JPS63260204A - 集積結合回路 - Google Patents
集積結合回路Info
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- JPS63260204A JPS63260204A JP62325645A JP32564587A JPS63260204A JP S63260204 A JPS63260204 A JP S63260204A JP 62325645 A JP62325645 A JP 62325645A JP 32564587 A JP32564587 A JP 32564587A JP S63260204 A JPS63260204 A JP S63260204A
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- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
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- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1433—Balanced arrangements with transistors using bipolar transistors
-
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- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
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- H03D7/1458—Double balanced arrangements, i.e. where both input signals are differential
-
- H—ELECTRICITY
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0033—Current mirrors
-
- H—ELECTRICITY
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- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0088—Reduction of intermodulation, nonlinearities, adjacent channel interference; intercept points of harmonics or intermodulation products
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Amplitude Modulation (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、振幅変調受信機において変調器をセラミック
フィルタに結合するための集積結合回路に関し、前記変
調器の出力に接続されるタイプの集積結合回路に関する
。前記変調器は、互いに並列相互接続された1対の差動
セルを備えた出力ステージを含む。
フィルタに結合するための集積結合回路に関し、前記変
調器の出力に接続されるタイプの集積結合回路に関する
。前記変調器は、互いに並列相互接続された1対の差動
セルを備えた出力ステージを含む。
(従来の技術、および発明が解決しようとする問題点)
変調器は、アナログ通信装置の分野、例えば振幅変調(
AM)信号のラジオ受信機に応用されることが知られて
いる。
AM)信号のラジオ受信機に応用されることが知られて
いる。
一般に変調器は、周波数逓倍器回路を備える。
この逓倍器回路に1対の信号が入力され、その回路の出
力から前記1対の入力信号の積に比例する信号が出力さ
れる。前記逓倍器回路の第1の入力には、一定振幅の振
動信号つまり一般に搬送波と呼ばれる信号が入力される
。この搬送波は受信機に内蔵された発振器によって局所
的に発生される。
力から前記1対の入力信号の積に比例する信号が出力さ
れる。前記逓倍器回路の第1の入力には、一定振幅の振
動信号つまり一般に搬送波と呼ばれる信号が入力される
。この搬送波は受信機に内蔵された発振器によって局所
的に発生される。
また前記回路の第2の入力には、ラジオ受信機のアンテ
ナから変調用アナログ信号が供給される。
ナから変調用アナログ信号が供給される。
前記変調器は、基本的に周波数変換回路であり、ラジオ
受信機におけるその機能は、基本的に振幅変調信号を発
生させるものである。また、搬送波の抑制と共に変調を
実行するため、いわゆる平衡変調器(ミキサ)が使用さ
れる。
受信機におけるその機能は、基本的に振幅変調信号を発
生させるものである。また、搬送波の抑制と共に変調を
実行するため、いわゆる平衡変調器(ミキサ)が使用さ
れる。
