
水平面強度斜め方向の強度ムラも少なく、UV硬化には
最適である。更に部面フィルタ8を設けることにより、
uv光の強度ムラをより一層少なくできる。
上述したレジスト硬化装置は次の特長を有する。
1 反射板6を使用したので、ウェーハ9上のUv光量
を均斉化する。
2 フィルタ8を使用したので、UV光で処理中、UV
光の輻射熱によるウェーハ9の昇温を低く押えられる。
3 フィルタ8を部面にしたことにより光量のより一層
の均斉化がはかれる。
4 ランプハウスを、前面操作形とし、本体より開閉が
できるようにしたので、メンテナンスが簡単にできる。
5 水冷構造にするとランプハウス外側全体の温度を4
0℃以下にでき、安全性が向上する。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、ランプ周囲を覆いかつウ
ェーハ近くに開口する反射板を設けたので、ウェーハ上
に照射されるUV光が均一化となり、良好なレジスト硬
化を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるレジスト硬化装置の一実施例を示
す正面図および側面図、第2図は全体構造を示す斜視図
、第3図(a) (b)は第1図の要部を取り出して示
す斜視図および底面図、第4図は第3図で示したランプ
とUV強度分布との関係を示す図である。 2・・・ランプ、  6・・・反射板、 9・・・ウエ
ーハ第2図 (α)                      
 (b)C 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  ランプから生じる紫外線によりウェーハ上のレジスト
    を硬化させる装置において、 前記ランプの周囲を覆い、かつウェーハの照射面近くに
    開口する反射板を設けたことを特徴とするレジスト硬化
    装置。
JP62093147A 1987-04-17 1987-04-17 レジスト硬化装置 Pending JPS63260131A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62093147A JPS63260131A (ja) 1987-04-17 1987-04-17 レジスト硬化装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP62093147A JPS63260131A (ja) 1987-04-17 1987-04-17 レジスト硬化装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63260131A true JPS63260131A (ja) 1988-10-27

Family

ID=14074421

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62093147A Pending JPS63260131A (ja) 1987-04-17 1987-04-17 レジスト硬化装置

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JP (1) JPS63260131A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016058524A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 東京応化工業株式会社 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016058524A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 東京応化工業株式会社 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法

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