代表的な平衡変調器は、1対の差動セルで構成された出
力ステージを備える。これら差動セルは並列に相互接続
され、搬送波信号がそれらの入力に印加される。前記1
対の差動セルは、別の差動セルの各コレクタによって駆
動される。この別の差動セルの入力には、アンテナから
変調用信号が供給される。原則としてアンテナからの変
調用信号は、その周波数帯が560〜1600KHzで
ある。
力ステージを備える。これら差動セルは並列に相互接続
され、搬送波信号がそれらの入力に印加される。前記1
対の差動セルは、別の差動セルの各コレクタによって駆
動される。この別の差動セルの入力には、アンテナから
変調用信号が供給される。原則としてアンテナからの変
調用信号は、その周波数帯が560〜1600KHzで
ある。
変調器の出力は、結合回路を介してセラミックフィルタ
に接続され、前記変調器の出力に現れる信号から455
KHzのいわゆる固定中間周波数(IF)において変調
信号が選択される。
に接続され、前記変調器の出力に現れる信号から455
KHzのいわゆる固定中間周波数(IF)において変調
信号が選択される。
このような結合回路を実現するため、および変調器の出
力インピーダンスをセラミックフィルタの入力インピー
ダンスに合わせるため、従来は誘導型インピーダンス変
成器の使用が提案されてきた。
力インピーダンスをセラミックフィルタの入力インピー
ダンスに合わせるため、従来は誘導型インピーダンス変
成器の使用が提案されてきた。
このインピーダンス変成器において1次巻線の端子は、
電源電wlVSと変調器の一方の出力端子とに各々接続
される。前記一方の出力端子は、前記変調器の出力ステ
ージを構成する1対の差動セルの一つのコレクタである
。また前記1対の差動セルの他のコレクタは、前記電源
電極■Sに接続される。
電源電wlVSと変調器の一方の出力端子とに各々接続
される。前記一方の出力端子は、前記変調器の出力ステ
ージを構成する1対の差動セルの一つのコレクタである
。また前記1対の差動セルの他のコレクタは、前記電源
電極■Sに接続される。
前記変成器の1次巻線の端子間にはコンデンサが接続さ
れる。また2次巻線はアースと前記セラミックフィルタ
との間で接続される。
れる。また2次巻線はアースと前記セラミックフィルタ
との間で接続される。
このような従来の結合回路は、はぼ期待通りに動作する
が、欠点として変成器の製造コストが高く、またそれを
較正して中間周波数(IF)に合わせなければならない
。
が、欠点として変成器の製造コストが高く、またそれを
較正して中間周波数(IF)に合わせなければならない
。
本発明の技術的目的は、変調器をセラミックフィルタに
結合させるなめに使用され、rR@変調受信機において
利用効果があり、前記従来技術の欠点を克服できる構造
および動作特性を有する集積結合回路を提供することで
ある。
結合させるなめに使用され、rR@変調受信機において
利用効果があり、前記従来技術の欠点を克服できる構造
および動作特性を有する集積結合回路を提供することで
ある。
(問題点を解決するための手段)
この目的を達成するなめ、本発明の集積結合回路は、ベ
ースを介して相互接続された1対のトランジスタを備え
る。これらトランジスタは、ダイオードと第3のトラン
ジスタと共にブリッジ回路を形成する。前記1対のトラ
ンジスタの各々は、変調器の出力端子に接続された各電
流対称回路によって駆動される。前記ブリッジ回路の出
力は、前記セラミックフィルタに接続される。
ースを介して相互接続された1対のトランジスタを備え
る。これらトランジスタは、ダイオードと第3のトラン
ジスタと共にブリッジ回路を形成する。前記1対のトラ
ンジスタの各々は、変調器の出力端子に接続された各電
流対称回路によって駆動される。前記ブリッジ回路の出
力は、前記セラミックフィルタに接続される。
本発明に基づく回路の特徴および利点を実施例および添
付図面を参照して以下に詳細に説明する。
付図面を参照して以下に詳細に説明する。
これら実施例および図面は例示的なものであって、本発
明を限定するものではない。
明を限定するものではない。
(実施fN)
添付図面において、番号1は本発明に基づく結合回路を
示す、この回路1は、振幅変調ラジオ受信tJ&(従来
設計のものであり図示せず)において変調器2とセラミ
ックフィルタ3との間に接続される。
示す、この回路1は、振幅変調ラジオ受信tJ&(従来
設計のものであり図示せず)において変調器2とセラミ
ックフィルタ3との間に接続される。
変調器2は従来のいわゆる平衡(ミキサ)型であり出力
ステージ4を備える。この出力ステージ4は、互いに並
列接続された1対の差動セルフ。
ステージ4を備える。この出力ステージ4は、互いに並
列接続された1対の差動セルフ。
8を有する。出力ステージ4の前記1対の差動セルフ、
8の入力端子A、Bには、いわゆる搬送波周期信号が印
加される。
8の入力端子A、Bには、いわゆる搬送波周期信号が印
加される。
出力ステージ4の各差動セルフ、8は、別の差動セル5
の各コレクタC1,C2に接続され駆動される。差動セ
ル5の入力端子H,Kには、前記ラジオ受信機のアンテ
ナ(図示せず)から変調用信号が印加される。
の各コレクタC1,C2に接続され駆動される。差動セ
ル5の入力端子H,Kには、前記ラジオ受信機のアンテ
ナ(図示せず)から変調用信号が印加される。
変調器2の出力ステージ4は出力端子6a26bを有し
、これら出力端子は以下に説明するように結合回路1に
直接接続される。
、これら出力端子は以下に説明するように結合回路1に
直接接続される。
回路1は1対のpnp トランジスタT4.T5を備え
る。これらトランジスタは、各ベースB4゜B5を介し
て相互接続される。またこれらベースはバイアス電圧源
■Sにも接続される。
る。これらトランジスタは、各ベースB4゜B5を介し
て相互接続される。またこれらベースはバイアス電圧源
■Sにも接続される。
トランジスタT4.T5の各エミッタE4.E5は、各
電流対称回路9,10を介して変調器2の出力端子6a
、6bに接続され駆動される。
電流対称回路9,10を介して変調器2の出力端子6a
、6bに接続され駆動される。
電流対称回路9はpnpトランジスタT3を備える。こ
のトランジスタT3のベースB3は、変調器2の出力端
子6bに接続されると共に、ダイオードD1を介して電
源型8i!VSに接続される。
のトランジスタT3のベースB3は、変調器2の出力端
子6bに接続されると共に、ダイオードD1を介して電
源型8i!VSに接続される。
さらにトランジスタT3のエミッタE3は電源型&VS
に接続されると共に、そのコレクタC3はトランジスタ
T4のエミッタE4に接続される。
に接続されると共に、そのコレクタC3はトランジスタ
T4のエミッタE4に接続される。
このためトランジスタT3.T4は、いわゆるカスケー
ド状に接続される。
ド状に接続される。
これと同様、電流対称回路10はトランジスタT2を備
える。このトランジスタT2のベースB2は、変調器2
の出力端子6aに接続されると共に、ダイオードD2を
介して電源電極■Sに接続される。さらにトランジスタ
T2のエミッタE2は電源電極VSに接続されると共に
、そのコレクタC2はトランジスタT5のエミッタE5
に接続される。このなめトランジスタT2.T5は、い
わゆるカスケード状に接続される。
える。このトランジスタT2のベースB2は、変調器2
の出力端子6aに接続されると共に、ダイオードD2を
介して電源電極■Sに接続される。さらにトランジスタ
T2のエミッタE2は電源電極VSに接続されると共に
、そのコレクタC2はトランジスタT5のエミッタE5
に接続される。このなめトランジスタT2.T5は、い
わゆるカスケード状に接続される。
1対のトランジスタT4.T5は、さらにダイオードD
3とnpnトランジスタT6とに接続されてブリッジ回
路11を形成する。トランジスタT6のエミッタE6は
接地される9 トランジスタT6のコレクタc6はトランジスタT5の
コレクタC5に接続され、そのベースB6はダイオード
D3を介して接地されると共にトランジスタT4のコレ
クタC4に接続される。
3とnpnトランジスタT6とに接続されてブリッジ回
路11を形成する。トランジスタT6のエミッタE6は
接地される9 トランジスタT6のコレクタc6はトランジスタT5の
コレクタC5に接続され、そのベースB6はダイオード
D3を介して接地されると共にトランジスタT4のコレ
クタC4に接続される。
トランジスタT4.T5.T6とダイオードD3とで構
成されるブリッジ回路11の出力端子は、トランジスタ
T5.T6のコレクタC5,C6からなり、抵抗R1の
一端に接続される。抵抗R1の他端は、電流源A1を介
して接地されると共に、バイアス電圧源を介してトラン
ジスタT4.T5のベースB4.B5に接続される。
成されるブリッジ回路11の出力端子は、トランジスタ
T5.T6のコレクタC5,C6からなり、抵抗R1の
一端に接続される。抵抗R1の他端は、電流源A1を介
して接地されると共に、バイアス電圧源を介してトラン
ジスタT4.T5のベースB4.B5に接続される。
このブリッジ回路11の出力端子(C5)は、セラミッ
クフィルタ3に接続されると同時に、変調器2と結合回
路1とで構成される集積回路用の接続ビンを形成する。
クフィルタ3に接続されると同時に、変調器2と結合回
路1とで構成される集積回路用の接続ビンを形成する。
本発明に基づく結合回路1は、セラミックフィルタ3と
協同し、変調器2の出力端子に現れるあらゆる調波から
固定中間周波数(IF)信号を取り出すことを可能にす
る。
協同し、変調器2の出力端子に現れるあらゆる調波から
固定中間周波数(IF)信号を取り出すことを可能にす
る。
電流対称回路9,10は完全に対称であり、電流利得を
提供してブリッジ回路11を駆動する。
提供してブリッジ回路11を駆動する。
そして電圧利得は、カスケード状に接続された8対のト
ランジスタT3.T4およびT2.T5によって提供さ
れる。
ランジスタT3.T4およびT2.T5によって提供さ
れる。
本発明に基づく回路構成は、pnpトランジスタの有効
出力(初期)特性に存在する非線形性を著しく減少させ
ることができる。このなめ、変調器2と結合回路1とか
らなる集積回路の混変調の最適化を実現できる。
出力(初期)特性に存在する非線形性を著しく減少させ
ることができる。このなめ、変調器2と結合回路1とか
らなる集積回路の混変調の最適化を実現できる。
ブリッジ回路11の電圧出力は抵抗R1に供給される。
(発明の効果)
従来の結合回路においては、非線形現象が出現し、これ
によって変調位相における高調波ひずみが発生し、この
ため2次的な相互変調積が発生するが、前記した本発明
の結合回路は、この2次的な相互変調積を除去できる。
によって変調位相における高調波ひずみが発生し、この
ため2次的な相互変調積が発生するが、前記した本発明
の結合回路は、この2次的な相互変調積を除去できる。
このように調波成分を除去すると、混変調および受信機
固定中間周波数除去のデシベル値が向上する。
固定中間周波数除去のデシベル値が向上する。
本発明の結合回路は従来設計のインピーダンス変成器に
比べ、電圧利得とインピーダンス順応と固定中間周波数
選択性能とを向上させるという大きな利点を有する。
比べ、電圧利得とインピーダンス順応と固定中間周波数
選択性能とを向上させるという大きな利点を有する。
さらに本発明の回路は、変調器を内蔵した半導体回路に
集積することができるので、コストおよび回路設計の面
で有利である。
集積することができるので、コストおよび回路設計の面
で有利である。
図は、本発明に基づく集積結合回路を示す概略図である
。 1・・・結合回路 2・・・変調器 3・・・セラミックフィルタ 4・・・出力ステージ 5.7,8・・・差動セル 9.10・・・電流対称回路 11・・・ブリッジ回路 D1〜D3・・・ダイオード R1・・・抵抗 T2〜T6・・・トランジスタ
。 1・・・結合回路 2・・・変調器 3・・・セラミックフィルタ 4・・・出力ステージ 5.7,8・・・差動セル 9.10・・・電流対称回路 11・・・ブリッジ回路 D1〜D3・・・ダイオード R1・・・抵抗 T2〜T6・・・トランジスタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、振幅変調受信機において使用され、並列相互接続さ
れた1対の差動セル(7、8)を有する出力ステージ(
4)を備えた変調器(2)をセラミックフィルタ(3)
に結合するため前記変調器の出力に接続され、 ベース(B4、B5)を介して相互接続された1対のト
ランジスタ(T4、T5)と、 前記1対のトランジスタとダイオード(D3)と第3の
トランジスタ(T6)とによって形成され、前記セラミ
ックフィルタに接続される出力(C5)を有するブリッ
ジ回路(11)と、 前記1対のトランジスタを駆動するため前記変調器の出
力端子(6a、6b)に各々接続された電流対称回路(
9、10)とを備える、集積結合回路(1)。 2、前記電流対称回路(9、10)が、 前記変調器(2)の出力端子(6b、6a)に各々接続
されたベース(B3、B2)を有して前記1対のトラン
ジスタ(T4、T5)にカスケード状に接続されたpn
pトランジスタ(T3、T2)と、 前記トランジスタ(T3、T2)の各々のベースとエミ
ッタとの間に接続されたダイオードとを備えて対称的に
構成される、特許請求の範囲第1項に記載の回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT8622910A IT1213446B (it) | 1986-12-31 | 1986-12-31 | Circuito integrato di accopiamento tra un modulatore ed un filtro ceramico per ricevitori in modulazione di ampiezza. |
| IT22910-A/86 | 1986-12-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63260204A true JPS63260204A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=11201799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62325645A Pending JPS63260204A (ja) | 1986-12-31 | 1987-12-24 | 集積結合回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4910801A (ja) |
| EP (1) | EP0273882A3 (ja) |
| JP (1) | JPS63260204A (ja) |
| KR (1) | KR880008553A (ja) |
| IT (1) | IT1213446B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02145003A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-04 | Toshiba Corp | 検波回路 |
| JPH0767050B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1995-07-19 | 株式会社東芝 | 周波数変換回路 |
| US5465415A (en) * | 1992-08-06 | 1995-11-07 | National Semiconductor Corporation | Even order term mixer |
| US5650743A (en) * | 1995-12-12 | 1997-07-22 | National Semiconductor Corporation | Common mode controlled signal multiplier |
| CN1110123C (zh) * | 1998-07-10 | 2003-05-28 | 天津大学 | 无中频输出电桥微波场效应晶体管平衡混频器 |
| US7760023B2 (en) * | 2000-09-12 | 2010-07-20 | Black Sand Technologies, Inc. | Method and apparatus for stabilizing RF power amplifiers |
| US8149062B2 (en) * | 2000-09-12 | 2012-04-03 | Black Sand Technologies, Inc. | Power amplifier circuitry having inductive networks |
| US6549071B1 (en) * | 2000-09-12 | 2003-04-15 | Silicon Laboratories, Inc. | Power amplifier circuitry and method using an inductance coupled to power amplifier switching devices |
| US7710199B2 (en) * | 2000-09-12 | 2010-05-04 | Black Sand Technologies, Inc. | Method and apparatus for stabilizing RF power amplifiers |
| DE102004006383A1 (de) * | 2004-02-09 | 2005-08-25 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdruckaufnehmer mit Überlastmembran |
| US8760899B1 (en) * | 2013-01-14 | 2014-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Frequency multiplier |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4688263A (en) * | 1986-02-28 | 1987-08-18 | General Motors Corporation | Integrated AM-FM mixer |
-
1986
- 1986-12-31 IT IT8622910A patent/IT1213446B/it active
-
1987
- 1987-12-14 EP EP87830434A patent/EP0273882A3/en not_active Withdrawn
- 1987-12-21 KR KR870014647A patent/KR880008553A/ko not_active Withdrawn
- 1987-12-24 JP JP62325645A patent/JPS63260204A/ja active Pending
- 1987-12-30 US US07/139,595 patent/US4910801A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61264904A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 周波数変換回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0273882A3 (en) | 1989-10-04 |
| KR880008553A (ko) | 1988-08-31 |
| US4910801A (en) | 1990-03-20 |
| EP0273882A2 (en) | 1988-07-06 |
| IT1213446B (it) | 1989-12-20 |
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